JPS58207691A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS58207691A JPS58207691A JP9163682A JP9163682A JPS58207691A JP S58207691 A JPS58207691 A JP S58207691A JP 9163682 A JP9163682 A JP 9163682A JP 9163682 A JP9163682 A JP 9163682A JP S58207691 A JPS58207691 A JP S58207691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- laser
- window
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光の吸収の少ない窓領域を有する半導体
レーザ素子の新しい構造に関するものである。
レーザ素子の新しい構造に関するものである。
半導体レーザの寿命を制限する要因の１つに、光出射面
となる共振器端面の劣化があ乙ことはよく知られている
０また、半導体レーザ素子を高出力動作させた場合にこ
の共振器端面ば破壊されることがある。このときの端面
破壊出力（以下、Ｐｍａｘ と称す）は従来の半導体
レーザでは１０６Ｗ／ ｃ７ｎ程度であった。レーザ光
を安定に高出力発振させるためにＰｍａｘを増大させ、
また端面劣化を防止するために端面でのレーザ光の吸収
を少なくした端面態形半導体レーザ素子として例えば、
ＷＳレーザ（Ａｐｐｌ−Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ 、、］
５ Ｍａｙ Ｉ ９７９ Ｐ、 ６３７ ）が提唱され
ている。あるいは端面近傍を活性層よリモバンドギャッ
プの広い物質で埋め込んだ構造のものも知られている。
となる共振器端面の劣化があ乙ことはよく知られている
０また、半導体レーザ素子を高出力動作させた場合にこ
の共振器端面ば破壊されることがある。このときの端面
破壊出力（以下、Ｐｍａｘ と称す）は従来の半導体
レーザでは１０６Ｗ／ ｃ７ｎ程度であった。レーザ光
を安定に高出力発振させるためにＰｍａｘを増大させ、
また端面劣化を防止するために端面でのレーザ光の吸収
を少なくした端面態形半導体レーザ素子として例えば、
ＷＳレーザ（Ａｐｐｌ−Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ 、、］
５ Ｍａｙ Ｉ ９７９ Ｐ、 ６３７ ）が提唱され
ている。あるいは端面近傍を活性層よリモバンドギャッ
プの広い物質で埋め込んだ構造のものも知られている。
しかしながらこれらの態形半導体レーザは、その窓領域
では接合に平行な方向に光導波路が形成されていない。
では接合に平行な方向に光導波路が形成されていない。
従って、窓領域ではレーザ光が拡がって伝播するため、
共振器反射面で反射してレーザ発振領域に戻る光の量が
少なくなり、このため発振の効率が低下して発振閾値電
流が高くなるといった欠点を有する。従来の態形半導体
レーザ素子内で光の伝播する様子をレーザ素子上面方向
より描くと第１図に示す如くとなる。即ち、ストライプ
状のレーザ発振動作領域ｌの両共振端方向に窓領域２，
２′が形成され、共振器端面３，３′よりレーザビーム
４．４′が出力される。尚、レーザ発振領域端面５，５
′は共振器端面３，３′の内方に位置し、この位置より
レーザ光は伝播波面６で示すように進行する○ レーザビームの焦点（ビームウェイスト）は接合に平行
な方向ではレーザ発振領域端面５，５′に存在し、接合
に垂直な方向では共振器端面３，３′に存在する。この
非点収差はＶンズ等により光学的結合を行なう場合に不
都合となる。
共振器反射面で反射してレーザ発振領域に戻る光の量が
少なくなり、このため発振の効率が低下して発振閾値電
流が高くなるといった欠点を有する。従来の態形半導体
レーザ素子内で光の伝播する様子をレーザ素子上面方向
より描くと第１図に示す如くとなる。即ち、ストライプ
状のレーザ発振動作領域ｌの両共振端方向に窓領域２，
２′が形成され、共振器端面３，３′よりレーザビーム
４．４′が出力される。尚、レーザ発振領域端面５，５
′は共振器端面３，３′の内方に位置し、この位置より
レーザ光は伝播波面６で示すように進行する○ レーザビームの焦点（ビームウェイスト）は接合に平行
な方向ではレーザ発振領域端面５，５′に存在し、接合
に垂直な方向では共振器端面３，３′に存在する。この
非点収差はＶンズ等により光学的結合を行なう場合に不
