JPS605582A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPS605582A JPS605582A JP58112842A JP11284283A JPS605582A JP S605582 A JPS605582 A JP S605582A JP 58112842 A JP58112842 A JP 58112842A JP 11284283 A JP11284283 A JP 11284283A JP S605582 A JPS605582 A JP S605582A
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は光半導体装置の製造方法に係り、特に埋め込み
型の活性層金有する半導体発光素子全対象とする光半導
体装置の製造方法に関する。
型の活性層金有する半導体発光素子全対象とする光半導
体装置の製造方法に関する。
楢モード制御を目的とした半導体レーザとして様々な構
造が考案されているが、活性層埋め込み型レーザの製造
方法を第１図乃至第３南全参照して説明する。
造が考案されているが、活性層埋め込み型レーザの製造
方法を第１図乃至第３南全参照して説明する。
従来の、例えばＧａＡｓ基板埋め込み型レーザはＧａＡ
ｓ基板（１）上にＧａＡｌ！Ａｓヘテロ構造（２）乃至
（８］ヲエビタキシヤル成畏させ、マスクがけをしてエ
ツチングによってメサストライプを作り、再びエピタキ
シャル成長で埋め込み層を成長させていた。
ｓ基板（１）上にＧａＡｌ！Ａｓヘテロ構造（２）乃至
（８］ヲエビタキシヤル成畏させ、マスクがけをしてエ
ツチングによってメサストライプを作り、再びエピタキ
シャル成長で埋め込み層を成長させていた。
この方法では、ヘテロ構造（２）乃至（８）を１回目の
エピタキシャル成長によって作った後、メサ構造を作る
だめに炉から取り出してマスクがけし、エツチングしな
ければならない。
エピタキシャル成長によって作った後、メサ構造を作る
だめに炉から取り出してマスクがけし、エツチングしな
ければならない。
この場合、第２図に示すようにメサ側面が酸化サレ、Ｌ
４Ｑ 化１１Ｍ （１ｏ） 及びＱｌ） ｋ生じる。
４Ｑ 化１１Ｍ （１ｏ） 及びＱｌ） ｋ生じる。
ＧａＡｓ基板（１）の１７Ｚ化膜（１１）は埋め込み層
（１２）成脣時Ｋ Ｇ ａ Ｏの形で昇化してしまう。
（１２）成脣時Ｋ Ｇ ａ Ｏの形で昇化してしまう。
しかしＧａＡＡ！、ＡＳ層（２）乃至（８）の峻化＋Ｖ
（ｔＯ）は残ったままとなっており、ＧａＡｓ棒板［
１１の方からエピタキシャル成長することになる。
（ｔＯ）は残ったままとなっており、ＧａＡｓ棒板［
１１の方からエピタキシャル成長することになる。
そのために１浚化膜は第３図のように結晶中にとりこま
れて埋め込み層（１２）が成長すると考えられる。
れて埋め込み層（１２）が成長すると考えられる。
従って、ヘテロ構造と埋め込み層（１２）とは結晶が整
合しておらず、酸化膜をとり込んだまま埋め込み層（１
２） ｅ成長させると、発振させた時に活性層内での転
位の成長、これに伴うＤ Ｌ Ｄ （ＤａｒＫＬｉｎｅ
１）ｅｆｅｃｔ）の発達、非発光再結合中心の増加と
いった素子劣化の原因となり、レーザのＮ命’ｆ ％；
ｉｌ°づめることになる。
合しておらず、酸化膜をとり込んだまま埋め込み層（１
２） ｅ成長させると、発振させた時に活性層内での転
位の成長、これに伴うＤ Ｌ Ｄ （ＤａｒＫＬｉｎｅ
１）ｅｆｅｃｔ）の発達、非発光再結合中心の増加と
いった素子劣化の原因となり、レーザのＮ命’ｆ ％；
