JPS607414B2 - ミュ−テイング回路 - Google Patents
ミュ−テイング回路Info
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- JPS607414B2 JPS607414B2 JP51129689A JP12968976A JPS607414B2 JP S607414 B2 JPS607414 B2 JP S607414B2 JP 51129689 A JP51129689 A JP 51129689A JP 12968976 A JP12968976 A JP 12968976A JP S607414 B2 JPS607414 B2 JP S607414B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0082—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using bipolar transistor-type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/34—Muting amplifier when no signal is present or when only weak signals are present, or caused by the presence of noise signals, e.g. squelch systems
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はミューティング状態からミューティング解除状
態への遷移を緩やかにすることのできるミューティング
回路を提案しようとするものである。
態への遷移を緩やかにすることのできるミューティング
回路を提案しようとするものである。
以下に第１図を参照して本発明をその一実施例につき詳
細に説明しよう。
細に説明しよう。
本実施例は本発明をＦＭラジオ受信機のミューティング
回路に適用した場合である。第１図に於て１は電流制御
回路を示し、之にてＦＭラジオ受信機の信号系の適当個
所の回路（中間周波増中回路あるいは低周波増中回路）
としての被ミューテイング制御回路ＣＫに対する制御直
流電流を直線的に可変するようにしている。第１のトラ
ンジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ，及び第１のトランジスタＱ，
と同一導電形で特性が等しくコレクタ・ベース間が直流
的に互いに援綾された第２のトランジスタ（ＮＰＮ形）
Ｑ２の各ベースが互いに接続されると共にその各ェミツ
タが一の基準電位点（第１の基準電位点〈接地電位点〉
）Ｔ，に接続されて第１のカレントミラー回路ＣＭ，が
構成される。
回路に適用した場合である。第１図に於て１は電流制御
回路を示し、之にてＦＭラジオ受信機の信号系の適当個
所の回路（中間周波増中回路あるいは低周波増中回路）
としての被ミューテイング制御回路ＣＫに対する制御直
流電流を直線的に可変するようにしている。第１のトラ
ンジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ，及び第１のトランジスタＱ，
と同一導電形で特性が等しくコレクタ・ベース間が直流
的に互いに援綾された第２のトランジスタ（ＮＰＮ形）
Ｑ２の各ベースが互いに接続されると共にその各ェミツ
タが一の基準電位点（第１の基準電位点〈接地電位点〉
）Ｔ，に接続されて第１のカレントミラー回路ＣＭ，が
構成される。
第１のトランジスタＱ，のコレクタが被ミューテイング
制御回路ＣＫを通じて第２の基準電位点（１２Ｖ）Ｌに
接続される。第２のトランジスタＱ２のコレクタが抵抗
器Ｒ３を通じて第１のトランジスタＱ，と同一導電形の
第３のトランジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ３のェミッタに接続
