JPH04213833A - バンプ電極及び導電性接着フィルム電極の製造方法 - Google Patents
バンプ電極及び導電性接着フィルム電極の製造方法Info
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- JPH04213833A JPH04213833A JP40121290A JP40121290A JPH04213833A JP H04213833 A JPH04213833 A JP H04213833A JP 40121290 A JP40121290 A JP 40121290A JP 40121290 A JP40121290 A JP 40121290A JP H04213833 A JPH04213833 A JP H04213833A
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子に形成され
る導電性樹脂を有するバンプ電極及び導電性接着フィル
ム電極の製造方法に関するものである。
る導電性樹脂を有するバンプ電極及び導電性接着フィル
ム電極の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、異方性導電性接着フィルムを用い
た表面に接続用電極を有するＩＣチップと基板回路との
電気的接続方法としては、例えば、特開昭６０−１９３
３５３号に記載されるものがあった。図３はかかる従来
のＩＣチップと基板回路との電気的接続方法の説明図で
ある。
た表面に接続用電極を有するＩＣチップと基板回路との
電気的接続方法としては、例えば、特開昭６０−１９３
３５３号に記載されるものがあった。図３はかかる従来
のＩＣチップと基板回路との電気的接続方法の説明図で
ある。
【０００３】この図において、１はＩＣチップであり、
このＩＣチップ１には電極２が形成されている。この電
極２は、異方導電性接着フィルム３を介して基板回路で
あるリード４に接続される。そこで、上記文献に示すよ
うに、表面に接続用電極を有するＩＣチップと基板回路
との電気的接続方法において、厚みが５０μｍ以下の絶
縁性接着剤に平均粒径が０．０１〜１０μｍの金属性粒
子を、０．１〜１０体積％含有する異方導電性接着フィ
ルムを用いる。ここで、異方導電性接着フィルムは、実
施例（１）として、分子量約２００００の熱可塑性ポリ
エステルをメチルエチルケトンに溶解し固形分３５％の
溶液を得て、この溶液中に平均粒径０．０３μｍのアル
ミニウム超微粉を所定量混合し超音波で分散する。この
配合液を乾燥後の塗布厚が５〜１０μｍとなるように、
バーコータにより塗布し、１２０℃で５分間乾燥し、そ
の時の厚み方向の収縮を利用して異方導電性接着フィル
ムを得た。なお、導電付与材の含有量は、接着フィルム
中に占める体積％で表示されている。
このＩＣチップ１には電極２が形成されている。この電
極２は、異方導電性接着フィルム３を介して基板回路で
あるリード４に接続される。そこで、上記文献に示すよ
うに、表面に接続用電極を有するＩＣチップと基板回路
との電気的接続方法において、厚みが５０μｍ以下の絶
縁性接着剤に平均粒径が０．０１〜１０μｍの金属性粒
子を、０．１〜１０体積％含有する異方導電性接着フィ
ルムを用いる。ここで、異方導電性接着フィルムは、実
施例（１）として、分子量約２００００の熱可塑性ポリ
エステルをメチルエチルケトンに溶解し固形分３５％の
溶液を得て、この溶液中に平均粒径０．０３μｍのアル
ミニウム超微粉を所定量混合し超音波で分散する。この
配合液を乾燥後の塗布厚が５〜１０μｍとなるように、
バーコータにより塗布し、１２０℃で５分間乾燥し、そ
の時の厚み方向の収縮を利用して異方導電性接着フィル
ムを得た。なお、導電付与材の含有量は、接着フィルム
中に占める体積％で表示されている。
【０００４】この接着フィルムの分解能をみるために、
銅箔の回路幅５０μｍ、ピッチ１００μｍのガラスエポ
キシ基材の２枚のプリント回路板の回路を一致させて１
５０℃−３ｋｇ／ｃｍ２ −１０秒間のプレスにより貼
り合わせて評価したところ、接続部を含む対向回路間で
０．４Ω以下、同様に接続部を含む隣接回路間で１０１
１Ωと厚み方向に導電性、沿層方向に絶縁性の異方導電
性を呈した。
銅箔の回路幅５０μｍ、ピッチ１００μｍのガラスエポ
キシ基材の２枚のプリント回路板の回路を一致させて１
５０℃−３ｋｇ／ｃｍ２ −１０秒間のプレスにより貼
り合わせて評価したところ、接続部を含む対向回路間で
０．４Ω以下、同様に接続部を含む隣接回路間で１０１
１Ωと厚み方向に導電性、沿層方向に絶縁性の異方導電
性を呈した。
【０００５】また、実施例（２）として、水酸基１％を
有するアクリル酸エステル系粘着剤（ガラス転移点−４
０℃、固形分２５％の酢酸エチル溶液）１００重量部と
、イソシアネート系の架橋剤２重量部よりなる絶縁性接
着剤溶液中に平均粒径０．８μｍの銀粉を混合し、ポー
ルミルで２４時間混合、分散した。この分散液をセパレ
ータ上に塗布、乾燥し、フィルム３０μｍの常温粘着性
の異方導電性接着フィルムを得た。
有するアクリル酸エステル系粘着剤（ガラス転移点−４
０℃、固形分２５％の酢酸エチル溶液）１００重量部と
、イソシアネート系の架橋剤２重量部よりなる絶縁性接
着剤溶液中に平均粒径０．８μｍの銀粉を混合し、ポー
ルミルで２４時間混合、分散した。この分散液をセパレ
ータ上に塗布、乾燥し、フィルム３０μｍの常温粘着性
の異方導電性接着フィルムを得た。
【０００６】更に、実施例（３）として、スチレンーブ
タジエンのブロック共重台体（メルトインデックス２．
