JPS59115582A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS59115582A JPS59115582A JP22573382A JP22573382A JPS59115582A JP S59115582 A JPS59115582 A JP S59115582A JP 22573382 A JP22573382 A JP 22573382A JP 22573382 A JP22573382 A JP 22573382A JP S59115582 A JPS59115582 A JP S59115582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- grooves
- active layer
- layer
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザに関し、特に高出力型の半導体レ
ーザに関する。
ーザに関する。
〈背景技術〉
近年半導体レーザにおいて低しきい値電流、単−横モー
ド、高出力を目指しで多くのダブルへテロ型の半導体レ
ーザが開発きれている。このような特性を得る基本的な
構成は活性層の少なくとも発振領域の層１９を０．０５
μ程度とすると共に活性層の基板側に配されたクラッド
層の上記発振領域と隣接しない部分の層を薄くすること
にある。
ド、高出力を目指しで多くのダブルへテロ型の半導体レ
ーザが開発きれている。このような特性を得る基本的な
構成は活性層の少なくとも発振領域の層１９を０．０５
μ程度とすると共に活性層の基板側に配されたクラッド
層の上記発振領域と隣接しない部分の層を薄くすること
にある。
第１図は従来のこの種レーザを示し、（１）はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板であり、該基板には一生面に紙面垂直方向に延
在する第１〜第３溝（２ａ）〜（２ｃ）が形成されてい
る。また上記溝は中央に位置する第２溝（２ｂ）に比し
て第１・第３溝（２ａ）（２ｃ）の方が幅及び深さにお
いて犬である。
Ａｓ基板であり、該基板には一生面に紙面垂直方向に延
在する第１〜第３溝（２ａ）〜（２ｃ）が形成されてい
る。また上記溝は中央に位置する第２溝（２ｂ）に比し
て第１・第３溝（２ａ）（２ｃ）の方が幅及び深さにお
いて犬である。
（３）は基板（１〉の−主面上に形成された発振層であ
り°、該発振層はｎ型Ｇ ａｌ−ＸＡ １ｉＸＡ ｓ（
０＜ Ｘ＜ １＞からなる第１クラッド層（４）、Ｇ
ａｌ−ＹＡ ｕＹＡ ｓ（Ｙ２Ｏ、Ｘ＞ Ｙ）からなる
活性層（５）、Ｐ型Ｇ ａｌ−ＸＡ ＱＸＡ ｓからな
る第２クラッド層（６）及びｎ型ＧａＡｓからなるキャ
ップ層（７）を順次液相エピタキシャル成長にて連続的
に積層することにより得られる。
り°、該発振層はｎ型Ｇ ａｌ−ＸＡ １ｉＸＡ ｓ（
０＜ Ｘ＜ １＞からなる第１クラッド層（４）、Ｇ
ａｌ−ＹＡ ｕＹＡ ｓ（Ｙ２Ｏ、Ｘ＞ Ｙ）からなる
活性層（５）、Ｐ型Ｇ ａｌ−ＸＡ ＱＸＡ ｓからな
る第２クラッド層（６）及びｎ型ＧａＡｓからなるキャ
ップ層（７）を順次液相エピタキシャル成長にて連続的
に積層することにより得られる。
通常、液相成長の成長速度はその成長面の形状により異
なる。つまり、平坦面上での成長に較べで凹部、段部、
傾斜部等での成長の方が３倍以上速くなる。これは成長
成分、例えばＧａＡＳ成長用メルトにおけるＡｓ（砒素
〉成分が凹部、段部、傾斜部等に集中する傾向を示し、
平坦部上には斯る成分が相対的に少なくなるためである
。
なる。つまり、平坦面上での成長に較べで凹部、段部、
傾斜部等での成長の方が３倍以上速くなる。これは成長
成分、例えばＧａＡＳ成長用メルトにおけるＡｓ（砒素
〉成分が凹部、段部、傾斜部等に集中する傾向を示し、
平坦部上には斯る成分が相対的に少なくなるためである
。
従って、第１クラッド層（４）の成長時間を適当に制御
することにより上記第１クラツドＮ（４）の成長表面形
状は、図面に示す如く第１、第３溝（２ａ＞（２ｃ）上
では湾曲し、その他の部分では平坦となり、かつ溝部以
外の第１クラッド層（４）の厚みは０１μｍ程度と薄く
