JPS606982A - 液晶表示体 - Google Patents

液晶表示体

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JPS606982A
JPS606982A JP11396083A JP11396083A JPS606982A JP S606982 A JPS606982 A JP S606982A JP 11396083 A JP11396083 A JP 11396083A JP 11396083 A JP11396083 A JP 11396083A JP S606982 A JPS606982 A JP S606982A
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JP
Japan
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liquid crystal
resin
polyvinylidene chloride
layer
thickness
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JP11396083A
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English (en)
Inventor
潤 星川
岩下 幸広
須沢 修
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Epson Corp
Original Assignee
Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はブヲスチツクを基板とした液晶表示体に関する
〔従来技術〕
従来、プラスチック樹脂よりなる基板を用いた液晶表示
体が提案されている。しかし、一般にツーラスチック樹
脂d、通気性や透湿件が大きいために、このような液晶
表示体は信頼性の点で問題があった。
〔発明の目的〕
本発明はかかる欠点を除去し、プラスチック樹脂の基板
を用いながら信頼性が高く、かつセル厚の均一な液晶表
示体を提供することを目的とする。
〔発明の特徴〕
本発明の液晶表示体は、液晶層中にスペーサを配し、フ
ェノキシ系樹脂よシなる基材とポリ塩化ビニリデン樹脂
を、ポリ塩化ビニリデン樹脂が液晶層と反対側面になる
ようにして品温で歪を加えて一体化して形成したもので
ある。
以下、図面を用いて説明する。
第1図は、本発明の液晶表示体の第】の実施例である。
フェノキシ系樹脂よ)なる基板1.2が、液晶層3を挾
んでいる。基板1.2の液晶層3側の面上には5u02
+工n203 、工To等よりなる透明導電膜4が形成
されておシ、液晶層3と反対側の而上にはポリ塩化ビニ
リデン樹脂層5が形成されている。透明導電膜4の上に
は配向層6が形成されている。
基板】、2の厚さは、0.025〜1.5関である。
厚さが0.025〜1 m 、 0.03〜0.5m 
、 0.03〜0.2關になるに従って、液晶表示体の
薄型化が指向され、曲げに対しても強くなる。樹脂層が
フィルムであると製造が容易である。
透明導電膜4の厚さは100〜2000Aであハ100
〜700λの方がより好ましい。透明導電膜4を工To
で構成する場合は、酸化インジウム系と酸化スズ系の混
合比は0.05〜200が適当である。透明導電膜4は
、フェノキシ樹脂の基板、1.2上に、スパッタリング
法、蒸着法、イオンブレーティング法等で形成される。
これらの導電膜は化学エツチング、イオンビームエツチ
ング、プヲズマエツナング、フォトリソグラフィー等の
方法により、所定の電極形状に加工される。
電極4上の配向層6は、ポリビニルアルコール系樹脂、
ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド・ア
ミド系樹脂等であシ、厚さは5〜1000Xで、ラビン
グ法等によシ配向処理される。例えば、配向層6がポリ
ビニルアルコール系樹脂の場合には、樹脂をコーテイン
グ後、50℃で数時間焼成する。これらの配向層6は、
ディッピング、印刷等によって基板上に形成される。
基板12間には、グヲスファイバーψガヲス等の球形や
円柱形をしたスペーサ7が配されている。
シール8け、エポキシ系やシリコン系、ウレタン系、ア
クリル系等の接着剤をスクリーン印刷、オフセット印刷
、手並ル等で形成する。
液晶層3の厚さは1〜12μmが適当である。
上下基板1.2の液晶層3と反対側面にはポリ塩化ビニ
リデンの樹脂層5が形成されている。ポリ塩化ビニリデ
ンの樹脂層5は、厚さが3〜100μm 、 5〜50
μm 、 5〜20μmの順に好ましくなる。ポリ塩化
ビニリデンの樹脂層5は、フェノキシ系樹脂よりなる上
下基板1,2上に適当な溶剤に溶かしたポリ塩化ビニリ
デン樹脂をハケ塗シ、ディッピングスクリーン印刷、オ
フセット印刷、グラビア印刷等でコーティングしたシ、
ポリ塩化ビニリデンのフィルムを貼夛合わせて形成する