される。第３のトランジスタＱ３のベースと一の基準電
位点Ｔ，との間及び他の基準電位点（第３の基準電位点
〈４Ｖ〉）Ｔ３との間に夫々一の電流源回路３ａ及び他
の電流源回路３ｂが挿入されて電流可変手段２が構成さ
れ、一及び他の電流源回路３ａ，３ｂのいずれか一方の
電流を可変することによって第３のトランジスタＱ３の
コレクタ・ベース接合が逆バイアス乃至零バイアスの状
態でそのベース電位が一及び他の基準電位点Ｔ，，Ｌの
各電位内の範囲で変化するようにする。第１のカレント
ミラー回路ＣＭ，において、トランジスタＱ１，Ｑ２の
各ェミッタが夫々抵抗値の等しい抵抗器（３０００）Ｒ
，，Ｒ２を通じて基準電位点Ｔ，に接続される。
制御回路ＣＫを通じて第２の基準電位点（１２Ｖ）Ｌに
接続される。第２のトランジスタＱ２のコレクタが抵抗
器Ｒ３を通じて第１のトランジスタＱ，と同一導電形の
第３のトランジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ３のェミッタに接続
される。第３のトランジスタＱ３のベースと一の基準電
位点Ｔ，との間及び他の基準電位点（第３の基準電位点
〈４Ｖ〉）Ｔ３との間に夫々一の電流源回路３ａ及び他
の電流源回路３ｂが挿入されて電流可変手段２が構成さ
れ、一及び他の電流源回路３ａ，３ｂのいずれか一方の
電流を可変することによって第３のトランジスタＱ３の
コレクタ・ベース接合が逆バイアス乃至零バイアスの状
態でそのベース電位が一及び他の基準電位点Ｔ，，Ｌの
各電位内の範囲で変化するようにする。第１のカレント
ミラー回路ＣＭ，において、トランジスタＱ１，Ｑ２の
各ェミッタが夫々抵抗値の等しい抵抗器（３０００）Ｒ
，，Ｒ２を通じて基準電位点Ｔ，に接続される。
かくして、被電流制御回路ＣＫと抵抗器（ＩＫＱ）Ｒ３
とには略等しい直流電流が流れる。その直流電流はトラ
ンジスタＱのベース電流によって制御される。抵抗器Ｒ
，，Ｒ２は電流帰還用抵抗器で、カレントミラー回路Ｃ
Ｍ，の直線性を良好ならしめ得る。又、抵抗器Ｒ３は被
ミューティング制御回路ＣＫに流れる直流電流を所定値
に制限する抵抗器である。次に電流可変手段２について
説明する。
とには略等しい直流電流が流れる。その直流電流はトラ
ンジスタＱのベース電流によって制御される。抵抗器Ｒ
，，Ｒ２は電流帰還用抵抗器で、カレントミラー回路Ｃ
Ｍ，の直線性を良好ならしめ得る。又、抵抗器Ｒ３は被
ミューティング制御回路ＣＫに流れる直流電流を所定値
に制限する抵抗器である。次に電流可変手段２について
説明する。
３ａ，３ｂは電流源回路で、３ｂは定電流回路、３ａは
可変電流源回路としての第２のカレントミラー回路ＣＭ
２で、之等回路３ｂ，３ａに流れる直流電流の差の電流
がトランジスタＱ３のベースに流れ、そのベース電流は
カレントミラー回路ＣＭ２に流れる電流によって決定さ
れる。
可変電流源回路としての第２のカレントミラー回路ＣＭ
２で、之等回路３ｂ，３ａに流れる直流電流の差の電流
がトランジスタＱ３のベースに流れ、そのベース電流は
カレントミラー回路ＣＭ２に流れる電流によって決定さ
れる。
定電流回路３ｂはトランジスタ（ＰＮＰ形）Ｑ４と抵抗
器Ｒ５にて機成され、トランジスタＱ４のコレクタがト
ランジスタＱのベースに接続され、ェミツタが抵抗器Ｒ
５を通じて第３の基準電位点ｔに接続され、ベースが第
４の基準電位点（２Ｖ）Ｔ４に接続されて之に一定のベ
ースバイアスが与えられるようになされている。カレン
トミラー回路ＣＭ２は第４のトランジスタ（ＮＰＮ形）
Ｑ５のェミツタが基準電位点Ｔ，に接続され、トランジ
スタＱ５と特性が等しいコレクタ・ベースが直流的に接
続された第５のトランジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ６のェミッ
タが基準電位点Ｔ，に接続されると共にそのベースがト