ｉｌ°づめることになる。
本発明は上述の問題点全力ん：してなさイＬだもので、
活性層を埋め込み型とするための埋め込み、′１・ηを
再現性良く良好に形成することができる光半導体装置の
製造方法を提供することにある。
活性層を埋め込み型とするための埋め込み、′１・ηを
再現性良く良好に形成することができる光半導体装置の
製造方法を提供することにある。
′〔発明の概要〕
半導体基板上に活性１１りを有する複数の半く・７体層
を形成する際に、この半導体層の表面がＡ １７ｒ）含
まない層とＡｌを含む層からなるようにし、このＡ７！
を含む層の酸化ｊ漢をマスクとしてＡｌｆｆ１含まない
４音からエピタキシャル成聞によりメルトバックをかけ
て活ｔ＆Ｅ層金塊め込み型とする光半導体装置の製造方
法をイク４ることにある。
を形成する際に、この半導体層の表面がＡ １７ｒ）含
まない層とＡｌを含む層からなるようにし、このＡ７！
を含む層の酸化ｊ漢をマスクとしてＡｌｆｆ１含まない
４音からエピタキシャル成聞によりメルトバックをかけ
て活ｔ＆Ｅ層金塊め込み型とする光半導体装置の製造方
法をイク４ることにある。
本発明によれば活性層金塊め込み型とする際に酸化膜が
生じることによる活性層への影響を防止することができ
る。
生じることによる活性層への影響を防止することができ
る。
また、活性Ｉ！ｉ′ｆ−ｔメルトバックにより埋め込み
型とし、このメルトバックの」１：及び深さの制御が溶
液の組成死文いは温度上昇の七−でな（、メルトバック
する際のマスクとしてのＡＡｉ含まない層の間隔により
メルトバックの・風域全制御することができる。
型とし、このメルトバックの」１：及び深さの制御が溶
液の組成死文いは温度上昇の七−でな（、メルトバック
する際のマスクとしてのＡＡｉ含まない層の間隔により
メルトバックの・風域全制御することができる。
従って、特注が良好な埋め込み型活性層を有する光半導
体装置を再現性良（得ることができる。
体装置を再現性良（得ることができる。
本発明の一笑施例を第４図乃至第９１ネＩを参照して説
明する。
明する。
即ち、本実ＩＸｕ ’、ｆ！Ｉではまず−１ス４図で示
すように：ＧａＡｓｇ板＋１１に板側１１エピタキシャ
ル１Ｊｚ長によって複数のへテロ構造、例えばｌ’ｌ！
ｊ”、ＧａＯ，６５Ａ’０．３５Ａｓクラッド層［２１
’ｆ（０５ｔｔｍ、 Ｎ ｆＪ’４ Ｇａ ｏ７５ＡＡ
ｏ、２ｓＡｓ ガイド）５（３１”ｉ ０．５ ｐ ｍ
、 Ｎ１１ｉ！！Ｇａｏ９ｓＡ７ｏ、ｏｓＡｓ活註層活
性）ｋ ０．１μｍ、ｐ型Ｇ ａ Ｏ，７５ＡＡ！ ０
．２ ｓＡ ｓガイド層ｔ５１’ｌｉ＝ ０．５μｍ、
ｐ型Ｇ ａ ｏ、ｒ；５ＡＩ ｏ、ａ ｓＡ ｓクラッ
ド層ｆ６１ 全ｏ、 ５ ｔｔｍ。
すように：ＧａＡｓｇ板＋１１に板側１１エピタキシャ
ル１Ｊｚ長によって複数のへテロ構造、例えばｌ’ｌ！
ｊ”、ＧａＯ，６５Ａ’０．３５Ａｓクラッド層［２１
’ｆ（０５ｔｔｍ、 Ｎ ｆＪ’４ Ｇａ ｏ７５ＡＡ
ｏ、２ｓＡｓ ガイド）５（３１”ｉ ０．５ ｐ ｍ
、 Ｎ１１ｉ！！Ｇａｏ９ｓＡ７ｏ、ｏｓＡｓ活註層活
性）ｋ ０．１μｍ、ｐ型Ｇ ａ Ｏ，７５ＡＡ！ ０
．２ ｓＡ ｓガイド層ｔ５１’ｌｉ＝ ０．５μｍ、
ｐ型Ｇ ａ ｏ、ｒ；５ＡＩ ｏ、ａ ｓＡ ｓクラッ
ド層ｆ６１ 全ｏ、 ５ ｔｔｍ。
Ｎ型ＧａＯ，４Ａ ！ｌ Ｏ，６Ａｓ層（１３）ｔ”
０．５ ／ｌ ｍ、 Ｇ ａ Ａ Ｓ層（１，４） ′
ｆｆ：０．５μｍと順次形成する。この」混合、最上層
であるＧａＡＳ層（１４）はＡＪ’（ｒ含まない１台と
しておく。
