JPS6077200A - ベリル単結晶の合成方法 - Google Patents
ベリル単結晶の合成方法Info
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- JPS6077200A JPS6077200A JP58182182A JP18218283A JPS6077200A JP S6077200 A JPS6077200 A JP S6077200A JP 58182182 A JP58182182 A JP 58182182A JP 18218283 A JP18218283 A JP 18218283A JP S6077200 A JPS6077200 A JP S6077200A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/34—Silicates
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフラックスを用いたベリル単結晶の合成方法に
関し、フラックス法により良質なベリル単結晶を効率よ
くかつ経済的に合成する方法に関するものである。
関し、フラックス法により良質なベリル単結晶を効率よ
くかつ経済的に合成する方法に関するものである。
ルビー、アレキサントフィト、ベリル等に代表される宝
石部材は、近年レーザ発振用結晶として注目されている
。これらの単結晶の合成方法としては、引上げ法、水熱
合成法、フラックス法等が知られているが、引上げ法は
工業用単結晶としては結晶ひずみが大きく、水熱合成法
は設備等にコストがかかりすぎるという欠点があるため
、特に精密な結晶合成をめる時にはフラックス法が多く
用いられる。
石部材は、近年レーザ発振用結晶として注目されている
。これらの単結晶の合成方法としては、引上げ法、水熱
合成法、フラックス法等が知られているが、引上げ法は
工業用単結晶としては結晶ひずみが大きく、水熱合成法
は設備等にコストがかかりすぎるという欠点があるため
、特に精密な結晶合成をめる時にはフラックス法が多く
用いられる。
本発明は、このフラックス法によるベリル単結晶の合成
方法の改良を目的とする。
方法の改良を目的とする。
フラックス法による単結晶合成は％ ｖ２０５１Ｌ２Ｍ
００４ ｒ ”ｃＬ＠ＭＯ０４＋ ”００３ ｅ ”Ｚ
２０＊ ＮＧ２０等のフラックスに、目的とするベリル
単結晶成分と着色剤として、Ｃｒ２Ｏ！ ＋ ”’２’
ｉｌ ｓ Ｔｚｏ２１ Ｍ（７０１ＺｎＯ等を溶解し温
度による溶解度の差によりフラックスから単結晶を析出
させる方法であることは、ここでこれ以上詳説するまで
もない。
００４ ｒ ”ｃＬ＠ＭＯ０４＋ ”００３ ｅ ”Ｚ
２０＊ ＮＧ２０等のフラックスに、目的とするベリル
単結晶成分と着色剤として、Ｃｒ２Ｏ！ ＋ ”’２’
ｉｌ ｓ Ｔｚｏ２１ Ｍ（７０１ＺｎＯ等を溶解し温
度による溶解度の差によりフラックスから単結晶を析出
させる方法であることは、ここでこれ以上詳説するまで
もない。
これまで、フラックス法におけるベリル単結晶の合成に
おいては、フラックスから析出した自然核生成べ＋ノル
又は結晶構造面の不明なベリル単結晶板を、シードとし
て、シードの表層に順次ベリル単結晶を育成する方法が
とられている（第１図、第２図参照〕。この場合、次の
様な欠点が生ずる。
おいては、フラックスから析出した自然核生成べ＋ノル
又は結晶構造面の不明なベリル単結晶板を、シードとし
て、シードの表層に順次ベリル単結晶を育成する方法が
とられている（第１図、第２図参照〕。この場合、次の
様な欠点が生ずる。
ｆｉｌシード表層上に析出するべＩＪノル外に析出した
自然核生成ベリルの微結晶が多数発生し、シード上に付
着して、目的とするベリル単結晶中に内包され、単条結
晶化させる。
自然核生成ベリルの微結晶が多数発生し、シード上に付
着して、目的とするベリル単結晶中に内包され、単条結
晶化させる。
（２）シード表面に現われている面がｍ面又は０面又は
α面でな因場合には、ベリル単結晶がシード上に育成す
る初期において、異状に速いスピードで育成するため又
は、育成面が段差になって育成するために、積層欠陥が
生じゃすぐなシ、いわゆるインクルージヨンが入りやす
くなる。つマフ、結水発明は、この問題を解決したもの
であシ、ベリル結晶構造の特定の面にほぼ一致させた面
を持ツベリル単結晶平板ｉシードとして、エピタキシャ
ルに単結晶を育成することによう、内部ひずみ、インク
ルージヨンを持たなりベリル単結＆ヲ、安定して収率良