ランジスタＱのベースに接続されて構成されている。そ
して、トランジスタ法のコレクタがダイオード○を通じ
てトランジスタＱ３のベースに接続されている。尚、ダ
イオードＤはそのアノードがトランジスタＱ３のベース
側に接続される。そして、トランジスタ法のコレクタと
基準電位点Ｔ，との間に大容量のコンデンサＣが後続さ
れると共に、そのコレクタが電源スイッチ投入と共にオ
ンになるスイッチＳＷ及び抵抗器Ｒ４の直列回路を通じ
て基準電位点Ｌに接続される。又、トランジスタＱのコ
レクタは抵抗Ｒ，．を介してトランジスタ（ＮＰＮ形）
Ｑ７のェミツタに接続され、トランジスタＱ７のコレク
タが基準電位点Ｔ２に接続される。そして、トランジス
タＱ５のコレクタ電流はトランジスタＱ７のベース電流
によって制御される。又、このトランジスタＱ７はヒス
テリシスゲートパルス発生回路４の出力によって制御さ
れる。次にこのヒステリシスゲートパルス発生回路４に
ついて説明する。
器Ｒ５にて機成され、トランジスタＱ４のコレクタがト
ランジスタＱのベースに接続され、ェミツタが抵抗器Ｒ
５を通じて第３の基準電位点ｔに接続され、ベースが第
４の基準電位点（２Ｖ）Ｔ４に接続されて之に一定のベ
ースバイアスが与えられるようになされている。カレン
トミラー回路ＣＭ２は第４のトランジスタ（ＮＰＮ形）
Ｑ５のェミツタが基準電位点Ｔ，に接続され、トランジ
スタＱ５と特性が等しいコレクタ・ベースが直流的に接
続された第５のトランジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ６のェミッ
タが基準電位点Ｔ，に接続されると共にそのベースがト
ランジスタＱのベースに接続されて構成されている。そ
して、トランジスタ法のコレクタがダイオード○を通じ
てトランジスタＱ３のベースに接続されている。尚、ダ
イオードＤはそのアノードがトランジスタＱ３のベース
側に接続される。そして、トランジスタ法のコレクタと
基準電位点Ｔ，との間に大容量のコンデンサＣが後続さ
れると共に、そのコレクタが電源スイッチ投入と共にオ
ンになるスイッチＳＷ及び抵抗器Ｒ４の直列回路を通じ
て基準電位点Ｌに接続される。又、トランジスタＱのコ
レクタは抵抗Ｒ，．を介してトランジスタ（ＮＰＮ形）
Ｑ７のェミツタに接続され、トランジスタＱ７のコレク
タが基準電位点Ｔ２に接続される。そして、トランジス
タＱ５のコレクタ電流はトランジスタＱ７のベース電流
によって制御される。又、このトランジスタＱ７はヒス
テリシスゲートパルス発生回路４の出力によって制御さ
れる。次にこのヒステリシスゲートパルス発生回路４に
ついて説明する。
差動構成の同じ特性のトランジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ，２
，Ｑ，３の各ェミッタが定電流回路ＩＫを通じて基準電
位点Ｔ，に接続される。トランジスタＱ，３のコレクタ
が基準電位点（６．２Ｖ）Ｔ５に接続される。トランジ
スタＱ．２，Ｑ．３のベースが抵抗器（１弧○）Ｒ９，
Ｒ，ｏを通じて基準電位点Ｔ５に接続される。ベースよ
り信号入力端子ｔの導出されたトランジスタ（ＰＮＰ形
）Ｑ，４のェミッタがトランジスタＱ，３のベースに接
続され、コレクタが基準電位点Ｔ，に接続される。そし
て入力端子ｔにはＦＭ中間周波信号の振幅検波出力が供
聯合されるようになされている。基準電位点虫及びＴ，
間に接続された抵抗器Ｒ６−Ｒ７−Ｒ８の直列回路の抵
抗器Ｒ７及びＲ８の接続中点にベースが接続されたトラ
ンジスタ（ＰＮＰ形）ＱのェミッタがトランジスタＱ，
２のベースに接続され、コレクタが基準電位点Ｔ，に接
続される。又、トランジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ８のェミッ
タが抵抗器Ｒ６及びＲ７の接続中点に接続され、コレク
タが基準電位点しに接続される。トランジスタＱ，２の
コレクタ側には特性の等しいトランジスタ（ＰＮＰ形）
