JPH0810201Y2 - 半導体装置用パッケージ - Google Patents

半導体装置用パッケージ

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JPH0810201Y2
JPH0810201Y2 JP1990031221U JP3122190U JPH0810201Y2 JP H0810201 Y2 JPH0810201 Y2 JP H0810201Y2 JP 1990031221 U JP1990031221 U JP 1990031221U JP 3122190 U JP3122190 U JP 3122190U JP H0810201 Y2 JPH0810201 Y2 JP H0810201Y2
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JP
Japan
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wiring
plating
semiconductor device
package
wiring board
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JP1990031221U
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JPH03122542U (ja
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周幸 加藤
誠一 西野
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体装置用パッケージに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置用パッケージは、第3図の
平面図および第4図のB−B線断面図に示すように導電
性ワイヤを接続させるためにインナーリード部(リード
先端から約0.8mmまでの箇所)は、Cu配線3の上にNiめ
っき2を5μm,Auめっき1を0.5μm付けていたが、そ
の他の箇所はスルーホールランド部を除きソルダーレジ
スト4を印刷しCu配線のみであった。しかるにIC搭載部
7にICを搭載し電気的接続を行った後、ICを封入樹脂で
最内列のスルーホールより内側の部分を覆っている。
〔考案が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置用パッケージは、封入樹脂
の下面が厚さ30μm程度のCu配線上にソルダーレジスト
が覆われているだけであるため、パッケージの多ピン化
に伴ない配線が高密度になり配線幅を細くする必要上配
線強度が弱くなり、封入樹脂との熱膨張係数の違いによ
りクラック等が発生しやすいという欠点がある。
このため、これらの配線部を強化しようとすると、エ
ッチングにより配線を形成した後にCuめっき,Niめっき
やAuめっきにより強化することができるが従来の工法で
は配線が露出することになるので金属異物等でショート
になる危険があるという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本考案は、プリント配線基板上にICチップを載せ導電
性ワイヤによりICチップと配線基板との電気的接続を行
ない、ICチップ上面を樹脂で覆う半導体装置用パッケー
ジにおいて、少なくとも樹脂で覆われる部分のプリント
配線基板上の配線にNiめっきおよびAuめっきを施すこと
を特徴とする。
〔実施例〕
次に、本考案について図面を参照して説明する。第1
図は本考案の一実施例の上面図である。プリント配線基
板5は0.8〜1.6mm厚のエポキシ系ガラス布やポリイミド
系ガラス布やトリアジン系ガラス布で成っていて、通常
X,Y方向の熱膨張係数は1.0〜1.5×10-5/℃である。基
板5の下面には外部と電気的接続するために外部リード
端子6が格子状に立っている。上面には配線回路8によ
り回路が形成されている。回路は多ピン化に伴ない高密
度となっているため幅が80μm以下になっている。
第2図は第1図のA−A断面図である。配線回路8の
構成は、Cu配線3上に5μmのNiめっきを行なったNiめ
っき部2と0.5μmのAuめっきを行なったAuめっき部1
で構成されている箇所とCu配線3上にソルダーレジスト
4が印刷されている箇所とに分けることができる。本実
施例では、ソルダーレジスト4が印刷されている箇所を
最内列スルーホールより外側にもってきている。IC搭載
部7にICを搭載し電気的接続を行なった後、ICを封入樹
脂で覆うが、この封入樹脂で覆う箇所は通常最列内スル
ーホールより内側であるため、本実施例のように最内列
スルーホールより外側にソルダーレジスト4を設けれ
ば、すべてのICの大きさに対応することができる。
封入樹脂は一般にエポキシ系の樹脂が使用されてい
て、熱膨張係数は1.7〜4.0-5/℃であり、プリント配線
基板5より大きいため、パッケージにかかるストレスも
大きくなる。しかし、封入樹脂下面の配線はNi-Auで補
強されているので、たとえCu配線までクラックが入った
としてもNiめっき部まで入ることはなく、信頼性をより
向上することができる。又、全配線をNi-Auめっきを行
なうと高価になる。又、Niめっきのみを行なうだけでも
効果を得ることができるが、現在のめっきラインはNi-A
uめっき一貫ラインとなっているので本実施例が最適で
ある。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は、少なくとも樹脂で封入
される箇所の基板配線をCu配線のみでなくNiめっきやAu
めっきをして強化することにより、封入樹脂と基板との
熱膨張係数の差による配線のクラックを防ぎ温度サイク
ル信頼性が向上できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例の上面図、第2図は第1図の
A−A線断面図、第3図は従来例の上面図、第4図は第
3図のB−B線断面図である。 1……Auめっき部、2……Niめっき部、3……Cu配線、
4……ソルダーレジスト、5……プリント配線基板、6
……外部リード端子、7……IC搭載部、8……配線回
路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】プリント配線基板上にICチップを載せ導電
    性ワイヤによりICチップと配線基板との電気的接続を行
    ない、ICチップ上面を樹脂で覆う半導体装置用パッケー
    ジにおいて、少なくとも樹脂で覆われる部分のプリント
    配線基板上の配線にNiめっきおよびAuめっきを施すこと
    を特徴とする半導体装置用パッケージ。
JP1990031221U 1990-03-27 1990-03-27 半導体装置用パッケージ Expired - Lifetime JPH0810201Y2 (ja)

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JP1990031221U JPH0810201Y2 (ja) 1990-03-27 1990-03-27 半導体装置用パッケージ

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JPH03122542U JPH03122542U (ja) 1991-12-13
JPH0810201Y2 true JPH0810201Y2 (ja) 1996-03-27

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01194428A (ja) * 1988-01-29 1989-08-04 Ibiden Co Ltd チップオンボード

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01194428A (ja) * 1988-01-29 1989-08-04 Ibiden Co Ltd チップオンボード

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JPH03122542U (ja) 1991-12-13

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