JPS60124983A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS60124983A JPS60124983A JP58233982A JP23398283A JPS60124983A JP S60124983 A JPS60124983 A JP S60124983A JP 58233982 A JP58233982 A JP 58233982A JP 23398283 A JP23398283 A JP 23398283A JP S60124983 A JPS60124983 A JP S60124983A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser
- semiconductor
- light
- substrate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板に対して垂直な方向に光出力を取り
出すことができ、２次元アレイ化等が可能な半導体レー
ザ、特に室温ＣＷ動作が容易で、レーザ特性の向上した
面発光型の半導体レーザに関する。
出すことができ、２次元アレイ化等が可能な半導体レー
ザ、特に室温ＣＷ動作が容易で、レーザ特性の向上した
面発光型の半導体レーザに関する。
面発光型の半導体レーザは半導体基板に対して垂直な方
向に光出力を取シ出すことができ、同一の半導体基板上
に２次元アレイ化して種々の光の信号処理を行なうこと
が容易であるという大きな特徴を有している。半導体レ
ーザをマトリックス構成して使用することができるので
将来の光情報処理、光交換等の分野への応用が期待され
ている。
向に光出力を取シ出すことができ、同一の半導体基板上
に２次元アレイ化して種々の光の信号処理を行なうこと
が容易であるという大きな特徴を有している。半導体レ
ーザをマトリックス構成して使用することができるので
将来の光情報処理、光交換等の分野への応用が期待され
ている。
このような面発光型半導体レーザの実現には、これまで
発光ダイオードと＃１は同様の構成を持ち、活性層を厚
くしたものが種々研究されてきた。。その−例として、
伊賀氏らは１９８３年発行のエレクトロニクス會しター
ズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌、第
１９巻、第１３号、４５７頁がら４５８頁において報告
しているような短糸振器型の面発光型半導体レーザを開
発した。この半導体レーザけＩｎＰ基板上に１ｎＧａＡ
ｓＰ活性層を含む半導体多層膜を積層し、基板側からエ
ツチングを行なって７μｍｔで薄くシ、素子の画面［Ａ
ｕの高反射電極を形成している。ＺｎＧａＡｓＰ活性層
は１．５βｍの厚さを有し、半導体基板に垂直′方向で
レーザ共振させている。伊賀氏らはこのように面発光型
の半導体レーザにおいて１４０Ｋまでのパルス室振を得
た。７７ Ｋにおいてパルス発振しきい値電流は５０ｍ
Ａであり、７μｍという短糸振器を構成しているために
単一軸モード発振を示し、その温度変化率が０．６４
Ｘ／ｄｅｇであったと報告１．でいる。ところでこのよ
うな面発光型半導体レーザにおける最大の課題は室温調
動作にある。そのためにはともかく発振しきい値電流を
下けることが問題であり、伊賀氏らはそのために、（ｉ
）短糸振器構造の採用、■厚膜活性層の導入、（３）高
反射率を有する電極の採用を行なっているが、そねでも
なお１４０にという低い温度までのレーザ発県しか得ら
れておらず、このままの構成では室温ＣＷ動作の実現は
ほぼ不可能と思われる。
発光ダイオードと＃１は同様の構成を持ち、活性層を厚
くしたものが種々研究されてきた。。その−例として、
伊賀氏らは１９８３年発行のエレクトロニクス會しター
ズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌、第