Ｑ，ｏ，Ｑ，．より成るカレントミラ−回路ＣＭ３が設
けられている。トランジスタ（ＰＮＰ形）Ｑ，．のコレ
クタがトランジスタＱ，２のコレクタに接続され、ヱミ
ッタが基準電位点Ｔ５に接続され、ベースがコレクタ及
びトランジスタＱ，ｏのベースに接続される。トランジ
スタＱ，ｏのヱミツタが基準電位点公に接続され、コレ
クタがトランジスタＱ７，Ｑ８のベースに接続される。
次に第１図の回路に於て被ミューティング制御回路ＣＫ
に流す制御直流電流を直線的に可変することについての
解析を行なう。
，Ｑ，３の各ェミッタが定電流回路ＩＫを通じて基準電
位点Ｔ，に接続される。トランジスタＱ，３のコレクタ
が基準電位点（６．２Ｖ）Ｔ５に接続される。トランジ
スタＱ．２，Ｑ．３のベースが抵抗器（１弧○）Ｒ９，
Ｒ，ｏを通じて基準電位点Ｔ５に接続される。ベースよ
り信号入力端子ｔの導出されたトランジスタ（ＰＮＰ形
）Ｑ，４のェミッタがトランジスタＱ，３のベースに接
続され、コレクタが基準電位点Ｔ，に接続される。そし
て入力端子ｔにはＦＭ中間周波信号の振幅検波出力が供
聯合されるようになされている。基準電位点虫及びＴ，
間に接続された抵抗器Ｒ６−Ｒ７−Ｒ８の直列回路の抵
抗器Ｒ７及びＲ８の接続中点にベースが接続されたトラ
ンジスタ（ＰＮＰ形）ＱのェミッタがトランジスタＱ，
２のベースに接続され、コレクタが基準電位点Ｔ，に接
続される。又、トランジスタ（ＮＰＮ形）Ｑ８のェミッ
タが抵抗器Ｒ６及びＲ７の接続中点に接続され、コレク
タが基準電位点しに接続される。トランジスタＱ，２の
コレクタ側には特性の等しいトランジスタ（ＰＮＰ形）
Ｑ，ｏ，Ｑ，．より成るカレントミラ−回路ＣＭ３が設
けられている。トランジスタ（ＰＮＰ形）Ｑ，．のコレ
クタがトランジスタＱ，２のコレクタに接続され、ヱミ
ッタが基準電位点Ｔ５に接続され、ベースがコレクタ及
びトランジスタＱ，ｏのベースに接続される。トランジ
スタＱ，ｏのヱミツタが基準電位点公に接続され、コレ
クタがトランジスタＱ７，Ｑ８のベースに接続される。
次に第１図の回路に於て被ミューティング制御回路ＣＫ
に流す制御直流電流を直線的に可変することについての
解析を行なう。
被ミューテイング制御回路ＣＫ及び抵抗器Ｒ３に流れ直
流電流１の，ｌｏ２は夫々次式の如く表わされる。ら・
±・雌ニＶｉ−（ＶＢ８２十ＶＢＥ３）ｒ２十ｒ３＝（
１十ｈＦＥ）・Ｉｃｏｎｔ≠ｈＦＥ・Ｉｃｏｎｔ
・・…・【１’但し、Ｖｉはトランジス
タＱのベース入力電圧、ＶＢＥ２，ＶＢＥ３はトランジ
スタＱ２，Ｑのベース・ェミッタ間電圧、【２，Ｗま抵
抗器Ｒ２，Ｒ３の抵抗、ｈＦＢはトランジスタＱのェミ
ッタ援地雷流増中率、ＩｃｏｎｔはトランジスタＱの制
御電流としてのベース入力電流である。
流電流１の，ｌｏ２は夫々次式の如く表わされる。ら・
±・雌ニＶｉ−（ＶＢ８２十ＶＢＥ３）ｒ２十ｒ３＝（
１十ｈＦＥ）・Ｉｃｏｎｔ≠ｈＦＥ・Ｉｃｏｎｔ
・・…・【１’但し、Ｖｉはトランジス
タＱのベース入力電圧、ＶＢＥ２，ＶＢＥ３はトランジ
スタＱ２，Ｑのベース・ェミッタ間電圧、【２，Ｗま抵
抗器Ｒ２，Ｒ３の抵抗、ｈＦＢはトランジスタＱのェミ
ッタ援地雷流増中率、ＩｃｏｎｔはトランジスタＱの制
御電流としてのベース入力電流である。
従って、入力電圧Ｖｉは次式の如く表わされる。Ｖｉニ
ーの・（ｒ２十ｒ３）十（ＶＢＥ２十ＶＢＥ３）＝（１
十ｈＦＥ）・（ｒ２十で３）・Ｉｃｏｎｔ十（ＶＢＥ２
十ＶＢＥ３） ……【２｝又、トランジスタ
Ｑ２，Ｑ３のｈＦ８が十分大きいものとし、トランジス
タＱ２，Ｑの飽和電流をｌｓとすれば、ＶＢ８２，ＶＢ
Ｅ３は次式の如く表わされる。
ーの・（ｒ２十ｒ３）十（ＶＢＥ２十ＶＢＥ３）＝（１
十ｈＦＥ）・（ｒ２十で３）・Ｉｃｏｎｔ十（ＶＢＥ２
十ＶＢＥ３） ……【２｝又、トランジスタ
Ｑ２，Ｑ３のｈＦ８が十分大きいものとし、トランジス
タＱ２，Ｑの飽和電流をｌｓとすれば、ＶＢ８２，ＶＢ
Ｅ３は次式の如く表わされる。