く育成するととを可能にしたものである。
α面でな因場合には、ベリル単結晶がシード上に育成す
る初期において、異状に速いスピードで育成するため又
は、育成面が段差になって育成するために、積層欠陥が
生じゃすぐなシ、いわゆるインクルージヨンが入りやす
くなる。つマフ、結水発明は、この問題を解決したもの
であシ、ベリル結晶構造の特定の面にほぼ一致させた面
を持ツベリル単結晶平板ｉシードとして、エピタキシャ
ルに単結晶を育成することによう、内部ひずみ、インク
ルージヨンを持たなりベリル単結＆ヲ、安定して収率良
く育成するととを可能にしたものである。
ベリル育成種子板の面は、ベリル結晶構造のｍ面、０面
又はα面の中から選定する。好１しくに面積の広い平行
な２面をｍ面、他の面（はとんど紳に近い場合もある）
を０面又は０面とする。さらに、ベリル結晶構造の指定
した面（ｍ面、α面又は０面）と、シードの面とのすれ
が３夏以下であり、望ましくは１度以下とする。
又はα面の中から選定する。好１しくに面積の広い平行
な２面をｍ面、他の面（はとんど紳に近い場合もある）
を０面又は０面とする。さらに、ベリル結晶構造の指定
した面（ｍ面、α面又は０面）と、シードの面とのすれ
が３夏以下であり、望ましくは１度以下とする。
シードの面がｆｉＬ面、０面又は６面以外の面（例えば
、２面、０而、８面、Ｕ面、υ面、ｎ面等）の場合は、
育成スピードが極端に遅く、また育成面に、最初選定し
た面取外の面が現われ、育成■ＩＪに段差ができ、イン
クルージヨンが発生しやすくなるため、本発明の目的と
合致しない。また、シードの面がｎＷＪ、α面又はα面
に近い面であっても、結晶構造の各面からのずれか３度
よりも大きい場合には、同一平面上の任意の点での育成
スピードが異なるばかりか、育成スピードも極端に速く
なり、結晶構造的ひずみができ、インクルージヨンが発
生しやすぐなるため、本発明の目的と合致しない。
、２面、０而、８面、Ｕ面、υ面、ｎ面等）の場合は、
育成スピードが極端に遅く、また育成面に、最初選定し
た面取外の面が現われ、育成■ＩＪに段差ができ、イン
クルージヨンが発生しやすくなるため、本発明の目的と
合致しない。また、シードの面がｎＷＪ、α面又はα面
に近い面であっても、結晶構造の各面からのずれか３度
よりも大きい場合には、同一平面上の任意の点での育成
スピードが異なるばかりか、育成スピードも極端に速く
なり、結晶構造的ひずみができ、インクルージヨンが発
生しやすぐなるため、本発明の目的と合致しない。
次に本発明による効果を示す。
（１１インクルージヨンの発生が少ない。
シード表面の任意の点における育成スピードの差がなく
、均一に育成が行なわれるため、フラックス・微結晶の
巻き込み等のインクルージヨンの発生がない。
、均一に育成が行なわれるため、フラックス・微結晶の
巻き込み等のインクルージヨンの発生がない。
１２１育成スピードのコントロールが可能となる。
育成初期における異状成長、シード表面の任意の点で育
成スピードが一足しているため、育成ゾーンと四則溶解
ゾーンの温度差全制御することにより、育成スピードの
コントロールが可能である。
成スピードが一足しているため、育成ゾーンと四則溶解
ゾーンの温度差全制御することにより、育成スピードの
コントロールが可能である。
（３）面品位のベリル単結晶が合成できる。
シード上へのベリルの析出が均一であり、育成スピード
全コントロールすることにより、工業的抹算ペースで高
品質のベリル単結晶を得ることができる。
全コントロールすることにより、工業的抹算ペースで高
品質のベリル単結晶を得ることができる。
以下、本発明の実施例を示す。
実施例１
くベリル平板の面がほぼｍｍ１であるシードを使用した
場合〉 はぼベリル組成の四則７０２を白金るつは（φ７０ｍＪ
ＩＩＸｌ’ＯＯ聴〕に入れ、これにフラックスとしてＬ
ｉ２ＭｏＯ３／ＭｏＯ３（１： ２重量比）８００ｆを
入れて加熱した。シード平板面とベリル結晶の１面との
ずれが下表の４水準になる様にシードを作成し同一温度
条件で結晶を育成させた。
場合〉 はぼベリル組成の四則７０２を白金るつは（φ７０ｍＪ
ＩＩＸｌ’ＯＯ聴〕に入れ、これにフラックスとしてＬ
ｉ２ＭｏＯ３／ＭｏＯ３（１： ２重量比）８００ｆを
入れて加熱した。シード平板面とベリル結晶の１面との
ずれが下表の４水準になる様にシードを作成し同一温度
条件で結晶を育成させた。
四則ゾーンの温度８４０℃
結晶育成ゾーンの温度８３０℃、８２０℃保持時間 ２
００日 育成結果 １、育成ゾーンの温度８３０℃の場合 約２０日間育成したベリル層を調べたところ下表の様な
