JPH0215687A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0215687A JPH0215687A JP16521988A JP16521988A JPH0215687A JP H0215687 A JPH0215687 A JP H0215687A JP 16521988 A JP16521988 A JP 16521988A JP 16521988 A JP16521988 A JP 16521988A JP H0215687 A JPH0215687 A JP H0215687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- doped
- layer
- substrate
- semiconductor laser
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910017974 NH40H Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4037—Edge-emitting structures with active layers in more than one orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、例えば書き換え型光ディスクシステムにおい
て、複雑な光学系を必要とせず、短時間で情報を自力と
書き込みが可能な元ヘッドの光源用として用いて好適な
半導体レーザの製造方法に関するものである。
て、複雑な光学系を必要とせず、短時間で情報を自力と
書き込みが可能な元ヘッドの光源用として用いて好適な
半導体レーザの製造方法に関するものである。
く従来の技術〉
書き換え形光ディスクシステムの光ヘッドには、一つの
半導体レーザで、光デイスク上の情報消去及び書き込み
を行う１ヘツド・１ビ一ム方式と、情報消去及び書き込
みを専用の半導体レーザで行う２ヘツド・２ビ一ム方式
がある。ｌヘッド・１ビ一ム方式は光デイスク上の不要
な情報を消去した後に情報を書き込む為、書き換え時間
が長いが、光学系が簡単である。一方、２ヘツド・２ビ
一ム方式は情報の消去及び書き込みを同時に行う為、書
き換え時間は短いが、光学系は複雑となる。これらの問
題を解決する為１ヘツド・マルチビーム方式が考えられ
、中央の素子をディスクの制御用とした３ビ一ム半導体
レーザが開発されている（昭和６１年秋季、第４７回応
用物理学会学術講演会・、１１’ｌｌ演予稿集２７Ｐ−
Ｔ−１０）。
半導体レーザで、光デイスク上の情報消去及び書き込み
を行う１ヘツド・１ビ一ム方式と、情報消去及び書き込
みを専用の半導体レーザで行う２ヘツド・２ビ一ム方式
がある。ｌヘッド・１ビ一ム方式は光デイスク上の不要
な情報を消去した後に情報を書き込む為、書き換え時間
が長いが、光学系が簡単である。一方、２ヘツド・２ビ
一ム方式は情報の消去及び書き込みを同時に行う為、書
き換え時間は短いが、光学系は複雑となる。これらの問
題を解決する為１ヘツド・マルチビーム方式が考えられ
、中央の素子をディスクの制御用とした３ビ一ム半導体
レーザが開発されている（昭和６１年秋季、第４７回応
用物理学会学術講演会・、１１’ｌｌ演予稿集２７Ｐ−
Ｔ−１０）。
従来の３ビ一ム半導体レーザとしては、第３図に示すよ
うに三つの個別の半導体レーザ３１゜３２．３３全配列
したハイブリッド型と、第４図に示すように一つの半導
体基板４１上に電気的に分離さハた三つのレーザ発振部
４２，４３．４４を持つモノリシック型がある。
うに三つの個別の半導体レーザ３１゜３２．３３全配列
したハイブリッド型と、第４図に示すように一つの半導
体基板４１上に電気的に分離さハた三つのレーザ発振部
４２，４３．４４を持つモノリシック型がある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、第３図に示すハイブリッド型は三つの個別の半
導体レーザ３１，３２．３３を実装する工程が難しく、
かつレーザ特性の均一性に関しては、モノリシック型に
劣る。−刃用４図に示すモノリシック型は三つのレーザ
発振部４２，４３゜４４を電気的に分離する溝４５．４
６を形成する工程が必要となる等の問題点があった。
導体レーザ３１，３２．３３を実装する工程が難しく、
かつレーザ特性の均一性に関しては、モノリシック型に
劣る。−刃用４図に示すモノリシック型は三つのレーザ
発振部４２，４３゜４４を電気的に分離する溝４５．４
