JPS6059683A - コネクタ−の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、集積回路その他の精密′電子機器回路用のコ
ネクターの製造方法に関するものである。

今日、リードレスＩＣバクケージ、プリント基板、フレ
キシブルプリント基板、７ラクトケーブル等の多数の接
続端子が配列された部品同士を接続するコネクターの必
要性が高まってさている。

この種のコネクターとして、例えはインターコネクター
５ＴＹＰ　（信越ポリマー社製）の如き導体部が複合材
料で構成されたものがあるが、このコネクターは電気抵
抗が太きいために用途に制約があるという欠点がある。

また、可撓性基板上に４電性材料を蒸着して導体部を形
成したコネクターも知られている（特公昭５７−１６４
７２号）が、基板面上の導体部が剥離し易いという欠点
がある。そして従来の製造方法例えは湿式エツチング法
などのように面状金属Ｎを直接エラチングラ゛ることに
より多数の線状に分割して導体部ケ形成する方法によっ
て得られるコネクターにおいては、導体部の幅を１００
μｍ程度より小さくすることが困難であシ、微細なパタ
ーンを得ることができす、近年増々接続端子が微細化さ
れる傾向ＶＣあるＩＣハッケージなどの部品を接続する
場合には必ずしも充分な接続を達成することができない
。

本発明は以上のような背景の下になされたものでありて
、その目的は微細なパターンを有し、導電性条体が剥離
しにくくて耐久性の優れたコネクターを得ることのでき
る新規なコネクターの製造方法を提供することにある。

本発明の特徴とするところは、以下の工程上）〜ぐうを
含む点にある。

（イ）金属板上に７オトレジスト層を形成し、露光、現
像を行なって露出溝を有するメツキレシスト層を形成す
る工程。

（ロ）メツキレシスト層の露出溝にメッキにより金属を
充填して導電性条体を形成する工程。

ｅ−を導電性条体が形成された表面側に接着性の絶縁性
基板を配置してこれに各導電性条俸盆固着させた上、こ
の絶縁性基板ふ・工ひ綱・電性条体より金属板を除去す
る工程。

以下、本発明方法をその工程順に詳細に説明するＱ 本発明方法の第１工程においては、好ましくは金属板を
空気中において好ましくは２００℃以上の温匿で熱処理
を行い、金属板の表向に厚さか通常０１μｍ程度の酸化
被膜を形成する。

次に、前記金属板上に例えは０．２〜８μｍのフォトレ
ジスト層を形成し、例えは微細なストライプのパターン
マスクを用いて露光、現像を行ない、前記マスクのパタ
ーンに対応して金属板の表面が露出する露出溝を有する
メツキレシスト層を形成する。なお、電子線レジストを
用いて露光、現像を行なってもよい。

前記金属板の材質としては、アルミニウム、鉄、亜鉛お
よびこれらの金属を含む合金、ステンレス等が挙けられ
るが、好ましく１まアルミニウム、アルミニウムの合金
である。

金属板の厚さは好互しくは２０〜３００μｍ、特に好ま
しくは５０〜１００μｎ］である。

前記フォトレジスト層はイ・左型あるいはポジ型のいず
れであってもよいが、後述する想３由によりポジ型が好
ましい。

ネガ型フォトレジストとしては、ポリ桂皮酸ビニル樹脂
、環化ポリイソプレン樹脂、環化ポリブタジェン樹脂、
フェノール樹脂などを用いることができ、ポジ型７メト
レジストとしてはノボラツク（フェノール）樹脂などを
用いることができる。

本発明方法の第２１８ＶＣおいては、好１しくけ酸もし
くはアルカリ水溶液を用いたエツチングによシ、第１工
程において形成されたメツキレシスト層の露出溝の辺部
の酸化被膜を除去する。次いでこの酸化被膜、が除去さ
れた露出溝内にメッキにより金属を充填し、導電性条体
を形成する。メッキの方法としては電解メッキが一般的
であるが、これに限定されず無電解メッキを用いてもよ
い。

な訃、ポジ型フォトレジストによってメツキレシスト層
を形成する場合には、ポジ型フォトレジストがアルカリ
性俗液に可溶でおることから、メッキ浴は中性ないしは
酸性にする必要がある。

導電性条体を形成する金属としては、金、銀、銅、ニク
ケル、スズなどを卒けることができる。

また導電性条体はこれらの金ＪｐＡを単独で用いる７・
層≠構造、あるいはこれらの金属を順次にメッキして２
層以上の多層構造としてもよい。たたし、金属板として
アルミニウムまたはアルミニウムの台企舎用い、こ扛に
飯の７・ツ刊・を行ｌ′）場合には、エッフーングによ
りアルミニウムの酸化被膜を除去することが必吸てりる
。

