JPH04207050A - 半導体装置のテスト方法およびテスト回路 - Google Patents

半導体装置のテスト方法およびテスト回路

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JPH04207050A
JPH04207050A JP2339888A JP33988890A JPH04207050A JP H04207050 A JPH04207050 A JP H04207050A JP 2339888 A JP2339888 A JP 2339888A JP 33988890 A JP33988890 A JP 33988890A JP H04207050 A JPH04207050 A JP H04207050A
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test
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pad
test pad
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Nobuo Shimizu
信雄 清水
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Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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    • H01L2224/0601Structure
    • H01L2224/0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 庄I」jlU1止旺 この発明はこの発明は多出力半導体IC等のテスト方法
およびテスト回路に関する。
従来二重1 従来、半導体装置をテストする場合は、第4図に示すよ
うに、半導体チップ1 上の各種パッド(電源パッド8
.入力パッド6.接地パツド7゜出力パッド3)に、ブ
ロービング針2を1つのパッドに1本ずつ接触させてテ
ストを行っていた。
B イ       ゛ ところで、上記の従来の半導体装置のテスト方法は、1
つのパッドに1本のブロービング針を接触させて測定を
行っており、例えばLCDドライバのような非常に多出
力な半導体装置の場合は、出力パッドの数が多くなり、
また実装密度を上げるためパッドの大きさも小さくなっ
ているため、ブロービングのための目合わせ精度やブロ
ービング針の位置精度、ブロービング針間隔精度、ブロ
ービング針のジオメトリ−精度がきびしくなりテストが
困難となっている。
つまり、従来のテスト方法はブロービング針を立てられ
る精度には限界があるため、非常に多出力の半導体装置
は、テストが非常に困難になるという欠点があった。
、の (1)この発明のテスト方法は、出力パッド数個ごとに
テストパッドを配置し、複数の出力パッドの信号をテス
トパッドにシリアル出力させて出力パッドの信号を測定
する方法である。
■ この発明のテスト回路は、複数個の出力パッドの信
号をテストパッドにシリアル出力させるもので、例えば
トランスミッションゲートと出力バッファとで構成され
ている。
韻 上記の構成によると、半導体の出力パッド数が非常に多
くて出力パッドの大きさが小さくても、テストパッド配
置することにより、ブロービングが容易になりテストが
可能となる。
尖血阻 以下、この発明について図面を参照して説明する。
第1図はこの発明の一実施例の測定方法およびテスト回
路について説明するための半導体チップの平面図である
。半導体チップ1の周辺には出力パッド3が多数配置さ
れており、さらに出力パッド3が9個ごとにテストパッ
ド4が1個、テスト回路5が1組配置されている。9個
の出力パッド3の信号はテスト回路に入り、シリアルに
テストパッド4に信号が送られており、テストパッド4
の信号はブロービング針2によって外部からテストされ
る。テストパッド4の大きさと間隔は従来の技術とほぼ
同じであるため容易にテストができる。
第2図はこの発明の一実施例のテスト回路の回路図であ
る。9個の出力パッド1〜9はそれぞれトランスミッシ
ョンゲートTMに接続され、トランスミッションゲート
TMの出力はテストパッドに接続されている。01〜C
9はトランスミッションゲー)TMのコントロール信号
であり、テ]−〜lはそれぞれの反転信号である。Bu
fは出力バッファである。
第3図は第2図のテスト回路の動作をタイムチャートで
表したもので、出力パッド1〜9の信号がシリアルにテ
ストパッド4に出力されている状態を示している。信号
01〜C9がタイムチャートのような信号であるとする
と、信号C1〜C9の内h ighレベルになった時間
だけ対応するトランスミッションゲートTMがONtて
、テストパッド4に信号が出力されている。このように
出力パッド1〜9の信号がテストパッド4にシリアルに
出力される。
髪肌旦効果 以上説明したように、この発明は出力パッド数個ごとに
テストパッドを配置したことにより、半導体ICの出力
パッド数が非常に多くなっても、ブロービング針が容易
にテストパッドに接触できるため、テストが容易になる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のテスト方法を説明するためにテスト
時の様子を示した半導体チップの平面図である。 第2図はこの発明のテスト回路の回路図である。 第3図は第2図のタイムチャートである。 第4図は従来のテスト方法を説明するためにテスト時の
様子を示した半導体チップの平面図である。 1・・・・・・半導体チップ、 2・・・・・・ブロービング針、 3・・・・・・出力パッド、 4・・・・・・テストパッド、 5・・・・・・テスト回路、 6・・・・・・入力パッド、 7・・・・・・接地パッド、 8・・・・・・電源パッド、 C1〜C9・・・・・・トランスミッションゲートのコ
ントロール信号、 C1〜C9・・・・・・C1〜C9の反転信号、TM・
・・用トランスミッションゲート)Buf・旧・・出力
バッファ。 第1図 iI ′3 図 77)+(7)” −−−−y凡J”L−−−−−−−
−、′ 含気でハツト2 弧〃I(7)8

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)多出力半導体ICにおいて、出力パッド数個ごと
    にテストパッドを有し、出力パッドの信号をテストパッ
    ドにシリアル出力することにより、出力パッドの信号を
    測定する半導体装置のテスト方法。(2)多出力半導体
    ICにおいて、複数のトランスミッションゲートと出力
    バッファとで構成され、出力パッドの信号をテストパッ
    ドにシリアル出力させるテスト回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7508192B2 (en) 2005-08-17 2009-03-24 Infineon Technologies Ag Circuit with a capacitive element with method for testing the same
DE102005038895B4 (de) * 2005-08-17 2012-01-19 Infineon Technologies Ag Schaltung mit kapazitiven Elementen

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