Ｖ職乱８３〒芋小（篭）
−等．ｌｎ｛（特）・ＩＣ皿ｔ｝…．・側但し、けまボ
ルッマン定数、Ｔは絶体温度、ｑは電子の電荷である。
ルッマン定数、Ｔは絶体温度、ｑは電子の電荷である。
尚、ｌｓは３０００ Ｋで０．２×１０‐１５Ａ程度で
ある。従って｛３｝式を（２ー式に代入し、１十ｈＦＥ
≠ｈＦ８とすると、入力電圧Ｖｉは次式の如く表わされ
る。Ｖｉ＝ｈＦＥ・（ｒ２十ｒ３）・Ｉｃｏｎｔ＋（牢
）．ｌｎ｛博・ＩＣ肌ｔ｝．・・．・・【４’｛４）式
の第２項は次式に示す通りである。
ある。従って｛３｝式を（２ー式に代入し、１十ｈＦＥ
≠ｈＦ８とすると、入力電圧Ｖｉは次式の如く表わされ
る。Ｖｉ＝ｈＦＥ・（ｒ２十ｒ３）・Ｉｃｏｎｔ＋（牢
）．ｌｎ｛博・ＩＣ肌ｔ｝．・・．・・【４’｛４）式
の第２項は次式に示す通りである。
２ｖＢＥ≠等．ｌｎ｛（羊）・Ｉｃｏｎｔ｝…．・側但
し、ＶＢＥ≠ＶＢ８，≠Ｖ８８２である。
し、ＶＢＥ≠ＶＢ８，≠Ｖ８８２である。
（５｝式をグラフに表わすと、シリコントランジス夕の
場合第２図の如くなる。従って、ＶＢ》ＶＢ８（但しＶ
Ｂは基準電位点Ｔ３の電位）のときには、Ｖｉ，１蛇，
ｌｏ，は次式の如く近似できる。Ｖｉ芋ｈＦ８．（【２
十ｒ３）．Ｉｃｏｎｔ ……■ら２：・■主ｒ
毒−＝ｈ班・止血ト…・‘７）‘６’，の式をグラフに
表わすと、第３図の如くなる。従って、入力電圧Ｖｉの
可変範囲は基準電位点Ｌの電位Ｖｃｃ、基準電位点Ｔ３
の電位をＶＢとするとき、ＶｃｃＺＶＢであればＶｉは
０≦Ｖｉ≦ＶＢ ……【８’とな
る。
場合第２図の如くなる。従って、ＶＢ》ＶＢ８（但しＶ
Ｂは基準電位点Ｔ３の電位）のときには、Ｖｉ，１蛇，
ｌｏ，は次式の如く近似できる。Ｖｉ芋ｈＦ８．（【２
十ｒ３）．Ｉｃｏｎｔ ……■ら２：・■主ｒ
毒−＝ｈ班・止血ト…・‘７）‘６’，の式をグラフに
表わすと、第３図の如くなる。従って、入力電圧Ｖｉの
可変範囲は基準電位点Ｌの電位Ｖｃｃ、基準電位点Ｔ３
の電位をＶＢとするとき、ＶｃｃＺＶＢであればＶｉは
０≦Ｖｉ≦ＶＢ ……【８’とな
る。
そしてこのときトランジスタＱは非飽和となる。次に第
１図の回路の動作を説明しよう。
１図の回路の動作を説明しよう。
電源スイッチ（図示せず）投入時はスイッチＳＷがオン
とされるが、その初期にはコンデンサＣの端電圧が接地
電位に近いので、定電流回路３ｂよりの電流はトランジ
スタＱ３のベースには殆んど流れず主としてコンデンサ
Ｃに流れる。従って、被ミューティング制御回路ＣＫに
も殆んど直流電流が流れず、電源投入時のミューティン
グが行なわれる。そして、抵抗器Ｒ４及びコンデンサＣ
の各値にて定まる時定数を以つてコンデンサＣの端電圧
は上昇して所定値となる。又、入力端子ｔには上述した
ように、中間周波信号の振幅検波出力が供給される。
とされるが、その初期にはコンデンサＣの端電圧が接地
電位に近いので、定電流回路３ｂよりの電流はトランジ
スタＱ３のベースには殆んど流れず主としてコンデンサ
Ｃに流れる。従って、被ミューティング制御回路ＣＫに
も殆んど直流電流が流れず、電源投入時のミューティン
グが行なわれる。そして、抵抗器Ｒ４及びコンデンサＣ
の各値にて定まる時定数を以つてコンデンサＣの端電圧
は上昇して所定値となる。又、入力端子ｔには上述した
ように、中間周波信号の振幅検波出力が供給される。
従ってヒステリシスゲートパルス発生回路４では、カレ
ントミラー回路ＣＭ３のトランジスタＱ，ｏに、入力端
子ｔに供Ｖ給された入力信号のレベルに応じてスレッシ
ュホールドレベルに関連して、第４図Ａに示す如きミュ
ーティング制御電流としての矩形波電流が流れ、之によ
ってトランジスタＱ７，Ｑの電流も制御され、この結果
、第２のカレントミラー回路ＣＭ２により、コンデンサ
Ｃが充放電されて、被ミューティング制御回路ＣＫ‘こ
は第４図Ｂに示す如く同調時には直線的に変化する制御
直流電流が流れ、非同調時には直流電流は流れずミュー
ティングが掛けられる。従って、上述せる本発明によれ