６）１００重量部と、軟化点１２０℃の芳香族系粘着付
与剤５０重量部及びトルエン２００重量部よりなる接着
剤溶液を作製した。この溶液に、平均粒径１０μｍのニ
ッケル粉の含量を変えて、ボールミルで５時間分散混合
し、導電性接着剤溶液を得た。
タジエンのブロック共重台体（メルトインデックス２．
６）１００重量部と、軟化点１２０℃の芳香族系粘着付
与剤５０重量部及びトルエン２００重量部よりなる接着
剤溶液を作製した。この溶液に、平均粒径１０μｍのニ
ッケル粉の含量を変えて、ボールミルで５時間分散混合
し、導電性接着剤溶液を得た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の異方導電性接着フィルムによって、電気的導通
を保持するには、接触抵抗等の値がばらつき、電気的配
線手段としては不満足な１のであった。本発明は、以上
述べた接触抵抗の値がばらつくという問題点を除去する
ため、半導体素子の電極と外部端子とを電気的に接触導
通させるバンプ電極及び導電性接着フィルム電極の製造
方法において、接触面にエキシマレーザ光の照射を行い
、接触表面処理を行うことにより、接触表面の電気的電
気的接触特性の向上を図り得るバンプ電極及び導電性接
着フィルム電極の製造方法を提供することを目的とする
。
た従来の異方導電性接着フィルムによって、電気的導通
を保持するには、接触抵抗等の値がばらつき、電気的配
線手段としては不満足な１のであった。本発明は、以上
述べた接触抵抗の値がばらつくという問題点を除去する
ため、半導体素子の電極と外部端子とを電気的に接触導
通させるバンプ電極及び導電性接着フィルム電極の製造
方法において、接触面にエキシマレーザ光の照射を行い
、接触表面処理を行うことにより、接触表面の電気的電
気的接触特性の向上を図り得るバンプ電極及び導電性接
着フィルム電極の製造方法を提供することを目的とする
。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、導電性樹脂を用いて半導体素子の電極と
外部端子とを電気的に接触導通させるバンプ電極の製造
方法において、導電性充填材を含む樹脂からなるバンプ
電極を形成する工程と、該バンプ電極の接触表面にエキ
シマレーザ光を照射し、該バンプ電極の接触表面を炭化
する工程と、該炭化された接触表面を除去し、前記導電
性充填材を露出する工程とを施すようにしたものである
。
成するために、導電性樹脂を用いて半導体素子の電極と
外部端子とを電気的に接触導通させるバンプ電極の製造
方法において、導電性充填材を含む樹脂からなるバンプ
電極を形成する工程と、該バンプ電極の接触表面にエキ
シマレーザ光を照射し、該バンプ電極の接触表面を炭化
する工程と、該炭化された接触表面を除去し、前記導電
性充填材を露出する工程とを施すようにしたものである
。
【０００９】また、半導体素子の電極と外部端子とを電
気的に接触導通させる異方性導電性接着フィルム電極の
製造方法において、異方性導電性接着フィルムの接触表
面にエキシマレーザ光を照射し、該異方性導電性接着フ
ィルムの接触表面を炭化する工程と、該炭化された接触
表面を除去し、表面処理を施す工程とを施すようにした
ものである。
気的に接触導通させる異方性導電性接着フィルム電極の
製造方法において、異方性導電性接着フィルムの接触表
面にエキシマレーザ光を照射し、該異方性導電性接着フ
ィルムの接触表面を炭化する工程と、該炭化された接触
表面を除去し、表面処理を施す工程とを施すようにした
ものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、上記したように、バンプ電極
または異方性導電性接着フィルム電極の接触表面にエキ
シマレーザ光を照射し、炭化した後、その炭化した部分
を除去することにより、その接触表面に存在する、厚さ
の異なった樹脂被覆を除去する。従って、その接触表面
の電気的接触特性、特に接触抵抗の低減、安定化を図る
ことができる。
または異方性導電性接着フィルム電極の接触表面にエキ
シマレーザ光を照射し、炭化した後、その炭化した部分
を除去することにより、その接触表面に存在する、厚さ
の異なった樹脂被覆を除去する。従って、その接触表面
の電気的接触特性、特に接触抵抗の低減、安定化を図る
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すバ
ンプ電極の製造工程断面図、図２はそのバンプ電極の製
造過程を示す要部拡大断面図である。まず、図１（ａ）
に示すように、シリコン基板１１の主表面に内部回路か
ら外部へ導出されるアルミ電極１２が形成され、そのア
ルミ電極１２上に導電性充填材を含む樹脂からなるバン
プ電極２０が形成される。そのバンプ電極２０は、図２
に示すように、樹脂２１中に導電性充填材２３を含む導
電性樹脂からなる。ここで、バンプ電極２０はポッティ
ング等の方法でアルミ電極１２上に形成する。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すバ
ンプ電極の製造工程断面図、図２はそのバンプ電極の製
造過程を示す要部拡大断面図である。まず、図１（ａ）
に示すように、シリコン基板１１の主表面に内部回路か
ら外部へ導出されるアルミ電極１２が形成され、そのア
ルミ電極１２上に導電性充填材を含む樹脂からなるバン
プ電極２０が形成される。そのバンプ電極２０は、図２
に示すように、樹脂２１中に導電性充填材２３を含む導
電性樹脂からなる。ここで、バンプ電極２０はポッティ
ング等の方法でアルミ電極１２上に形成する。
