JPS6064443A - プロ−ブカ−ド - Google Patents
プロ−ブカ−ドInfo
- Publication number
- JPS6064443A JPS6064443A JP17336883A JP17336883A JPS6064443A JP S6064443 A JPS6064443 A JP S6064443A JP 17336883 A JP17336883 A JP 17336883A JP 17336883 A JP17336883 A JP 17336883A JP S6064443 A JPS6064443 A JP S6064443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- optical
- wafer
- card
- probe card
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野ン
本発明ば光半導体素子上層する半導体ウェハウェハ状態
でテストする除用いるグローブカードの構造に関する。
でテストする除用いるグローブカードの構造に関する。
く従来技術〉
従来光半導体装置のウエノ・状態での初期電特検査に、
光半導体が発光、受光等の単礪能累子であった為に金属
プローブを有するグローブカードを用いてダイオード特
性をテストする事で充分であった。しかし最近、光半導
体素子と演算回路全構成する通常の半導体素子ケ同−チ
ツブ上に構成する事が可能となり、半導体装置の光入出
力による機能テスＩｆする事が必要となって米た。
光半導体が発光、受光等の単礪能累子であった為に金属
プローブを有するグローブカードを用いてダイオード特
性をテストする事で充分であった。しかし最近、光半導
体素子と演算回路全構成する通常の半導体素子ケ同−チ
ツブ上に構成する事が可能となり、半導体装置の光入出
力による機能テスＩｆする事が必要となって米た。
〈発明の目的〉
本発明の目的は上記の光半導体素子會有する半導体装置
の電特検食に用いるプローブカード全提供する事にある
。
の電特検食に用いるプローブカード全提供する事にある
。
〈発明の要約〉
本発明にプローブカード上に従来の金属プローブに〃口
えて光ファイバ會プローブとして形成したものである。
えて光ファイバ會プローブとして形成したものである。
く実施例〉
本発明の実施例を第１図に困ｒ面図で示す。光半導体素
子（図でに光入力素子４）を有する半導体装置が形成さ
れた半導体ウェハ１の電時検査ケ行なうに、電源電圧、
電気入出力電極２，３には従来通り金属プローブ６．７
を接触させる。−万光入力素子に対してｒ［ｔファイバ
ノロープによって光学的結合全行なう。光出力に対して
も同４５３りに光フアイバプローブを用いる。図の５は
ゾＬＪ−ブカード基体荀示す。
子（図でに光入力素子４）を有する半導体装置が形成さ
れた半導体ウェハ１の電時検査ケ行なうに、電源電圧、
電気入出力電極２，３には従来通り金属プローブ６．７
を接触させる。−万光入力素子に対してｒ［ｔファイバ
ノロープによって光学的結合全行なう。光出力に対して
も同４５３りに光フアイバプローブを用いる。図の５は
ゾＬＪ−ブカード基体荀示す。
〈発明の効果ン
本発明のプローブカードによって光半導体素子を有する
複合機能の半導体装ｔｆ：（の電特測足が機能テストま
で完全に行なう事が可能となる。
複合機能の半導体装ｔｆ：（の電特測足が機能テストま
で完全に行なう事が可能となる。
ル１図は本発明のグローブカードを示す曲面図である。
１・・・半導体ウェハ
４・・・光入力素子
６．７・・・金属プローブ
８・・・光フアイバグローブ
以 上
出願人 株式会社諏訪精工舎
代理人 弁理士Ｊ１り一ヒ 務
手続補正書（自発）
昭和５９年１１ 七′１ 日
特許庁長官殿 ０塀
１、事件の表示
昭和５８年特許願第 １７５５６Ｂ号
２、発明の名称
プローブカード
３、補正をする者
１“ＰｉｏｒＡＦｆ、 ｔＢｌｉＡ東京都新宿区西新宿
２丁目４番１号（２５６）試会社諏訪精工舎 代表取締役 中 村 恒 也 ４、代理人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５ 補正
により増加ずろ発明の幣 （１）明細書を以下の如く全文補正する。 ［明 細 書 １、発明の名称 プローブカード ２、特許請求の範囲 を特徴とするプローブカード。 ・３、発明の詳細な説明 く技術分野〉 本発明は、光半導体素子をセする半導体装置全クー・・
状態でテストする１県用い暮プ・−プヵードの構造に関
する。 〈従来技術〉 従来、光半導体装置のウェハ状態での初期篭特検簀は、
光半導体装置が元元。）み、もしくは受光のみの単機能
素子であった為に、金属プローブを有するグローブカー
ドを用いた電気的ダイオード特性のテストで充分合否の
４′ｌ」定が可能上あった。しかし、最近になって、外
部装置と光信号のやりとりをする光半導体素子と、前記
光半導体素子と機能上結合された演算回路等を構成する
半導体素子を同一チップ上に形成する事が製造技術の進
歩によって可能となり、光半導体装置の光信号による機
能テストの必要性が１う 新た２生じて来たが、現在上記のテストに使用出来るプ
ローブカードが無いのが実情である。 〈目的〉 本発明は上記の実情に監み、従来の電気信号による初期
也特検査に加えて、光１ぎ号による機能テストヲ可能と
し、かつ従来のプローブカードと同様の没い易さ、保守
の答易さ金石するプローブカードを提供する事にある。 く構成〉 本発明のグローブカードは上記の目的を達成する為に、
先端がほぼ一平面上に位置し、半導体ウェハ上で同時に
接触する線配置されｆｃ ＋ｙ数個の金媚グローブと、
少なくとも一個以上の光ファイバからなる光信号入出力
の為のプローブを有する。さらに前記元ファ１バブロー
