JPS6066888A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS6066888A JPS6066888A JP17519283A JP17519283A JPS6066888A JP S6066888 A JPS6066888 A JP S6066888A JP 17519283 A JP17519283 A JP 17519283A JP 17519283 A JP17519283 A JP 17519283A JP S6066888 A JPS6066888 A JP S6066888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser array
- type
- layer
- array device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4037—Edge-emitting structures with active layers in more than one orientation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（〕喰禾−↑―の利用分野）
不発１叫は半導体１／−ザアレイ装置に関するものであ
る。
る。
（従来例の構成とその問題点）
゛１′＝導体レーザアレイは同一半導体、！Ｉ（板にｌ
；！１．Ｊ、Ｏｎｍ 〜ｌｉｔ ｌ ００ ｔｍ＋の間
隔をｉｌ；ｊｊいて複数の１７一ザ発振’Ｆｉｌ’ｊ域
をイｉするもので、それぞれ独立に駆動でき、毘ブ゛ｆ
スクの多Ｉｒ＋記録、ｒ１生および消去やレーザノ“′
リンターの尚連化に遍している。レーザ゛ノルイＣＬｉ
１刀めＡｒレーザの光を分割し、１）個の小ビームとし
／・−ものか考えられ／こか、それぞれの光か独立に変
調−Ｃきないことや小ノ〜り化できないこともあって実
用にはほど遠いものでおった。しかし、！１″導体レー
ザの信頼性が飛躍的に向上するに至って箔導体レーザの
アレイ化の開発が進められてきた。半導体レーザアレイ
はＡｒレーザアレイと異なりそれぞれの光を独立に駆動
および変調ができ、さらに電気的にも機械的にも簡１１
かつ小型化できるという特徴をもつ。半導体レーザアレ
イのもう１つの特徴としてレーザ間隔を任２ａ、に変え
ることかでき、かつ発振領域の中心が同一平面上に形成
できるということである。このため、九輛合せを容易に
することができ、レンズ系を簡素化できる。第１図にＣ
８Ｐ型半導体レーザアレイのｉ／ｆｆ来例を示す。この
レーザアレイは溝（＝Ｊ基板にダズル−＼テ【コ構造か
形成されたものであり、それぞれを’ｉ１気的に分廟［
し個別に電流駆動かできるようにレーザ゛の間をストラ
イグ状に基板に達する１でコニ、テンプを行なっている
。このようなレーザアレイではレーザノリンターなどの
高速化のために＆：Ｊイｊ効であるか、テ゛イスタフア
イルなどの記録・内生・消去といつグこ異なった機能を
もたせる／こめには回−レノス゛系の中てそｔｔそれの
光を分ガｔさせる必要がある。光枠゛分陶１１させる方
法として、レーザアレイの各々のレージ゛の発振波長を
変えて、フィルターによって光ろ一’ｃｔＬそれ分９ノ
１１させる方法かある。ところがＣ８Ｐ ｌ／−ザなど
の場合、隣接し／ζレーザ冗の波長を変えるには一回の
成長では不可能であシ、多数回の成長を行なって同−基
板上にＡｔ組成比の異なるダブルへテロ（１”ｌ）造を
１１４成する必要があり実用的でｔＪ、ない。レンズ系
の中で）ｌＬ、を分肉１１さぜる他の方法は出射光の偏
波１ｊ１１を変えて、偏）し板にＪ、って分肉１１さぜ
る方法である。この方法では例えば２個の■／−ザー１
ルイの偏波面をそれぞれ９０Ｌ′傾けると、偏光板によ
って完全に分ｐ１１（できる。ところがＣ３Ｐ１／ −
−９’に代表さ７％る溝イ；］基板上の結晶成長力法で
は同一 ノ、（板」ニ形成された複数のレーザのＰ ｎ
接合…ｊか回−１）而」−にあるため各々の１７−ザの
偏波面を変えることは原理的にイく用能であった。
；！１．Ｊ、Ｏｎｍ 〜ｌｉｔ ｌ ００ ｔｍ＋の間
隔をｉｌ；ｊｊいて複数の１７一ザ発振’Ｆｉｌ’ｊ域
をイｉするもので、それぞれ独立に駆動でき、毘ブ゛ｆ
スクの多Ｉｒ＋記録、ｒ１生および消去やレーザノ“′
リンターの尚連化に遍している。レーザ゛ノルイＣＬｉ
１刀めＡｒレーザの光を分割し、１）個の小ビームとし
／・−ものか考えられ／こか、それぞれの光か独立に変