１９巻、第１３号、４５７頁がら４５８頁において報告
しているような短糸振器型の面発光型半導体レーザを開
発した。この半導体レーザけＩｎＰ基板上に１ｎＧａＡ
ｓＰ活性層を含む半導体多層膜を積層し、基板側からエ
ツチングを行なって７μｍｔで薄くシ、素子の画面［Ａ
ｕの高反射電極を形成している。ＺｎＧａＡｓＰ活性層
は１．５βｍの厚さを有し、半導体基板に垂直′方向で
レーザ共振させている。伊賀氏らはこのように面発光型
の半導体レーザにおいて１４０Ｋまでのパルス室振を得
た。７７ Ｋにおいてパルス発振しきい値電流は５０ｍ
Ａであり、７μｍという短糸振器を構成しているために
単一軸モード発振を示し、その温度変化率が０．６４
Ｘ／ｄｅｇであったと報告１．でいる。ところでこのよ
うな面発光型半導体レーザにおける最大の課題は室温調
動作にある。そのためにはともかく発振しきい値電流を
下けることが問題であり、伊賀氏らはそのために、（ｉ
）短糸振器構造の採用、■厚膜活性層の導入、（３）高
反射率を有する電極の採用を行なっているが、そねでも
なお１４０にという低い温度までのレーザ発県しか得ら
れておらず、このままの構成では室温ＣＷ動作の実現は
ほぼ不可能と思われる。
本発明の目的は発振しきｂ値電流が低く、高い光出力１
ｒ−得ることができ、かつ特性の再現性、素子製造の歩
留りが大幅に向上した面発光型の半導体レーザを得るこ
とにある。
ｒ−得ることができ、かつ特性の再現性、素子製造の歩
留りが大幅に向上した面発光型の半導体レーザを得るこ
とにある。
本発明の構成による半導体レーザは、半導体基板の一方
の主面上に少なくとも活性層および回折格子を有し、前
記活性層よりもエネルギーギャップの大きな光ガイド層
を含む半導体多層膜が形成され、−さらに半導体多層膜
中の光導波領域に回折格子を備えている半導体レーザ圧
おいて、少なくとも一方の出力端面がルーリ′共撮軸方
向に対し７て−ｂて形成され、かつ前記半導体多層膜が
形成された主面に相対する基板のもう一方の主面上にレ
ンズ状の突起が形成されて込ることを特徴としている。
の主面上に少なくとも活性層および回折格子を有し、前
記活性層よりもエネルギーギャップの大きな光ガイド層
を含む半導体多層膜が形成され、−さらに半導体多層膜
中の光導波領域に回折格子を備えている半導体レーザ圧
おいて、少なくとも一方の出力端面がルーリ′共撮軸方
向に対し７て−ｂて形成され、かつ前記半導体多層膜が
形成された主面に相対する基板のもう一方の主面上にレ
ンズ状の突起が形成されて込ることを特徴としている。
面発光型半導体レーザの最大の特徴は半導体基板面にほ
ぼ垂直方向に光出力が取り出せることである。このため
、本発明は従来のレーザ構造に固執すること疫く、通常
の半導体レーザの光出力を何らかの方法で垂直方向に取
り出してやる構造とした。すなわち、結晶のへきかいに
よる共振器ミラー面を必要としな（へ分布帰還型半導体
レーザ（ＤＦＢ−Ｌｌ） ）、分布ブラッグ反射型半導
体レーザ（ＤＩ［、−１，Ｄ）等Ｇ）一方の出力端面を
斜めに傾けて形成し、そこで反射した光を取り出す構造
にして、基板面に対１−で垂直方向に出射するレーデ出
力光をイ好ている。１１！ｆｐｃ Ｈ頃いた端面で反射
する方向にレンズ状の突起を形成し−Ｃいるので、その
半径、高さ、曲率半径等を適当に設ｄ１することにより
、レーザ出力光の放射パターンをコントロールするこ々
ができ、θ１１オーば放射角を小さくすることにより光
フプイパ゛＼の入射も容易Ｖこなる。また、室温しこお
いても十分低い電流値で斂ｍＷ程度以上の光出力が得ら
れ、例えばマトリックス構成にして用いることにより、
４！Ｅ々の光情報処理、光交換等の分野に広く適用する
ことがｏＪ能となる。
ぼ垂直方向に光出力が取り出せることである。このため
、本発明は従来のレーザ構造に固執すること疫く、通常
の半導体レーザの光出力を何らかの方法で垂直方向に取
り出してやる構造とした。すなわち、結晶のへきかいに