本発明方法の第３］二程ＶＣ＞いては、４電性朱体が形
成された表向側ｒｃ絶縁性基板を配置してこれに各導電
性条体を固着させ、その後金属板を除去する。

Ｍ５縁性丞板に各導電性条体を固着さゼる方法としては
、絶縁性基板と各導′亀性栄体とを絶縁性接着剤によっ
て接着する方法、あるいは未硬化の状態で接着力を有す
る絶縁性基板用ペーストを、導電性条体が形Ｊ或された
表面側に堕布しで一化−Ｊる方法などがある。

金ＪＡ板を除去する方法としては、金属板に機械的引張
力を作用させてこれを剥離丈る方法、あるいはエツチン
グにより金１４板を浴＠する方法などを用いることがで
きる。

鷹だ、導電性条体と共に絶縁性基板に転移されるメツキ
レシスト層は溶解などの方法により除去されることが望
ましい。そうすることによって、導電性条体が絶縁性基
板より突出した状態で形成されることとなり、コネクタ
ーの接触信頼性が向上する。

絶縁性基板の材質としては、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリイミドなど
の絶縁性樹脂、シリコーンゴム、アクリルゴム、アクリ
ロニトリル・ブタジェンゴム、フッ素ゴムなどの絶縁性
ゴムを挙けることができるが、室温硬化型シリコーンゴ
ムが特に好ましい。また、コネクターの使用時における
温就、湿度などの環境条件の変化に対しても寸法精度の
安定した強度の大きいコ坏りター庖得るために、必要に
応じて絶縁性基板内に合成樹Ｂ’ｕ繊維、ガラス繊維、
アルミナ繊維などよυ成る芯布を含ませるようにしても
よいし、あるいはシリコーンゴムなとよシなる裏打ち材
を貼合せることもできる。

か＜ヒて、導電性条体がパターンマスクのパターンと対
応して絶縁性基板上に配置されたコネクターを得ること
ができる。

なお、第１工程において、金属板の表面に酸化被膜を形
成することは、メツキレシスト層と金属板との接合力を
、酸化被膜を形成しない場合に比して小さくすることが
でき、その結果、第３工程における金属板の剥離除去を
容易かつ確実に行なうことができる点で有利である。

また、第１工程において形成されるフォトレジスト層と
してネガ型フォトレジストを用いると・最終の第３工程
においてメツキレシスト層（フォトレジスト層）を溶解
・除去する場合に、その溶解に使用されるアセトンなど
の有機溶剤が絶縁性基板に作用してこれを膨潤させ、コ
ネクターの寸法精度の低下を招くことがあるので実用的
でない。

そのためフォトレジストとしては、絶縁性基板に悪影響
を及ばずことのない溶剤、例えはアルカリ性溶液を用い
て容易に溶解することのできるポジ型フォトレジストを
用いることが好址しい。

以上のような方法によれは、導電性条体がメッキによυ
形成されるので、そのパターンはメツキレシスト層のパ
ターンに厳密に対応したものとなシ、シかもメツキレシ
スト層はフォトエツチングにより形成されるので、パタ
ーンマスクに対し高い解像度を有するものとなることか
ら、精密なパターンの導電性条体を有するコネクターを
得ることができる。この結果、このようなコネクターは
接続端子が微細化されたＩＣパッケージなどの部品を接
続する場合においても良好な接続を達成することができ
る。因みに従来、導電性条体の幅は小さくできても１０
０μｍ程度が限界であったが、本発明方法によればその
幅を数μｍ〜３０μｍ程度にまで小さくすることができ
、従来に比して３倍以上に微細化されたコネクターとす
ることができる。

また、導電性条体は絶縁性基板内に埋没した状態で固着
され、両者は十分な接合強度を有するので、得られるコ
ネクターは導電性条体が剥離することのない優れた耐久
性を有する。

以下、図面を参撓しながら本発明の一実施例について説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

実施例１ まず第１図に示すように、厚さ５０μｍのアルミニウム
製の金属板１（日本製箔社製）を温度２５０℃の空気車
内で１時間熱処理してその表面に酸化被膜１″を形成し
た後、この金属板１をポジ型レジスト［ＰＥＲ３００３
（ノボラック樹脂系）」（日本合成ゴム社製）液中に浸
漬し、乾燥後の膜厚が２μｍの７オトレジスト層２１．
２２を金属板１の両面に形成した。そして、一方のフォ
トレジスト層２１の表面には、第２図に示すように、互
にピッチ６０μｍで平行に伸びる幅３０μｍ、長さ２簡
の多数の線状透光部３が描かれたパターンマスク４を正
ね合せ、このマスク４の上方より矢印で示すように高圧
水銀灯などによシ光照射して一方のフォトレジスト層２
１のマスク４の透光部３に対接する部分を露光して先回
溶化せしめた。

露光終了後、マスク４を取り除き、一方のフォトレジス
ト層２１をレジスト用現像液（テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキザイド）によって現像処理し、光照射を
受けて先回溶化した部分のみを溶解除去して金属板１の
表面を露出せしめ、第３図に示すように、多数の露出溝
５を有するメツキレシスト層７を形成して成る型枠６を
得た。