【００１２】次いで、図１（ｂ）に示すように、バンプ
電極２０の接触表面にエキシマレーザ光１３を照射し、
該バンプ電極２０の接触表面２２を炭化する。図２にそ
の状態が詳細に示されている。即ち、導電性を付与する
導電性充填材２３が、ほぼそれぞれが接触し合う程度に
充填配合されている。従って、電気的に導電性が付与さ
れる。
電極２０の接触表面にエキシマレーザ光１３を照射し、
該バンプ電極２０の接触表面２２を炭化する。図２にそ
の状態が詳細に示されている。即ち、導電性を付与する
導電性充填材２３が、ほぼそれぞれが接触し合う程度に
充填配合されている。従って、電気的に導電性が付与さ
れる。
【００１３】しかし、接触表面、つまり最上部、最表面
部には、樹脂２１が支配的に存在し、しかも厚さがそれ
ぞれ変化するので、外部端子または接触接続部に圧接し
た時の接触抵抗が変動してしまうという不都合がある。 そこで、バンプ電極の接触部の導電性部材の表面に形成
された樹脂厚の差による電気性特性の変化を低減させる
ために、エキシマレーザ光（Ｅｘｃｉｍｅｒ）（紫外線
領域波長）１３を照射して、該バンプ電極２０の接触表
面２２を炭化する。
部には、樹脂２１が支配的に存在し、しかも厚さがそれ
ぞれ変化するので、外部端子または接触接続部に圧接し
た時の接触抵抗が変動してしまうという不都合がある。 そこで、バンプ電極の接触部の導電性部材の表面に形成
された樹脂厚の差による電気性特性の変化を低減させる
ために、エキシマレーザ光（Ｅｘｃｉｍｅｒ）（紫外線
領域波長）１３を照射して、該バンプ電極２０の接触表
面２２を炭化する。
【００１４】次に、図１（ｃ）に示すように、バンプ電
極２０の炭化された接触表面２２を除去する。図４は、
本発明の他の実施例を示すバンプ電極が形成されるＴＡ
Ｂ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
方式のテープの部分断面図である。この図に示すように
、インナリード４１は支持枠４２に支持され、開口部４
３の内方に向かって形成されている。前記インナリード
４１の内方端部４４の一部に上記した異方性導電性樹脂
からなるバンプ電極４５が所定の高さで形成されている
。 そのバンプ電極４５は基板５１上の電極５２に接続され
る。
極２０の炭化された接触表面２２を除去する。図４は、
本発明の他の実施例を示すバンプ電極が形成されるＴＡ
Ｂ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
方式のテープの部分断面図である。この図に示すように
、インナリード４１は支持枠４２に支持され、開口部４
３の内方に向かって形成されている。前記インナリード
４１の内方端部４４の一部に上記した異方性導電性樹脂
からなるバンプ電極４５が所定の高さで形成されている
。 そのバンプ電極４５は基板５１上の電極５２に接続され
る。
【００１５】上記したように、樹脂製バンプ電極の接触
する部分の樹脂を選択的に除去する方法として、エキシ
マレーザ光によって接触表面の不要樹脂を炭化除去して
しまうので、不要樹脂がなく直接導電性充填材が接触す
るので、接触する部分の電気特性が安定化する。図５は
本発明の更なる他の実施例を示す異方性導電性接着フィ
ルム電極の製造工程断面図である。
する部分の樹脂を選択的に除去する方法として、エキシ
マレーザ光によって接触表面の不要樹脂を炭化除去して
しまうので、不要樹脂がなく直接導電性充填材が接触す
るので、接触する部分の電気特性が安定化する。図５は
本発明の更なる他の実施例を示す異方性導電性接着フィ
ルム電極の製造工程断面図である。
【００１６】図５（ａ）に示すように、異方性導電性接
着フィルム６０の接触表面６１にエキシマレーザ光６２
を照射し、その接触表面６１の樹脂を炭化する。次いで
、図５（ｂ）に示すように、その接触表面６１の炭化さ
れた樹脂を除去する。このように表面処理された異方性
導電性接着フィルム電極を用いることにより、接触表面
における接触を安定にすることができる。
着フィルム６０の接触表面６１にエキシマレーザ光６２
を照射し、その接触表面６１の樹脂を炭化する。次いで
、図５（ｂ）に示すように、その接触表面６１の炭化さ
れた樹脂を除去する。このように表面処理された異方性
導電性接着フィルム電極を用いることにより、接触表面
における接触を安定にすることができる。
【００１７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、バンプ電極または異方性導電性接着フィルム電
極の接触表面にエキシマレーザ光を照射して、表面処理
を行うようにしたので、接触表面の電気的特性の安定化
を図ることができる。
よれば、バンプ電極または異方性導電性接着フィルム電
極の接触表面にエキシマレーザ光を照射して、表面処理
を行うようにしたので、接触表面の電気的特性の安定化
を図ることができる。
【図１】本発明の実施例を示すバンプ電極の製造工程断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施例を示すバンプ電極の製造過程を
示す要部拡大断面図である。
示す要部拡大断面図である。
【図３】従来のＩＣチップと基板回路との電気的接続方
法の説明図である。
法の説明図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すバンプ電極が形成さ
れるＴＡＢ方式のテープの部分断面図である。
れるＴＡＢ方式のテープの部分断面図である。
【図５】本発明の更なる他の実施例を示す異方性導電性