できる。
することにより上記第１クラツドＮ（４）の成長表面形
状は、図面に示す如く第１、第３溝（２ａ＞（２ｃ）上
では湾曲し、その他の部分では平坦となり、かつ溝部以
外の第１クラッド層（４）の厚みは０１μｍ程度と薄く
できる。
このような表面形状を有した第１クラッド層（４）ｌに
成長した活性層＜５）の成長速度は既述した如く第１ク
ラ・ノド層（４〉の湾曲部にその成長成分が集中する傾
向を示すため、湾曲部に較へて平坦部での成長は比較的
低速となり、従って０．０５μｍ厚程度０制御も可能と
なる。
成長した活性層＜５）の成長速度は既述した如く第１ク
ラ・ノド層（４〉の湾曲部にその成長成分が集中する傾
向を示すため、湾曲部に較へて平坦部での成長は比較的
低速となり、従って０．０５μｍ厚程度０制御も可能と
なる。
（７゛）は第２１１Ｉｉ（２ｂ）直上のキャップＭｊ
（７）表面より第２クラッド層（６）内に達するＰ型の
拡散層であり、該拡散層はＺｎ（亜鉛）を上記第２溝（
２ｂ）に沿って拡散することにより得られる。（８）（
９）は夫、々基板（１）裏面及び拡散層（７゛）表面に
形成きれたオーミンク性の第１拳第２１１を極である。
（７）表面より第２クラッド層（６）内に達するＰ型の
拡散層であり、該拡散層はＺｎ（亜鉛）を上記第２溝（
２ｂ）に沿って拡散することにより得られる。（８）（
９）は夫、々基板（１）裏面及び拡散層（７゛）表面に
形成きれたオーミンク性の第１拳第２１１を極である。
斯る半導体レーザにおいて第１・第２電極（８）（９）
間に順方向バイアスを印加するとキャップ層（７）がｎ
型であるため、電流は拡散１！（７’）直下、即ち第２
溝（２ｂ）直上を流れることとなる。また第１・第２ク
ラッド層（４＞（６）のＡＨ濃度は活性層（５）より大
であるため、正孔、１子は第２溝（２ｂ）直上の活性層
（５）内に良好に閉し込められ発光再結合光を生じる。
間に順方向バイアスを印加するとキャップ層（７）がｎ
型であるため、電流は拡散１！（７’）直下、即ち第２
溝（２ｂ）直上を流れることとなる。また第１・第２ク
ラッド層（４＞（６）のＡＨ濃度は活性層（５）より大
であるため、正孔、１子は第２溝（２ｂ）直上の活性層
（５）内に良好に閉し込められ発光再結合光を生じる。
従って斯る活性層（５）部分が発振領域となる。
実際には印加電流は拡散層（７゛）により狭窄されると
いえども第２溝〈２ｂ）直上以外の活性層（５）内にも
多少拡がる。しかし乍ら、第１溝（２ａ）と第２溝（２
ｂ）及び第２溝（２ｂ）と第３溝（２ｃ）との間隔を夫
々上記電流の拡散距離より充分大きくすれば、溝直上以
外の第１クラッド層（４）は０．１μｍと薄いため、第
２溝（２ｂ〉直上以外の活性層（５）内で生じた不所望
な光は第１クラッド層（４）を透過して基板（１）に吸
収される。ゆえに単一モード発振が可能となる。
いえども第２溝〈２ｂ）直上以外の活性層（５）内にも
多少拡がる。しかし乍ら、第１溝（２ａ）と第２溝（２
ｂ）及び第２溝（２ｂ）と第３溝（２ｃ）との間隔を夫
々上記電流の拡散距離より充分大きくすれば、溝直上以
外の第１クラッド層（４）は０．１μｍと薄いため、第
２溝（２ｂ〉直上以外の活性層（５）内で生じた不所望
な光は第１クラッド層（４）を透過して基板（１）に吸
収される。ゆえに単一モード発振が可能となる。
また、発振領域の活性層＜５ンは０．０５μｍ厚に構成
されているため低しきい値電流にて発振が可能となる。
されているため低しきい値電流にて発振が可能となる。
更に断る活性層＜５〉は上記した如く薄いが、発振領域
直下の第１クラッド層（４）は第２溝（２ｂ）の深さ分
だけの層厚を有しているため活性層（５）で発した光は
基板（１）に吸収されることはなく、それどころか上記
光の滲み出しにより第１クジツド層（４）の一部が光導
波路として作用し、発振出力も高くなる。
直下の第１クラッド層（４）は第２溝（２ｂ）の深さ分
だけの層厚を有しているため活性層（５）で発した光は
基板（１）に吸収されることはなく、それどころか上記
光の滲み出しにより第１クジツド層（４）の一部が光導
波路として作用し、発振出力も高くなる。
このように第１図の半導体レーザでは低しきい値電流、
単−横モード発振、高出力が可能である。
単−横モード発振、高出力が可能である。
