JPS605553A - Ｃｍｏｓ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｃｍｏｓ型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS605553A JPS605553A JP58112941A JP11294183A JPS605553A JP S605553 A JPS605553 A JP S605553A JP 58112941 A JP58112941 A JP 58112941A JP 11294183 A JP11294183 A JP 11294183A JP S605553 A JPS605553 A JP S605553A
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- JP
- Japan
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- impurity
- inert gas
- well
- type semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、簡便な方法でラッチアップ現象の発生を抑
制することができ、なおかつ従来の素子特性を劣化させ
ないＣＭＯ８型半導体装置の製造方法に関する。
制することができ、なおかつ従来の素子特性を劣化させ
ないＣＭＯ８型半導体装置の製造方法に関する。
（従来技術）
従来のＣＭＯ８型半導体装置は、まず第１図（ａ）に示
すように、不純物を含んだシリコン単結晶基板１を熱酸
化して厚い酸化膜２を形成し、通常のホトリングラフ技
術、エツチング技術を用いて、第１図（ｂ）のように、
厚い酸化膜２の一部を除去する１、 次に、再び熱酸化して、第１図（Ｃ）に示すように、薄
い酸化膜３を形成した後に、イオン注入方法によシ、リ
ン、ボロンなどの不純物は薄い酸化膜３を透過するが、
厚い酸化膜２は透過しないような加速エネルギで導入す
る。
すように、不純物を含んだシリコン単結晶基板１を熱酸
化して厚い酸化膜２を形成し、通常のホトリングラフ技
術、エツチング技術を用いて、第１図（ｂ）のように、
厚い酸化膜２の一部を除去する１、 次に、再び熱酸化して、第１図（Ｃ）に示すように、薄
い酸化膜３を形成した後に、イオン注入方法によシ、リ
ン、ボロンなどの不純物は薄い酸化膜３を透過するが、
厚い酸化膜２は透過しないような加速エネルギで導入す
る。
次に、１０００℃以上の高温の不活性ガス中で熱処理し
て、第１図（ｄ）のように、ウェル４を形成する。以後
、公知のＭＯ８型半導体装置製造方法で製造される。
て、第１図（ｄ）のように、ウェル４を形成する。以後
、公知のＭＯ８型半導体装置製造方法で製造される。
しかし、このような製造方法では、ウェル４内の不純物
献度分布が、表面付近で高濃度であシ、深部はど濃度が
低くなる。第２図の特性ａはこの状態を示したものであ
る。このような濃度分布のために、従来のＣＭＯ８型半
導体装置はラッチアップを起こしやすいという欠点があ
る。
献度分布が、表面付近で高濃度であシ、深部はど濃度が
低くなる。第２図の特性ａはこの状態を示したものであ
る。このような濃度分布のために、従来のＣＭＯ８型半
導体装置はラッチアップを起こしやすいという欠点があ
る。
（発明の目的）
この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、ラッチアップの起９にくいＣＭＯ８型半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
もので、ラッチアップの起９にくいＣＭＯ８型半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
（発明の構成）
この発明のＣＭＯ８型半導体装置の製造方法は、シリコ
ン単結晶基板を熱酸化して薄いシリコン酸化膜を形成し
、シリコン単結晶基板の所定の領域に不純物を導入した
後、この薄い酸化膜を除去し、高温不活性ガス中で熱処
理して不純物の一部を不活性ガス中に外方向拡散を行い
、かつ残シの不純物をシリコン単結晶基板に拡散させる
ようにしたものである。
ン単結晶基板を熱酸化して薄いシリコン酸化膜を形成し
、シリコン単結晶基板の所定の領域に不純物を導入した
後、この薄い酸化膜を除去し、高温不活性ガス中で熱処
理して不純物の一部を不活性ガス中に外方向拡散を行い
、かつ残シの不純物をシリコン単結晶基板に拡散させる
ようにしたものである。
（実施例）
以下、この発明のＣＭＯ８型半導体装置の製造方法の実
施例について図面に基づき説明する。第１図（ａ）およ
び第１図（ｂ）までの製造工程は上述の従来の場合と同
様であシ、重複を避けるため、説明を省略する。
施例について図面に基づき説明する。第１図（ａ）およ
び第１図（ｂ）までの製造工程は上述の従来の場合と同
様であシ、重複を避けるため、説明を省略する。
次に、第１図（ｅ）における工程で、イオン注入される
不純物の量を従来方法よシも、１０〜５０％多くする。
不純物の量を従来方法よシも、１０〜５０％多くする。
そして、薄い酸化膜３を除去した後に高温の不活性ガス
中で熱処理して、第１図（ｅ）から第１図（ｅ）に示す
工程に移行し、ウェル４を形成する。
中で熱処理して、第１図（ｅ）から第１図（ｅ）に示す
工程に移行し、ウェル４を形成する。
このように、薄い酸化膜３がなく、シリコン単結晶基板
ｌの露出した状態で高温処理を行なうと、イオン注入さ
れた表面付近の不純物の一部が不活性ガス中へ外向拡散
する。したがって、ウェル４内の不純物濃度濃度分布が
、従来方法に比較して、表面と深部の濃度勾配が小さく
でき、同じ表面濃度に対するウェル４の平均濃度を菌く
することが可能となるので、従来のラッチアップの起こ
り易いという欠点が改善される。
ｌの露出した状態で高温処理を行なうと、イオン注入さ
れた表面付近の不純物の一部が不活性ガス中へ外向拡散
する。したがって、ウェル４内の不純物濃度濃度分布が
、従来方法に比較して、表面と深部の濃度勾配が小さく
でき、同じ表面濃度に対するウェル４の平均濃度を菌く
することが可能となるので、従来のラッチアップの起こ
り易いという欠点が改善される。
この実施例によるウェルの濃度分布の改善例を第２図の
特性すで示す。横軸がウェルの拡散深さ、縦軸がイオン
注入などにより導入された不純物の濃度であシ、この実
施例によって濃度分布が改善されていることがわかる。
特性すで示す。横軸がウェルの拡散深さ、縦軸がイオン
注入などにより導入された不純物の濃度であシ、この実
施例によって濃度分布が改善されていることがわかる。
また、この実施例は、簡便であシ、かつ従来の素子特性
を殆んど劣化させることなく実現できるという利点があ
る。
を殆んど劣化させることなく実現できるという利点があ
る。
（発明の効果）
以上のように、この発明のＣＭＯ８型半導体装置の製造
方法によれば、シリコン単結晶基板上に薄い酸化膜を形
成した後、不純物を注入し、この不純物注入後薄い酸化
膜を除去するとともに高温の不活性ガス中で処理して不
純物の一部を外向拡散させ、残ｊｌｒシリコン単結晶基
板中に拡散させるようにしたので、簡便な方法でラッチ
アップ現象を抑制でき、Ｐウェル型、Ｎウェル型に関わ
らず、ＣＭＯ８型半導体装置全般に応用することができ
る。
方法によれば、シリコン単結晶基板上に薄い酸化膜を形
成した後、不純物を注入し、この不純物注入後薄い酸化
膜を除去するとともに高温の不活性ガス中で処理して不
純物の一部を外向拡散させ、残ｊｌｒシリコン単結晶基
板中に拡散させるようにしたので、簡便な方法でラッチ
アップ現象を抑制でき、Ｐウェル型、Ｎウェル型に関わ
らず、ＣＭＯ８型半導体装置全般に応用することができ
る。
第１図（Ｊｌ＞ないし第１図（ｅ）はそれぞれ従来およ
びこの発明のＣＭＯ８型半導体装置の製造方法の工程説
明図、第２図は従来およびこの発明のＣＭＯ８型半導体
装置の製造方法におけるウェル内不純物分布の特性を示
す図である。 １・・・シリコン単結晶基板、２・・・厚い酸化膜、３
・・・薄い酸化膜、４・・・ウェル。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 ウニ几のキ広散ミ軍さ ［ｌＪｍ］
びこの発明のＣＭＯ８型半導体装置の製造方法の工程説
明図、第２図は従来およびこの発明のＣＭＯ８型半導体
装置の製造方法におけるウェル内不純物分布の特性を示
す図である。 １・・・シリコン単結晶基板、２・・・厚い酸化膜、３
・・・薄い酸化膜、４・・・ウェル。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 ウニ几のキ広散ミ軍さ ［ｌＪｍ］
Claims (1)
- シリコン単結晶基板上に薄いシリコン酸化Ｍを形成する
工程と、前記シリコン単結晶基板の所定の領域に不純物
を導入する工程と、この不純物の導入後前記薄いシリコ
ン酸化膜を除去する工程と、高温の不活性ガス中で熱処
理して前記不純物の一部を前記不活性ガス中に外向拡散
させ、かつ残シの不純物を前記シリコン単結晶基板に拡
散させる工程からなるＣＭＯ８型半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112941A JPS605553A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | Ｃｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112941A JPS605553A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | Ｃｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605553A true JPS605553A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14599331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112941A Pending JPS605553A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | Ｃｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605553A (ja) |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58112941A patent/JPS605553A/ja active Pending
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