調−Ｃきないことや小ノ〜り化できないこともあって実
用にはほど遠いものでおった。しかし、！１″導体レー
ザの信頼性が飛躍的に向上するに至って箔導体レーザの
アレイ化の開発が進められてきた。半導体レーザアレイ
はＡｒレーザアレイと異なりそれぞれの光を独立に駆動
および変調ができ、さらに電気的にも機械的にも簡１１
かつ小型化できるという特徴をもつ。半導体レーザアレ
イのもう１つの特徴としてレーザ間隔を任２ａ、に変え
ることかでき、かつ発振領域の中心が同一平面上に形成
できるということである。このため、九輛合せを容易に
することができ、レンズ系を簡素化できる。第１図にＣ
８Ｐ型半導体レーザアレイのｉ／ｆｆ来例を示す。この
レーザアレイは溝（＝Ｊ基板にダズル−＼テ【コ構造か
形成されたものであり、それぞれを’ｉ１気的に分廟［
し個別に電流駆動かできるようにレーザ゛の間をストラ
イグ状に基板に達する１でコニ、テンプを行なっている
。このようなレーザアレイではレーザノリンターなどの
高速化のために＆：Ｊイｊ効であるか、テ゛イスタフア
イルなどの記録・内生・消去といつグこ異なった機能を
もたせる／こめには回−レノス゛系の中てそｔｔそれの
光を分ガｔさせる必要がある。光枠゛分陶１１させる方
法として、レーザアレイの各々のレージ゛の発振波長を
変えて、フィルターによって光ろ一’ｃｔＬそれ分９ノ
１１させる方法かある。ところがＣ８Ｐ ｌ／−ザなど
の場合、隣接し／ζレーザ冗の波長を変えるには一回の
成長では不可能であシ、多数回の成長を行なって同−基
板上にＡｔ組成比の異なるダブルへテロ（１”ｌ）造を
１１４成する必要があり実用的でｔＪ、ない。レンズ系
の中で）ｌＬ、を分肉１１さぜる他の方法は出射光の偏
波１ｊ１１を変えて、偏）し板にＪ、って分肉１１さぜ
る方法である。この方法では例えば２個の■／−ザー１
ルイの偏波面をそれぞれ９０Ｌ′傾けると、偏光板によ
って完全に分ｐ１１（できる。ところがＣ３Ｐ１／ −
−９’に代表さ７％る溝イ；］基板上の結晶成長力法で
は同一 ノ、（板」ニ形成された複数のレーザのＰ ｎ
接合…ｊか回−１）而」−にあるため各々の１７−ザの
偏波面を変えることは原理的にイく用能であった。
（発明の目的）
」＼ソ１′：明の［１的はレーザアレイの複数のレーザ
光をｆｌｕ！ ＞’Ｃ叛を用いて容易に分離できるよう
な構造を（発明の構成） この目的を達成するために、本冗明の半導体レーザアレ
イ装置は、棲数個のレーザ冗振領域をイ〕し、これら発
振領域を形成しているＰｎ接合而面互いに傾斜するよう
に構成し−Ｃいる。
光をｆｌｕ！ ＞’Ｃ叛を用いて容易に分離できるよう
な構造を（発明の構成） この目的を達成するために、本冗明の半導体レーザアレ
イ装置は、棲数個のレーザ冗振領域をイ〕し、これら発
振領域を形成しているＰｎ接合而面互いに傾斜するよう
に構成し−Ｃいる。
（実施例の説明）
以下本発明の実箔例に基づきｉ発明する。
本発明の目的を達成する／ンニめの最も筒中な方法は、
ＴＳ型レーザのアレイ化である。即イつ、段差をイ〕す
る一′１″導体基板トに活性層を含む多Ｊ’Ｊ Ｉ’ｌ
’ｌ造を形成し、段差の高さや向きて１７一ザ発振領域
となる話１り二層の折れ曲がりの状態（角度）を１＋ｌ
Ｉ呻し、そこから出射されるおのおのレーザ光の偏波面
の角度を変えることによって、偏光板ン（よる分周１１
をｉｊｌ能にしている。このような基板上に液相エピタ
キ／ヤル法ニヨリｎ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡｓ（ｘ ””
０３〜０．５）クラット層２、Ｉｌ型Ｇａｐ−ｙＡｔ
ｙＡｓ （ｙ二〇〜□ ０． Ｉ ） ｆｉｓ性層３、
ｐ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡｓ （ｘ＝０．：（−０，５）
クラ、７１゛層４およびｎ型ＧａＡｓ電流制限層５の連
Ａ＋；シ成長を行なう０各層の膜ｊ′ノは段１＋ｉ ｌ
一部の゛１７坦部でｌｌ型クラッド層２か（１，３１ｔ
ｍ Ｘ７占惰層３がＯ，’ ０８ ｍ＋ ％ ｐシ）リ
クラッＦ層４が（１，３７ｚ＋ｙ＋お」：びｎ型電流制
限層５が０．５ ｉｉｍＶ（なるようにする。なお段差
部での成長膜厚ｔｄ ｎ〕１１リクラソド層２で１．２
７ｍｌ Ｘ活性層３は約０１μＩｎ ％ｐ ＋、（ｊｌ
ｌクララ１層４］、、 ２ Ｂｍになるようにする・・
次に成長表面に酸化膜をつけ、基板の段差上部にストう
・ｆノ状の拡散窓を形成し、酸化膜をマスクとしてＺｎ
拡散を行ないＺｎ拡１１々領域６を形成する０この拡散
領域６はぞのノロントｐ型りラッド層４に達する壕で行
なう。その後、表面の酸化膜を除去し、ｐＨ１１１電極
用金属を蒸着し、Ｉ」１則オーミ、ツク電極７を形成す
る。
ＴＳ型レーザのアレイ化である。即イつ、段差をイ〕す
る一′１″導体基板トに活性層を含む多Ｊ’Ｊ Ｉ’ｌ
’ｌ造を形成し、段差の高さや向きて１７一ザ発振領域
となる話１り二層の折れ曲がりの状態（角度）を１＋ｌ
Ｉ呻し、そこから出射されるおのおのレーザ光の偏波面
の角度を変えることによって、偏光板ン（よる分周１１
をｉｊｌ能にしている。このような基板上に液相エピタ
キ／ヤル法ニヨリｎ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡｓ（ｘ ””
０３〜０．５）クラット層２、Ｉｌ型Ｇａｐ−ｙＡｔ
ｙＡｓ （ｙ二〇〜□ ０． Ｉ ） ｆｉｓ性層３、
ｐ型Ｇａ１−ＸＡｔＸＡｓ （ｘ＝０．：（−０，５）
クラ、７１゛層４およびｎ型ＧａＡｓ電流制限層５の連
Ａ＋；シ成長を行なう０各層の膜ｊ′ノは段１＋ｉ ｌ
一部の゛１７坦部でｌｌ型クラッド層２か（１，３１ｔ
ｍ Ｘ７占惰層３がＯ，’ ０８ ｍ＋ ％ ｐシ）リ
クラッＦ層４が（１，３７ｚ＋ｙ＋お」：びｎ型電流制
限層５が０．５ ｉｉｍＶ（なるようにする。なお段差
部での成長膜厚ｔｄ ｎ〕１１リクラソド層２で１．２
７ｍｌ Ｘ活性層３は約０１μＩｎ ％ｐ ＋、（ｊｌ
ｌクララ１層４］、、 ２ Ｂｍになるようにする・・
次に成長表面に酸化膜をつけ、基板の段差上部にストう
・ｆノ状の拡散窓を形成し、酸化膜をマスクとしてＺｎ
拡散を行ないＺｎ拡１１々領域６を形成する０この拡散
領域６はぞのノロントｐ型りラッド層４に達する壕で行
なう。その後、表面の酸化膜を除去し、ｐＨ１１１電極
用金属を蒸着し、Ｉ」１則オーミ、ツク電極７を形成す
る。
なお、本発明の基本的な渚え方を明確にするためＶＣ２
つのＴＳ構造のレーザアレイ装置について説明ターる。
つのＴＳ構造のレーザアレイ装置について説明ターる。
ＩＩ ｌ−リＧａＡｓ基板ＪＩＫ第２図（ａ）に示ず」
：うな段差をエツチングにより形成する。段差は（（ｌ
ｉ 、１ ）方向に１’；＋Ｊざ２μｍ？１、段差間
ｌ Ｏ（１／Ｚｍで構成されたものである。（第２図（
ｂ））本発明のレーザでＱ、１段差部が発振領域である
／こめ、個別に電流駆動ができるように、段差間の中央
部で１（ｉ気的に分Ｈ１する必要がある。そこで、ｐ側
電極７＋にレノストマスクを形成し、段差の中間に幅５
ｌｌ？ｎ〜［０μＩｎのスートライブ（〈０１１〉方
向）の窓あけ庖・行なう。まず、ｐ １ｔｉｌｌ電（ｉ
を王水でエツチングを行ないＩ］型ＧａＡ３電流制御層
５が露出した後、硫酸系のエツチング液で第２図（ｃ）
のようＫ ＧａＡｓ 、！＋（板」のところまで子ノチ
ングを行なう。その後レノストを除去し、シ（板１１１
１１に１１側電極用金属を蒸着し、合金処理を行なって
ｎ １１ｉ１１オーミ、り電極８を形成する（第３図）
。
：うな段差をエツチングにより形成する。段差は（（ｌ
ｉ 、１ ）方向に１’；＋Ｊざ２μｍ？１、段差間
ｌ Ｏ（１／Ｚｍで構成されたものである。（第２図（
ｂ））本発明のレーザでＱ、１段差部が発振領域である
／こめ、個別に電流駆動ができるように、段差間の中央
部で１（ｉ気的に分Ｈ１する必要がある。そこで、ｐ側
電極７＋にレノストマスクを形成し、段差の中間に幅５
ｌｌ？ｎ〜［０μＩｎのスートライブ（〈０１１〉方
向）の窓あけ庖・行なう。まず、ｐ １ｔｉｌｌ電（ｉ
を王水でエツチングを行ないＩ］型ＧａＡ３電流制御層
５が露出した後、硫酸系のエツチング液で第２図（ｃ）
のようＫ ＧａＡｓ 、！＋（板」のところまで子ノチ
ングを行なう。その後レノストを除去し、シ（板１１１
１１に１１側電極用金属を蒸着し、合金処理を行なって
ｎ １１ｉ１１オーミ、り電極８を形成する（第３図）
。
このようにして作製した素子をザプマウ／１・にボンデ
インクしさらに、ステムにボンディングしてレーザアレ
イ装置を完成させる。レーザ素子をサグマウントにボン
ディングする場合、放熱の点でｐザイドダウンにする必
要があるため、サブマウント上に多電極の配線を形成し
、電気的な分力１１を完全に行なわなければならない。
インクしさらに、ステムにボンディングしてレーザアレ
イ装置を完成させる。レーザ素子をサグマウントにボン
ディングする場合、放熱の点でｐザイドダウンにする必
要があるため、サブマウント上に多電極の配線を形成し