プは半導体装置に対する位置を定める手段として上記金
ｔ／、４グローブに固定される。 以下第１図に本発明の実施例を示し詳しく説明する。第
１図は本発明の実施例であるプローブカードのプローブ
部分の、部分断面図である。 タングステン等の金属から成る複数個のグローブ１は樹
脂Ｃに支持され半田Ａによって配崗Ｂと電気的に接続さ
れる。各々のグローブの先端はテストされるべき半２η
体ウェハ上に同時に接触する様、はぼ一平面上に位１ｉ
？ｔする様調祭される。光ファイバを有するグローブ２
は一部に穴５を聞けて光ファイバ４を辿すか１だ（Ｉよ
低融点ガラス、樹脂等を接７ｎ材として元ファイバを固
定する。光ファイバの先端は半導体ウェハ上の光半導体
素子の１４造に応じて、半４１４．ウエノ・に１１ぼ平
行な方向が、もしくは畢直な方向に向けて固定され、フ
ァイバ４の先端と金属プローブ２の先端の位置関係は半
導体装置における元手４ｎ体素子とその位置を示し、か
つ金、−プローブの接触を′電気的に確認出来る素子、
（たとえばダイス−−ド）と接続されたポンディングパ
ッド （２との位置関係によって定まる。また上記金属
プローブ２は光プローグの位置を決める為のみでなく′
屯似もしくは入出力の端子に使用されても良いＪ］■は
呂゛うまでもない。 く効果〉 本発明のプローブカードは光半導体装置は光情号入出力
の元ファイバから成るプローブを金部グローブに固定し
であるので、光プローブの１１）、直を金属プローブの
電気的な接触テストという便来の方法で行なう事が出来
、また保守に関しても同様の理由から従来のグローブカ
ードと同じく容易であるという特徴全灯っている。 ４、１凹の間車な説明 弓１凶は本発明の央廁例のｆｆ１ｌｌ＋分Ｉ、ｌＴ■図
でおる、１・・・金貢プローブ ２・・・光ファイバの固定された金属プローブ６・・・
穴 ４・・・元ファイバ 」 ： 図面、第１図を別紙の如く補正する。 以 上 代理人 最 上 務
２丁目４番１号（２５６）試会社諏訪精工舎 代表取締役 中 村 恒 也 ４、代理人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５ 補正
により増加ずろ発明の幣 （１）明細書を以下の如く全文補正する。 ［明 細 書 １、発明の名称 プローブカード ２、特許請求の範囲 を特徴とするプローブカード。 ・３、発明の詳細な説明 く技術分野〉 本発明は、光半導体素子をセする半導体装置全クー・・
状態でテストする１県用い暮プ・−プヵードの構造に関
する。 〈従来技術〉 従来、光半導体装置のウェハ状態での初期篭特検簀は、
光半導体装置が元元。）み、もしくは受光のみの単機能
素子であった為に、金属プローブを有するグローブカー
ドを用いた電気的ダイオード特性のテストで充分合否の
４′ｌ」定が可能上あった。しかし、最近になって、外
部装置と光信号のやりとりをする光半導体素子と、前記
光半導体素子と機能上結合された演算回路等を構成する
半導体素子を同一チップ上に形成する事が製造技術の進
歩によって可能となり、光半導体装置の光信号による機
能テストの必要性が１う 新た２生じて来たが、現在上記のテストに使用出来るプ
ローブカードが無いのが実情である。 〈目的〉 本発明は上記の実情に監み、従来の電気信号による初期
也特検査に加えて、光１ぎ号による機能テストヲ可能と
し、かつ従来のプローブカードと同様の没い易さ、保守
の答易さ金石するプローブカードを提供する事にある。 く構成〉 本発明のグローブカードは上記の目的を達成する為に、
先端がほぼ一平面上に位置し、半導体ウェハ上で同時に
接触する線配置されｆｃ ＋ｙ数個の金媚グローブと、
少なくとも一個以上の光ファイバからなる光信号入出力
の為のプローブを有する。さらに前記元ファ１バブロー
プは半導体装置に対する位置を定める手段として上記金
ｔ／、４グローブに固定される。 以下第１図に本発明の実施例を示し詳しく説明する。第
１図は本発明の実施例であるプローブカードのプローブ
部分の、部分断面図である。 タングステン等の金属から成る複数個のグローブ１は樹
脂Ｃに支持され半田Ａによって配崗Ｂと電気的に接続さ
れる。各々のグローブの先端はテストされるべき半２η
体ウェハ上に同時に接触する様、はぼ一平面上に位１ｉ
？ｔする様調祭される。光ファイバを有するグローブ２
は一部に穴５を聞けて光ファイバ４を辿すか１だ（Ｉよ
低融点ガラス、樹脂等を接７ｎ材として元ファイバを固
定する。光ファイバの先端は半導体ウェハ上の光半導体
素子の１４造に応じて、半４１４．ウエノ・に１１ぼ平
行な方向が、もしくは畢直な方向に向けて固定され、フ
ァイバ４の先端と金属プローブ２の先端の位置関係は半
導体装置における元手４ｎ体素子とその位置を示し、か
つ金、−プローブの接触を′電気的に確認出来る素子、
（たとえばダイス−−ド）と接続されたポンディングパ
ッド （２との位置関係によって定まる。また上記金属
プローブ２は光プローグの位置を決める為のみでなく′
屯似もしくは入出力の端子に使用されても良いＪ］■は
呂゛うまでもない。 く効果〉 本発明のプローブカードは光半導体装置は光情号入出力
の元ファイバから成るプローブを金部グローブに固定し
であるので、光プローブの１１）、直を金属プローブの
電気的な接触テストという便来の方法で行なう事が出来
、また保守に関しても同様の理由から従来のグローブカ
ードと同じく容易であるという特徴全灯っている。 ４、１凹の間車な説明 弓１凶は本発明の央廁例のｆｆ１ｌｌ＋分Ｉ、ｌＴ■図
でおる、１・・・金貢プローブ ２・・・光ファイバの固定された金属プローブ６・・・
穴 ４・・・元ファイバ 」 ： 図面、第１図を別紙の如く補正する。 以 上 代理人 最 上 務
Claims (1)
- 金属プローブと元ファイバプローブを具備してなる事を
