JPS6063986A - 多層セラミツク配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、リードレス半導体チップキャリアやＩ１０リ
ード付パッケージ等の面接続型部品が実装される多層セ
ラミック配線基板に関する。

（発明の背景〕 面接続型部品を実装する従来の多層セラミック配線基板
は、部品実装状態で繰り返し熱ストレスを加えると、一
部の接続パッドとその内部接続用スルーホールの断線が
起こり易いという欠点があった。これについて以下に説
明する。

第ｒ図は、代表的な面接続型部品であるリードレス半導
体チップキャリア（以下、チップキャリアと略記する）
の電極配列図であり、１はチップキャリア、２は電極、
３は４０ミルまたは５０ミルのユニバーサル格子である
。このようなチップキャリア１は一般に、電極２の配列
ピッチは４０′ミルまたは５０ミルに標準化されている
が、縦方向及び横方向の電極列の相互間隔は標準化さ」
しておらず、電極配列ピッチの整数倍になっていないこ
とが多い。従って図示のように、電極２の中の一部のも
の（゛この側力場合は縦方向に並んだ電極）は、ユニバ
ーサル格子３の格子点から外れる。

一方、上記のようなチップキャリア１を実装する多層セ
ラミック配線基板の部品実装面には、チップキャリア１
の電極２より大きい接続バンドが電極配列に合わせて設
けられる。

第２図に、そのような部品実装面の接続パッド４と格子
５を電極２と対応付けて示す。格子５のピッチは電極２
の配列ピッチに合ツた４０ミルまたは５０ミルとされる
が、上述のように縦、横の電極列の間隔が電極配列ピッ
チの非整数倍であると、接続パッド４の中の一部のもの
（図の例では、縦方向に並ぶもの）は、その端部近傍に
格子点が位置する。そして、接続パッド４の内部接続用
スルーホールは格子点に設けられるため、そのような一
部の接続パッド４のスルーホールは、その接続パッド４
に接続される電極２の接続面の中心から大きくずれてし
まう。発明者の実験７分析によれば、そのような接続パ
ッドとスルーホールの間で」二連の断線が最も起り易い
ことが判明した。

そのような断線の発生メカニヅムを説明する。

上記のような従来の多層セラミック配線基板に部品を実
装したモジュールを搭載した装置の電源をオン、オフす
ると、チップキャリアの電極と多層セラミック基板の接
続パッドとの半［１１接続部に繰り返し熱ストレスが加
わる。この熱ストレスにより、接続パッドと基板の界面
にクラックが生じ易いが、このクラックは接続パッドの
周囲から電極の接続面の中心部（通常、熱ストレスの中
心とみなし得る）に向って進行する傾向が認められる。

従って、端部近傍にスルーホールが設けられた接続パッ
ドの場合、第３図に示すように、クラック６がそれほど
進行しなくても、多層セラミック配線基板９の接続パッ
ド４とスルーホール７とが断線してしまうことになる。

なお、この図において。

２′は接続パッド４と対向する電極２の接続面であり、
８は半田である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述のような断線が起こりにくＮ接続
信頼性の優れた多層セラミック配線基板を提供すること
にある。

〔発明の慨要〕

上述したように、接続パッドと基板の界面のクラックが
、接続パッドの周囲から電極の接続面の中心部に向かっ
て進行することに若［ｔ　Ｌ　、本発明は、接続パッド
の内部接続用のスルーポールを。

それに接続される面接続型部品の電極の接続面のは一′
中央に対応する位置、つまり熱ストレス中心とはシ一致
する位置に設けることにより、クラックによる断線を起
こりにくくするものである。

〔発明の実施例〕

第４図と第５図を参照することにより１本発明の一実施
例を説明する。なお、両図において、第１図ないし第３
図と対応する部分には同一符号がイリされている。

第４図は、本発明による多層セラミック配線基板の部品
実装面における接続パッドとその内部接続用スルーホー
ルの配置説明図である。図示のように、電極２の配列ピ
ッチと同ピツチの格子５（実線；以下、基本格子と称す
）とは別に、電極配列ピッチの１７２ピツチ（一般的に
は整数分の１のピッチ）のｉｔ）助格子】０（破線）が
追加設定される。この補助格子１０の基本格子５に刻す
る相対位置は、すべての接続パッド４について、電極２
の接続面２′のほぼ中央部に対応する位置に基本格子５
または補助格子１０の少なくとも一方の格子点が来るよ
うに決められる。各接続パッド４の内部接続用スルーホ
ール７（第５図参照）は、電極接続面２′の中央に最も
近い基本格子５または補助格子１０の格子点に設けられ
る。

第５図は、上記のような配置で接続パッド４とその内部
接続用スルーホール７が設けられた本発明による多層セ
ラミック配線基板１１の断面図であり、チップキャリア
ｌを半田接続した法統を示している。この図において、
１２は格子変換層であり、補助格子点に設けられたスル
ーホール７はこの格子変換層１２によって基本格子点り
のスルーホール１３に変換さ肛てから、内部配線層１４
に導かれる。基本格子点上に設けられたスルーホール７
は、変換されることなく、そのままスルーホール１４を
介し内部配線層１４に導かれる。チップキャリア１の相
互間配線等は、内部配線層１４で行われる。

この多層セラミック配線基板１１は、すへての接続パッ
ド４のスルーホール７が、接続される電極２の接続面２
′のぼり中央部に対応する位置に設けられているから、
熱ストレスによって接続パッド４と基板の界面にクラッ
クが生じても、そのクラックが相当に進行しない限り従
来のような断線は起こらず、従来基板に比べ接続信頼性
が遥かに優れている。また、この多層セラミック配線基
板１１は、スルーホールピッチや配線パターン密度を格
別高める必要がないから、従来と同様の製造技術にて容
易に製造できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、チップキャリア
等の面接続型部品の接続信頼性を従来よりも大幅に改善
した多層セラミック配線基板を実現できるという効果を
得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はチップキャリアの電極配列図、第２図は従来の
多層セラミック配線基板における接続パットとその内部
接続用スルーホールの配置説明図、第３図は断線の発生
メカニズムを説明するための断面図、第４図は本発明に
よる多層セラミック配線基板の接続パッドとその内部接
続用スルーホールの配置説明図、第５図は本発明による
多層セラミック配線基板の断面図である。 １・・・チップキャリア、　２・・・電極、　４・・・
接続パッド、　５・・・基本格子、　７・・内部接続用
スルーホール、　８・・・半田、ｌＯ・補助格子。 ・・・格子変換層、１３・・・内部配線層。 代理人弁理士　高　橋　明　夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）面接続型部品が接続される接続パッドを表面に有
   する多層セラミック配線基板において、該接続パッドの
   内部接続用のスルーホールを、それに接続される面接続
   型部品の電極の接続面のほぼ中央に対応する位置に設け
   たことを特徴とする多層セラミック配線基板。