、電気的な分力１１を完全に行なわなければならない。
以上の方法で作製したＴＳ型のレーザアレイ装ｊｊ：、
ｆの４ｈ惟および効果について説明する。
ｆの４ｈ惟および効果について説明する。
第、：Ｈに小ず’ｌ” Ｓ ｊ（ＩＩレーザアレイの段
差Ａおよび８１１段）゛クーの向きか異なるため、その
上に形成されるそれぞれの活１つ層の傾き角か人きくな
る。段差の高さを２６０μｍにすると、段差ＡとＢとの
活性層のｆ頃きは９（＋’となる。ｆ〆１っで、おのお
のレーザ光は！１ （１’ずれた偏波面をもつことにな
りｒｉ′易に偏光板での分離ができる。第４図（ａ）の
（１）は段差Ａ１第４図（ａ）の（２）は段差Ｂのとこ
ろの７Ｆ！’ｉ性層から得られ／ζ先出カー電流’Ｉ’
４’ １３Ｉ：を示ず。このようしく：、レーザア［／
イの容素ｒはほぼ回〜の特１ツ［を小しているが、偏光
板を回転させて段差Ａの偏波′而にａわ−Ｕると、第４
図（１））に小すように段；＋、ｌ’ Ａ （１）から
の光出力は通７：’＋と回じであるか、段、）ｒ １３
（２）か１−）の）し出力がほとんどイ：Ｉられてい
ない。偏光板をさらに！１（１０回転きすて段差Ｂの偏
波面に舎わぜると、Ｊ、さにこの逆の結果となる。
差Ａおよび８１１段）゛クーの向きか異なるため、その
上に形成されるそれぞれの活１つ層の傾き角か人きくな
る。段差の高さを２６０μｍにすると、段差ＡとＢとの
活性層のｆ頃きは９（＋’となる。ｆ〆１っで、おのお
のレーザ光は！１ （１’ずれた偏波面をもつことにな
りｒｉ′易に偏光板での分離ができる。第４図（ａ）の
（１）は段差Ａ１第４図（ａ）の（２）は段差Ｂのとこ
ろの７Ｆ！’ｉ性層から得られ／ζ先出カー電流’Ｉ’
４’ １３Ｉ：を示ず。このようしく：、レーザア［／
イの容素ｒはほぼ回〜の特１ツ［を小しているが、偏光
板を回転させて段差Ａの偏波′而にａわ−Ｕると、第４
図（１））に小すように段；＋、ｌ’ Ａ （１）から
の光出力は通７：’＋と回じであるか、段、）ｒ １３
（２）か１−）の）し出力がほとんどイ：Ｉられてい
ない。偏光板をさらに！１（１０回転きすて段差Ｂの偏
波面に舎わぜると、Ｊ、さにこの逆の結果となる。
（発明の効果）
以」二のように本発明はＴＳ型のレーザアレイにするこ
とによって偏）“Ｃ板て容易に複数の）ｔを分離できる
という特徴をもち、その実用的効果は極めて大きい。
とによって偏）“Ｃ板て容易に複数の）ｔを分離できる
という特徴をもち、その実用的効果は極めて大きい。
第１図はｃｓｐ型１Ｌ、導体レーザアレイのＵｒ来例を
示し、第２図は本発明のＴＳＳ型ｌ−ザーノルイの製法
を示し、第３図は完成した素子の余１祝図である。 第４図は２個のレーザアレイのおのおの電流−光出力特
性を示す。 ｐ型Ｇ ａ １−ｘ Ａｔｘ Ａ ｓクラッド層、５−
ｎ型ＧａＡｓ電流制限層、６−Ｚｎ拡散領域、７−
ｐ １ｉｌｌ ′ｉｉ極、８−ｎ側電極。 將許出願人 松下電器産業株式会社 代理人星 野 恒 司 第２図 第３図 第４図 （１） （２） （１） （２） 電シ几（ｍＡ ） 電：、Ｌ（ｍＡ）
示し、第２図は本発明のＴＳＳ型ｌ−ザーノルイの製法
を示し、第３図は完成した素子の余１祝図である。 第４図は２個のレーザアレイのおのおの電流−光出力特
性を示す。 ｐ型Ｇ ａ １−ｘ Ａｔｘ Ａ ｓクラッド層、５−
ｎ型ＧａＡｓ電流制限層、６−Ｚｎ拡散領域、７−
ｐ １ｉｌｌ ′ｉｉ極、８−ｎ側電極。 將許出願人 松下電器産業株式会社 代理人星 野 恒 司 第２図 第３図 第４図 （１） （２） （１） （２） 電シ几（ｍＡ ） 電：、Ｌ（ｍＡ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ１’−、）、Ｉｊ体ノ、（板上に互いに独立な複数個
の１７一ザ発振領域を設け、前記ブ【３振領域のうち少
なくとも２つの１／−ザ発振領１蔵のＰｎ接合面が、互
いに傾斜していることを７ｌ−ｉｌ徴とする１′、・な
体レーザアレイ装置・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17519283A JPS6066888A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17519283A JPS6066888A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066888A true JPS6066888A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=15991892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17519283A Pending JPS6066888A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066888A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373685A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
| JP2002280674A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP17519283A patent/JPS6066888A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373685A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
| JP2002280674A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61179588A (ja) | リツジ導波路半導体素子 | |
| JPS60124983A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6066888A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JP3755178B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS59100583A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS61113293A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH0350252B2 (ja) | ||
| JPS62141507A (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JPH03227086A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH02180085A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS5871677A (ja) | ２波長埋め込みへテロ構造半導体レ−ザ | |
| JP2561802Y2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01186693A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2989345B2 (ja) | 面発光レーザ | |
| JPH0215687A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS59171187A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| KR100248430B1 (ko) | 광도파로 집적 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법 | |
| JPS6122478B2 (ja) | ||
| JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS60260183A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH03152982A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH02216882A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPS62281384A (ja) | 半導体レ−ザ素子およびその製造方法 | |
| JPS59197183A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH0691295B2 (ja) | 半導体レ−ザ及び製造方法 |