接着フィルム電極の製造工程断面図である。
接着フィルム電極の製造工程断面図である。
１１ シリコン基板
１２ アルミ電極
１３，６２ エキシマレーザ光
２０，４５ バンプ電極
２１ 樹脂
２２，６１ 接触表面
２３ 導電性充填材
４１ インナリード
４２ 支持枠
４３ 開口部
４４ 内方端部
５１ 基板
５２ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性樹脂を用いて半導体素子の電極
と外部端子とを電気的に接触導通させるバンプ電極の製
造方法において、 （ａ）導電性充填材を含む樹脂からなるバンプ電極を形
成する工程と、 （ｂ）該バンプ電極の接触表面にエキシマレーザ光を照
射し、該バンプ電極の接触表面を炭化する工程と、（ｃ
）該炭化された接触表面を除去し、前記導電性充填材を
露出する工程とを施すバンプ電極の製造方法。 - 【請求項２】 半導体素子の電極と外部端子とを電気
的に接触導通させる導電性接着フィルム電極の製造方法
において、 （ａ）異方性導電性接着フィルムの接触表面にエキシマ
レーザ光を照射し、該異方性導電性接着フィルムの接触
表面を炭化する工程と、 （ｂ）該炭化された接触表面を除去し、表面処理を施す
工程とを有する導電性接着フィルム電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40121290A JPH04213833A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | バンプ電極及び導電性接着フィルム電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40121290A JPH04213833A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | バンプ電極及び導電性接着フィルム電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04213833A true JPH04213833A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=18511055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40121290A Withdrawn JPH04213833A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | バンプ電極及び導電性接着フィルム電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04213833A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007020805A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2007073948A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8354962B2 (en) | 2005-11-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Antenna and manufacturing method thereof, semiconductor device including antenna and manufacturing method thereof, and radio communication system |
| US8508027B2 (en) | 2005-05-31 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-12-11 JP JP40121290A patent/JPH04213833A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8508027B2 (en) | 2005-05-31 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8928131B2 (en) | 2005-05-31 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2007020805A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2007073948A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7759177B2 (en) | 2005-08-12 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8354962B2 (en) | 2005-11-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Antenna and manufacturing method thereof, semiconductor device including antenna and manufacturing method thereof, and radio communication system |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |