JPS6053915B2 - 図形入力装置 - Google Patents
図形入力装置Info
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- JPS6053915B2 JPS6053915B2 JP54056923A JP5692379A JPS6053915B2 JP S6053915 B2 JPS6053915 B2 JP S6053915B2 JP 54056923 A JP54056923 A JP 54056923A JP 5692379 A JP5692379 A JP 5692379A JP S6053915 B2 JPS6053915 B2 JP S6053915B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は図形情報を走査し、光電変換する図形入力装
置の特に高品質画像を得る方式に関する。
置の特に高品質画像を得る方式に関する。
従来図形入力装置は、その走査密度は装置が必要とす
る画素密度に等しい値にとられ、光電変換された１画素
分の信号はそのまま１画素の情報として使用されてきた
。一例をあげると一直線状に多数の受光素子をならべそ
れらと各素子の出力を順次時間的に直列にとり出すため
の走査回路とを集積した自己走査形受光素子アレイ（以
下センサ）による主走査と図形が描かれた原稿紙を主走
査と直角な方向に移送することによる副走査によりラス
タ走査を行う図形入力装置において主走査有効幅を２０
０ｍＥとし、必要な主走査方向の画素の密度を５画素／
ＴＩｇＲとするとセンサの素子の数を１０００とし紙
面上におけるセンサの素子の密度を５素子／□となるよ
う光学系を用いて紙面上の図形をセンサ上に投影するよ
うにしていた。第１図は白色地をもつ紙面上の灰色細線
図形（線巾は１画素の大きさと等しく、かつその反射率
を３０％とする）が、センサ上に投影された場合の各画
素の光電変換出力信号のレベルを示す図である。 第１
図イはセンサ上に投影された図形であり細線１−１、１
−２、１−３がある。
る画素密度に等しい値にとられ、光電変換された１画素
分の信号はそのまま１画素の情報として使用されてきた
。一例をあげると一直線状に多数の受光素子をならべそ
れらと各素子の出力を順次時間的に直列にとり出すため
の走査回路とを集積した自己走査形受光素子アレイ（以
下センサ）による主走査と図形が描かれた原稿紙を主走
査と直角な方向に移送することによる副走査によりラス
タ走査を行う図形入力装置において主走査有効幅を２０
０ｍＥとし、必要な主走査方向の画素の密度を５画素／
ＴＩｇＲとするとセンサの素子の数を１０００とし紙
面上におけるセンサの素子の密度を５素子／□となるよ
う光学系を用いて紙面上の図形をセンサ上に投影するよ
うにしていた。第１図は白色地をもつ紙面上の灰色細線
図形（線巾は１画素の大きさと等しく、かつその反射率
を３０％とする）が、センサ上に投影された場合の各画
素の光電変換出力信号のレベルを示す図である。 第１
図イはセンサ上に投影された図形であり細線１−１、１
−２、１−３がある。
口はセンサの素子分割を示しよつて細線１−１は素子の
位置にちようど対応し、１−２は１１２ピッチずれ１−
３は１ハピツチずれていることを示す。ハはセンサの素
子毎の出力をあられし図形白地部分の出力レベルを１０
０とし、図形黒の部分の出力レベルを０とするが、本図
の場合細線１はその反射率が３０％の灰色であるから、
細線１−１に対応する出力レベル２−１はレベル３０と
なる。細線１−２はセンサの素子に対して１１２しか影
響しないので、それによるセンサの出力レベル２−２は
レベル６５となり、同じくく細線１−３はセンサの素子
に対して１１４または３１４しか影響を与えないので、
それによるセンサの出力レベル２−３−１と２−３一２
は各々レベル８２．５とレベル４７．５となる。ここで
センサの出力を白黒２値化する場合について考える。図
形の反射率５０％以上を白とし５０％以下を黒とするよ
うに第１図ハで示すセンサの出力を閾値レベル５０とし
て２値化すると上記各細線の出力レベルより明らかなよ
うに細線１−１および１−３に対するセンサ素子の出力
は黒と判定され細線１−２に対するセンサ素子の出力は
白と判定され２値化された出力には細線１−２が失なわ
れてしまうという欠点がある。さらにセンサの出力のレ
ベルを情報として用いる場合には細線１−１，１−２，
１−３の各出力レベルはその最小値をとつても３０，６
５，４７．５となつてしまい実際の細線のレベルである
３０が正しく出力されるのは細線１−１に対してのみで
ある−という欠点がある。
位置にちようど対応し、１−２は１１２ピッチずれ１−
３は１ハピツチずれていることを示す。ハはセンサの素
子毎の出力をあられし図形白地部分の出力レベルを１０
０とし、図形黒の部分の出力レベルを０とするが、本図
の場合細線１はその反射率が３０％の灰色であるから、
細線１−１に対応する出力レベル２−１はレベル３０と
なる。細線１−２はセンサの素子に対して１１２しか影
響しないので、それによるセンサの出力レベル２−２は
レベル６５となり、同じくく細線１−３はセンサの素子
に対して１１４または３１４しか影響を与えないので、
それによるセンサの出力レベル２−３−１と２−３一２
は各々レベル８２．５とレベル４７．５となる。ここで
センサの出力を白黒２値化する場合について考える。図
形の反射率５０％以上を白とし５０％以下を黒とするよ
うに第１図ハで示すセンサの出力を閾値レベル５０とし
て２値化すると上記各細線の出力レベルより明らかなよ
うに細線１−１および１−３に対するセンサ素子の出力
は黒と判定され細線１−２に対するセンサ素子の出力は
白と判定され２値化された出力には細線１−２が失なわ
れてしまうという欠点がある。さらにセンサの出力のレ
ベルを情報として用いる場合には細線１−１，１−２，
１−３の各出力レベルはその最小値をとつても３０，６
５，４７．５となつてしまい実際の細線のレベルである
３０が正しく出力されるのは細線１−１に対してのみで
ある−という欠点がある。
本発明はこれらの欠点を除去すべくなされたものでセン
サ出力レベルを２値化した場合も又、出力レベルを情報
として用いる場合も正しく信号が得られるようにしたも
のである。
サ出力レベルを２値化した場合も又、出力レベルを情報
として用いる場合も正しく信号が得られるようにしたも
のである。
第２図は本発明の一実施例を説明するための図である。
第２図イはセンサ上に投影された図形であり第１図イと
同じものである。第２図二は図形入力折装置が必要とす
る画素の分割を示す。ホは二に示す各画素に２素子づつ
対応されたセンサのこ素子の分割を示す。本例では第１
図従来装置の例の場合よりセンサの素子密度が２倍にな
つた場合を示す。
同じものである。第２図二は図形入力折装置が必要とす
る画素の分割を示す。ホは二に示す各画素に２素子づつ
対応されたセンサのこ素子の分割を示す。本例では第１
図従来装置の例の場合よりセンサの素子密度が２倍にな
つた場合を示す。
第２図へはセンサの各素子の出力レベルをあられす。第
２図イ，二より明らかなように入力図形の細線幅が１画
素と等しいので、同図ホに示すようにその２倍の密度で
配置されたセンサのどれかの素子（例えば同図ホのＡ，
ｂ，ｃ，ｄ及びｆ）は、必ずその素子全体に細線部分が
投影される。なお、センサのＥ，ｇは細線１−３の１１
４が投影され、言い換えればセンサ素子の１１２の影響
を受ける。その結果センサは第２図への出力レベルを得
る。よつてその素子の出力レベルは細線の反射率に正し
く一致しこの場合はレベル３０となる。但し、センサの
素子の出力をそのまま用いたのでは必要とする分解能の
倍に相当する画素信号が出力されてしまうので第２図二
に示す画素の分割単位に含まれる２つのセンサの素子の
よりレベルノの低い方の値をその画素の出力信号として
あつかう。
２図イ，二より明らかなように入力図形の細線幅が１画
素と等しいので、同図ホに示すようにその２倍の密度で
配置されたセンサのどれかの素子（例えば同図ホのＡ，
ｂ，ｃ，ｄ及びｆ）は、必ずその素子全体に細線部分が
投影される。なお、センサのＥ，ｇは細線１−３の１１
４が投影され、言い換えればセンサ素子の１１２の影響
を受ける。その結果センサは第２図への出力レベルを得
る。よつてその素子の出力レベルは細線の反射率に正し
く一致しこの場合はレベル３０となる。但し、センサの
素子の出力をそのまま用いたのでは必要とする分解能の
倍に相当する画素信号が出力されてしまうので第２図二