特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17336883A JPS6064443A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | プロ−ブカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17336883A JPS6064443A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | プロ−ブカ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064443A true JPS6064443A (ja) | 1985-04-13 |
Family
ID=15959099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17336883A Pending JPS6064443A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | プロ−ブカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064443A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246541A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Nippon Denshi Zairyo Kk | 半導体集積回路 |
| JPS6258650A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-14 | Nippon Denshi Zairyo Kk | 非接触形プロ−ブカ−ド |
| JPS6376342A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置 |
| KR20220089618A (ko) | 2020-12-21 | 2022-06-28 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 측정 시스템 |
| KR20220127827A (ko) | 2020-01-14 | 2022-09-20 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 광 프로브, 프로브 카드, 측정 시스템 및 측정 방법 |
| US12031921B2 (en) | 2019-11-18 | 2024-07-09 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Measurement system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114347A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-08 | Telmec Co Ltd | Probe card |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP17336883A patent/JPS6064443A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114347A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-08 | Telmec Co Ltd | Probe card |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246541A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Nippon Denshi Zairyo Kk | 半導体集積回路 |
| JPS6258650A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-14 | Nippon Denshi Zairyo Kk | 非接触形プロ−ブカ−ド |
| JPS6376342A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置 |
| US12031921B2 (en) | 2019-11-18 | 2024-07-09 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Measurement system |
| KR20220127827A (ko) | 2020-01-14 | 2022-09-20 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 광 프로브, 프로브 카드, 측정 시스템 및 측정 방법 |
| DE112020006529T5 (de) | 2020-01-14 | 2022-11-03 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Optische sonde, prüfkarte, messsystem und messverfahren |
| KR20220089618A (ko) | 2020-12-21 | 2022-06-28 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 측정 시스템 |
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