JPS6077489A - ハイブリツドｉｃ基板 - Google Patents
ハイブリツドｉｃ基板Info
- Publication number
- JPS6077489A JPS6077489A JP18638583A JP18638583A JPS6077489A JP S6077489 A JPS6077489 A JP S6077489A JP 18638583 A JP18638583 A JP 18638583A JP 18638583 A JP18638583 A JP 18638583A JP S6077489 A JPS6077489 A JP S6077489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- board
- substrate
- ceramic substrate
- circuit
- hic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
この発明は、小形電子機器などに組み込まれるハイブリ
ッドＩＣ基板（以下ＨＩＣ基板という）に関する。
ッドＩＣ基板（以下ＨＩＣ基板という）に関する。
（ｂ）従来技術
一般にＨＩＣ基板は抵抗や配線パターンを印刷したセラ
ミック基板にＩＣやトランジスタ等の電子部品チップを
取着して形成しているが、基板の両面を利用してＨＸＣ
基板を形成すれば基板の小形化という点で非常に有効と
なるものである。ところがセラミック基板の両面に電子
部品チップを搭載する場合には、載置時の基板の不安定
さや炉などの熱源方向が一方向であることなどからはん
だ付は作業が非常ｖＣ薙しくまた作業性も悪い。それ故
片面のみを利用したＨＩＯＩＣ基板用して−るのが現状
であり、基板の小形化という点からは問題が残っていた
。
ミック基板にＩＣやトランジスタ等の電子部品チップを
取着して形成しているが、基板の両面を利用してＨＸＣ
基板を形成すれば基板の小形化という点で非常に有効と
なるものである。ところがセラミック基板の両面に電子
部品チップを搭載する場合には、載置時の基板の不安定
さや炉などの熱源方向が一方向であることなどからはん
だ付は作業が非常ｖＣ薙しくまた作業性も悪い。それ故
片面のみを利用したＨＩＯＩＣ基板用して−るのが現状
であり、基板の小形化という点からは問題が残っていた
。
（Ｃ１発明の目的
この発明は上記問題点をＭ消するために提案さ７−１．
たもので、両面に電子部品の搭載を可能とするＨＩＣ基
板を構成して基板の小形化を図るようにした両面使用の
ＨＩＣ基板の提供を目的としている。
たもので、両面に電子部品の搭載を可能とするＨＩＣ基
板を構成して基板の小形化を図るようにした両面使用の
ＨＩＣ基板の提供を目的としている。
（ｄ）発明の構成
この発明に、表面用および裏面用として形成さノｔた２
枚のセラミック基板にそカぞれ所定の電子部品チップを
搭載後、重ね合わせて、挿入ピンあるいに導電性のフレ
ームにより表裏の回路バクーンを電気的に接続するとと
もに両基板を接着して両面利用のＨＩＣ基板を構成した
ものである。
枚のセラミック基板にそカぞれ所定の電子部品チップを
搭載後、重ね合わせて、挿入ピンあるいに導電性のフレ
ームにより表裏の回路バクーンを電気的に接続するとと
もに両基板を接着して両面利用のＨＩＣ基板を構成した
ものである。
（θ）実施例
第１図は、その片面のみに抵抗や配線パターンが印刷さ
力、さらにｌＣやトランジスタ等の電子部品チップＴが
搭載さｈたセラミック基板Ｐを示したもので、中央にふ
・いて左半分のセラミック基板ｐＡと右半分のセラミッ
ク基板ｐＢとに２分割さ力。
力、さらにｌＣやトランジスタ等の電子部品チップＴが
搭載さｈたセラミック基板Ｐを示したもので、中央にふ
・いて左半分のセラミック基板ｐＡと右半分のセラミッ
ク基板ｐＢとに２分割さ力。
るが、回路構成にこの２枚の基板ＰＡＩＰＢによって一
つの電子回路が構成されている。このようなセラミック
基板Ｐは、第２図に示す工うｌセラミック基板原板ｐｃ
から複数枚取り得るもので、同じ回路バクーンが多数印
刷さ力、たものを切断して用いている。ところで基板ｐ
ｃは次のような製造工程を経て作製される。捷ずセラミ
ック基板に配線７′＋ターンが印刷さ力、焼結炉を介し
て焼結さね、た後、基板にクリームはんだ用パターンが
印刷される。
つの電子回路が構成されている。このようなセラミック
基板Ｐは、第２図に示す工うｌセラミック基板原板ｐｃ
から複数枚取り得るもので、同じ回路バクーンが多数印
刷さ力、たものを切断して用いている。ところで基板ｐ
ｃは次のような製造工程を経て作製される。捷ずセラミ
ック基板に配線７′＋ターンが印刷さ力、焼結炉を介し
て焼結さね、た後、基板にクリームはんだ用パターンが
印刷される。
そして電子部品チップを所定の位置に載置して、リフロ
ー法によるはんだ付は工程を行い、基板への電子部品チ
ップの搭載が行わ力、る。この段階で回路チェッカ等で
各基板Ｐ毎の給電ポイント間にプローグを当てて回路の
状態のチェックが行ワ力。
ー法によるはんだ付は工程を行い、基板への電子部品チ
ップの搭載が行わ力、る。この段階で回路チェッカ等で
各基板Ｐ毎の給電ポイント間にプローグを当てて回路の
状態のチェックが行ワ力。
る。このチェックにより基板ＰＡＩＰＢの内いず力、か
の基板のみが不良であわば一方を廃棄するだけで他方を
残して使用できるので歩留捷りを良くすることが可能と
なる。このようにして作製されたセラミック基板原板ｐ
ｃは基板ｐＡと基板ｐＢとに分割切断さ力、そしてさら
に第３図に示すように基板ＰＡと基板ｐＢの部品搭載側
面を外面にして互いに重ね合わせそ力、ぞ力切断さ力た
基板ＰＡ （１１］の回路パターンと基ｊｆｉｐＢ側の
回路バク−ンとを挿入ビン１あるいは導電性フレーム２
などによって電気的に接続する。挿入ビン１に予め両基
板ＰＡｒ ＰＢ間に渡る工うに設けら力た貫孔に嵌挿し
た後、その両端においてはんだ付けが行わ力る。捷た導
電性フレーム２ばその峡着邪の形状が断面路口字形で基
板側面から峡谷さ力た後、バクーン上において（はんだ
付けが行われる。このような挿入ビン１や導電性フレー
ム２などの接続部桐にエリ、基板ｐＡおよび基板ＰＢは
回路の接続が行わ力、るとともに両基板の接着が行われ
ている。このようにして両面に電子部品を搭載したＨＩ
Ｃ基板ｐｎが形成される。
の基板のみが不良であわば一方を廃棄するだけで他方を
残して使用できるので歩留捷りを良くすることが可能と
なる。このようにして作製されたセラミック基板原板ｐ
ｃは基板ｐＡと基板ｐＢとに分割切断さ力、そしてさら
に第３図に示すように基板ＰＡと基板ｐＢの部品搭載側
面を外面にして互いに重ね合わせそ力、ぞ力切断さ力た
基板ＰＡ （１１］の回路パターンと基ｊｆｉｐＢ側の
回路バク−ンとを挿入ビン１あるいは導電性フレーム２
などによって電気的に接続する。挿入ビン１に予め両基
板ＰＡｒ ＰＢ間に渡る工うに設けら力た貫孔に嵌挿し
た後、その両端においてはんだ付けが行わ力る。捷た導
電性フレーム２ばその峡着邪の形状が断面路口字形で基
板側面から峡谷さ力た後、バクーン上において（はんだ
付けが行われる。このような挿入ビン１や導電性フレー
ム２などの接続部桐にエリ、基板ｐＡおよび基板ＰＢは
回路の接続が行わ力、るとともに両基板の接着が行われ
ている。このようにして両面に電子部品を搭載したＨＩ
Ｃ基板ｐｎが形成される。
（ｆ＋発明の効果
以上のようにこの発明によりば、片面にのみ配線パター
ンを形成し電子部品を搭載して構成した表面用基板と裏
面用基板をそ−ｈぞ力作製し、この２枚の基板を重ね合
わせて接続部桐にエリ両基板の回路パターンを電気的に
接続するとともに両基板を接着して両面利用のＨＩＣ基
板として構成しており、簡単な作朶工程で小形のＨＩＣ
基板を実現できるものである。
ンを形成し電子部品を搭載して構成した表面用基板と裏
面用基板をそ−ｈぞ力作製し、この２枚の基板を重ね合
わせて接続部桐にエリ両基板の回路パターンを電気的に
接続するとともに両基板を接着して両面利用のＨＩＣ基
板として構成しており、簡単な作朶工程で小形のＨＩＣ
基板を実現できるものである。
第１図はこの発明に係るＨＩＣ基板を形成するための元
となるセラミック基板のＩＩＣＩＣ部平面図２図は前記
セラミック基板を；ダ数形成したセラミック基板原板の
概略平面図、第３図にこの発明に係るＨＩＣ基板の形成
状態を示す概略断面図である。 ＰＡＩＰＢ・・・＠瞼セラミック基板 ｐＨ＋・・・・
ＨＩＣ基板、Ｔ・・・・・電子部晶子ツブ、１・・・・
・挿入ビン、２・・・・・導電性フレーム。 第１図 芋 第２図 第３図 Ｐ。
となるセラミック基板のＩＩＣＩＣ部平面図２図は前記
セラミック基板を；ダ数形成したセラミック基板原板の
概略平面図、第３図にこの発明に係るＨＩＣ基板の形成
状態を示す概略断面図である。 ＰＡＩＰＢ・・・＠瞼セラミック基板 ｐＨ＋・・・・
ＨＩＣ基板、Ｔ・・・・・電子部晶子ツブ、１・・・・
・挿入ビン、２・・・・・導電性フレーム。 第１図 芋 第２図 第３図 Ｐ。
Claims (1)
- ２分割さ力、た電子回路に対応してそれぞ力片面にのみ
回路パターンが形成された２つのセラミック基板を設け
、前記両基板を挿入ピンなどの接続部材により＃井両考
＊棲接着するとともに電気的に接続し、両面基板として
構成したことを特徴とするハイブリッドｘａ基ｆｆｉ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18638583A JPS6077489A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ハイブリツドｉｃ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18638583A JPS6077489A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ハイブリツドｉｃ基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077489A true JPS6077489A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16187460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18638583A Pending JPS6077489A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ハイブリツドｉｃ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077489A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004138704A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Seiko Epson Corp | 表示体構造、表示体構造の製造方法および電子機器 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18638583A patent/JPS6077489A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004138704A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Seiko Epson Corp | 表示体構造、表示体構造の製造方法および電子機器 |
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