に示す画素の分割単位に含まれる２つのセンサの素子の
よりレベルノの低い方の値をその画素の出力信号として
あつかう。
そのようにした出力レベルを第２図卜に示す。細線１−
１は第２図ホのセンサ素子Ａ，ｂに投影されその各々の
出力レベルは分割された画素Ａの出力（卜の３−１）と
なる。細線１−２はセンサＣ，ｄに投影され、ｃの出力
は画素Ｂに含まれその出力レベルを３０とし、ｄの出力
は画素Ｃに含まれその出力レベルを３０として卜の３−
２を出力する。細線１−３はセンサＥ，ｆ，ｇに投影さ
れ、ｅの出力は画素Ｄに含まれその出力レベルを６５と
し（卜の３−３−１）、ｆ及びｇの出力は画素Ｅに含ま
れよりレベルの低いｇのレベル３０として卜の３−３を
出力する。ここで２つのセンサの素子のよりレベルの低
い方の値を用いるのは本例では入力される図形が白地に
黒い方向のレベルの細線が描かれている場合を想定して
いるからであり逆に黒地に白い方向のレベルの細線が描
かれている場合は２つのセンサの素子のよりレベルの高
い方の値をその画素の出力信号としてあつかえば良い。
第２図卜より明らかなように細線１−１，１−２，１−
３に各々対応する画素の出力レベル３−１，３−２，３
−３は全てレベル３０となり、レベル５０を閾値として
白黒２値に量子化した場合は、どの細線も失なわれるこ
となく、また出力レベルを情報として用いる場合もどの
細線に対応した出力レベルも３０であるから入力された
実際の細線レベルに極めて近づいている。
１は第２図ホのセンサ素子Ａ，ｂに投影されその各々の
出力レベルは分割された画素Ａの出力（卜の３−１）と
なる。細線１−２はセンサＣ，ｄに投影され、ｃの出力
は画素Ｂに含まれその出力レベルを３０とし、ｄの出力
は画素Ｃに含まれその出力レベルを３０として卜の３−
２を出力する。細線１−３はセンサＥ，ｆ，ｇに投影さ
れ、ｅの出力は画素Ｄに含まれその出力レベルを６５と
し（卜の３−３−１）、ｆ及びｇの出力は画素Ｅに含ま
れよりレベルの低いｇのレベル３０として卜の３−３を
出力する。ここで２つのセンサの素子のよりレベルの低
い方の値を用いるのは本例では入力される図形が白地に
黒い方向のレベルの細線が描かれている場合を想定して
いるからであり逆に黒地に白い方向のレベルの細線が描
かれている場合は２つのセンサの素子のよりレベルの高
い方の値をその画素の出力信号としてあつかえば良い。
第２図卜より明らかなように細線１−１，１−２，１−
３に各々対応する画素の出力レベル３−１，３−２，３
−３は全てレベル３０となり、レベル５０を閾値として
白黒２値に量子化した場合は、どの細線も失なわれるこ
となく、また出力レベルを情報として用いる場合もどの
細線に対応した出力レベルも３０であるから入力された
実際の細線レベルに極めて近づいている。
画素の分割単位に含まれるセンサの数を４つにした場合
を考えれば実際の細線レベルに正しく一致することがわ
かる。第３図は本発明の一実施例のブロック図であり、
図形の描かれた紙面１０１を線状の照明手段１０２によ
り照明し反射光をレンズ１０３により１次元の自己走査
形受光素子アレイ（センサ）１０４に投影結像させる。
を考えれば実際の細線レベルに正しく一致することがわ
かる。第３図は本発明の一実施例のブロック図であり、
図形の描かれた紙面１０１を線状の照明手段１０２によ
り照明し反射光をレンズ１０３により１次元の自己走査
形受光素子アレイ（センサ）１０４に投影結像させる。
レンズ１０３による光学系の縮尺率はセンサ１０４の素
子が紙面１０１上において本装置に必要な分解能をもつ
画素の１つの単位に２素子相当になるよう定められてい
る。センサ１０４はセンサ１０４に内蔵されている走査
回路によりセンサ１０４の各素子の出力が時間的に直列
に順次出力され増幅器１０５により所定のレベルまで増
幅され演算回路１０６に入力される。演算回路１０６は
、１つの画素に対応する２つのセンサ１０４の素子の出
力のより小さな方法を１つの画素に相当する時間出力す
るものである。よつて、出力端子１０７には第２図卜に
示すレベル波形に相当する出力が得られる。
子が紙面１０１上において本装置に必要な分解能をもつ
画素の１つの単位に２素子相当になるよう定められてい
る。センサ１０４はセンサ１０４に内蔵されている走査
回路によりセンサ１０４の各素子の出力が時間的に直列
に順次出力され増幅器１０５により所定のレベルまで増
幅され演算回路１０６に入力される。演算回路１０６は
、１つの画素に対応する２つのセンサ１０４の素子の出
力のより小さな方法を１つの画素に相当する時間出力す
るものである。よつて、出力端子１０７には第２図卜に
示すレベル波形に相当する出力が得られる。
紙面１０１はセンサ１０４による主走査と紙送り機構１
０８による副走査によりラスター走査され、紙面上の図
形が走査光電変換される。第４図は第３図に示す演算回
路１０６の一実施例の回路図てある。入力端子２０１よ
り入力されたセンサ１０４の各素子の走査出力は、セン
サ１０４の各素子の出力信号に同期したパルス２０２に
より入力信号をラッチするサンプルアンドホールド２０
３に接続され、その出力はダイオード２０４に入力され
る。また入力端子２０１からダイオード２０５も接続さ
れ各ダイオード２０４，２０５の各アノード側は共通に
接続点２０６で接続される。接続点２０６にはバイアス
電源２０７から抵抗２０８を通して正の電圧がかけられ
ている。接続点２０６の電圧はバッファアンプ２０９を
通りパルス２０２より倍の周期をもつパルス２１０によ
り入力信号をラッチするサンプルアンドホールド２１１
に入力される。サンプルアンドホールド２１１の出力が
第３図出力端子１０７となつている。第５図は第４図の
回路の動作を説明するためのタイムチャートである。入
力端子２０１に波形チ（第５図）が入力されているとす
る。波形チはセンサ１０４の各素子の出力を走査したも
のである。パルス２０２は波形りであり上方のレベルに
あるときサンプルアンドホールド２０３はサンプルされ
る。波形チとりの時間関係は第５図に示すようになつて
いる。よつてサンプルアンドホールド２０３の出力波形
は波形ヌのようになり、波形チよりほぼパルス２０２の
周期だけ遅延されている。パルス２０２は波形チが変化
しうる周期と等しい即ちセンサ１０４の走査のタイミン
グと等しくなつているから波形ヌはセンサ１０４の出力
をセンサ１素子分おくらせたものであると考えられる。
よつてダイオード２０４のカソード順には波形ヌが入力
され、ダイオード２０５のカソード側には波形チが入力
されている。バイアス電源２０７は波形チ波形ヌの最大
のレベル（レベル１００）より十分に高い電圧に設定さ
れ抵抗２０８により接続点２０６に供給されているが、
接続点２０６はダイオード２０４，２０５により各ダイ
オードのより低いカソード側電位にクランプされる。す
なわち各ダイオードの０Ｎ電圧を無視すれば接続点２０
６の電位は、各ダイオードのカソード側電位のより低い
方の値と一致する。サンプルアンドホールド２１１に入
力されるパルス２１０は波形ルに示すものであり上方の
レベルのときにサンプルされる。波形ルは波形りより倍
の周期をもつものでありその時間関係は第５図に示すも
のである。よつてパルス２１０によりサンプルされる接
続点２０６の電位はセンサ１０４の出力とその出力をセ
ンサ１素子分遅延された信号とのより低い方すなわちと
なりあう２素子の出力のうちより低い方の値であるので
サンプルアンドホールド２１１の出力１０７は波形ヲの
ようになる。よつて、出力１０７にはセンサ２素子分の
出力が装置が必要とする１画素分となつたものが出力さ
れる。以上の説明はセンサの素子を必要とする画素の密
度の倍の密度とするようにした場合について述・べたも
のであるが、センサの素子の紙面上の密度を必要とする
画素密度のｎ倍とすれば、第２図の説明より明らかなよ
うに正しく検出される細線の巾は、画素ピッチの２／ｎ
となりｎを大きくすればより細い線を正しく検出てきる
ようになる。
０８による副走査によりラスター走査され、紙面上の図
形が走査光電変換される。第４図は第３図に示す演算回
路１０６の一実施例の回路図てある。入力端子２０１よ
り入力されたセンサ１０４の各素子の走査出力は、セン
サ１０４の各素子の出力信号に同期したパルス２０２に
より入力信号をラッチするサンプルアンドホールド２０
３に接続され、その出力はダイオード２０４に入力され
る。また入力端子２０１からダイオード２０５も接続さ
れ各ダイオード２０４，２０５の各アノード側は共通に
接続点２０６で接続される。接続点２０６にはバイアス
電源２０７から抵抗２０８を通して正の電圧がかけられ
