JPS607740A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS607740A JPS607740A JP11651683A JP11651683A JPS607740A JP S607740 A JPS607740 A JP S607740A JP 11651683 A JP11651683 A JP 11651683A JP 11651683 A JP11651683 A JP 11651683A JP S607740 A JPS607740 A JP S607740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- plating layer
- solder
- main body
- package body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子を内股したパッケージ本体の開口部
に透光性材料製の蓋部材を封着して構戸。
に透光性材料製の蓋部材を封着して構戸。
される半導体装M IC関する。
従来、この種の半導体装置にあっては、・ヒラミック製
のパッケージ本体の開口部に例えばホウ珪酸717′ヲ
ス或いはサファイヤ製の蓋部材を封着lノて構成される
が、蓋部材の封着構造として従来法のようなものが供さ
れている。即ち、パッケージ本体と蓋部材とを低融点ガ
ラス層を介して溶着するもの、或いは、パッケージ本体
及び蓋部材の双方にメタライズ層を形成、シ、このメタ
ライズ層相互を金・すすロウ材を介して溶着するもので
ある。
のパッケージ本体の開口部に例えばホウ珪酸717′ヲ
ス或いはサファイヤ製の蓋部材を封着lノて構成される
が、蓋部材の封着構造として従来法のようなものが供さ
れている。即ち、パッケージ本体と蓋部材とを低融点ガ
ラス層を介して溶着するもの、或いは、パッケージ本体
及び蓋部材の双方にメタライズ層を形成、シ、このメタ
ライズ層相互を金・すすロウ材を介して溶着するもので
ある。
ところが、上述2種の封着構造とした場合には、低融点
ガラス或いは金・すすロウ材ともに溶着時に高温度に加
熱しなくてはならないため、パッケージ本体内の半導体
素子が損傷を受ける虞れが生ずる。特に、半導体素子と
してOCD素子を内股したものKあっては、斯様な封M
構造を採ると製品の歩留りが著しく低下するという問題
が生ずる。
ガラス或いは金・すすロウ材ともに溶着時に高温度に加
熱しなくてはならないため、パッケージ本体内の半導体
素子が損傷を受ける虞れが生ずる。特に、半導体素子と
してOCD素子を内股したものKあっては、斯様な封M
構造を採ると製品の歩留りが著しく低下するという問題
が生ずる。
そこで、蓋部材の封着温度を低下させるべく、近時、パ
ッケージ本体と蓋部材とを熱硬化性樹脂により接着する
構造も考えられてはいるが、このものでは半導体素子の
損傷は避けられるものの、反面、封着強度に劣り、温度
サイクル試験や熱衝撃試験において十分な結果が得られ
ないという欠点がある。他方、封着強度を向上させて温
度サイクル試験や熱衝撃試験に100%合格させ得る品
質を望んだ場合は、透光性材料にコバール等の金属枠を
低融点ガラスにて接着して蓋部材を構成し、この蓋部材
をパッケージ本体上に設けたシールリングにシームウェ
ルド法を用いて接着・封止することも考えられるが、こ
の場合も歩留りが悪くコスト上昇を招く欠点がある。
ッケージ本体と蓋部材とを熱硬化性樹脂により接着する
構造も考えられてはいるが、このものでは半導体素子の
損傷は避けられるものの、反面、封着強度に劣り、温度
サイクル試験や熱衝撃試験において十分な結果が得られ
ないという欠点がある。他方、封着強度を向上させて温
度サイクル試験や熱衝撃試験に100%合格させ得る品
質を望んだ場合は、透光性材料にコバール等の金属枠を
低融点ガラスにて接着して蓋部材を構成し、この蓋部材
をパッケージ本体上に設けたシールリングにシームウェ
ルド法を用いて接着・封止することも考えられるが、こ