ば、ミューティング状態からミューティング解除状態へ
の遷移を緩やかにすることができ、従って聴感上好まし
いミューテイング回路を得ることができる。
ントミラー回路ＣＭ３のトランジスタＱ，ｏに、入力端
子ｔに供Ｖ給された入力信号のレベルに応じてスレッシ
ュホールドレベルに関連して、第４図Ａに示す如きミュ
ーティング制御電流としての矩形波電流が流れ、之によ
ってトランジスタＱ７，Ｑの電流も制御され、この結果
、第２のカレントミラー回路ＣＭ２により、コンデンサ
Ｃが充放電されて、被ミューティング制御回路ＣＫ‘こ
は第４図Ｂに示す如く同調時には直線的に変化する制御
直流電流が流れ、非同調時には直流電流は流れずミュー
ティングが掛けられる。従って、上述せる本発明によれ
ば、ミューティング状態からミューティング解除状態へ
の遷移を緩やかにすることができ、従って聴感上好まし
いミューテイング回路を得ることができる。
図面の簡単な説賜
第１図は本発明の一実施例を示す回路結線図、第２図及
び第３図は特性曲線図、第４図は波形図である。
び第３図は特性曲線図、第４図は波形図である。
Ｑ，〜Ｑは第１〜第３のトランジスタ、Ｑ５，Ｑ６は第
４及び第５のトランジスタ、ＣＭ，，ＣＭ２は第１及び
第２のカレントミラー回路、Ｔ，，Ｔ３は基準電位点、
３ａ，３ｂは電流源回路、Ｒ３は抵抗器、Ｃはコソデン
サである。
４及び第５のトランジスタ、ＣＭ，，ＣＭ２は第１及び
第２のカレントミラー回路、Ｔ，，Ｔ３は基準電位点、
３ａ，３ｂは電流源回路、Ｒ３は抵抗器、Ｃはコソデン
サである。
第１図
第２図
第３図
第４図
Claims (1)
- １ 第１のトランジスタ及び該第１のトランジスタと同
一導電形で特性が等しくコレクタ・ベース間が直流的に
互いに接続された第２のトランジスタの各ベースが互い
に接続されると共にその各エミツタが一の基準電位点に
接続されて第１のカレントミラー回路が構成され、上記
第１のトランジスタのコレクタが被ミユーテイング制御
回路に接続され、上記第２のトランジスタのコレクタが
抵抗器を通じて上記第１のトランジスタと同一導電形の
第３のトランジスタのエミツタに接続され、上記第３の
トランジスタのベースと上記一の基準電位点との間及び
他の基準電位点との間に夫々一の電流源回路及び他の電
流源回路が挿入され、上記一及び他の電流源回路のいず
れか一方は、第４のトランジスタ及び該第４のトランジ
スタと同一導電形で特性が等しくコレクタ・ベース間が
直流的に互いに接続された第５のトランジスタの各ベー
スが互いに接続されると共にその各エミツタが上記一又
は他の基準電位点に接続されて成る第２のカレントミラ
ー回路にて構成され、上記第４のトランジスタのコレク
タが上記第３のトランジスタのベースに接続されると共
に、上記第４のトランジスタのコレクタ・エミツタ間に
コンデンサが接続されて成り、上記第５のトランジスタ
にミユーテイング制御電流が流されることによって、上
記第３のトランジスタのコレクタ・ベース接合が逆バイ
アス乃至零バイアスの状態でそのベース電位が上記一及
び他の基準電位点の各電位内の範囲で変化するようにし
たことを特徴とするミユーテイング回路。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51129689A JPS607414B2 (ja) | 1976-10-28 | 1976-10-28 | ミュ−テイング回路 |
| US05/844,282 US4140960A (en) | 1976-10-28 | 1977-10-21 | Current control circuit |
| CA289,307A CA1073973A (en) | 1976-10-28 | 1977-10-24 | Current control circuit |
| GB44169/77A GB1584807A (en) | 1976-10-28 | 1977-10-24 | Current control circuits |