ところが、上記構成では第１、第３溝＜２ａ）（２ｃ＞
を第２溝（２ｂ）より犬となし、第１クラッド層り４）
の第１、第３溝（２ａ）（２ｃ）上の湾曲度を可能な限
り大となしても第２溝（２ｂ’）上の活性層（５）の成
長速度は、００５μｍ成長するのに５秒程度しかかから
す゛、再現性良く活性層（５）を得ることは非常に難し
かった。また第１、第３溝（２ａＨ２ｃ）を第２溝（２
ｂ）より深く形成するためには少なくとも２回のエンチ
ングが必要であるので工程が複雑となる。
を第２溝（２ｂ）より犬となし、第１クラッド層り４）
の第１、第３溝（２ａ）（２ｃ）上の湾曲度を可能な限
り大となしても第２溝（２ｂ’）上の活性層（５）の成
長速度は、００５μｍ成長するのに５秒程度しかかから
す゛、再現性良く活性層（５）を得ることは非常に難し
かった。また第１、第３溝（２ａＨ２ｃ）を第２溝（２
ｂ）より深く形成するためには少なくとも２回のエンチ
ングが必要であるので工程が複雑となる。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題に鑑みてなされたもので、低しきい
値電流、単−横モード、高出力発振が可能で、かつ０．
０５μｍ厚の活性層の成長時間が制御ｉｒ能な充分な長
さとなる半導体レーザを提供せんとするものである。
値電流、単−横モード、高出力発振が可能で、かつ０．
０５μｍ厚の活性層の成長時間が制御ｉｒ能な充分な長
さとなる半導体レーザを提供せんとするものである。
〈発明の開示〉
本発明半導体レーザの特徴は、半導体基板、該基板の一
生面上に積層されたダブルへテロ接合型の発振層を有す
る半導体レーザにおいて、上記基板の一生面にはメサス
トライプ部が形成されると共に、該メサストラブ部には
斯るメサストライプ部と同一方向に延在する複数の溝が
形成されていることである。
生面上に積層されたダブルへテロ接合型の発振層を有す
る半導体レーザにおいて、上記基板の一生面にはメサス
トライプ部が形成されると共に、該メサストラブ部には
斯るメサストライプ部と同一方向に延在する複数の溝が
形成されていることである。
〈実施例〉
第２図は本発明半導体レーザの一実施例を示し、その特
徴は基板り１）の−主面計上にある。尚第１図と同一箇
所には同一番号が付されている。
徴は基板り１）の−主面計上にある。尚第１図と同一箇
所には同一番号が付されている。
本実施例にお（Ｊる基板＜１）の−主面には紙面垂直方
向に延在するメサストライプ部（１ａ〉が形成されると
共に該メサストライプ部（１ａ）表面には紙面垂直方向
に延在するメサストライプ部（ｌａ）が形成きれると共
に該メサストライプ部表面には紙面垂直方向に延在する
第１〜第３溝（２ａ）〜（２ｃ）が形成されている。ま
た上記メサストライプ部（１ａ）の高さＴ及び第１〜第
３溝（２ａ）〜（２ｃ）の深さＤは同一としである。
向に延在するメサストライプ部（１ａ〉が形成されると
共に該メサストライプ部（１ａ）表面には紙面垂直方向
に延在するメサストライプ部（ｌａ）が形成きれると共
に該メサストライプ部表面には紙面垂直方向に延在する
第１〜第３溝（２ａ）〜（２ｃ）が形成されている。ま
た上記メサストライプ部（１ａ）の高さＴ及び第１〜第
３溝（２ａ）〜（２ｃ）の深さＤは同一としである。
具体的にはメサストライプ部（１ａ）の幅Ｗ＝５０μｍ
、高さＴ＝１．５．ｕｍ、第１、第３溝（２ａ）（２ｃ
）の溝幅Ｂ１＝７．ｕｍ、第２溝（２ｂ）の溝幅Ｂ２’
＝５μｍ、第１〜第３溝（２ａ）〜（２ｃ）の溝深さＤ
＝１．５ａｍ、各溝間距離Ｉ＝７μｍとした。
、高さＴ＝１．５．ｕｍ、第１、第３溝（２ａ）（２ｃ
）の溝幅Ｂ１＝７．ｕｍ、第２溝（２ｂ）の溝幅Ｂ２’
＝５μｍ、第１〜第３溝（２ａ）〜（２ｃ）の溝深さＤ
＝１．５ａｍ、各溝間距離Ｉ＝７μｍとした。
このような基板上に溝以外のメサストライプ部（１ａ〉
上での第１クラッド層（４〉の厚みが０．１μｍとなる
ように第１クラッド層（４）を成長させると、その成長
表面形状は第２図に示す如くメサストライプ部（ｌａ）
上では平坦となり、その他の部分ではメサストライプ部
（１ａ）より斯るメサストライプ部（１ａ）と平行に延
在する基板（１）の縁に向って湾曲状となる。