０．５ ／ｌ ｍ、 Ｇ ａ Ａ Ｓ層（１，４） ′
ｆｆ：０．５μｍと順次形成する。この」混合、最上層
であるＧａＡＳ層（１４）はＡＪ’（ｒ含まない１台と
しておく。
さらに最上層のＧ ａ Ａ ｓ ＋４ｒ （１４） ’
；ｃ第５図に示すようにエツチングによって、例えば１
１・：］ｉ５μｍのストライブにして、ｕｌえは１／ｌ
Ｚｍの幅のＧ ａ ｏ４Ａｌｏ６Ａ ５Ｉｌｉ （１３
）を露出させる。
；ｃ第５図に示すようにエツチングによって、例えば１
１・：］ｉ５μｍのストライブにして、ｕｌえは１／ｌ
Ｚｍの幅のＧ ａ ｏ４Ａｌｏ６Ａ ５Ｉｌｉ （１３
）を露出させる。
１、ｉｌｌち、ＧａＡｓ基板け）上に形成する半導体１
（２１乃至（６）及び（１３） 、 （１４）の表１
ｍがＡｎｋ含まないＱａＡｓ層（１４）と、Ａ７’を含
むＧ ａ ０．４ Ａ７ ｏ６Ａｓ ｉ＠ （１３）と
から成るようにする。
（２１乃至（６）及び（１３） 、 （１４）の表１
ｍがＡｎｋ含まないＱａＡｓ層（１４）と、Ａ７’を含
むＧ ａ ０．４ Ａ７ ｏ６Ａｓ ｉ＠ （１３）と
から成るようにする。
このエツチングを行う、燭台、望気中にさらしてＧ ａ
Ａ ｓｌ冑（１４）及びＧａ０．４八ｄｏ６Ａｓハ゛”
４ （１３） フ）＞らなる；、ｊ；面は酸化される。
Ａ ｓｌ冑（１４）及びＧａ０．４八ｄｏ６Ａｓハ゛”
４ （１３） フ）＞らなる；、ｊ；面は酸化される。
その後７８６℃のＧ ａ Ｏ，６５ＡｌＯ，３５ＡＳの
Ｉ’ｉＮ ’Ｄ ｋ ！晶）環９４℃上昇させて未飽和
性液（１５）とし、半導体１ζツ（２）乃至（１２）を
有するＧａＡｓ基板（１）全挿入する。
Ｉ’ｉＮ ’Ｄ ｋ ！晶）環９４℃上昇させて未飽和
性液（１５）とし、半導体１ζツ（２）乃至（１２）を
有するＧａＡｓ基板（１）全挿入する。
この揚台表面にＨａ化膜（１７） ＝有するＡｌをｒオ
む層（１３）は、未飽和温液（１５）によるエピタキシ
ャル成長時にマスクとして勧く。またＡｌ全なまないＧ
ａＡｓ層（１４）ば、未飽和溶液（１５）によるメルト
バックによってこの未飽和溶液（１５）に溶けてしまう
。
む層（１３）は、未飽和温液（１５）によるエピタキシ
ャル成長時にマスクとして勧く。またＡｌ全なまないＧ
ａＡｓ層（１４）ば、未飽和溶液（１５）によるメルト
バックによってこの未飽和溶液（１５）に溶けてしまう
。
従って突出しだＧ ａ Ａ ｓ １６ （１，２）が未
砲相山液（１５）と接触するとＧａＡＳ＠（１４）の結
晶表面がらＡＳが拡散しタルトバンクががが９始めるこ
とになる。
砲相山液（１５）と接触するとＧａＡＳ＠（１４）の結
晶表面がらＡＳが拡散しタルトバンクががが９始めるこ
とになる。
（、′文方向のメルトバックは前述のようＫＧａｏ、４
Ａｌｏ、ｅＡｓ層（１３）力裡叉化、ｊｉ；、Ｇのマス
クとして働きそこで停止する。
Ａｌｏ、ｅＡｓ層（１３）力裡叉化、ｊｉ；、Ｇのマス
クとして働きそこで停止する。
尚、ＡＪを含まない層としてば、ＧａＡｓのような１．
り化さ１１．ＩＣ＜い材料、或いは１液化されても容易
に酸化膜を除くことができる材料で作っておけは良い。
り化さ１１．ＩＣ＜い材料、或いは１液化されても容易
に酸化膜を除くことができる材料で作っておけは良い。
また本実施例の１易合はＡｌを含まない層が突出してい
るので未飽和溶液（１５）との接触が良くメルトバック
がかかりゃすい。
るので未飽和溶液（１５）との接触が良くメルトバック
がかかりゃすい。
ここで、メルトバックの、′６−を制御するために組成
比や温度上昇による未飽和溶液（１５）を作る方法と併
用して、Ａ ｌ ｆ含む層と含まない層との表面積の大