６を形成する工程が必要となる等の問題点があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、一つの
チップで複数のレーザ光を発振する半導体レーザ素子の
新規な製造方法を提供することを目的としている。
チップで複数のレーザ光を発振する半導体レーザ素子の
新規な製造方法を提供することを目的としている。
く問題点を解決するための手段２
上記の目的を達成するため、本発明の半導体レーザ素子
の製造方法は、（ｎ１１）Ａ面（ｎは整数。
の製造方法は、（ｎ１１）Ａ面（ｎは整数。
Ａ面ば■液面）と（ｎ１１）Ａ面取外の面とが接する領
域が二つ以上存在するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上
に、ドーパントとしてドナーとアクセプターの両性質を
有する元素を用いて、分子線エビクキノー法（ＭＢＥ法
）により結晶成長させ、一つのチップ上に複数の発振領
域を形成してなるように構成している。
域が二つ以上存在するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上
に、ドーパントとしてドナーとアクセプターの両性質を
有する元素を用いて、分子線エビクキノー法（ＭＢＥ法
）により結晶成長させ、一つのチップ上に複数の発振領
域を形成してなるように構成している。
く作 用〉
従来より、ＩＩＩ −、Ｖ族化合物半導体のＭＢＥ成長
では通常（１００）基板を使用しており、その上に積層
する結晶のｎ型ドーパントとしてＳｌを使用している。
では通常（１００）基板を使用しており、その上に積層
する結晶のｎ型ドーパントとしてＳｌを使用している。
ＳｉはＩＩＩ族元素の格子位置に入り易く、その場合は
ドナーとして働く。しかし、（ｎ１１）Ａ而（ｎは整数
、Ａ面は■液面）では、■族元素の付着係数が低く、Ｓ
ｉが■族元素の格子位置に入り易く、この場合には、ｐ
型ドーパント（アクセプター）として働く。従って、第
２図に示す如く、（ｎ目づＡ面１．２と他面３．４が隣
接する半導体基板５を用い、両性元素をドーパントとし
てＭＢＥ法でレーザを成長させると、（ｎ１１）Ａ面１
．２上にはｐ型層６．７が積層すると共に他面３．４上
にはｎ型層８，９が積層し、ｐ −ｎ接合１０，１１．
１２を形成することができ、上記した従来のモノリンツ
ク型の電気分離の溝を必要とせず、−回の成長で、一つ
のチップで複数のレーザ光を発振する横接合ストライプ
（ＴｒａｎｓｖｅｒｓｅＪｕｎｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉ
ｐｅ ：ＴＪ Ｓ ）型半導体レーザを作製することが
できる。一方上記特性はＭＢＥ成長でのみ存在し、液相
成長法（Ｌｉｑｕｉｄ／Ｐｈａｓｅ Ｅｓ１ｔａｘｙ
： Ｌ Ｐ Ｅ ）や有機金属気相成長Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ： ＭＯＣＶＤ ）では見られない。
ドナーとして働く。しかし、（ｎ１１）Ａ而（ｎは整数
、Ａ面は■液面）では、■族元素の付着係数が低く、Ｓ
ｉが■族元素の格子位置に入り易く、この場合には、ｐ
型ドーパント（アクセプター）として働く。従って、第
２図に示す如く、（ｎ目づＡ面１．２と他面３．４が隣
接する半導体基板５を用い、両性元素をドーパントとし
てＭＢＥ法でレーザを成長させると、（ｎ１１）Ａ面１
．２上にはｐ型層６．７が積層すると共に他面３．４上
にはｎ型層８，９が積層し、ｐ −ｎ接合１０，１１．
１２を形成することができ、上記した従来のモノリンツ
ク型の電気分離の溝を必要とせず、−回の成長で、一つ
のチップで複数のレーザ光を発振する横接合ストライプ
（ＴｒａｎｓｖｅｒｓｅＪｕｎｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉ
ｐｅ ：ＴＪ Ｓ ）型半導体レーザを作製することが
できる。一方上記特性はＭＢＥ成長でのみ存在し、液相
成長法（Ｌｉｑｕｉｄ／Ｐｈａｓｅ Ｅｓ１ｔａｘｙ
： Ｌ Ｐ Ｅ ）や有機金属気相成長Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ： ＭＯＣＶＤ ）では見られない。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例に従って作製された光磁気デ
ィスク用多ビーム半導体レーザの構造を示す断面図であ
る。
ィスク用多ビーム半導体レーザの構造を示す断面図であ
る。
第１図において、１３は（１００）Ｃｒ ドープ半絶縁
性ＧａＡｓ基板であり、まず、この（１００）Ｃｒドー