上での第１クラッド層（４〉の厚みが０．１μｍとなる
ように第１クラッド層（４）を成長させると、その成長
表面形状は第２図に示す如くメサストライプ部（ｌａ）
上では平坦となり、その他の部分ではメサストライプ部
（１ａ）より斯るメサストライプ部（１ａ）と平行に延
在する基板（１）の縁に向って湾曲状となる。
斯る第１クラッド層（４〉上に活性層（５）を液相エピ
タキシャル成長させるとメサストライプ部（１ａ）直上
の活性層（５）の成長速度は第１図の半導体レーザにお
ける第２溝（２ｂ）上の活性層（５）の成長速度に比し
て低速となることが判明した。
タキシャル成長させるとメサストライプ部（１ａ）直上
の活性層（５）の成長速度は第１図の半導体レーザにお
ける第２溝（２ｂ）上の活性層（５）の成長速度に比し
て低速となることが判明した。
第３図は第１図の半導体レーザにおける活性層＜５）の
成長速度Ａと第２図の本実施例半導体レーザにおける活
性層の成長速度Ｂを夫々調べたものである。具体的には
第１図の半導体レーザの基板形状は第１、第３溝（２ａ
）（２ｃ）の溝幅Ｂ１＝７７＝ｍ、深ａＤ１＝２μｍ、
第２溝（２ｂ）の溝幅Ｂ２−５μｍ、深さＤ ２＝ １
．５μｍとしである。
成長速度Ａと第２図の本実施例半導体レーザにおける活
性層の成長速度Ｂを夫々調べたものである。具体的には
第１図の半導体レーザの基板形状は第１、第３溝（２ａ
）（２ｃ）の溝幅Ｂ１＝７７＝ｍ、深ａＤ１＝２μｍ、
第２溝（２ｂ）の溝幅Ｂ２−５μｍ、深さＤ ２＝ １
．５μｍとしである。
第３図から明らかな如く、本実施例半導体レーザにおけ
る活性層（５）の成長速度の方が第１図の半導体レーザ
の活性層（５）の成長速度に較へて約％となる。具体的
には第１図の構図では０．０５μｍ厚の活性層の成長時
間が約５秒であるのに対して、本実施例では約２０秒と
非常に長く、厚み制御が容易で再現性良く形成できる成
長速度となる。
る活性層（５）の成長速度の方が第１図の半導体レーザ
の活性層（５）の成長速度に較へて約％となる。具体的
には第１図の構図では０．０５μｍ厚の活性層の成長時
間が約５秒であるのに対して、本実施例では約２０秒と
非常に長く、厚み制御が容易で再現性良く形成できる成
長速度となる。
尚、上記活性層の成長は成長開始温度を７８０℃とし、
冷却速度０．５℃／＋ｎｉｎで行なったものである。
冷却速度０．５℃／＋ｎｉｎで行なったものである。
第４図は、上記第１、第２図に夫々に示された半導体レ
ーザにおいて夫々の第１、第３溝の溝幅Ｂ１を変化きせ
１こ際の活性層の成長速度Ａ、Ｂの変化を調へたもので
ある。具体的には第１、第３溝の溝幅Ｂ１を変化させ他
の条件は既述の第３図に示した実験と同一とし、８秒間
成長させたときの溝幅Ｂｌに対する活性層の厚み変化を
調へたものである。尚、図中横軸には溝幅Ｂ１を、縦軸
には活性層厚みを夫々とっである。
ーザにおいて夫々の第１、第３溝の溝幅Ｂ１を変化きせ
１こ際の活性層の成長速度Ａ、Ｂの変化を調へたもので
ある。具体的には第１、第３溝の溝幅Ｂ１を変化させ他
の条件は既述の第３図に示した実験と同一とし、８秒間
成長させたときの溝幅Ｂｌに対する活性層の厚み変化を
調へたものである。尚、図中横軸には溝幅Ｂ１を、縦軸
には活性層厚みを夫々とっである。
第４図から明らかな如く、第１図の半導体レーザでは、
溝幅Ｂｌが約１０μｍ以上で活性層厚みは約０．０５μ
ｍとなり、第２図の本実施例半導体レーザグでは溝幅Ｂ
１が約７μｍ以上で活性層厚みは約０．０２μｍとなる
ことがわかる。
溝幅Ｂｌが約１０μｍ以上で活性層厚みは約０．０５μ
ｍとなり、第２図の本実施例半導体レーザグでは溝幅Ｂ
１が約７μｍ以上で活性層厚みは約０．０２μｍとなる
ことがわかる。
このように第１、第３溝の溝幅Ｂ１は第２溝の溝幅より
大となる方が活性層の成長速度は低速となる。
大となる方が活性層の成長速度は低速となる。
また本発明者の実験によれば第１、第３溝の深さ及びメ
サストライプ部の高さは第２溝の深さを基準としてそれ
以上であれば活性層の成長速度は。
サストライプ部の高さは第２溝の深さを基準としてそれ
以上であれば活性層の成長速度は。
略一定となり、それ以下では成長速度が速くなるという
結果が得られている。
結果が得られている。