きさによって原子の拡散速度全コントロールする。
比や温度上昇による未飽和溶液（１５）を作る方法と併
用して、Ａ ｌ ｆ含む層と含まない層との表面積の大
きさによって原子の拡散速度全コントロールする。
即ち、第６図において未飽和溶液（１５）及び埋め込み
層となる篩渣（ｉ６） ｋ示しているがメルトバックの
初期の段階には未飽和浴液（１５）と溶液（’ｌ（’ｌ
）は同じ未飽和度の浴液である。
層となる篩渣（ｉ６） ｋ示しているがメルトバックの
初期の段階には未飽和浴液（１５）と溶液（’ｌ（’ｌ
）は同じ未飽和度の浴液である。
結晶中から原子が溶液（１６〕中に溶は出し、＋’ｉ；
けだ原子が溶液中に拡散して行（。
けだ原子が溶液中に拡散して行（。
未飽和（ｄ液（１５）と溶液（１６）の境界の幅はマス
クとしての酸化膜を有するＱ ａ Ｏ，４ＡｌＯ，６Ａ
ｓ層（■３）の間隔によって定められているため、結
晶構造の１７−１係により浴液（１６）は所定以上水平
方向に広がることはできず、垂直方向に深くメルトバッ
クがかかつて行く。
クとしての酸化膜を有するＱ ａ Ｏ，４ＡｌＯ，６Ａ
ｓ層（■３）の間隔によって定められているため、結
晶構造の１７−１係により浴液（１６）は所定以上水平
方向に広がることはできず、垂直方向に深くメルトバッ
クがかかつて行く。
溶液（１６）から未飽和溶液（１５）への拡散が、Ｇａ
ＡＳ共板（１）或いは半導体層（２）乃至（１１）の結
晶から（Ｇ ｅ。
ＡＳ共板（１）或いは半導体層（２）乃至（１１）の結
晶から（Ｇ ｅ。
（１６）への拡散より遅（なるような条件てＧａｏ４Ａ
１０．６ＡＳ層（１３）の露呈する間隔を選ぶ。
１０．６ＡＳ層（１３）の露呈する間隔を選ぶ。
その結呆、溶液（１６）の濃度が未飽和溶液（１５）の
濃度より高くなってくる。
濃度より高くなってくる。
しだいに浴液（１６）の濃度が飽和点に近づいてくると
、それに伴いＧａＡｓ基板（１）或いは半２４体層（２
）乃至（ＩＪ）の結晶からの原子の拡散の速度が零に近
づいてきて、そイを以上メルトバックがかからな（なる
。
、それに伴いＧａＡｓ基板（１）或いは半２４体層（２
）乃至（ＩＪ）の結晶からの原子の拡散の速度が零に近
づいてきて、そイを以上メルトバックがかからな（なる
。
この原理を使ってメルトバック、列えばＧａＡｓ基板（
１）に届く程度で幅５μｍ、深さ３，５μｍの所定の組
成に制御する。
１）に届く程度で幅５μｍ、深さ３，５μｍの所定の組
成に制御する。
その後０．２℃／ｍｉｎで４℃分冷却し浴液（１６）に
Ｇａ（１，６ｓＡ、ｆ？ｏ３ｓＡｓ を析出さぜ埋め込
みＪＷ （１，８）として第７図に示すようにエピタキ
シャル成長させる。
Ｇａ（１，６ｓＡ、ｆ？ｏ３ｓＡｓ を析出さぜ埋め込
みＪＷ （１，８）として第７図に示すようにエピタキ
シャル成長させる。
また、第８図のように１つのストライプ状のへテロ構造
の部分（１５）を除いてＡ１２ｏ、或いは５ｉｏ２の酸
化１ｉ−γ（１のを付け、この１浚化膜（１９）をマス
クとしてＺｎを拡散させ、一部のへテロｎ９造のＮ型Ｇ
ａ ｏ４ＡＩ０．６Ａ Ｓ Ｉｌｉ （２０） ｆ
Ｐ型に変えオーミックコンタクトをとる。
の部分（１５）を除いてＡ１２ｏ、或いは５ｉｏ２の酸
化１ｉ−γ（１のを付け、この１浚化膜（１９）をマス
クとしてＺｎを拡散させ、一部のへテロｎ９造のＮ型Ｇ
ａ ｏ４ＡＩ０．６Ａ Ｓ Ｉｌｉ （２０） ｆ
Ｐ型に変えオーミックコンタクトをとる。
この場合は、他のへテロ（３造を除いているので、電流
狭窄を行なっていることにもなる。
狭窄を行なっていることにもなる。