プ半絶縁性ＧａＡｓ基板１３にフォトリソグラフィーの
手法で（０２１Ｊ方向にストライプ状にマスクを形成し
、硫酸系エッチャントでエツチングを行い、（１１１）
Ａ面１４．１５を斜面にもつ順メサ形状の基板を形成す
る。次にこの順メサ基板１３上にＭＢＥ法を用いて、成
長温度７００℃で厚さ３０００Ａのノンドープ・高抵抗
ＧａＡｓバッファ層１６、厚さ４μｍのノンドープ・高
抵抗Ａ １ｏ、 ４ Ｇａ ｏ、 ６ Ａ Ｓ 電流
ブロック層１７、厚さ１４ｍクラッド層１８、厚さ１５
００Ａの５ｉ（５Ｘ１０”ｍ ）ドープＡｔ０．０８
Ｇａ０．９２ＡＳ活性層１９、厚さ２μｍの５ｉ（ＩＸ
ＩＯ（、Ｍ ）ドープＡｔＯ，３２ＧａＯ，６８Ａｓ
クラッド層２０及び厚さ１ μｍのＳｉ （３Ｘ１０１
８ｍ ”）ドープＧａＡｓコノタクト層２１を連続的に
成長する。次にコンタクト層２１のｐ −ｎ接合部分を
フォトリソグラフィーの手法とＮＨ４０Ｈ系エノチヤノ
トによりエツチングを行う。その後、プラズマＣＶＤ法
を用いて５ｉＮＸの絶縁膜を形成し、フォトリソグラフ
ィーの手法及びＳｉＮｘの選択エッチャント（ＨＦとＮ
Ｈ４Ｆの混合液）を用いて電流ブロック層２２と形成す
る。
性ＧａＡｓ基板であり、まず、この（１００）Ｃｒドー
プ半絶縁性ＧａＡｓ基板１３にフォトリソグラフィーの
手法で（０２１Ｊ方向にストライプ状にマスクを形成し
、硫酸系エッチャントでエツチングを行い、（１１１）
Ａ面１４．１５を斜面にもつ順メサ形状の基板を形成す
る。次にこの順メサ基板１３上にＭＢＥ法を用いて、成
長温度７００℃で厚さ３０００Ａのノンドープ・高抵抗
ＧａＡｓバッファ層１６、厚さ４μｍのノンドープ・高
抵抗Ａ １ｏ、 ４ Ｇａ ｏ、 ６ Ａ Ｓ 電流
ブロック層１７、厚さ１４ｍクラッド層１８、厚さ１５
００Ａの５ｉ（５Ｘ１０”ｍ ）ドープＡｔ０．０８
Ｇａ０．９２ＡＳ活性層１９、厚さ２μｍの５ｉ（ＩＸ
ＩＯ（、Ｍ ）ドープＡｔＯ，３２ＧａＯ，６８Ａｓ
クラッド層２０及び厚さ１ μｍのＳｉ （３Ｘ１０１
８ｍ ”）ドープＧａＡｓコノタクト層２１を連続的に
成長する。次にコンタクト層２１のｐ −ｎ接合部分を
フォトリソグラフィーの手法とＮＨ４０Ｈ系エノチヤノ
トによりエツチングを行う。その後、プラズマＣＶＤ法
を用いて５ｉＮＸの絶縁膜を形成し、フォトリソグラフ
ィーの手法及びＳｉＮｘの選択エッチャント（ＨＦとＮ
Ｈ４Ｆの混合液）を用いて電流ブロック層２２と形成す
る。
次にＡｕ／ＡｕＺｎのｐ型室％ ２３ 、 ＡｕＧｅ／
Ｎ ｉのｎ型電極２４を蒸着する。
Ｎ ｉのｎ型電極２４を蒸着する。
次に基板１３の裏面を厚さ２５０μｍを残して研磨を行
い、チップに分割する。
い、チップに分割する。
本実箱例では４つの発振部を持ち、共振器長２５０μｍ
時の各発振部の閾値電流はいずれも２０ｍＡであるＴＪ
Ｓ型半導体レーザが得られた。
時の各発振部の閾値電流はいずれも２０ｍＡであるＴＪ
Ｓ型半導体レーザが得られた。
尚上記実施例は４つの発振部を持つが、（ｎ１１）Ａ面
と他面が接する数によって発振部の数を変えることがで
きる。また、上記実施例はノンコートであるが、光磁気
ディスクの書き込み等に高出力のレーザ発振部を必要と
する場合は、レーザ発振方向の両端面に電子ビーム蒸着
装置を用いてＡｔ２０３とＳｉを各々レーザの発振波長
の１／４に当る、約１０００−２５０ＯＡの厚さでコー
ティングを行い、その後、高出力レーザ発信部の出力側
の８１コーテイングだけ？取り除き、高出力発信部を形
成するようになせば良い。
と他面が接する数によって発振部の数を変えることがで
きる。また、上記実施例はノンコートであるが、光磁気
ディスクの書き込み等に高出力のレーザ発振部を必要と
する場合は、レーザ発振方向の両端面に電子ビーム蒸着
装置を用いてＡｔ２０３とＳｉを各々レーザの発振波長
の１／４に当る、約１０００−２５０ＯＡの厚さでコー
ティングを行い、その後、高出力レーザ発信部の出力側
の８１コーテイングだけ？取り除き、高出力発信部を形
成するようになせば良い。
体レーザ素子を従来の・・イブリッド型の実装工程及び
モノリシック型の電気絶縁溝の形成工程を必要としない
で、−回のＭＢＥ成長で作製することができる。
モノリシック型の電気絶縁溝の形成工程を必要としない
で、−回のＭＢＥ成長で作製することができる。
第１図は本発明の一実施例の方法により製造された半導
体レーザ素子の断面構造を示す図、第２図は本発明に係
るｐｎ接合の製造工程を説明するための概略構成図、第
３図及び第４図はそれぞれ従来の光磁気ディスク用多ビ
ーム半導体レーザの断面構造を示す図である。 １．２−（ｎ１１）Ａ面、３．４・−（ｎ１１）Ａ面取