よる共振器ミラー面を必要としな（へ分布帰還型半導体
レーザ（ＤＦＢ−Ｌｌ） ）、分布ブラッグ反射型半導
体レーザ（ＤＩ［、−１，Ｄ）等Ｇ）一方の出力端面を
斜めに傾けて形成し、そこで反射した光を取り出す構造
にして、基板面に対１−で垂直方向に出射するレーデ出
力光をイ好ている。１１！ｆｐｃ Ｈ頃いた端面で反射
する方向にレンズ状の突起を形成し−Ｃいるので、その
半径、高さ、曲率半径等を適当に設ｄ１することにより
、レーザ出力光の放射パターンをコントロールするこ々
ができ、θ１１オーば放射角を小さくすることにより光
フプイパ゛＼の入射も容易Ｖこなる。また、室温しこお
いても十分低い電流値で斂ｍＷ程度以上の光出力が得ら
れ、例えばマトリックス構成にして用いることにより、
４！Ｅ々の光情報処理、光交換等の分野に広く適用する
ことがｏＪ能となる。
以下実施例等を示す図面を用いて本発明をよシ詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明による半導体レーザの動作原理を示すた
めの素ｆ断面図である。半導体基板１上に回折格子２を
有する光ガイド層３および活性層４を含む分布帰還型半
導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）の一方の出力端面′５がな
なめに形成されている。
めの素ｆ断面図である。半導体基板１上に回折格子２を
有する光ガイド層３および活性層４を含む分布帰還型半
導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）の一方の出力端面′５がな
なめに形成されている。
出力端面５けレーザ発振光に対して全反射角以上の角度
で傾いて形成され、そこでの反射光６Ｖｉ半導体基板ｌ
の表面に形成くれたレンズ状の突起７により基板ｌ＠か
ら素子上方に小さな放射角度、あるいは集光性をもって
出射される。通常の結晶へきかい面を共振器ミラー面と
するファプリ・ベロー構造の半導体レーザではこのよう
に一方の出力端面５をななめにしてしまうとレーザ発振
が得らねなくなるが、ここに示したよりな］）ＦＢ−１
，１）、あるいけＤＢＩＮ−ＬＤ にお−ては回折格子
２による光の帰還を利用してレーザ発振させるので、出
力端面５を斜めに形成してそこでの反射光６を素子上方
に取り出すことが可能となる。同時に＃Ｓ体基板１に形
成されたレンズ状の突起７の形状、曲率半径を制御する
ことによって素子上方への出射ビームの放射形状を任意
に設定することができる。
で傾いて形成され、そこでの反射光６Ｖｉ半導体基板ｌ
の表面に形成くれたレンズ状の突起７により基板ｌ＠か
ら素子上方に小さな放射角度、あるいは集光性をもって
出射される。通常の結晶へきかい面を共振器ミラー面と
するファプリ・ベロー構造の半導体レーザではこのよう
に一方の出力端面５をななめにしてしまうとレーザ発振
が得らねなくなるが、ここに示したよりな］）ＦＢ−１
，１）、あるいけＤＢＩＮ−ＬＤ にお−ては回折格子
２による光の帰還を利用してレーザ発振させるので、出
力端面５を斜めに形成してそこでの反射光６を素子上方
に取り出すことが可能となる。同時に＃Ｓ体基板１に形
成されたレンズ状の突起７の形状、曲率半径を制御する
ことによって素子上方への出射ビームの放射形状を任意
に設定することができる。
このようなレンズ状の突起７け通常の化４エツチング技
術によって容易に形成でき、また傾いた出力端面５も適
切なエツチング液を用いて傾斜角度を制御することによ
って反射光６が半導体基板１出力光を光ファイバに入射
する場合も、反射光６も１０ｍＷ以上の比較的大きな出
力で取シ出すことができるので、数ｍＷ以上の光出力を
簡単な結合レンズ系によって、あるいは結合レンズ系な
しでも光ファイバに入力することが可能となる。
術によって容易に形成でき、また傾いた出力端面５も適
切なエツチング液を用いて傾斜角度を制御することによ