さらに、第９図に示すようにｒ、λ化膜（１つ）を取り
除いて、Ｐ側１ｃ Ｃｒ−Ａｕ 、 Ｎｌ１ｌｌｌｌＣ
Ａｕ−Ｇｅ ｆ蒸着して電極（２１）（２２）とする。
除いて、Ｐ側１ｃ Ｃｒ−Ａｕ 、 Ｎｌ１ｌｌｌｌＣ
Ａｕ−Ｇｅ ｆ蒸着して電極（２１）（２２）とする。
以上の工程でＧａＡｓ基板埋め込みレーザが製造できる
。この場合の半導体レーザは発振波長が８３０ｎｍ、Ｌ
きい値電流が５０ ｒｎ、Ａで発振する。
。この場合の半導体レーザは発振波長が８３０ｎｍ、Ｌ
きい値電流が５０ ｒｎ、Ａで発振する。
また、本実施例に於いては多数の活ｌ牛層埋め込み構造
全多数できるため、ヘテロ号・：゛り造合有する祖故ノ
部分にＺｎ拡故金行なってオーミックコンタクト−にと
っておくならば、・１−ｑ数の活性ハ→埋め込み構造が
発光するようなアレイレーザを製造することができる。
全多数できるため、ヘテロ号・：゛り造合有する祖故ノ
部分にＺｎ拡故金行なってオーミックコンタクト−にと
っておくならば、・１−ｑ数の活性ハ→埋め込み構造が
発光するようなアレイレーザを製造することができる。
このようなアレイレーザに於いては高出力の光ビームを
得ることができる。
得ることができる。
尚、本実施例では埋め込み型の半導体レーザの製造方法
について説ＩＪＡしたが、本発明は制御：ｕさイしたメ
ルトバックによる結晶成長を必′皮とする元手・ノｊ体
装置全般にも適用することができる。
について説ＩＪＡしたが、本発明は制御：ｕさイしたメ
ルトバックによる結晶成長を必′皮とする元手・ノｊ体
装置全般にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
哨１図乃至第３図は従来１９υを示す図、第４図乃至第
９図は本発明の一実施例を示す図である。 １・・ＧａＡＳ基板、２−Ｎ型Ｇａｏ、６ｓＡＡ０３ｓ
Ａｓクラ７ド１ハ ３−Ｎ型Ｇａ０．７５Ａノ０．２５
ＡＳガイド７７．４−・・Ｎ型Ｇ ａ Ｏ，９ｓＡＡ
Ｏ，ｏ ５Ａ Ｓ活性層、５−Ｐ ｕＧａｏ、７ｓＡｄ
ｏ２ｓＡｓ６ ・＝ Ｐ 型Ｇａ ｏ、６５Ａ４０．３
５ＡｓクラッドＭ、１３ ・Ｎ型Ｇ ａ ｏ、４ＡＡ
ｏ、ｓＡ ｓ層、１４−ＧａＡＳ層、ｌ ５−・・未飽
和溶液、１６・・・浴液、１７，１９・・・酸化ル〕、
１８・・・埋め込み層、２１．２２・・・パ付ｋ。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１図 第２図 第３図 第 ４ 図 第５図 第 ６ 図 第１７図
９図は本発明の一実施例を示す図である。 １・・ＧａＡＳ基板、２−Ｎ型Ｇａｏ、６ｓＡＡ０３ｓ
Ａｓクラ７ド１ハ ３−Ｎ型Ｇａ０．７５Ａノ０．２５
ＡＳガイド７７．４−・・Ｎ型Ｇ ａ Ｏ，９ｓＡＡ
Ｏ，ｏ ５Ａ Ｓ活性層、５−Ｐ ｕＧａｏ、７ｓＡｄ
ｏ２ｓＡｓ６ ・＝ Ｐ 型Ｇａ ｏ、６５Ａ４０．３
５ＡｓクラッドＭ、１３ ・Ｎ型Ｇ ａ ｏ、４ＡＡ
ｏ、ｓＡ ｓ層、１４−ＧａＡＳ層、ｌ ５−・・未飽
和溶液、１６・・・浴液、１７，１９・・・酸化ル〕、
１８・・・埋め込み層、２１．２２・・・パ付ｋ。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１図 第２図 第３図 第 ４ 図 第５図 第 ６ 図 第１７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１］半樽体基板上に活性層を有する複数の半導体層を
形成する際に、該半導体層の表面がＡｌを含まない層と
ＡＡを含む層からなるようにし、該Ａ［全含む層の酸化
膜全マスクとして前記Ａｌ金含まない層からエピタキシ