外の面、５・・・半導体基板、６，７・・・ｐ型半導体
層、８．９−ｎ型半導体層、１０，１１．１２−・・ｐ
−ｎ接合、１３−（１００）Ｃｒドープ半絶縁性Ｇ
ａＡ ｓ ９．Ｌ；板、１４．１５−（１１１）Ａ面、
１６・・・ノンドープ−高抵抗Ｇ ａ Ａ ｓバッファ
層、１７・・ノンドープ・高抵抗Ａ１ｏ、 ４Ｇａｏ、
６Ａｓ電流ブロック層、１８−８ｉ ドープ・ＡｔＯ
，３２Ｇａ０．６８Ａ８クラッド層、１９−Ｓｉドープ
’ Ａｔｏ、０ＢＧａｏ、ｇ２ＡＳ 活性層、２゜・
・・Ｓ１ドープ・Ａｔｏ、 ３２ Ｇａ ｏ、 ６８Ａ
ｓクラッド層、２１・Ｓ１ドーグ・ＧａＡｓコンタクト
層、２２・・・Ｓ］ＮＸ電流プ０ツク層、２３ ・Ａｕ
／ＡｕＺｎ−Ｊ）型電極、２４− ＡｕＧｅ／Ｎ ｉ−
ｎ型電極。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名〕＠２図 １／３図 ９ｓ４図
体レーザ素子の断面構造を示す図、第２図は本発明に係
るｐｎ接合の製造工程を説明するための概略構成図、第
３図及び第４図はそれぞれ従来の光磁気ディスク用多ビ
ーム半導体レーザの断面構造を示す図である。 １．２−（ｎ１１）Ａ面、３．４・−（ｎ１１）Ａ面取
外の面、５・・・半導体基板、６，７・・・ｐ型半導体
層、８．９−ｎ型半導体層、１０，１１．１２−・・ｐ
−ｎ接合、１３−（１００）Ｃｒドープ半絶縁性Ｇ
ａＡ ｓ ９．Ｌ；板、１４．１５−（１１１）Ａ面、
１６・・・ノンドープ−高抵抗Ｇ ａ Ａ ｓバッファ
層、１７・・ノンドープ・高抵抗Ａ１ｏ、 ４Ｇａｏ、
６Ａｓ電流ブロック層、１８−８ｉ ドープ・ＡｔＯ
，３２Ｇａ０．６８Ａ８クラッド層、１９−Ｓｉドープ
’ Ａｔｏ、０ＢＧａｏ、ｇ２ＡＳ 活性層、２゜・
・・Ｓ１ドープ・Ａｔｏ、 ３２ Ｇａ ｏ、 ６８Ａ
ｓクラッド層、２１・Ｓ１ドーグ・ＧａＡｓコンタクト
層、２２・・・Ｓ］ＮＸ電流プ０ツク層、２３ ・Ａｕ
／ＡｕＺｎ−Ｊ）型電極、２４− ＡｕＧｅ／Ｎ ｉ−
ｎ型電極。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名〕＠２図 １／３図 ９ｓ４図
Claims (1)
- １、（ｎ１１）Ａ面（ｎは整数、Ａ面はIII族面）と（
ｎ１１）Ａ面以外の面とが接する領域が二つ以上存在す
るIII−Ｖ族化合物半導体基板上に、ドーパントとして
ドナーとアクセプターの両性質を有する元素を用いて、
分子線エピタキシー法により結晶成長させ、一つのチッ
プ上に複数の発振領域を形成してなることを特徴とする
半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16521988A JPH0215687A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16521988A JPH0215687A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215687A true JPH0215687A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15808114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16521988A Pending JPH0215687A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215687A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05234888A (ja) * | 1991-03-27 | 1993-09-10 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法 |
| US6799921B2 (en) | 2002-04-26 | 2004-10-05 | Shiga Sangyo Kabushiki Kaisha | Manhole cover/frame exchange method |
| US20210281047A1 (en) * | 2020-03-09 | 2021-09-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Broadened spectrum laser diode for display device |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP16521988A patent/JPH0215687A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05234888A (ja) * | 1991-03-27 | 1993-09-10 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法 |