って反射光６が半導体基板１出力光を光ファイバに入射
する場合も、反射光６も１０ｍＷ以上の比較的大きな出
力で取シ出すことができるので、数ｍＷ以上の光出力を
簡単な結合レンズ系によって、あるいは結合レンズ系な
しでも光ファイバに入力することが可能となる。
次に本発明による一実施例である面発光型半導体レーザ
の概略製造工程を説明するだめの斜視図を第２図に示す
。このような半導体レーザを得るにはまず第２図（ａｌ
のようｉｃ （１００）面方位を有するｎ−ＩｎＰ基板
１０上に回折格子１１を形成し、その上に第１回月の液
相エピタキシャル工程において発光波長１．２μｍ相当
のｎ Ｉ ｎ ＯＪ ８ Ｇ ａ Ｏ，２２Ａ ５６−
４ ＢＰ、ｌＩ、光ガイド層１２を回折格子１１の山か
ら測って厚さ０．１μｍ１発光波長１．３μｍ相当のノ
ンドープＩｎ’ｏ、ｔｙＧａｏ、ｔｓ ＡＳｇ、６１
ｐＨ，ｌ＠活性層１３を厚さ０．１μｍ、ｐ−１ｎＰク
ラッド層１４を厚さ１μｍ順次積層する。回折格子１１
けＨｅ−Ｃｄガスレーザを用いたレーザ干渉露光と化学
エツチング法忙よって形成し、ＩｎＰ基板ｌＯの＜０１
１＞結晶方向にくシ返すものとした。波長１３μｍＫ対
する２次の回折格子とし、その周期は３９４ｏλ、深さ
１５００ Ｘ程度のものが再現性よく得られている。回
折格子１１は熱による劣化、成荻時の溶液によるメルト
バックを受けやすいので、エピタキシャル成長に際１゜
てけ６００°Ｃ以下の低い温度で成長を行ない、同時ｔ
こ光ガイド層１２は過飽和度を大きくとったスーパーク
ーリング法によって成長させた。結晶成長後にも回折格
子】Ｊけ深さ１ｏｏｏＸ程度に十分深く保存することが
できた。このようなダブルへテロ構造（ＤＨ）の半導体
ウェファに化学エツチングによってメサストライプ１６
を形成し、埋め込み成長を行なう（第２図（ｂ））。発
光再結合する活性層を含むメサストライプ１６は２本の
平行なエツチング＄１５．１７によってはさまれており
、深さ３μｍ１活性層１３０部分で幅１．５μｍとした
。エツチング＠１５．１７は幅１０μｒｎとし、Ｂｒ２
メタノール系のエツチング液を用すて形成した。メサエ
ッチングを行なった後埋め込み成長工程におりてｐ−Ｉ
ｎＰｒｒＬ流ブロック層１８、ｎ−１ｎＰｕｎＰｕツブ
ロックをｂずれもメサストライプ１６の上面を除いて、
さらＫｐ−ＩｎＰ埋め込み屡２０、発光波長１．２４ｍ
相当のＰ Ｉｎｕ、ｑｓＧａｏ、ｔｔｋＳｏ−＜ｎＰｏ
、ｓｘ 電極層２１ を全面にわたって順次積層させる
。最後に第２図（ｃｌに示すように傾斜端面５、レンズ
状突起７、およびｐ型オーミック１１極２２、ｎ型オー
ミック電極２３を形成し７て所望の面発光型半導体レー
ザを得る。第２図（Ｃ）はＩｎＰ基板１０を上側に向け
て示したが、レンズ状突起７は傾斜端面５にほぼ相対し
て形成した。これは実際には直径３０μｍφの円形パタ
ーンに７オトレジストを形成１２．１０μｍｆ′１８ｒ
ｔｆ、の深さにエツチングを行ない、その後フォトレジ
ストを除去し、さらに全体をエツチングするこ七Ｊζよ
り中央部で盛り上がったレンズ形状にすることができた
。実際には半径３０μｍ１高さ８μｍとなり、曲率半径
はほぼ４０μｍであった。
の概略製造工程を説明するだめの斜視図を第２図に示す
。このような半導体レーザを得るにはまず第２図（ａｌ
のようｉｃ （１００）面方位を有するｎ−ＩｎＰ基板
１０上に回折格子１１を形成し、その上に第１回月の液
相エピタキシャル工程において発光波長１．２μｍ相当
のｎ Ｉ ｎ ＯＪ ８ Ｇ ａ Ｏ，２２Ａ ５６−
４ ＢＰ、ｌＩ、光ガイド層１２を回折格子１１の山か
ら測って厚さ０．１μｍ１発光波長１．３μｍ相当のノ
ンドープＩｎ’ｏ、ｔｙＧａｏ、ｔｓ ＡＳｇ、６１
ｐＨ，ｌ＠活性層１３を厚さ０．１μｍ、ｐ−１ｎＰク
ラッド層１４を厚さ１μｍ順次積層する。回折格子１１
けＨｅ−Ｃｄガスレーザを用いたレーザ干渉露光と化学
エツチング法忙よって形成し、ＩｎＰ基板ｌＯの＜０１
