JPS6074611A - グロ−放電膜形成装置 - Google Patents
グロ−放電膜形成装置Info
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- JPS6074611A JPS6074611A JP18248483A JP18248483A JPS6074611A JP S6074611 A JPS6074611 A JP S6074611A JP 18248483 A JP18248483 A JP 18248483A JP 18248483 A JP18248483 A JP 18248483A JP S6074611 A JPS6074611 A JP S6074611A
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- JP
- Japan
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- reaction chamber
- electrode
- substrate
- glow discharge
- container
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はグロー放電膜形成装置に関する。
（従来技術の説明）
先ず、本発明の説明に入る前に、従来のこの種の装置に
つき説明する。
つき説明する。
第１図は従来のグロー放電膜形成装置のち円筒基板に膜
形成を行う装置を示す。この図において、１は原料ガス
ボンベ、２はストップバルブ、３は原料ガス流量コント
ローラ、４はストップパルプ、５は高周波電界を印加す
る゛ための外部円筒電極、６はこの外部円筒電極５の電
極面に設けられたガス導入口、７はこの外部円筒電極５
に設けられたガス排気口、８は回転駆動される基板取り
付は装置９に取り伺けられた円筒基板、１０は基板加熱
用ヒータ、１１はス’Ｐツブバルブ、１２は真空ポンプ
、１３は外部円筒電極５と、円筒基板８とに電気的に結
合される高周波電源、１４及び１５は上部及び下部フラ
ンジ、１８は反応室を封鎖するためのＯリング、１７は
反応室外囲器で石芙又はステンレス類である。この装置
のそれ以上の詳細な構成は従来既知であるのでそれにつ
いての説明はここでは省略する。
形成を行う装置を示す。この図において、１は原料ガス
ボンベ、２はストップバルブ、３は原料ガス流量コント
ローラ、４はストップパルプ、５は高周波電界を印加す
る゛ための外部円筒電極、６はこの外部円筒電極５の電
極面に設けられたガス導入口、７はこの外部円筒電極５
に設けられたガス排気口、８は回転駆動される基板取り
付は装置９に取り伺けられた円筒基板、１０は基板加熱
用ヒータ、１１はス’Ｐツブバルブ、１２は真空ポンプ
、１３は外部円筒電極５と、円筒基板８とに電気的に結
合される高周波電源、１４及び１５は上部及び下部フラ
ンジ、１８は反応室を封鎖するためのＯリング、１７は
反応室外囲器で石芙又はステンレス類である。この装置
のそれ以上の詳細な構成は従来既知であるのでそれにつ
いての説明はここでは省略する。
次に本発明の説明の便宜のために、この従来装置を用い
てアルミニウム合金製円筒基板８」−にアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉと称する）膜を形成する方法につき簡
単に説明する。
てアルミニウム合金製円筒基板８」−にアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉと称する）膜を形成する方法につき簡
単に説明する。
先ず、予め洗浄したアルミニウム合金製円筒基板（以下
、単に基板と称する）８を反応室内に取り付け、真空ポ
ンプ１２により反応室内を排気する。然る後、ヒータ１
０により基板８を加熱し、基板温度を２００〜３００℃
に保持する。次に、原料ガスポンベ１から反応室内に原
料ガスを送り込む。
、単に基板と称する）８を反応室内に取り付け、真空ポ
ンプ１２により反応室内を排気する。然る後、ヒータ１
０により基板８を加熱し、基板温度を２００〜３００℃
に保持する。次に、原料ガスポンベ１から反応室内に原
料ガスを送り込む。
原料ガスとしてＳｉＨ４を用い、ガス流量コントローラ
３でガス流量を調整して送り込む。そして、高周波電源
１３を用いて、基板８と、外部電極５との間に高周波電
界を印加し、ＳｉＨ４ガスのグロー放電を発生させて、
このＳｉＨ４ガスを分解すにとによって、基板８上にａ
−８ｉ膜を成長させる。
３でガス流量を調整して送り込む。そして、高周波電源
１３を用いて、基板８と、外部電極５との間に高周波電
界を印加し、ＳｉＨ４ガスのグロー放電を発生させて、
このＳｉＨ４ガスを分解すにとによって、基板８上にａ
−８ｉ膜を成長させる。
この従来のグロー放電膜形成装置では、反応室外囲器内
に、ガス導入口６及びガス排気ロアを有した外部円筒電
極５を設けた構造となっているので、外囲器の外径が大
きくなり、結果的にこの装置全体が大型化しているとい
う欠点がある。
に、ガス導入口６及びガス排気ロアを有した外部円筒電
極５を設けた構造となっているので、外囲器の外径が大
きくなり、結果的にこの装置全体が大型化しているとい
う欠点がある。
さらに、この従来装置では外部円筒電極５、」一部及び
下部フランジ１４及び１５、反応室外囲器１７を夫々ス