都合となる。
本発明は上記従来の態形半導体レーザの欠点を克服した
新規な構造を有する半導体レーザを提供することを目的
とするものである。
新規な構造を有する半導体レーザを提供することを目的
とするものである。
即ち、窓領域にも光導波路を形成することにより、ビー
ムウェイストは接合に水平、垂直方向共に共振器端面に
存在することとなる。更に、半導体レーザの窓領域がレ
ーザ発振領域で発生する高次横モードを抑制して基本横
モードのみを導波させる作用をさせることも可能であり
、これは従来の態形半導体レーザにない非常に進歩した
効果であるＯ 以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
ムウェイストは接合に水平、垂直方向共に共振器端面に
存在することとなる。更に、半導体レーザの窓領域がレ
ーザ発振領域で発生する高次横モードを抑制して基本横
モードのみを導波させる作用をさせることも可能であり
、これは従来の態形半導体レーザにない非常に進歩した
効果であるＯ 以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
第２図は本発明の一実施例を説明する半導体レーザ素子
の素子内で光伝播する様子をレーザ素子上面より描いた
ものである０ 導波路幅Ｗ’ｇ１及び長さしｅを有するレーザ発振動作
領域２１の両端位置に導波路幅Ｗ ｇ ２及び各々の長
さＬア、Ｉ−ｗ・を有する窓領域２２．．２２’が配設
され、共振器端面２３，２３’よりレーザビーム２４．
２４’が放射されるＯレーザ発振動作領域２１はレーザ
発振領域端面２５，２５’でその長さが限定されている
。レーザ光はその伝播波面２６が図示の如くとなる。
の素子内で光伝播する様子をレーザ素子上面より描いた
ものである０ 導波路幅Ｗ’ｇ１及び長さしｅを有するレーザ発振動作
領域２１の両端位置に導波路幅Ｗ ｇ ２及び各々の長
さＬア、Ｉ−ｗ・を有する窓領域２２．．２２’が配設
され、共振器端面２３，２３’よりレーザビーム２４．
２４’が放射されるＯレーザ発振動作領域２１はレーザ
発振領域端面２５，２５’でその長さが限定されている
。レーザ光はその伝播波面２６が図示の如くとなる。
第３図（Ａ）（Ｂ）は第２図に於けるｘ−ｘ、及びＹ−
Ｙ断面図である。即ち第３図（Ａ）はレーザ発振動作領
域２１の断面図であり、第３図（Ｂ）は窓領域２２゜２
２′の断面図である。
Ｙ断面図である。即ち第３図（Ａ）はレーザ発振動作領
域２１の断面図であり、第３図（Ｂ）は窓領域２２゜２
２′の断面図である。
ｐ−ＧａＡｓ基板３１上に電流を遮断するためのｎ−Ｇ
ａＡｓｔ流ブロッキング層３２が堆積され、電流ブロッ
キング層３２とＧａＡｓ基板３１にはるドライブ状の溝
が加工されている。この上にｐ −ＧａＡＩＡｓクラッ
ド層３３ 、ＧａＡｓ又はＧａＡｌＡｓ活性層３４ 、
ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層３５．ｎ−ＧａＡ’ｓキ
ャップ層３６が順次積層されている。
ａＡｓｔ流ブロッキング層３２が堆積され、電流ブロッ
キング層３２とＧａＡｓ基板３１にはるドライブ状の溝
が加工されている。この上にｐ −ＧａＡＩＡｓクラッ
ド層３３ 、ＧａＡｓ又はＧａＡｌＡｓ活性層３４ 、
ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層３５．ｎ−ＧａＡ’ｓキ
ャップ層３６が順次積層されている。
第３図（Ａ）の構造はいわゆる活性層湾曲型ＶＳＩＳレ
ーザ、第３図（Ｂ）は同じく活性層平坦型ＶＳＩＳレー
ザである。ＶＳ Ｉ Ｓ （Ｖ−ｃｈａｎｎｅｌｅｄ
５ｕｂｓｔｒａｔｅＩｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ ）レー
ザについては電気通信学会技術報告（ＥＤ−８１−４２
、１９８１年、Ｐ、３１）等に詳述されているが、基板
に溝加工して電流通路を形成した光及びキャリア閉じ込
め構造を有する内部ストライプ型レーザである。即ち、
レーザ発振のための電流はｎ−ＧａＡｓ層３２によって
阻止され、それぞれ幅Ｗｃ１．Ｗｃ２のチャネル部のみ
に流れる。
ーザ、第３図（Ｂ）は同じく活性層平坦型ＶＳＩＳレー
ザである。ＶＳ Ｉ Ｓ （Ｖ−ｃｈａｎｎｅｌｅｄ
５ｕｂｓｔｒａｔｅＩｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ ）レー
ザについては電気通信学会技術報告（ＥＤ−８１−４２
、１９８１年、Ｐ、３１）等に詳述されているが、基板
に溝加工して電流通路を形成した光及びキャリア閉じ込
め構造を有する内部ストライプ型レーザである。即ち、
レーザ発振のための電流はｎ−ＧａＡｓ層３２によって
阻止され、それぞれ幅Ｗｃ１．Ｗｃ２のチャネル部のみ
に流れる。
これらのチャネル幅はＷｃｌ＞Ｗｃ２となるように形成
されており、同一成長条件で前者では活性層を湾曲させ
、後者では活性層を平坦にすることができる。活性層か
湾曲すると、屈折率光導波路が形成され、その幅Ｗ ｇ
１はチャネル幅Ｗ。よりも狭くなる。また活性層３４
か平坦な場合は、チャネル両端でのｎ−ＧａＡｓ層３２
への光吸収によ、り実効屈折率か下がる原理を利用した
光導波路が形成され、その幅Ｗｇ２はチャネル幅Ｗｃ２
にほぼ等しい。
されており、同一成長条件で前者では活性層を湾曲させ
、後者では活性層を平坦にすることができる。活性層か
湾曲すると、屈折率光導波路が形成され、その幅Ｗ ｇ
１はチャネル幅Ｗ。よりも狭くなる。また活性層３４
か平坦な場合は、チャネル両端でのｎ−ＧａＡｓ層３２
への光吸収によ、り実効屈折率か下がる原理を利用した
光導波路が形成され、その幅Ｗｇ２はチャネル幅Ｗｃ２
にほぼ等しい。
本発明を創出するに到った重要な事象は、同一成長条件
でそれぞれ活性層湾曲型ＶＳＩＳレーザと活性層平坦型
ＶＳＩＳレーザを個別に作製した場合、常に前者の方が
１００〜２００Ａだけ長波長で発振するということ、即
ち２１〜４２ｍｅＶだけバンドギャップか狭くなるとい
うことである。さらに、活性層を湾曲させると発振閾値
電流は小さくなるが横モードか不安定になり易く、活性
層を平坦にすると発振閾値電流はやや増大するが、横モ
ードが非常に安定になるという性質がある。従って、こ
れ、ら２種類の活性層をもつ光導波路を同時に形成すれ
ば、レーザ発振は湾曲部分で起り、平坦部では単にレー
ザ光が通過するだけとなる。従って、両端面近傍に活性
層平坦部が位置するように配置すれば、発振閾値電流１
ｔｈは小さくできるし、横モードも安定化させることが
できる。しかも、端面劣化の少ないあるいは端面破壊耐
用出力Ｐｍａｘの大きい半導体レーザを作製することが
できる。換言すれば、上述した２種類のＶＳＩＳレーザ
の利点のみを利用し、欠点を補ない合うことができ、し
かも態形レーザを容易に製作することかできる０以下、
本発明の製造方法の一実施例について説明する。
でそれぞれ活性層湾曲型ＶＳＩＳレーザと活性層平坦型
ＶＳＩＳレーザを個別に作製した場合、常に前者の方が
１００〜２００Ａだけ長波長で発振するということ、即
ち２１〜４２ｍｅＶだけバンドギャップか狭くなるとい
うことである。さらに、活性層を湾曲させると発振閾値
電流は小さくなるが横モードか不安定になり易く、活性
層を平坦にすると発振閾値電流はやや増大するが、横モ
ードが非常に安定になるという性質がある。従って、こ
れ、ら２種類の活性層をもつ光導波路を同時に形成すれ
ば、レーザ発振は湾曲部分で起り、平坦部では単にレー
ザ光が通過するだけとなる。従って、両端面近傍に活性
層平坦部が位置するように配置すれば、発振閾値電流１
ｔｈは小さくできるし、横モードも安定化させることが
できる。しかも、端面劣化の少ないあるいは端面破壊耐
用出力Ｐｍａｘの大きい半導体レーザを作製することが
できる。換言すれば、上述した２種類のＶＳＩＳレーザ
の利点のみを利用し、欠点を補ない合うことができ、し
かも態形レーザを容易に製作することかできる０以下、
本発明の製造方法の一実施例について説明する。
第４図（Ａ）ＣＢ）（Ｃ）（Ｄ）は製造方法の一実施例
を説明する製造工程図である。
を説明する製造工程図である。
まず、ｐ型ＧａＡｓ基板（Ｚｎドープ、 １Ｘ Ｉ ０
１９ｍ ３）４１にｎ型ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ、 ６
Ｘ Ｉ ０１８ｃｍ−３）４２を約０６μｍの厚さに
液相エピタキシャル成長させる。その後、ｎ型ＧａＡｓ
層４２表面に第４図（Ａ）で示す様な幅か変化するスト
ライプ状の・ぐターンを従来のホトリソグラフィ技術に
より形成する。
１９ｍ ３）４１にｎ型ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ、 ６
Ｘ Ｉ ０１８ｃｍ−３）４２を約０６μｍの厚さに
液相エピタキシャル成長させる。その後、ｎ型ＧａＡｓ
層４２表面に第４図（Ａ）で示す様な幅か変化するスト
ライプ状の・ぐターンを従来のホトリソグラフィ技術に
より形成する。
使用したレジストはンソプレイ社のＡＺ＋３５０であり
、各部の寸法か、Ｌ１＝＋５０μｍ、Ｌ２＝ＩＯ０７ｚ
ｍ。
、各部の寸法か、Ｌ１＝＋５０μｍ、Ｌ２＝ＩＯ０７ｚ
ｍ。
Ｗｃ１＝６１ｔｍ 、 ＷＣ２＝３７ｚｍの窓が形成さ
れる。この窓を通して硫酸系工・ノチング液でＧａＡｓ
層４２をエツチングする。苗、Ｚｌ −Ｚｌ 、ｚ２−
ｚ２方方向面形状をそれぞれ第４図（Ｂ）（Ｃ）に示す
。
れる。この窓を通して硫酸系工・ノチング液でＧａＡｓ
層４２をエツチングする。苗、Ｚｌ −Ｚｌ 、ｚ２−
ｚ２方方向面形状をそれぞれ第４図（Ｂ）（Ｃ）に示す
。
その後、再び液相エヒリキシャル技術により、第３図で
示すようなｐ−Ｇａｏ、ｒ、 ＡＩｏ、５ Ａｓ クラ
・ノド層３３ 、 ｐ−Ｇａ（１，Ｂ５Ａｌ０．１５Ａ
Ｓ活性層３４．ｎ−Ｇａ０．５ ＡＩｏ、５ Ａｓクラ
ッ ド層３４ 、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３６をそれぞ
れ平坦部で０．１５μｍ、０．１μｍ。
示すようなｐ−Ｇａｏ、ｒ、 ＡＩｏ、５ Ａｓ クラ
・ノド層３３ 、 ｐ−Ｇａ（１，Ｂ５Ａｌ０．１５Ａ
Ｓ活性層３４．ｎ−Ｇａ０．５ ＡＩｏ、５ Ａｓクラ
ッ ド層３４ 、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３６をそれぞ
れ平坦部で０．１５μｍ、０．１μｍ。
１０μｍ、２μｍ成長させた。ただし、活性層湾曲部の
中央での活性層厚は０．２７ｚｒｎとなった。基板裏面
をラッピングすることによりワエ・・−の厚さを約１０
０／ｚｍとした後、ｎ−ＧａＡｓキャ’７プ層３６層面
６表面 ｕ −Ｇ ｅ −Ｎ ｉを、又ｐ−ＧａＡｓ基
板３１裏面にはＡ１１−Ｚｎを蒸着し、４５０℃に加熱
して合金化することにより電極層とする。次にｐ−Ｇａ
Ａｓ基板３１の裏面にＡＩを蒸着した後、内部のチャネ
ルのピッチに合致したパターンを形成して第４図（ｒ）
）の如くとする。その後、長さ■、１をもつ窓領域の中
央で襞間し、共振器を形成する。従って、窓領域は素子
の両端で各々５０μｍの長さを有することになる。この
態形レーザはＩｔｈ＝３０ｍＡでレーザ発振し、その時
の波長は７８００Ａであった。
中央での活性層厚は０．２７ｚｒｎとなった。基板裏面
をラッピングすることによりワエ・・−の厚さを約１０
０／ｚｍとした後、ｎ−ＧａＡｓキャ’７プ層３６層面
６表面 ｕ −Ｇ ｅ −Ｎ ｉを、又ｐ−ＧａＡｓ基
板３１裏面にはＡ１１−Ｚｎを蒸着し、４５０℃に加熱
して合金化することにより電極層とする。次にｐ−Ｇａ
Ａｓ基板３１の裏面にＡＩを蒸着した後、内部のチャネ
ルのピッチに合致したパターンを形成して第４図（ｒ）
）の如くとする。その後、長さ■、１をもつ窓領域の中
央で襞間し、共振器を形成する。従って、窓領域は素子
の両端で各々５０μｍの長さを有することになる。この
態形レーザはＩｔｈ＝３０ｍＡでレーザ発振し、その時
の波長は７８００Ａであった。
また端面破壊出力Ｐｍａｘは約１００ｍ■′でち、った
。
。
しかも、１００ｍＷまで安定な横基本モードで発振した
。次に、活性層の湾曲したレーザ発振領域で襞間し、共
振器とした所、高次横モードで発振し、約１０ｍＷで端
面破壊した。従って、本発明の態形レーザによって、Ｐ
ｍａＸは約１０倍に向上したことになる。
。次に、活性層の湾曲したレーザ発振領域で襞間し、共
振器とした所、高次横モードで発振し、約１０ｍＷで端
面破壊した。従って、本発明の態形レーザによって、Ｐ
ｍａＸは約１０倍に向上したことになる。
更に、端面をＡｌ２Ｏ３でコートした所、Ｐｍａｘは約
２００ｍＷに向上した。
２００ｍＷに向上した。
また、発振波長８３００Ａの態形レーザを製作した所、
端面コートなしでＰｍａｘ＝２００ｍＷ、端面コート付
でＰｍａｘ二４００ｍＷであった。
端面コートなしでＰｍａｘ＝２００ｍＷ、端面コート付
でＰｍａｘ二４００ｍＷであった。
上記７８００Ａ及び８３．０ＯＡの発振波長をもつ態形
レーザを出力３０ｍＷ、５０℃で連続動作させた所、現
在２５００時間でいずれも無劣化である。
レーザを出力３０ｍＷ、５０℃で連続動作させた所、現
在２５００時間でいずれも無劣化である。
本発明の半導体レーザは上記実施例で述べたＧ ａ Ａ
Ｉ Ａ Ｓ系だけでなく、１１Ｐ−１ｎＧａＡｓＰ系
その他すべてのへテロ接合レーザに適用できることは明
らかである。
Ｉ Ａ Ｓ系だけでなく、１１Ｐ−１ｎＧａＡｓＰ系
その他すべてのへテロ接合レーザに適用できることは明
らかである。
第１図は従来の態形レーザに於ける光の伝播を説明する
平面図である。 第２１に３Ｘ発明の一実施例を示す態形レーザの光伝播
を説明する平面図である。 第３図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ第２図のｘ−ｘ、ｙ−ｙ
断面図である。 第４図（Ａ）（Ｂ）（ｃ）（Ｄ）は本発明の製造方法の