１＞結晶方向にくシ返すものとした。波長１３μｍＫ対
する２次の回折格子とし、その周期は３９４ｏλ、深さ
１５００ Ｘ程度のものが再現性よく得られている。回
折格子１１は熱による劣化、成荻時の溶液によるメルト
バックを受けやすいので、エピタキシャル成長に際１゜
てけ６００°Ｃ以下の低い温度で成長を行ない、同時ｔ
こ光ガイド層１２は過飽和度を大きくとったスーパーク
ーリング法によって成長させた。結晶成長後にも回折格
子】Ｊけ深さ１ｏｏｏＸ程度に十分深く保存することが
できた。このようなダブルへテロ構造（ＤＨ）の半導体
ウェファに化学エツチングによってメサストライプ１６
を形成し、埋め込み成長を行なう（第２図（ｂ））。発
光再結合する活性層を含むメサストライプ１６は２本の
平行なエツチング＄１５．１７によってはさまれており
、深さ３μｍ１活性層１３０部分で幅１．５μｍとした
。エツチング＠１５．１７は幅１０μｒｎとし、Ｂｒ２
メタノール系のエツチング液を用すて形成した。メサエ
ッチングを行なった後埋め込み成長工程におりてｐ−Ｉ
ｎＰｒｒＬ流ブロック層１８、ｎ−１ｎＰｕｎＰｕツブ
ロックをｂずれもメサストライプ１６の上面を除いて、
さらＫｐ−ＩｎＰ埋め込み屡２０、発光波長１．２４ｍ
相当のＰ Ｉｎｕ、ｑｓＧａｏ、ｔｔｋＳｏ−＜ｎＰｏ
、ｓｘ 電極層２１ を全面にわたって順次積層させる
。最後に第２図（ｃｌに示すように傾斜端面５、レンズ
状突起７、およびｐ型オーミック１１極２２、ｎ型オー
ミック電極２３を形成し７て所望の面発光型半導体レー
ザを得る。第２図（Ｃ）はＩｎＰ基板１０を上側に向け
て示したが、レンズ状突起７は傾斜端面５にほぼ相対し
て形成した。これは実際には直径３０μｍφの円形パタ
ーンに７オトレジストを形成１２．１０μｍｆ′１８ｒ
ｔｆ、の深さにエツチングを行ない、その後フォトレジ
ストを除去し、さらに全体をエツチングするこ七Ｊζよ
り中央部で盛り上がったレンズ形状にすることができた
。実際には半径３０μｍ１高さ８μｍとなり、曲率半径
はほぼ４０μｍであった。
ｎ形オーミ’ｌり電極２３はレンズ状突起７部分を除い
て形成い傾斜端面５での反射光が外部に有効に取り出せ
るようにした。またことでは傾斜端面５を形成した後に
ｐ形オーミック電極２２を形成したが、この順序は逆で
あってももちろんさしつかえない。
て形成い傾斜端面５での反射光が外部に有効に取り出せ
るようにした。またことでは傾斜端面５を形成した後に
ｐ形オーミック電極２２を形成したが、この順序は逆で
あってももちろんさしつかえない。
以上のようにして作製した面発光型の半導体レーザにお
いて、ＤＦＢ領域の長さ１３００μｍ１工ピタキシヤル
成長層側を下にしてヒートシンク蹟マウンドし、室温Ｃ
Ｗでの発振しきい値電流４０ｍＡ、素子上方への全体の
光出力２０ｍＷ程度のものが再現性よく得られた。また
Ｇ１−５０光フアイバへの結合実験を行なった結果光入
力８ｍＷがイ鍔られた。
いて、ＤＦＢ領域の長さ１３００μｍ１工ピタキシヤル
成長層側を下にしてヒートシンク蹟マウンドし、室温Ｃ
Ｗでの発振しきい値電流４０ｍＡ、素子上方への全体の
光出力２０ｍＷ程度のものが再現性よく得られた。また
Ｇ１−５０光フアイバへの結合実験を行なった結果光入
力８ｍＷがイ鍔られた。
ＤＦＢ−ＬＤ の一方の出力端面を傾けて形成し、それ
と相対する位置にレンズ状突起７を形成することＫより
、室温ＣＷで大きな光出力を素子上方に容易に取り出す
ことができた。素子そのものがレンズ作用を有している
ために出力光の集光性も良く、光フアイバ通信における
光交換用半導体レーザ、光オーディオディスク、光ビデ
オディスク等の光源として十分な性能が得られた。ここ
では説明のために単体素子を示したが、もちろん２次元
的に配列形成して、電気的な絶縁をとることによシ２次
元マトリックスのアレイ光源として用いる仁とも容易で
ある。
と相対する位置にレンズ状突起７を形成することＫより