結果であった。
００日 育成結果 １、育成ゾーンの温度８３０℃の場合 約２０日間育成したベリル層を調べたところ下表の様な
結果であった。
ひき！ｉき２００日ｌＨＪ育成したベリル層を調べたと
ころ下表の様な結果であった。
ころ下表の様な結果であった。
ここで育成層の品質はＸ線ロッキングカーブと顕微鏡観
察から判定した。
察から判定した。
２゜育成ゾーンの温度８２０℃の場合
約２０日間育成したベリル層を調べたところ下表の様な
結果であった。
結果であった。
ひき続き２００日ＩＪＪ Ｗ成したベリル層全−１″ノ
ベたところ下表の様な結果であった。
ベたところ下表の様な結果であった。
ここで育成層の品質はＸ線ロッキングカーブと顕微鏡観
察から判定した。
察から判定した。
以上から、ミード平板面のｍ面からのずれ角が３度以下
の場合に高品質の単結晶が得られることがわかる。
の場合に高品質の単結晶が得られることがわかる。
実施例２
くベリル平板の面がほぼｍ面であるシードで使用した場
合〉 天然ベリル７０りを分剤として白金るつぼ（φ７０ ｍ
ｓ Ｘ １００ ａｎ ）に入れ、フラックスとして”
ｉ２０／ｖ２０５ （１： Ｈ）重量比）ｓｏｏｒｉ加
ｔ、加熱した。シード平板面とベリル結晶の０面とのず
れが下表の４水準になる様に育成層を作成し、同一温度
条件で結晶ｔＷ成させた。
合〉 天然ベリル７０りを分剤として白金るつぼ（φ７０ ｍ
ｓ Ｘ １００ ａｎ ）に入れ、フラックスとして”
ｉ２０／ｖ２０５ （１： Ｈ）重量比）ｓｏｏｒｉ加
ｔ、加熱した。シード平板面とベリル結晶の０面とのず
れが下表の４水準になる様に育成層を作成し、同一温度
条件で結晶ｔＷ成させた。
母剤ゾーンの温度 ９９０℃
結晶育成ゾーンの温度 ９８０℃
保持時間 １６０日
育成結晶
約１６日間育成したベリルＲを調べたところ下表の様な
結果であった。
結果であった。
ひき続き１６０日間育成したベリル層を調べたところ下
表の様な結果であった。
表の様な結果であった。
ここで育成層の品質はＸ線ロッキングカーブと顕微鏡観
察から判定した。
察から判定した。
以上から、シード平板面の０面からのずれ角が３度以下
の場合に高品質の単結晶が得られることがわかる。
の場合に高品質の単結晶が得られることがわかる。
実施例３
くベリル平板の面がほぼ０面であるシードを使用した場
合〉 酸化アルミニウムと酸化ベリリウムの焼結体（４０９）
と酸化ケイＪ（３０Ｆ）分剤として白金るつぼ（φ７０
＋、ｕｘ Ｘ １００ ｍｓ ）に入れ、フラックス
としてＬｉ２Ｏ／ｖ２０５／”Ｏ”３ （１： １ ：
１重量比）８：ＯＯＰを加え、加熱した。シード平板
面とベリル結晶の０面とのずれが下表の４水準になる様
に育成層を作成し、同一温度条件で結晶を育成させた。
合〉 酸化アルミニウムと酸化ベリリウムの焼結体（４０９）
と酸化ケイＪ（３０Ｆ）分剤として白金るつぼ（φ７０
＋、ｕｘ Ｘ １００ ｍｓ ）に入れ、フラックス
としてＬｉ２Ｏ／ｖ２０５／”Ｏ”３ （１： １ ：
１重量比）８：ＯＯＰを加え、加熱した。シード平板
面とベリル結晶の０面とのずれが下表の４水準になる様
に育成層を作成し、同一温度条件で結晶を育成させた。
四則ゾーンの温度 ８００℃
結晶育成ゾーンの温度 ８９０℃
保持時間 １８０日
育成結果
約１８日間育成したベリルＩ譬６を調べたところ下表の
様な結果であった。
様な結果であった。
ひき続き１８０日間育成したベリル層を調べたところ下
表の様な結果であった。
表の様な結果であった。
ここで育成層の品質はＸ線ロッキングカーブと顕微鏡観
察から判定した。
察から判定した。
以上から、シード平板面の０面からのずれ角が３度以下
の場合に高品質の単結晶が得られている。
の場合に高品質の単結晶が得られている。
以上、実施例に示した様に、本発明によって、内部ひず
み、インクルージヨン共、はとんど存在せず、また、育
成スピードを落とすことなく、高品位のベリル単結晶を
育成できるようになった。
み、インクルージヨン共、はとんど存在せず、また、育
成スピードを落とすことなく、高品位のベリル単結晶を
育成できるようになった。
品質向上、歩留向上が本発明により容易に達成できるた
め、メーザ用等機能結晶に用いられるだけでなく、宝飾
用としても用いることができるため、実用上極めて有用
な発明である。
め、メーザ用等機能結晶に用いられるだけでなく、宝飾
用としても用いることができるため、実用上極めて有用
な発明である。
なお、本発明は、ベリル車結晶についてのみ限定される
ものではなく、ベリルと同じ結晶系を持つコランダム等
にも適用できる。
ものではなく、ベリルと同じ結晶系を持つコランダム等
にも適用できる。
第１図及び第２図はフラックス法におけるるつぼの概略
構成断面図である。 第１図及び第２図にお因で、１は白金るつぼ、２は分剤
、３はフラックス、４はシード、５は白金板である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ＄１回 第２図 手続補正書（自発） 昭和５９ ￥１０４２ 日 昭和５８年特許願第１８２１８２号 ２、発明の名称 ベリル単結晶の合成方法 ３、補正をずろ者 事件との関係 出願人 代表取締役 中 村 但 也 ４代理人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５ 袖正
により増加する発明の数 ６ 補正の対象 手続補正書（自発） １、 明細書２頁１７行から１８行目 ｒ Ｖ２０Ｓ ＋ Ｌ２’ＭｏＯ４Ｊとあるを、ｌ’−
ｖ２ｏ５゜Ｌｉ２Ｍ０Ｏ４ＪＫ浦正する。 Ｚ ８Ａ細書３頁１行目 「溶解度の差によりフラックスから」とあるを、「溶解
度の差を利用してフラックスから」に補正する。 五 明細書４頁４行から５行目 「シードとして、エピタキシャルに」とあるを、「シー
ドとして、エピタキシャルニ」ニ補正する。 ４、 明細・）４頁１４？テ目 「シードの面とのすれが」とあるを、「シードの面との
ずれが」に補正する。 ５、 明細害５頁２０行目 「Ｃ３）高品位の」とあるを、「（３）高品位の」ｒζ
補正する。 ＆ 明細１６頁１６行目 「のｎ面とのずれが」とあるを、「のｍ面とのずれが」
に補正する。 ２ 明細書９頁３行目 「以上から、ミード平板面の」とあるを、「以上から、
シード平板面の」に補正する。 ａ 明細書９頁７行から８行目 「はぼｍ面であるシードで使用」とあるを、［はぼ０面
であるシードを使用」に補正する。 ９ 明＋１ａ−ｆ、 １ ｏ頁１行目 「育成結晶」とあるを、「育成結果」に補正する。 １［ｌ 明細督１１貞９行目 「酸化ケイ素（５０ｔ ）Ｊとあるを、「Ｖ化ケイ素（
１２０，ｆ）を」に補正する。 １１、明細書１３頁１５行から１６行目「ベリルと同じ
結晶系を侍つコランダム等にも」とあるを、「コランダ
ム等の単結晶合成にも」に補正する。 以上
構成断面図である。 第１図及び第２図にお因で、１は白金るつぼ、２は分剤
、３はフラックス、４はシード、５は白金板である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ＄１回 第２図 手続補正書（自発） 昭和５９ ￥１０４２ 日 昭和５８年特許願第１８２１８２号 ２、発明の名称 ベリル単結晶の合成方法 ３、補正をずろ者 事件との関係 出願人 代表取締役 中 村 但 也 ４代理人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５ 袖正
により増加する発明の数 ６ 補正の対象 手続補正書（自発） １、 明細書２頁１７行から１８行目 ｒ Ｖ２０Ｓ ＋ Ｌ２’ＭｏＯ４Ｊとあるを、ｌ’−
ｖ２ｏ５゜Ｌｉ２Ｍ０Ｏ４ＪＫ浦正する。 Ｚ ８Ａ細書３頁１行目 「溶解度の差によりフラックスから」とあるを、「溶解
度の差を利用してフラックスから」に補正する。 五 明細書４頁４行から５行目 「シードとして、エピタキシャルに」とあるを、「シー
ドとして、エピタキシャルニ」ニ補正する。 ４、 明細・）４頁１４？テ目 「シードの面とのすれが」とあるを、「シードの面との
ずれが」に補正する。 ５、 明細害５頁２０行目 「Ｃ３）高品位の」とあるを、「（３）高品位の」ｒζ
補正する。 ＆ 明細１６頁１６行目 「のｎ面とのずれが」とあるを、「のｍ面とのずれが」
に補正する。 ２ 明細書９頁３行目 「以上から、ミード平板面の」とあるを、「以上から、
シード平板面の」に補正する。 ａ 明細書９頁７行から８行目 「はぼｍ面であるシードで使用」とあるを、［はぼ０面
であるシードを使用」に補正する。 ９ 明＋１ａ−ｆ、 １ ｏ頁１行目 「育成結晶」とあるを、「育成結果」に補正する。 １［ｌ 明細督１１貞９行目 「酸化ケイ素（５０ｔ ）Ｊとあるを、「Ｖ化ケイ素（
１２０，ｆ）を」に補正する。 １１、明細書１３頁１５行から１６行目「ベリルと同じ
結晶系を侍つコランダム等にも」とあるを、「コランダ
ム等の単結晶合成にも」に補正する。 以上
Claims (1)
- 龜はベリルの組成比を示す酸化ベリリウム、酸化アルミ
ニウム、二酸化ケイ素及び酸化クロム等の着色剤を加え