テンレス製とする場合には、この電極５と、これらフラ
ンジ１４．１５との間或いは電極５と、この外囲器１７
との間でＳｉＨ４ガスのグロー放電が発生するために、
各部に綿状のａ−５ｉが付着し、これが基板５を汚染す
る原因となっていた。
下部フランジ１４及び１５、反応室外囲器１７を夫々ス
テンレス製とする場合には、この電極５と、これらフラ
ンジ１４．１５との間或いは電極５と、この外囲器１７
との間でＳｉＨ４ガスのグロー放電が発生するために、
各部に綿状のａ−５ｉが付着し、これが基板５を汚染す
る原因となっていた。
また、装置の構造が複雑であるため、この綿状のａ−９
ｉの掃除が簡単容易には行うことが出来なかった。
ｉの掃除が簡単容易には行うことが出来なかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、小型で簡単な構造であって、保守作業
簡単かつ容易なグロー放電膜形成装置を提供するにある
。
簡単かつ容易なグロー放電膜形成装置を提供するにある
。
本発明の他の目的は反応室内が綿状のａ−Ｓｉで汚染Ｘ
れることが無く、従って、基板汚染の恐れの無いグロー
放電膜形成装置を提供するにある。
れることが無く、従って、基板汚染の恐れの無いグロー
放電膜形成装置を提供するにある。
（発明の構成）
この目的の達成そ図るため、本発明のグロー放電膜形成
装置によれば、高周波電界を印加する電極を反応室外囲
器と兼用する構造としたことを特徴とする。
装置によれば、高周波電界を印加する電極を反応室外囲
器と兼用する構造としたことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、第２図に従って本発明の一実施例を説明する。尚
、同図は、本発明の構成が理解出来る程度の範囲内でに
概略的に示しであるにすぎない。
、同図は、本発明の構成が理解出来る程度の範囲内でに
概略的に示しであるにすぎない。
また、第１図に示した構成成分に対応する構成成分につ
いては同一の符合を付して示す、従って、これらの構成
成分についての重複する説明は省略する。
いては同一の符合を付して示す、従って、これらの構成
成分についての重複する説明は省略する。
本発明においては、従来装置における反応室の外囲器１
７を設けずに、その代りに、外部円筒電極５でこの反応
室外囲器を兼用する構造とする。この外部電極兼外囲器
を図中１８で示す。そして、この外部電極兼外囲器１８
の外側に外部電極加熱用の加熱装置１８例えば加熱ヒー
タを設ける。このように構成すると、その他の構成成分
は従来の場合と変らないが、装置全体の構造は全体的に
小型かつ簡単となる。
７を設けずに、その代りに、外部円筒電極５でこの反応
室外囲器を兼用する構造とする。この外部電極兼外囲器
を図中１８で示す。そして、この外部電極兼外囲器１８
の外側に外部電極加熱用の加熱装置１８例えば加熱ヒー
タを設ける。このように構成すると、その他の構成成分
は従来の場合と変らないが、装置全体の構造は全体的に
小型かつ簡単となる。
そして、本発明のこの構造の装置においても、従来装置
の場合と同様に稼動させて基板８上にアモルファスシリ
コン（ａ−９ｉ）膜を良好に成長させて形成することが
出来る。
の場合と同様に稼動させて基板８上にアモルファスシリ
コン（ａ−９ｉ）膜を良好に成長させて形成することが
出来る。
ところで、上述した外部電極加熱用のヒータ１８は基板
８を汚染する綿状のａ−８ｉの発生を防ぐためのもので
ある。ａ−Ｓｉ膜を形成する時、このａ−８ｉは、シラ
ンガスのグロー放電が発生している部分に、非選択的に
付着する。この時、付着箇所の温度が低いと、付着した
ａ−９ｉは綿状と成る。
８を汚染する綿状のａ−８ｉの発生を防ぐためのもので
ある。ａ−Ｓｉ膜を形成する時、このａ−８ｉは、シラ
ンガスのグロー放電が発生している部分に、非選択的に
付着する。この時、付着箇所の温度が低いと、付着した
ａ−９ｉは綿状と成る。
この綿状のａ−９ｉは基板８を汚染するので、その発生
を防ぐ必要がある。ところで、このａ−Ｓ：は、その付
着箇所が高温であると、膜状に成る。
を防ぐ必要がある。ところで、このａ−Ｓ：は、その付
着箇所が高温であると、膜状に成る。
従って、ヒータ１７を設けて外部電極兼外囲器１８を加
熱することにより、この外部電極兼外囲器１８に付着す
るａ−８ｉを膜状にしてしまい、よって、綿状ａ−９ｉ
の発生を抑えることが出来る。
熱することにより、この外部電極兼外囲器１８に付着す
るａ−８ｉを膜状にしてしまい、よって、綿状ａ−９ｉ
の発生を抑えることが出来る。
このような外部電極加熱用のヒータ１８は、従来装置の
ような、外部電極５とは別体に外囲器１７を備える構造
では、設けるのが難しく、事実上不可能なことである。
ような、外部電極５とは別体に外囲器１７を備える構造
では、設けるのが難しく、事実上不可能なことである。
また、ａ−８ｉを形成後、反応室内を洗浄する場合にも
１反応室の構成部品数が少なくなっているので、従来の
場合よりも洗浄が著しく容易となり、装置の保守が簡単
容易となる。
１反応室の構成部品数が少なくなっているので、従来の
場合よりも洗浄が著しく容易となり、装置の保守が簡単
容易となる。
また、外部電極兼外囲器１８のスペア−を作成しておけ
ば、−回のａ−９ｉ膜の形成後、これを交換して、直ち
に装置の再利用が可能となる。
ば、−回のａ−９ｉ膜の形成後、これを交換して、直ち
に装置の再利用が可能となる。
（発明の効果）