ャル成長にょクメルトバックして前記活性層を埋め込み
型とすることを特徴とする光半導体・１不置の製造方法
。 （２）半導体基＋ＪｉはＧａＡｓ基板であること全特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のブ０牛導体装置の製
造方法。 （３）活性層はＮ ２’ｉ！！ Ｇ ａ １− ｘＡ
Ａ’ ｘＡ ｓ活性層であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光半メｆ：体装置ｗ￥の製造方法。 （４）活性層を有する離数の半導体層はダブルへテロ構
造を構成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光半導体装置の製造方法。 ［５１ＡＩＩを含まない層はＧａＡｓ層であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置の製
造方法。 １６１ Ａ ｌ ｆ含む層はＮ型Ｇ ａ １− ｘ Ａ
Ａ’ ｘ Ａ ｓ層であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光半導体装置の製造方法。 （７）活性層金塊め込み型する際の埋め込み層はＱａ、
、ｒＡＡＡｓ層であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光半導体装置１テの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112842A JPS605582A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112842A JPS605582A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605582A true JPS605582A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14596892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112842A Pending JPS605582A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153890A (en) * | 1991-03-11 | 1992-10-06 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device comprising a layered structure grown on a structured substrate |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58112842A patent/JPS605582A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153890A (en) * | 1991-03-11 | 1992-10-06 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device comprising a layered structure grown on a structured substrate |
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