の場合も歩留りが悪くコスト上昇を招く欠点がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は
、蓋部材の封着時の熱により半導体素子が損傷を受ける
ことを防止し得、しがも十分な封着強度を得ることがで
きる半導体装置を提供するにある。
、蓋部材の封着時の熱により半導体素子が損傷を受ける
ことを防止し得、しがも十分な封着強度を得ることがで
きる半導体装置を提供するにある。
以下本発明をイメージセンサに適用した一実施例につき
第1図乃至第3図を参照して説明する。
第1図乃至第3図を参照して説明する。
1は略中夫に矩形のキャビティ2を形成したセラミック
製のパッケージ本体で、これは未焼成のセラミックE/
−)Kよす形成した矩形のベースシート3上に、やはり
未焼成のセラミックシート製であって夫々中央に互いに
大きさの異なる開口部を有する枠シー)4,5.6を順
次積層して焼成一体化したものである。キャビテイ2内
底部及び枠シート4上には導体ペーストの印刷焼成によ
り夫々素子接着部及び内部配線パターン(いずれも図示
せず)が形成、され、また枠シート5上面のうちキャビ
ティ2内に露出する゛枠状部分には常法によりメタライ
ズ層7が形成されている(第2図参照)。
製のパッケージ本体で、これは未焼成のセラミックE/
−)Kよす形成した矩形のベースシート3上に、やはり
未焼成のセラミックシート製であって夫々中央に互いに
大きさの異なる開口部を有する枠シー)4,5.6を順
次積層して焼成一体化したものである。キャビテイ2内
底部及び枠シート4上には導体ペーストの印刷焼成によ
り夫々素子接着部及び内部配線パターン(いずれも図示
せず)が形成、され、また枠シート5上面のうちキャビ
ティ2内に露出する゛枠状部分には常法によりメタライ
ズ層7が形成されている(第2図参照)。
8はパッケージ本体1の側壁mK設けた多数のり−ドピ
ンで、これは前記内部配線パターン上にニッケルメッキ
を施した上でロウ付により固着、されている。第2図に
おいて、9はメタライズ暦7上に形成したニッケルメッ
キi、10はこのニッケルメッキ層9上に形成した金メ
ッキ層である。11は半導体素子たるCOD素子で、こ
れはキャビテイ2内底部の素子接着部に接着され、ポン
ディングワイヤ12により内部配線パターンに接続され
ている。
ンで、これは前記内部配線パターン上にニッケルメッキ
を施した上でロウ付により固着、されている。第2図に
おいて、9はメタライズ暦7上に形成したニッケルメッ
キi、10はこのニッケルメッキ層9上に形成した金メ
ッキ層である。11は半導体素子たるCOD素子で、こ
れはキャビテイ2内底部の素子接着部に接着され、ポン
ディングワイヤ12により内部配線パターンに接続され
ている。
一方、13は蓋部材に相当する例えばホウ珪酸ガラス製
のガラスプレートで、これは後述するようにしてパッケ
ージ本体1のキャビティ2の開口部2aに封着されたも
のである。即ち、まず開口部2aを閉鎖し得る大きさに
切断したガラスプレート13の外周縁部にフリットを含
有せるパラジウムペーストを所定幅にて印刷し、乾燥後
これを約500°C〜600℃にて焼成して焼成層14
を形成する。この後、焼$−M14上に例えば無電解メ
ッキ法にてニッケルメッキM15を形成し、更にこのニ
ッケルメッキ届15上にやはり例えば無電解メッキ法に
て金メッキ層16を形成、する。然る後、ガラスプレー
ト13の金メツキ層16上に約150°Cに加熱して溶
融させたインジウム半田17を流動状態にて付着せ(7
め、そして約150°Cにて加熱状態のパッケージ本体
1側の金メッキ層10にこのインジウム半田17を溶着
する。斯くして、パッケージ本体1側及びガラスプレー
ト13側の各金メッキT110及び16相互間をインジ
ウム半田17にて固着し、もってガラスプレート13に
よりパッケージ本体1の開口部2aを封着するものであ
る。
のガラスプレートで、これは後述するようにしてパッケ
ージ本体1のキャビティ2の開口部2aに封着されたも
のである。即ち、まず開口部2aを閉鎖し得る大きさに
切断したガラスプレート13の外周縁部にフリットを含
有せるパラジウムペーストを所定幅にて印刷し、乾燥後
これを約500°C〜600℃にて焼成して焼成層14
を形成する。この後、焼$−M14上に例えば無電解メ
ッキ法にてニッケルメッキM15を形成し、更にこのニ
ッケルメッキ届15上にやはり例えば無電解メッキ法に
て金メッキ層16を形成、する。然る後、ガラスプレー
ト13の金メツキ層16上に約150°Cに加熱して溶
融させたインジウム半田17を流動状態にて付着せ(7
め、そして約150°Cにて加熱状態のパッケージ本体
1側の金メッキ層10にこのインジウム半田17を溶着
する。斯くして、パッケージ本体1側及びガラスプレー
ト13側の各金メッキT110及び16相互間をインジ
ウム半田17にて固着し、もってガラスプレート13に
よりパッケージ本体1の開口部2aを封着するものであ
る。
上記構成の本実施例によれば、ガラスプレート130封
着時にはパッケージ本体1ひいてハccD素子11の加
熱温度は約150°C以下に°C済ませ得るから、CO
D素子11の熱による損傷を確実に防止し得て歩留りを
普しく向上させることができる。
着時にはパッケージ本体1ひいてハccD素子11の加
熱温度は約150°C以下に°C済ませ得るから、CO
D素子11の熱による損傷を確実に防止し得て歩留りを
普しく向上させることができる。
ところで、斯様な低温で溶融するインジウム半田による
封着構造を実用化するにあたり、本発明者は次のような
考究を重ねた。即ち、インジウム半田のなじみ性が良い
のは金メッキ層であるが、金メッキ層はガラスプレート
やセラミック製のパッケージ本体に十分な強度にて伸び
させ得ない。
封着構造を実用化するにあたり、本発明者は次のような
考究を重ねた。即ち、インジウム半田のなじみ性が良い
のは金メッキ層であるが、金メッキ層はガラスプレート
やセラミック製のパッケージ本体に十分な強度にて伸び
させ得ない。
一方、メタライズ層及びパラジウムペーストの焼成層は
パッケージ本体及びガラスプレートに極めて強固に付着
するも、これらの席上に金メッキ層を形成することは各
層m)で化学反応を生じて困離である。そこで、多くの
央験を重ねた結呆、本発明に至ったもので、即ち、前記
実施例に示す如くパッケージ本体1にメタライズ層7を
介シテニッケルメッキ層9及び金メッキ、1i110を
順に重ね設け、一方ガラスプレート13にパラジウムペ
ーストの焼成層14を介してニッケルメッキ層15及び
金メッキ層16を順に重ね設け、各金メツキ一層10.
16相互間をインジウム半田17により溶着するとbう
jflli成を完成した。斯様な構成によれば、メタラ
イズ層7及び焼成層14はパッケージ本体1及びガラス
プレート13に極めて強固に付着し、金メッキ層10.
16はニッケルメッキ層9.15を介しているからメタ
ライズ層7及び焼成層14に反応を生ずることなく強固
に付着し、更にインジウム#、1B17は各金メッキ層
I O、16になじみ良く強固に付着する。これにて、
f濡溶融可能々インジウム半田17を用いながら十分な
強度でガラスプレート13をパッケージ本体1に封盾し
得るものである。因みに、本実施例のイメージセンサを
MIL−8TD−883の湿度サイクル試験(方法10
1.0 )及び熱衝撃試験(方法1cz1)により試験
したところ、従来の熱硬化性樹脂による封着構造のもの
とは異なり、気密不良等は全く生ぜず十分に結果が得ら
れた。
パッケージ本体及びガラスプレートに極めて強固に付着
するも、これらの席上に金メッキ層を形成することは各
層m)で化学反応を生じて困離である。そこで、多くの
央験を重ねた結呆、本発明に至ったもので、即ち、前記
実施例に示す如くパッケージ本体1にメタライズ層7を
介シテニッケルメッキ層9及び金メッキ、1i110を
順に重ね設け、一方ガラスプレート13にパラジウムペ
ーストの焼成層14を介してニッケルメッキ層15及び
金メッキ層16を順に重ね設け、各金メツキ一層10.
16相互間をインジウム半田17により溶着するとbう
jflli成を完成した。斯様な構成によれば、メタラ
イズ層7及び焼成層14はパッケージ本体1及びガラス
プレート13に極めて強固に付着し、金メッキ層10.
16はニッケルメッキ層9.15を介しているからメタ
ライズ層7及び焼成層14に反応を生ずることなく強固
に付着し、更にインジウム#、1B17は各金メッキ層
I O、16になじみ良く強固に付着する。これにて、
f濡溶融可能々インジウム半田17を用いながら十分な
強度でガラスプレート13をパッケージ本体1に封盾し
得るものである。因みに、本実施例のイメージセンサを
MIL−8TD−883の湿度サイクル試験(方法10
1.0 )及び熱衝撃試験(方法1cz1)により試験
したところ、従来の熱硬化性樹脂による封着構造のもの
とは異なり、気密不良等は全く生ぜず十分に結果が得ら
れた。
尚、第4図は本発明の門形例を示し、前記実施例と異な
るところは、セラミック製のパッケージ18の上面にや
はりセツミック製の枠体19をインジウム半田17にて
mMしてパッケージ本体20を構成すると共に、枠体1
9とパッケージ18との間にガラスプレー1・13を挾
み付けるようにしてN着したものであり、この場合も前
記実施例と同様に、パッケージ18上面及び枠体19下
面にメタライズ層を介してニッケルメッキ層及び金メッ
キ層を重ね設けると共に、ガラスプレート13上面にパ
ラジウムペーストの焼成層を介してニッケルメッキ層及
び金メッキ層を重ね設けている。
るところは、セラミック製のパッケージ18の上面にや
はりセツミック製の枠体19をインジウム半田17にて
mMしてパッケージ本体20を構成すると共に、枠体1
9とパッケージ18との間にガラスプレー1・13を挾
み付けるようにしてN着したものであり、この場合も前
記実施例と同様に、パッケージ18上面及び枠体19下
面にメタライズ層を介してニッケルメッキ層及び金メッ
キ層を重ね設けると共に、ガラスプレート13上面にパ
ラジウムペーストの焼成層を介してニッケルメッキ層及
び金メッキ層を重ね設けている。
また、本発明は上記し且つ図面に示す実施例に限定され
るものではなく、例えば蓋部材の下方に位置して色フィ
ルタ板を内設する構成、とじたり、蓋部材下面に予め色
フィルタ膜を形成するようにしてもよく、とのようにし
ても封M温度を低く抑えることができるから、色フィル
タ板や色フィルタ膜を損傷させてしまうことを未然に防
止できるのは勿論である。
るものではなく、例えば蓋部材の下方に位置して色フィ
ルタ板を内設する構成、とじたり、蓋部材下面に予め色
フィルタ膜を形成するようにしてもよく、とのようにし
ても封M温度を低く抑えることができるから、色フィル
タ板や色フィルタ膜を損傷させてしまうことを未然に防
止できるのは勿論である。
本発明は以上述べたように、低温度で溶着可能なインジ
ウム半田を用すながら蓋部材をバッグ−させ得、しかも
−十分な封着強度を摺ることができて気密不良の発生を
も確実に防止できるという優ねた効果を奏する。
ウム半田を用すながら蓋部材をバッグ−させ得、しかも
−十分な封着強度を摺ることができて気密不良の発生を
も確実に防止できるという優ねた効果を奏する。
$1図乃至第3図は本発明の一実施例を示し、第1図は
イメージセンサの縦断面図、第2図は要部の拡大縦断面
図、第3図はガラスプレートの底面図、第4図は変形例
を示す第1図相当図である。 図中、1.20はパッケージ本体、7はメタライxm、
q、15はニッケルメッキ層、1o、i6は金メッキ層
、11はCOD素子(半導体素子)13はガラスプレー
ト(蓋部材)、1・4は焼成層−17はインジウム半田
である。 出願人 鳴海製陶株式会社 f゛・ −て) 1.1 代理人 弁理士佐原 A、沖、’、J:、1第 1 図 1 第2図 1 第30 第 14− ■ 186
イメージセンサの縦断面図、第2図は要部の拡大縦断面
図、第3図はガラスプレートの底面図、第4図は変形例
を示す第1図相当図である。 図中、1.20はパッケージ本体、7はメタライxm、
q、15はニッケルメッキ層、1o、i6は金メッキ層
、11はCOD素子(半導体素子)13はガラスプレー
ト(蓋部材)、1・4は焼成層−17はインジウム半田
である。 出願人 鳴海製陶株式会社 f゛・ −て) 1.1 代理人 弁理士佐原 A、沖、’、J:、1第 1 図 1 第2図 1 第30 第 14− ■ 186
Claims (1)
- 1、半導体素子を内設したパッケージ本体の開口部に透
光性材料製の蓋部材を8着して成るものにおいて、前記
パッケージ本体にメタライズ層を介してニッケルメッキ
層及び金メッキ層を順に重ね設けると共に、前記蓋部材
にパラジウムペーストのm 、幌mを介してニッケルメ
ツギアつ及び金メツ溶着して成るとさを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11651683A JPS607740A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11651683A JPS607740A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607740A true JPS607740A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14689075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11651683A Pending JPS607740A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607740A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01259547A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用部品 |
US6463804B2 (en) | 1993-12-27 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Acceleration sensor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55160474A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Solid state image pickup device |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP11651683A patent/JPS607740A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55160474A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Solid state image pickup device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01259547A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用部品 |
US6463804B2 (en) | 1993-12-27 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Acceleration sensor |
US6561030B2 (en) | 1993-12-27 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Acceleration sensor |
US6566742B1 (en) * | 1993-12-27 | 2003-05-20 | Hitachi, Ltd. | Structure for mounting components |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104885361B (zh) | 压电振动器件 | |
JP6714922B2 (ja) | 半導体素子パッケージ及びその製造方法 | |
JPS607740A (ja) | 半導体装置 | |
JP3339450B2 (ja) | 表面波装置の製造方法 | |
EP0991185A2 (en) | Surface elastic wave device having bumps in a definite area on the device and method for manufacturing the same | |
JPS62580B2 (ja) | ||
JP5171228B2 (ja) | 表面実装用の水晶デバイス | |
JP2015176874A (ja) | 電子部品装置 | |
JP2001320256A (ja) | 圧電振動デバイスの気密封止方法 | |
JPS598362Y2 (ja) | セラミツクスパツケ−ジ | |
JPS62581B2 (ja) | ||
JP3176250B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JPH05144956A (ja) | 半導体素子収納用パツケージ | |
JP3318453B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
JPS6220358A (ja) | 半導体固体撮像装置 | |
JPS5940715A (ja) | 圧電振動子のパツケ−ジ | |
JPS6366062B2 (ja) | ||
JP2985520B2 (ja) | 半導体装置封止用セラミックス構造体およびその製造方法ならびにそのふた材 | |
JPH05206307A (ja) | 半導体装置 | |
JPH01130548A (ja) | 半導体装置 | |
JP3318452B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
JP3020783B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP3325460B2 (ja) | 半導体装置の実装構造及びこれに用いる半導体素子収納用パッケージ | |
JP2543236Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP3020743B2 (ja) | リードフレーム |