| FR7732714A FR2385142A1 (fr) | 1976-10-28 | 1977-10-28 | Circuit de commande courant |
| DE19772748575 DE2748575A1 (de) | 1976-10-28 | 1977-10-28 | Stromsteuerschaltung |
| NLAANVRAGE7711876,A NL189782C (nl) | 1976-10-28 | 1977-10-28 | Stroomregelschakeling. |
| AU30145/77A AU507569B2 (en) | 1976-10-28 | 1977-10-28 | Current control with current mirror |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51129689A JPS607414B2 (ja) | 1976-10-28 | 1976-10-28 | ミュ−テイング回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5354762A JPS5354762A (en) | 1978-05-18 |
| JPS607414B2 true JPS607414B2 (ja) | 1985-02-25 |
Family
ID=15015742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51129689A Expired JPS607414B2 (ja) | 1976-10-28 | 1976-10-28 | ミュ−テイング回路 |
Country Status (8)
| Country | Link |
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| DE (1) | DE2748575A1 (ja) |
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| DE2459271C3 (de) * | 1974-12-14 | 1980-08-28 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Schaltungsanordnung zum Erzeugen eines kompensierten Gleichstromes |
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-
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-
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- 1977-10-24 GB GB44169/77A patent/GB1584807A/en not_active Expired
- 1977-10-24 CA CA289,307A patent/CA1073973A/en not_active Expired
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- 1977-10-28 FR FR7732714A patent/FR2385142A1/fr active Granted
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- 1977-10-28 AU AU30145/77A patent/AU507569B2/en not_active Expired
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