ここで、フェノキシ系樹脂とポリ塩化ビニリデン樹脂5
の熱膨張率はそれぞれ、5.8 X ttr I′7c
、19 X ](1””/’Cである。本発明の液晶表
示体においては、基板を構成するフェノキシ系樹脂とポ
リ塩化ビニリデン樹脂5は、ポリ塩化ビニリデン樹脂が
液晶層の反対側になるようにして高温で歪を加えて一体
化されている。ここで高温とは、少なくとも常温よ)も
高い温度をいう。
液晶表示素子が第1図の様に構成されると、上下基板1
,2は液晶層3側の方のフェノキシ系樹脂の膨張率の方
が液晶層3と反対側のポリ塩化ビニリデン樹脂5の熱膨
張率より小さいため、上下基板1,2は外側に凹状に湾
曲しようとするが、スペーサ7にあたる。スペーサ7は
硬質であるため、2枚の電極基板1,2はスペーサ7の
厚み以下には圧縮されず、全体にセル厚が均一になる。
なお、シール剤8中にもスペーサ7を入れておくことに
よシ、セル厚を均一にする作用は一層顕著なものとなる
(実施例1) 50℃の雰囲気中で厚さが40μのポリ塩化ビニリデン
のフィルムと、厚さが100μのフェノキシ系樹脂のフ
ィルムをエポキシ系接着剤でラミネートした。この後に
、フェノキシ系樹脂の露出面に工TOをスパッタによっ
てコーティングし、化学エツチングで所定の電極形状に
した後に、′〜極、7,1゜板上にグラスファイバーを
散布して組み立て、液晶注入、注入口封止を行なった。
(実施例2) 実施例1において、ポリ塩化ビニリデンのフィルムとフ
ェノキシ系樹脂のフィルムをウレタン糸の接着剤でラミ
ネートして同様に液晶表示体を組み立てた。
(実施例3) ポリ塩化ビニリデン樹脂1002をテトヲヒドロキヲン
600f、トルエン3002の混合imに溶解させ、0
℃の雰囲気中でこの液を0.1yDみのフェノキシ−ウ
レタン樹脂にグヲビアコータ−で塗付し乾燥させて基板
を作製した。ポリ塩化ビニリデンの膜厚はO、Olma
であった。この基板のポリ塩化ビニIJデン膜を形成し
ていない側に、低温スパッタリング法で酸化インジウム
−酸化スズ系導電膜(:iJi成比95=5)を50O
A厚みに形成し、フオ) IJングヲフイー法で所定の
電極形状に加工した。次に、電極面にポリイミド樹脂を
50OA厚みに塗付し、150℃1時間乾燥して配向層
を形成した。これをガーゼで一定方向にむすって配向処
理を行なった。これに可撓性エポキシ接着剤をシール形
状にスクリーン印刷し、銀糸等電接着剤を上下導通箇所
につけ、直径1(1ミクロンのグラスファイバー細片を
散布したのち、上下基板を組立て、100℃で1時間加
熱硬化させた。
これに真空注入法で液晶物質を充填し、注入口をエポキ
シ接着剤で封止して液晶セルを形成し′fc、)(実施
例4) 0.1勧厚のフェノキシ系樹脂のブヲスチツク基板の片
面に0.0.11uIの厚さに40℃に保ったポリ塩化
ビニリデン樹脂をコーティングし基板を作成したトコ/
) m湿性カ20wrs、 &カラ2.9 cw−′、
 24”K酸素ガス透過性が4] Vm” 、 24 
、 atmから3 、5(4層m、’、 24 、 a
trnへ改善された。この基板のポリ塩化ビニIJ テ
ン樹脂をコーティングしていない側の面に工TO膜を2
0OAの厚さにスパッタにより形成し、フォトリンログ
ラフイーで所定の電極形状に加工した tM接極上はポ
リイミド系樹カ旨を59Q Aの厚みに準布し、150
℃で1時fli+焼成した。これをガーゼでラビングに
よシ配向処理を行なった。
次にグツスフアイバーを基板上に散布し、エポキシ接着
剤をスクリーン印刷によpシール形状に印刷し、銀糸導
電接着剤で上下導通箇所をおこない、2枚の基板を組み
立て、接着剤を加熱硬化した。
これに真空注入法によ)液晶物質を充填し、注入口をエ
ポキシ系接着剤で封止して液晶セルを形成し77セ:。
この液晶セルの上下に制光板を添付して液晶表示体を作
成した。
(実施例5) 第2図に示す様に実施例1.2の液晶表示体をシール剤
を、液晶層3側のシール1Bがシリコン系接着剤、外側
のシール四がエポキシ系接着剤の2層のシールで形成し
た。
(実施例6) 第2図に示す様に、実施例1,2の液晶表示体をシール
剤を液晶層側のシール18がエポキシ系接着剤、外側の
シール四がシリコン系接着剤の2層のシールで形成した
(実施例7) 実施例1,2の液晶表示体を、液晶注入口をエポキシ系
接着剤で封止した。
(実施例8) 実施例1,2の液晶表示体を、液晶注入口をシリコン系
接着剤で封止した上にエポキシ系接着剤で制止した。
(実施例9) 実施例1〜8において、フェノキシ系樹脂とポリ塩化ビ
ニリデン樹脂を積層した基板を用いて、50℃の雰囲気
中で液晶セルの組立を行ない。液晶注入、注入口封止を
して液晶セルを作成した。
なお、本発明の基板材料として用いるフェノキシ系樹脂
としてフェノキシ−ウレタン系樹脂を用いるときは、例
えば、 青 の楊造の樹脂であってもよい。この際、フェノキシ樹脂
の水酸基に付加されるウレタン結合の害U合を調整する
ことによハ特異な性質を持たせるととができ、水酸基が
ウレタン結合に置換または二付加される割合が多くなる
に従い、熱硬イヒ性の性質を示し、割合が少ないと熱可