以上の結果に鑑みて、第１、第２図に示した半導体レー
ザにおい℃活性層（特に発振領域となる部分）の成長速
度を遅くするには （１〉第１、第３溝の溝幅Ｂ１を第２溝の溝幅より大と
なす。
ザにおい℃活性層（特に発振領域となる部分）の成長速
度を遅くするには （１〉第１、第３溝の溝幅Ｂ１を第２溝の溝幅より大と
なす。
（１１）第１、第３溝の溝深さを第２溝の溝深さと同等
かもしくは犬となす。
かもしくは犬となす。
ことが必要条件であることが判明した。
また、第３図、第４図からも明らかな如く、第２図の半
導体レーザの方が活性層の成長速度が相対的に低速にな
ることが判る。これは理論的には明確ではないが、メサ
ストライプ部（１ａ）の存在が大きく効いているものと
考えられる。
導体レーザの方が活性層の成長速度が相対的に低速にな
ることが判る。これは理論的には明確ではないが、メサ
ストライプ部（１ａ）の存在が大きく効いているものと
考えられる。
本発明者の他の種々の実験によれば、第１図の、半導体
レーザでは活性層（５）の成長速度は最低で０．０１，
１１ ｍ／ｓｅｃであるのに対して、第２図の半導体レ
ーザでは活性層の成長速度は最低で０．００２５μｍ／
ｓｅｃまで下がることが判明した。
レーザでは活性層（５）の成長速度は最低で０．０１，
１１ ｍ／ｓｅｃであるのに対して、第２図の半導体レ
ーザでは活性層の成長速度は最低で０．００２５μｍ／
ｓｅｃまで下がることが判明した。
このように本実施例装置では活性層（５）の成長速度は
非常に低速となるので、再現性良＜０．０５μｍ厚の活
性層を得ることが可能となる。
非常に低速となるので、再現性良＜０．０５μｍ厚の活
性層を得ることが可能となる。
また本実施例において第２溝（２ｂ〉の溝幅を５μｍと
したのけ、単−横モード発振を得るためであり、一般的
に斯る溝幅が５μｍ以上−Ｃは単−横モード発振は得・
られない。また各溝間を７．ｉｌｍとしたのは、第１図
の半導体レー→）°と同様に印加電流の拡散により生じ
る不所望な光を基板（１）に吸収させるためのものであ
り、従って本実施例の如く第２クランドＮ（６）に達す
る拡散層（７゛）により電流狭窄を行なう時には上記の
値があれは充分であるが、他の狭窄手段を用いるときに
は適当に溝間を設定する必要性がある。更に第２溝（２
ｂ）Ｑ）深さを１５μｍ程度としたのは発振領域となる
第２溝（２ｂ〉上の活性層（５〉から発する光に対して
斯る溝中の第１クラッド層（４〉に光導波路の役目をも
たせるためである。
したのけ、単−横モード発振を得るためであり、一般的
に斯る溝幅が５μｍ以上−Ｃは単−横モード発振は得・
られない。また各溝間を７．ｉｌｍとしたのは、第１図
の半導体レー→）°と同様に印加電流の拡散により生じ
る不所望な光を基板（１）に吸収させるためのものであ
り、従って本実施例の如く第２クランドＮ（６）に達す
る拡散層（７゛）により電流狭窄を行なう時には上記の
値があれは充分であるが、他の狭窄手段を用いるときに
は適当に溝間を設定する必要性がある。更に第２溝（２
ｂ）Ｑ）深さを１５μｍ程度としたのは発振領域となる
第２溝（２ｂ〉上の活性層（５〉から発する光に対して
斯る溝中の第１クラッド層（４〉に光導波路の役目をも
たせるためである。
このように発振動作においては本実施例半導体レーザは
第１図の半導体レーザと同様な効果を示。
第１図の半導体レーザと同様な効果を示。
し、従って低しきい値電流、単−横モード発振、高出力
が可能となる。
が可能となる。
〈効果〉
本発明の半導体レーザでは活性層の層厚制御が容易であ
るため、低しきい値電流、単−横モード、高出力型の半
導体レーザが再現性良く得られる。
るため、低しきい値電流、単−横モード、高出力型の半
導体レーザが再現性良く得られる。
第１図は従来例を示す断面図、第２図は本発明の一実施
例を示す断面図、第３図、第４図は本発明を説明するた
めの特性図である。 （１）・・・基板、（ｌａ）・・ストライプ部、（２ａ
）〜（２ｃ）・ 第１〜第３溝、（３）・・発振層。 ０ ５占＋主池め成＆時１旬（Ｂεり 第４図 １勾 ｊす・１つＡ軸 （Ｆ町 第１図 第２図
例を示す断面図、第３図、第４図は本発明を説明するた
めの特性図である。 （１）・・・基板、（ｌａ）・・ストライプ部、（２ａ
