JPS6057638A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPS6057638A
JPS6057638A JP16543483A JP16543483A JPS6057638A JP S6057638 A JPS6057638 A JP S6057638A JP 16543483 A JP16543483 A JP 16543483A JP 16543483 A JP16543483 A JP 16543483A JP S6057638 A JPS6057638 A JP S6057638A
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JP
Japan
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lead frame
heater
resin paste
resin
components
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JP16543483A
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Takehiro Saito
齋藤　武博
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置の製造装置にかかり、特に金属な
どの微細粉末を混合した樹脂ペース）Ｔｈ用いて半導体
素子とリードフレームを接着させる際の樹脂ペーストの
硬化装置に関する。
この種の樹脂ペーストを用いてダイボンティングする場
合、樹脂ペーストを介して半導体素子をリードフレーム
に仮シ固着させた後、樹脂ペーストを硬化させるために
加熱処理を施す必要がある。
この加熱処理の方法としては、１５０〜２００℃の恒温
槽中に３０〜１２０分間投入する長時間式と。
２５０〜４００℃の高温に加熱したヒータ上にＩＪ−ド
フレームを接触させ、１５〜１８０秒放置する短時間式
の二つの方式がある。
従来の上記三方式のうち、リードフレームを２５０〜４
００℃の高温に加熱したヒータ上に接触させて樹脂ペー
ストラ硬化させる短時間式では。
急激に温度が上昇し、樹脂ペーストが極端に焼かれるた
め、樹脂ペースト中の溶剤、樹脂成分の未硬化物、低分
子の樹脂成分が蒸発し、これらが汚染物として半導体素
子の表面やリードフレームのワイヤボッ１４フフ部に付
着し１回路の誤動作やワイヤ接着不良および半導体装置
の耐湿性の劣化を引き起こす欠点があった。
本発明の目的は、樹脂ペースｔｆ急激に加熱することを
さけ、これにより樹脂ペースト中の溶剤。
樹脂成分の未硬物、低分子の樹脂成分が蒸発するのを防
止しながらも短時間で前記樹脂ペーストを硬化させるこ
とのできる半導体装置の製造装置を提供するにある。
上記目的を達成するために１本発明の製造装置では、リ
ードフレームと加熱ヒータとの間に間隙をもうけている
。
つぎに図面により本発明を説明する。
第１図は従来の製造装置のヒータとその上に載置した熱
処理のリードフレームを示す断面図である。第１図にお
いて、加熱ヒータｌは３５０’Ｃの高温に加熱されてお
シ、この上に、半導体素子３を導電性の樹脂ペースト４
でもって仮り固着させたリードフレーム２を直接載置す
る。
第２図は樹脂ペーストの温度変化を示すグラフであり１
図中１曲線２１は第１図における樹脂ペーストの温度変
化特性を示し、樹脂べ一７ト４は３〜５秒で３００度以
上の高温に加熱される。そのため、樹脂ペースト４は突
沸し、樹脂成分が硬化する前に樹脂ペースト中の溶剤、
樹脂成分の未硬化物、低分子の樹脂成分が蒸発し、これ
らが汚染物として半導体素子３の表面やリードフレーム
２のワイヤボンディング部に付着し１回路の誤動作や、
ボ／ディ／グワイヤ接着不良やあるいは耐湿性の劣化を
引起すのである。
第３図は本発明の一実施例のヒータと被熱処理リードフ
レームを示す断面図である。第３図において、第１図に
示したと同様の、半導体素子３を導電性樹脂ペースト４
で仮り固着したリードフレーム２を、高温に加熱したヒ
ータｌの上に、ヒータｌの上面と０．２ｍの空隙５を隔
ててリードフレーム２をその長手方向（紙面と垂直方向
）に間隔をおいた２辺で支持している。
第２図に示すグラフの曲線２２は、第３図の場合の樹脂
ペースト４の温度変化を示したものであり、樹脂ペース
ト４の温度は１曲線２１に比べ。
時間と共にゆるやかに上昇している。これは、リードフ
レーム２がヒータｌに直接接触していないためであり、
その結果、樹脂ペースト４は徐々に硬化され、溶剤、樹
脂成分の未硬化物、低分子の樹脂成分などの汚染物が半
導体素子３０表面や。
リードフレームのワイヤボンディング部に付Ｎすること
がない。よって１本発明装置で製造した半導体装置の回
路誤動作や、ワイヤの接着不良などは発生せず、耐湿性
の劣化もない。なお、空隙５は、ヒータの加熱温度が高
ければ、それに従って拡げることができ、また、所望す
る硬化時間に従って適宜増減することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の半導体装置製造装置のヒータの上に、
半導体素子を仮シ固着したリードフレームを直接載置し
た状態を示す断面図、第２図は樹脂ペーストの温度変化
を示すグラフ、第３図は本発明の一実施例に係る加熱ヒ
ータと熱処理される半導体素子仮固着のリードフレーム
を示す断面図でらる。 ｌ”°°・°７ＪＯ熱１１：−タ、２・・・・・・リー
ドフレーム％　３・・・・・・半導体素子、４・・・・
・・導電性樹脂ペースト、５・・・・・・間隙。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属などの微細粉末を混合させた樹脂ペーストを用いて
    半導体素子を接着したリードフレームを加熱ヒータによ
    り加熱し前記樹脂ペーストラ硬化させる半導体装置の製
    造装置において、前記リードフレームと加熱ヒータとの
    間に空隙をおいて前記リードフレームを加熱することを
    特徴とする半導体装置の製造装置。
JP16543483A 1983-09-08 1983-09-08 半導体装置の製造装置 Pending JPS6057638A (ja)

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JP16543483A JPS6057638A (ja) 1983-09-08 1983-09-08 半導体装置の製造装置

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JPS6057638A true JPS6057638A (ja) 1985-04-03

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JP16543483A Pending JPS6057638A (ja) 1983-09-08 1983-09-08 半導体装置の製造装置

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