塑性の性質も有する熱硬化性の樹脂となる。
このようにして構成した液晶セルは、上下に偏元板ヲ配
してツイストネマチック型の表示体や、上に1枚だけイ
(4光板を配して、1枚偏光板型のツイストネマチック
表示体や、中に染料を入れてゲストホストのホワイトテ
ーラ−型の表示体や、上に1枚偏光板を配したゲストホ
スト型の表示体や、D S M型、ECB型、スメク型
の表示体とすることができる。
なお、フェノキシ系樹脂の基材をフィルムで構成するこ
ともできる。フェノキシ系樹脂の基材をフィルムで構成
するとロール状に巻いておいて連続加工することも可能
である。
なお、本発明の液晶表示体においては、ポリ塩化ビニリ
デン樹脂層5が積層されているため、液晶層3中に水分
や気体が侵入しにぐい。例えば、フェノキシ系樹脂とし
てO,l藺厚さのフェノキシ−ウレタン系樹脂を使用し
、0.01mg厚さのポリ塩化ビニリデン樹脂層5をコ
ーティングすると、ポリ塩化ビニリデン樹脂層5がない
ものに比較して、透湿性および酸素ガス透過性が20 
cxAn、” 、 24 。
4R4/m” 、 24 、 atmから、2*9 c
ry’m” 、 24 、3.5cc/m’ 、、24
 、atmへと改善される。また、フェノキシ−ウレタ
ン系樹脂の厚さがO,0htxで、ポリ塩化ビニリデン
樹脂層5の厚さが3μであると、透湿性および酸素ガス
透過性は、それぞれ5. l cry’tn、”HH 、24、11,3%4+、2.24 、 a、tml/
Cなる。このように、ポリ塩化ビニリデン樹脂層5が積
層された基板を用いることによシ、液晶中への水分や気
体の侵入が妨げられ、液晶が劣化しに〈〈なシ、かつ、
液晶中に気泡が発生する仁とがなく、信頼性の高い液晶
表示体となる。また、上述の例で示される様に、ポリ塩
化ビニリデン樹脂層5は、厚さが3μ以上あれは、実用
上充分である。
また、液晶を挾持する2枚の基板の一方がフェノキシ系
樹脂とポリ塩化ビニリデンの積層体で構成されており、
他方の基板が、常温で液晶1口側に凸になる他の構成に
よ多構成された基板でつくられていてもよい。
さらに、液晶を挾持する2枚の基板の一方がフェノキシ
系樹脂とポリ塩化ビニリデンの積層体であり、他方の基
板が、フェノキシ系樹脂、アクリル樹脂、ポリザルフオ
ン樹脂、ポリエーテルサルレフオン樹脂、ガラス基板等
の均一な部材により構成されていても良い。
本発明の液晶表示体は、フェノキシ系樹脂の暴利の上に
ポリ塩化ビニリデンの樹脂層が積層されているため、基
板の透湿率や透気率が小さくなり、液晶中に湿気が侵入
して液晶が加水分解を起こして劣化した。す、液晶中に
気泡が発生するととがなく、表示体の信頼性が高く、長
寿命となるrhまにフェノキシ系樹脂は旋光性がないた
めに液晶による表示が可能となる。さらに、ポリ塩化ビ
ニリデンの方がフェノキシ系樹脂より熱膨張率が大きい
ため高湿で歪を加え一体化された基板及び表示体は常温
において液晶層側に凸に湾曲するが、液晶層吊のスペー
サにより、セル厚の均一な液晶表示体となる。セル厚が
均一なために、表示スピードが場jプ[によらず均一と
なシ、セル厚ムヲによる色ムラも生ぜず、表示品質の良
い表示体を構成できる。このように本発明の液晶表示体
は、信頼性が高いのに加えて、セル厚が均一で表示品質
も良いものとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の液晶表示体の第1の実施例。 第2図は本発明の液晶表示体の第2の実施例の部分断面
図。 1・・上基板 2・・下基板 3・・液晶層 4・・透明導電膜 5・・ポリ塩化ビニリデン樹脂層 6φ・配向層 7・・スペーサ 8 、18 、28・・シール 以 上 出願人 エプソン株式会社 代理人 弁理士最 上 務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少なくとも液晶層と該液晶層を挾持する1対の基板から
    構成された液晶表示体において、前記液JIllJ層中
    にはスペーサが配され、前記基板は、フェノキシ系樹脂
    よりなる基板が前記液晶層と反対側面にポリ塩化ビニリ
    デン樹脂層が高温において圧を加えて一体化され、前記
    フェノキシ系樹脂の前記液晶層側面には電極が形成され
    ていることを特徴とする液晶表示体。
JP11396083A 1983-06-24 1983-06-24 液晶表示体 Pending JPS606982A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58136692A (ja) * 1982-02-01 1983-08-13 ロ−ラン・スワンソン 頁岩油岩からの炭化水素および他の価値物の回収方法
US4966442A (en) * 1988-02-02 1990-10-30 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and method for manufacturing same