一実施例を説明する製作工程図である。 ２１ レーザ発振動作領域、２２．２２’ 窓領域、
２３ 、２３’・・共振器端面、２５．２５’・・・レ
ーザ発振領域端面、３１−＝ ｐ−ＧａＡｓ基板、３２
−ｎ−ＧａＡｓ電流ブロンキング層、３３・・ｐ−クラ
ッド層、３４・活性層、３５・・ｎ−クラッド層、３６
・・ｎ−キャップ層
平面図である。 第２１に３Ｘ発明の一実施例を示す態形レーザの光伝播
を説明する平面図である。 第３図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ第２図のｘ−ｘ、ｙ−ｙ
断面図である。 第４図（Ａ）（Ｂ）（ｃ）（Ｄ）は本発明の製造方法の
一実施例を説明する製作工程図である。 ２１ レーザ発振動作領域、２２．２２’ 窓領域、
２３ 、２３’・・共振器端面、２５．２５’・・・レ
ーザ発振領域端面、３１−＝ ｐ−ＧａＡｓ基板、３２
−ｎ−ＧａＡｓ電流ブロンキング層、３３・・ｐ−クラ
ッド層、３４・活性層、３５・・ｎ−クラッド層、３６
・・ｎ−キャップ層
Claims (1)
- １ 基板上に形成したストライプ状溝に対応して湾曲し
た活性層を有するレーザ発振領域と共振端近例に光導波
路として働く平坦な活性層を有するレーザ光の窓領域と
を形成したことを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163682A JPS58207691A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体レ−ザ素子 |
| US06/476,844 US4546481A (en) | 1982-05-28 | 1983-03-18 | Window structure semiconductor laser |
| DE8383301600T DE3376936D1 (en) | 1982-05-28 | 1983-03-22 | Semiconductor laser |
| EP83301600A EP0095826B1 (en) | 1982-05-28 | 1983-03-22 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163682A JPS58207691A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207691A true JPS58207691A (ja) | 1983-12-03 |
| JPS6139758B2 JPS6139758B2 (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=14032014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9163682A Granted JPS58207691A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207691A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175288A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザー装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197787A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-17 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP9163682A patent/JPS58207691A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197787A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-17 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175288A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザー装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6139758B2 (ja) | 1986-09-05 |
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