てなる原料物質に、融剤（フラックス）としての五酸化
バナジウム、モリブデン酸リチウム、モリブデン酸ナト
リウム、三酸化モリブデン、酸化リチウム等の中から選
ばれた１種又ｌｄ２種以上を加え、上記融剤の溶融温度
以上に加熱して溶融塩を形成し、ベリル単結晶板をシー
ドとして、その表面に合成ベリルを育成する方法におい
て、ベリル単結晶シード板の最も広い平行な２つの面ｔ
−ｍ面又は０面又は０面とし、その面からのずれ角を３
度以下とすることを特徴とするベリル卑結晶の合成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182182A JPS6077200A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ベリル単結晶の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182182A JPS6077200A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ベリル単結晶の合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077200A true JPS6077200A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16113769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58182182A Pending JPS6077200A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ベリル単結晶の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077200A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153198A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-17 | Matsushima Kogyo Co Ltd | エメラルド単結晶の製造方法 |
| CN109415207A (zh) * | 2016-06-29 | 2019-03-01 | Dic株式会社 | 金属氧化物的制造装置及前述金属氧化物的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115091A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-08 | Seiko Epson Corp | Ｆ・ｚ法によるベリル結晶合成法 |
| JPS58115095A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-08 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58182182A patent/JPS6077200A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115091A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-08 | Seiko Epson Corp | Ｆ・ｚ法によるベリル結晶合成法 |
| JPS58115095A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-08 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153198A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-17 | Matsushima Kogyo Co Ltd | エメラルド単結晶の製造方法 |
| JPH0227314B2 (ja) * | 1984-08-21 | 1990-06-15 | Matsushima Kogyo Kk | |
| CN109415207A (zh) * | 2016-06-29 | 2019-03-01 | Dic株式会社 | 金属氧化物的制造装置及前述金属氧化物的制造方法 |
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