上述したところからも明らかなように、本発明のグロー
放電膜形成装置によれば、反応室内部に設けられている
二個の電極の一方のみ、すなわち、外部円筒電極を反応
室外囲器として兼用させた構造となしているので、従来
装置のような独立した外囲器を必要とせず、従って、反
応室の構成部品数が従来の装置の場合よりも少なくなり
、装置全体の大きさも小型となり、しかも、反応室内の
掃除等の保守作業が著しく簡単かつ容易となる利点があ
る。
放電膜形成装置によれば、反応室内部に設けられている
二個の電極の一方のみ、すなわち、外部円筒電極を反応
室外囲器として兼用させた構造となしているので、従来
装置のような独立した外囲器を必要とせず、従って、反
応室の構成部品数が従来の装置の場合よりも少なくなり
、装置全体の大きさも小型となり、しかも、反応室内の
掃除等の保守作業が著しく簡単かつ容易となる利点があ
る。
さらに、反応室の外側に加熱装置を設ける構造とするこ
とにより、外部電極兼外囲器を加熱することが出来るの
で、反応室内各部に、５ｉｌ１４ガスのグロー放電に起
因する綿状のａ−８ｉが発生するのを防止出来、よって
、基板の汚染を防ぐことが出来るという利点がある。
゛
とにより、外部電極兼外囲器を加熱することが出来るの
で、反応室内各部に、５ｉｌ１４ガスのグロー放電に起
因する綿状のａ−８ｉが発生するのを防止出来、よって
、基板の汚染を防ぐことが出来るという利点がある。
゛
第１図は従来のグロー放電膜形成装置を示す略図的断面
図、 第２図は本発明のグロー放電膜形成装置を示す略図的断
面図である。 ｌ・・・原料ガスボンベ、 ２，４．１１・・・ストッ
プバルブ３・・・原料ガス流量コントローラ ５・・・外部円筒電極、 ６・・・ガス導入ロア・・・
ガス排気口、 ８・・・円筒基板９・・・基板取り付は
装置 １１・・・基板加熱用ヒータ、１２・・・真空ポンプ１
２・・・高周波電源、１４・・・上部フランジ１５・・
・下部フランジ、 １６・・・０リング１７・・・反応
室囲器 １８・・・外部円筒電極兼外囲器 １９・・・（外部円筒電極兼外囲器用の）加熱装置。
図、 第２図は本発明のグロー放電膜形成装置を示す略図的断
面図である。 ｌ・・・原料ガスボンベ、 ２，４．１１・・・ストッ
プバルブ３・・・原料ガス流量コントローラ ５・・・外部円筒電極、 ６・・・ガス導入ロア・・・
ガス排気口、 ８・・・円筒基板９・・・基板取り付は
装置 １１・・・基板加熱用ヒータ、１２・・・真空ポンプ１
２・・・高周波電源、１４・・・上部フランジ１５・・
・下部フランジ、 １６・・・０リング１７・・・反応
室囲器 １８・・・外部円筒電極兼外囲器 １９・・・（外部円筒電極兼外囲器用の）加熱装置。
Claims (1)
- 反応室外囲器と、反応室内に原料の供給及び排気を行う
装置とを具え、該反応器内に、基板取り付は装置と、該
基板の加熱装置と、高周波電界を印加する電極とを有し
、高周波電界によるグロー放電により前記原料ガスを分
解し、前記基板取り付は装置に取り付けた基板上に膜を
形成するように構成したグロー放電膜形成装置において
、前記高周波電界を印加する電極を前記反応室外囲器と
兼用する構造としたことを特°徴とするグロー放電膜形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18248483A JPS6074611A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | グロ−放電膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18248483A JPS6074611A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | グロ−放電膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074611A true JPS6074611A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16119079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18248483A Pending JPS6074611A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | グロ−放電膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074611A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017613A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-25 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18248483A patent/JPS6074611A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017613A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-25 |
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