JPS6066838A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6066838A
JPS6066838A JP58177412A JP17741283A JPS6066838A JP S6066838 A JPS6066838 A JP S6066838A JP 58177412 A JP58177412 A JP 58177412A JP 17741283 A JP17741283 A JP 17741283A JP S6066838 A JPS6066838 A JP S6066838A
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JP
Japan
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soldering material
substrate
wall members
semiconductor element
capillary
Prior art date
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Pending
Application number
JP58177412A
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English (en)
Inventor
Masanori Matsuo
松尾　政則
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関し、特に高周波領域で使用する
のに好適な半導体装置に関する。
一般に、高周波領域における使用を目的として製造され
る半導体素子の電気的特性は半導体素子を載置する基板
容器の構造や構成材料等に左右される。特に半導体素子
の特性を有効に生かすためには寄生抵抗や寄生容ｉ小さ
くするため、半導体容器の小型化が必要とされる。
従来、この種の半導体パッケージはストリップライン構
造を持つものが採用されこれを第１図に示す例によって
説明すると半導体素子を搭載するセラミックの絶縁基体
１と壁部材２からなる容器と蓋部材３とを金糸共晶合金
等のロー相４でロー付けし、内部に取シ付けられる半導
体素子６と金属細線７とを気密封止している。絶縁基体
１には半導体素子６から電極を導出する所望形状のメタ
ライズ層５ａ、５ｂ、５ｃがストリップライン構造で形
成されておシ、絶縁基体１の裏面においてこれらメタラ
イズ層５ａ、５ｂ、５ｃにリード１０ａｌＩＯ＋−４１
１００が取シ付けられている。
ここで金属細線７のインターフタンス及びメタンイズ層
５ａ、５ｂ、５ｃ間の寄生容量を減少させるため、容器
は非常に小型にされる必要がある。又金属細線７を結線
する方法として、熱圧着ボンド法あるいは超音波ボンド
法などがよく用いられている。たとえば、熱圧着ボンド
法ではウェッジボンド法ボールボンド法があるが、ウェ
ッジボンド法では第２図に示す様に金属細線７をウェッ
ジ８で押し付けて圧着を行なっている。この方法で金属
細線７をメタライズ層５ａ＋５ｂ、５ｃに接着した場合
、ウェッジ８は非常に細くしないと、小さな容器内では
壁部材２にさまたげられて金属細線７を圧着できない。
幸いウェッジボンド法ではウェッジ８を細くでき小さな
容器内でも狭いメタライズ層への圧着が可能であるが、
金属細線７とウェッジ８が個別に構成されているため、
金属細線７とウェッジ８との位置合せが必要で自動化が
難しい。
又ボールボンド法では第３図に示す様にキャピラリー９
から繰シ出された金属細線７の先端におけるボール状部
分を押し付けて圧着するものであり、この方法では金属
細線７とキャピラリー９が一体（口ｆ＃成のため、これ
らの位１４合せを特に必要としないので、自動化がし易
いという長所があるが、キャピラリー９にはかなシの太
さが要求される。
このため壁部桐２の内側のメタライズＮ５ａ、５ｂ。
５Ｃの面積を大きくとらなければキャビシリ−９が壁部
材２にあたって金属細線７の圧着ができない。このため
、小型パンケージには適していない。
本発明の目的は、小型で金属細線の結線が容易な半導体
装置の容器を提供するものである。
本発明によれば、内側に傾斜した内部側面全治する壁部
材が絶縁基体上に取シ付けられてお月給Ｒ基体には半導
体素子載置部と電極導出のための金属層とを有する容器
を備えた半導体装置を得る。
本発明によれば、壁部材は内側に傾斜した内部法に図面
を参照して、本発明をよシ詳細に説明する。
第４図は本発明の一実施例を示すもので、絶縁基板１１
には半導体素子６をロウ付けするメタライズ層１５ｂと
金属細線７で半導体素子１６から接続され導出される電
極を容器の外側のり一ド２０ｃに導出するメタライズ層
１５ｃとが設けられている。絶縁基体１１底面のメタラ
イズ層１５１）’は絶縁基体１１の上面の半導体素子６
０つ付は用メタライズ層１５ｂから導出されてリード２
０ｂに接続されても良いし、絶縁基体１１上面のメタラ
イズ層１５ｂとは独立に設けられて半導体素子１６の表
面電極から金属細線１７で接続される別のメタライズ層
に連続していても良い。絶縁基体１１の上面では環状の
壁部材１２がその同曲に取り伺けられている。この壁部
材１２は内部空間が絶縁基体１１表面で狭く上部で広く
なるように、内部の傾斜する内部側面を有している。
メタライズ層１５ｂに半導体素子６をロウ付けし、金属
細線１７が内部を貫通するキャピラリー１９で半導体素
子６の上表面の電極とメタライズ層１５Ｃ等が結線され
た後、壁部材１２の上表面は蓋部材（図示せず）をロウ
付けして内部を封止する。
かかる容器構造では、壁部材２は内部空間が底面で狭く
上面で広くなっているので、通常は先細形状のキャピラ
リー１９も容易にその先端をメタライズ層１５Ｃに当て
ることができる。この時壁部材１２の存在がキャピラリ
ー１９の動作をさまたげることがない。
このように、本発明によれは、構造が小型でも金属細線
の接続が極めて容易である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置を示す断面図、第２図は従来
の半導体装置にウェッジボンド法を適用する場合を説明
するための断面図、第３図は従来の半導体装置にボール
ボンド法を適用する場合を説明するだめの断面図、第４
図は本発明の一実施例を示す断面図である。 １．１１・・・・・・絶縁基体、２，１２・・・・壁部
相、３・・蓋部材、４　ロー拐、５ａ＋５ｂ、５ｃ、１
５ｂ。 １５Ｃ，１５ｂ’　・メタライズ層、６，１６　・・・
半導体素子、７，１７・・・金属細線、８　・・・ウェ
ッジ、９．１９・・キャピラリ、１０ａ、１０ｂ＋１０
ｃ、２０１）＋２０Ｃ・・リード ・９、；１１、 代理人　弁理士　内　原　晋。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基体と壁部材及び蓋部材を有する半導体装置におい
    て、少なくとも壁部材の内側面が内側に傾斜する斜面を
    有することを特徴とする半導体装ｆｒｙ。
JP58177412A 1983-09-24 1983-09-24 半導体装置 Pending JPS6066838A (ja)

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JP58177412A JPS6066838A (ja) 1983-09-24 1983-09-24 半導体装置

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JP58177412A JPS6066838A (ja) 1983-09-24 1983-09-24 半導体装置

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JPS6066838A true JPS6066838A (ja) 1985-04-17

Family

ID=16030470

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JP58177412A Pending JPS6066838A (ja) 1983-09-24 1983-09-24 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6895744B2 (en) 2002-02-20 2005-05-24 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Operation method and operation control device of internal combustion engine for vehicle that temporarily stops engine

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6895744B2 (en) 2002-02-20 2005-05-24 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Operation method and operation control device of internal combustion engine for vehicle that temporarily stops engine

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