| US6799921B2 (en) | 2002-04-26 | 2004-10-05 | Shiga Sangyo Kabushiki Kaisha | Manhole cover/frame exchange method |
| US20210281047A1 (en) * | 2020-03-09 | 2021-09-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Broadened spectrum laser diode for display device |
| US11682881B2 (en) | 2020-03-09 | 2023-06-20 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Broadened spectrum laser diode for display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0556036B2 (ja) | ||
| US4280108A (en) | Transverse junction array laser | |
| JPH0215687A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3246207B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS61296785A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS61113293A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JP2518255B2 (ja) | 多重量子井戸型光双安定半導体レ−ザ | |
| JPS6215879A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH03227086A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH03238813A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPS61134094A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP3127635B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2680015B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH065984A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2000133876A (ja) | 面発光レーザ装置 | |
| JPS59197182A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JP2949927B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| KR100261249B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH01293686A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0330386A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS61284985A (ja) | 半導体レ−ザ装置の作製方法 | |
| JPH0770788B2 (ja) | 半導体分布帰還型レーザ装置および半導体素子の製造方法 | |
| JPS62281384A (ja) | 半導体レ−ザ素子およびその製造方法 | |
| JPH05160514A (ja) | 歪量子井戸半導体レーザ素子 | |
| JPH0697494A (ja) | スーパールミネッセントダイオードおよびその製法 |