次に、この型枠６を５０％のリン酸水溶液中に浸漬し、
第４図に示すように、露出溝７の表面の酸化被膜１′を
除去した０その後、この裂枠６を金イオンを含有するメ
ッキ液中に浸漬し、金属板１に直流電源の陰極を接続す
ると共に陽極をメッキ液中に配置し、型枠６をメッキ液
中で往復動させながら電気メッキを行ない、厚さ１μｍ
の金層９を露出溝５の各々に電着し、続いてニッケルイ
オンを含有するメッキ液、銅イオンを含有するメッキ液
を順に用いて同様にして電気メッキを行ない、前記金属
９の上に顔に厚さ１μｍのニッケルＮ１０および厚さ５
μｍの銅層１１を！着せしめて、第５図に示すように金
層９、ニッケル層１０および銅層１１より成る導電性条
体１２を形成した。

次いで第６図に示すようにメツキレシストＮ７および導
電性朱体１２の表面に室温硬化型シリコーンゴムｌ’−
ＴＳＥ３８５ＰＴＶＪ（東芝シリコーン社製）を厚さ３
５μｍ程度に塗布し、この上にポリエステル繊維よシ成
る芯布ｒＴＰ１８０Ｊ（ＮＢＣ工業社製）１６を平滑に
敷き、さらに上述と同じ室温硬化型シリコーンゴムを厚
さ３５μｍ程度塗布し、加熱硬化せしめて絶縁性ゴム層
１３を形成した。

そして、第７図に示すようにこの絶縁性ゴム層１３の上
にシリコーン接着剤「Ｔ８Ｅ３７０ＰＴＶＪ（東芝シリ
コーン社製）を塗布し、厚さ０．５簡、硬度シ鱒アーＡ
４０のシリコーンゴムシート１５を貼着せしめた後、金
属板１をメツキレシスト層７および導電性条体１２の界
面よシ剥離した。さらに、絶縁性ゴム層１３の表面に残
存するメツキレジス）＃７をアルカリ性水溶液（１チの
水酸化カリウム水溶液）中において溶解除去した後、水
洗、乾燥することにより第８図に示すような、導電性条
体１２が絶縁性ゴム層１３０表面より突出して成る接触
信頼性の高いエラスチックコネクターを得ることができ
た。

このエラスチクコネクター札おいては、１万本の導電性
条体中の不良本数はわずか１本であったＯ 実施例２ 金属板１の表面に酸化被膜１′を形成しない以外は実施
例１と同様にして工２スナックコネクターを得た。

このエラスチックコネクターにおいては、１万本の導電
性条体中の不良本数は１０本であった。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図は本発明方法の一実施例を工程順に示す
説明用断面図である。 １・・・金属板　１′・・・酸化被膜 ２１．２２・・・フォトレジスト層 ３・・・透光部　４・・・パターンマスク５・・・露出
溝　６・・・型　枠 ７・・・メツキレシスト層　１２・・・導電性粂体１３
絶縁性ゴム層 第１図 勿２図 勿３図 条４図 棄５図 手続補正書（自発） 昭和５８年１２月６日 特許庁長官　若杉和夫　殿 １、事件の表示 昭和５８年　特許願第１６５８６３号 ２・発明の名称　コネクターの製造方法３、補正をする
者 事件との関係　特許出願人 ４、、ヶ　東京都中央区築地０丁目”１番２４号正１ｌ
ｔｆ！ｉ、（名称）（４１７）日本合成ゴム株式会社４
、代理人 ５、　補正命令の日付 ６、　補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の橢 （１）朋ｉｔｌ１ｗ第１２頁第１行中［ＴＳＥ　３８５
　ＰＴＶ　Ｊをｒ　ＴＳＥ３８５　ＲＴＶ　ｊと訂正１
−る。 （２）同第１２頁第８行中ｒ　ＴＳＥ　３７０　ＰＴＶ
　Ｊを「ＴＳＥ　３７０　ＲＴＶ　Ｊと訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）以下の工程（イ）〜（ハ）を含むことを特徴とする
   コネクターの製造方法。 （イ）金属板上に７オトレジスト層を形成し、露光、現
   像を行なって露出溝を有するメツキレシスト層を形成す
   る工程。 （ロ）メツキレシスト層の露出溝にメッキにより金属を
   充填して導電性条体を形成する工程。 （ハ）導電性条体が形成された表面側に接着性の絶縁性
   基板を配置してこれに各導電性条体を固着させた上、こ
   の絶縁性基板および導電性条体より金属板を除去する工
   程。 ２）（イ）の工程において、フォトレジスト層がポジ型
   レジスト層でめる特許請求の範囲第１項記載のコネクタ
   ーの製造方法。