）〜（２ｃ）・ 第１〜第３溝、（３）・・発振層。 ０ ５占＋主池め成＆時１旬（Ｂεり 第４図 １勾 ｊす・１つＡ軸 （Ｆ町 第１図 第２図
Claims (1)
- く１）半導体基板、該基板の一生面上に積層されたダブ
ルへテロ接合型の発振層を有する半導体レーザにおいで
、上記基板の一生面にはメサストライプ部が形成される
と共に、該メサストラブ部には斯るメサストライプ部と
同一方向に延在する複数の溝が形成されていることを特
徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22573382A JPS59115582A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22573382A JPS59115582A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59115582A true JPS59115582A (ja) | 1984-07-04 |
Family
ID=16833970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22573382A Pending JPS59115582A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59115582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121770U (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-31 | ||
| FR2645555A1 (fr) * | 1989-04-10 | 1990-10-12 | Aussedat Rey | Procede d'obtention d'un support haut brillant et support obtenu |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124292A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JPS5646593A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-27 | Xerox Corp | Heteroostructure semiconductor laser |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP22573382A patent/JPS59115582A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124292A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JPS5646593A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-27 | Xerox Corp | Heteroostructure semiconductor laser |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121770U (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-31 | ||
| FR2645555A1 (fr) * | 1989-04-10 | 1990-10-12 | Aussedat Rey | Procede d'obtention d'un support haut brillant et support obtenu |
| US5169715A (en) * | 1989-04-10 | 1992-12-08 | Societe Anonyme: Aussedat-Rey | High gloss base paper |
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