US5379139A (en) * 1986-08-20 1995-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography
US5673127A (en) * 1993-12-01 1997-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display panel and display device using a display panel
US5952676A (en) * 1986-08-20 1999-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography
US6862057B2 (en) 2001-02-14 2005-03-01 Nec Corporation Active-matrix addressed reflective LCD and method of fabricating the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50131796A (ja) * 1974-04-05 1975-10-18
JPS5565926A (en) * 1978-11-13 1980-05-17 Seiko Epson Corp Liquid crystal panel

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50131796A (ja) * 1974-04-05 1975-10-18
JPS5565926A (en) * 1978-11-13 1980-05-17 Seiko Epson Corp Liquid crystal panel

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58136692A (ja) * 1982-02-01 1983-08-13 ロ−ラン・スワンソン 頁岩油岩からの炭化水素および他の価値物の回収方法
JPH0258312B2 (ja) * 1982-02-01 1990-12-07 Swanson Rollan
US5379139A (en) * 1986-08-20 1995-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography
US5952676A (en) * 1986-08-20 1999-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography
US6493057B1 (en) 1986-08-20 2002-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography
US6853431B2 (en) 1986-08-20 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography
US5963288A (en) * 1987-08-20 1999-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device having sealant and spacers made from the same material
US4966442A (en) * 1988-02-02 1990-10-30 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and method for manufacturing same
US5673127A (en) * 1993-12-01 1997-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display panel and display device using a display panel
US6049364A (en) * 1993-12-01 2000-04-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display panel and display device using the same
US6218679B1 (en) 1993-12-01 2001-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display panel and display device using the same
US6862057B2 (en) 2001-02-14 2005-03-01 Nec Corporation Active-matrix addressed reflective LCD and method of fabricating the same

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