、室温ＣＷで大きな光出力を素子上方に容易に取り出す
ことができた。素子そのものがレンズ作用を有している
ために出力光の集光性も良く、光フアイバ通信における
光交換用半導体レーザ、光オーディオディスク、光ビデ
オディスク等の光源として十分な性能が得られた。ここ
では説明のために単体素子を示したが、もちろん２次元
的に配列形成して、電気的な絶縁をとることによシ２次
元マトリックスのアレイ光源として用いる仁とも容易で
ある。
ノかえｆｌ ｒ ０
図中Ｉ Ｆｉ半導体基板、２は回折格子、３は光ガーイ
ド層、４は活性層、５は傾斜端面、６番−１反射光、７
けレンズ状突起、ＪＯはｎ〜ＩｎＰ基板、１１は回折格
子、１２１ｄ ｎ ｌ ｎ１＋、？ｘ ＧａＬｌ、２２
ＡＳＩ＋、４８ ｐＨｊ２ 光ガイド層、１３はＩｎ
、、、、Ｇａｕ、、Ａ、ｓ、６１ Ｐ、、、活性ｌ−２
１４けｐ−４ｎＰクラッド層、］’５，１７け工、チン
グ溝、１６はメサストライプ、１８ Ｂ ｐ−ＩｎＰ
’Ｆｊｆ流ズロノク層、１９ はｎｎ−１０Ｐ精ブロッ
ク層、２０はｐ−１ｎＰ顯め込み層、２１ ｖｉ ｐ−
Ｉ ｎ＋＋、７４ Ｇａ／、、？Ｊ−Ａ ｓ ＋ｌ＋
ｐ Ｐ ＋＋、！ ＝ 酊極層、２２はｐ形オーミ、）
り電極、２３はｎ形オーミック電極をそれぞれあられ代
理人弁理士 内片 に・− ）１．゛。 （。 ぐ
ド層、４は活性層、５は傾斜端面、６番−１反射光、７
けレンズ状突起、ＪＯはｎ〜ＩｎＰ基板、１１は回折格
子、１２１ｄ ｎ ｌ ｎ１＋、？ｘ ＧａＬｌ、２２
ＡＳＩ＋、４８ ｐＨｊ２ 光ガイド層、１３はＩｎ
、、、、Ｇａｕ、、Ａ、ｓ、６１ Ｐ、、、活性ｌ−２
１４けｐ−４ｎＰクラッド層、］’５，１７け工、チン
グ溝、１６はメサストライプ、１８ Ｂ ｐ−ＩｎＰ
’Ｆｊｆ流ズロノク層、１９ はｎｎ−１０Ｐ精ブロッ
ク層、２０はｐ−１ｎＰ顯め込み層、２１ ｖｉ ｐ−
Ｉ ｎ＋＋、７４ Ｇａ／、、？Ｊ−Ａ ｓ ＋ｌ＋
ｐ Ｐ ＋＋、！ ＝ 酊極層、２２はｐ形オーミ、）
り電極、２３はｎ形オーミック電極をそれぞれあられ代
理人弁理士 内片 に・− ）１．゛。 （。 ぐ
Claims (1)
- 半導体基板の一方の主面上に少なくとも活性層および前
記活性層よルもエネルギーギャップの大きな光ガイド層
を含む半導体多層膜が形成され、さらに当該半導体多層
膜の光導波領域に回折格子を備えている半導体レーザに
おいて、少なくとも一方の出力端面がレーザ共振軸方向
に対して傾いて形成さｊｌかつ前記半導体多層膜が形成
された主面に相対する基板のもう一方の主面上にレンズ
状の突起が形成されていることを特徴とする半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233982A JPS60124983A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233982A JPS60124983A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124983A true JPS60124983A (ja) | 1985-07-04 |
Family
ID=16963677
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP58233982A Pending JPS60124983A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124983A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1983
- 1983-12-12 JP JP58233982A patent/JPS60124983A/ja active Pending
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