ている。接続点２０６の電圧はバッファアンプ２０９を
通りパルス２０２より倍の周期をもつパルス２１０によ
り入力信号をラッチするサンプルアンドホールド２１１
に入力される。サンプルアンドホールド２１１の出力が
第３図出力端子１０７となつている。第５図は第４図の
回路の動作を説明するためのタイムチャートである。入
力端子２０１に波形チ（第５図）が入力されているとす
る。波形チはセンサ１０４の各素子の出力を走査したも
のである。パルス２０２は波形りであり上方のレベルに
あるときサンプルアンドホールド２０３はサンプルされ
る。波形チとりの時間関係は第５図に示すようになつて
いる。よつてサンプルアンドホールド２０３の出力波形
は波形ヌのようになり、波形チよりほぼパルス２０２の
周期だけ遅延されている。パルス２０２は波形チが変化
しうる周期と等しい即ちセンサ１０４の走査のタイミン
グと等しくなつているから波形ヌはセンサ１０４の出力
をセンサ１素子分おくらせたものであると考えられる。
よつてダイオード２０４のカソード順には波形ヌが入力
され、ダイオード２０５のカソード側には波形チが入力
されている。バイアス電源２０７は波形チ波形ヌの最大
のレベル（レベル１００）より十分に高い電圧に設定さ
れ抵抗２０８により接続点２０６に供給されているが、
接続点２０６はダイオード２０４，２０５により各ダイ
オードのより低いカソード側電位にクランプされる。す
なわち各ダイオードの０Ｎ電圧を無視すれば接続点２０
６の電位は、各ダイオードのカソード側電位のより低い
方の値と一致する。サンプルアンドホールド２１１に入
力されるパルス２１０は波形ルに示すものであり上方の
レベルのときにサンプルされる。波形ルは波形りより倍
の周期をもつものでありその時間関係は第５図に示すも
のである。よつてパルス２１０によりサンプルされる接
続点２０６の電位はセンサ１０４の出力とその出力をセ
ンサ１素子分遅延された信号とのより低い方すなわちと
なりあう２素子の出力のうちより低い方の値であるので
サンプルアンドホールド２１１の出力１０７は波形ヲの
ようになる。よつて、出力１０７にはセンサ２素子分の
出力が装置が必要とする１画素分となつたものが出力さ
れる。以上の説明はセンサの素子を必要とする画素の密
度の倍の密度とするようにした場合について述・べたも
のであるが、センサの素子の紙面上の密度を必要とする
画素密度のｎ倍とすれば、第２図の説明より明らかなよ
うに正しく検出される細線の巾は、画素ピッチの２／ｎ
となりｎを大きくすればより細い線を正しく検出てきる
ようになる。
但・し、これは白地中（又は黒地中）にある程度以上距
離が離れて存在する黒（灰）色細線（又は白（灰）色細
線）についてあてはまるものであるが、実際用いられる
図形はほとんど全て上記のような性質があるので本発明
は非常に有効に機能す）る。また、センサ素子の密度を
画素密度のｎ倍とする方法は第４図、第５図よりセンサ
出力の遅延をｎ段行い、各段からの出力のうち最低（最
大）のものをセンサの走査タイミングパルスのｎ倍の周
期で、サンプルアンドホールドすれば可能であることは
明らかである。また、各段からの出力の最大のものをサ
ンプルするためには、ダイオード方向、バイアス電源の
方向を逆にすれば可能であることは明らかである。以上
の説明は、主走査方向についてのみ必要とする画素の密
度より、光電変換する素子の紙面上における密度を高く
とるようにしたものであるが、さらに副走査方向にも拡
張することができる。
離が離れて存在する黒（灰）色細線（又は白（灰）色細
線）についてあてはまるものであるが、実際用いられる
図形はほとんど全て上記のような性質があるので本発明
は非常に有効に機能す）る。また、センサ素子の密度を
画素密度のｎ倍とする方法は第４図、第５図よりセンサ
出力の遅延をｎ段行い、各段からの出力のうち最低（最
大）のものをセンサの走査タイミングパルスのｎ倍の周
期で、サンプルアンドホールドすれば可能であることは
明らかである。また、各段からの出力の最大のものをサ
ンプルするためには、ダイオード方向、バイアス電源の
方向を逆にすれば可能であることは明らかである。以上
の説明は、主走査方向についてのみ必要とする画素の密
度より、光電変換する素子の紙面上における密度を高く
とるようにしたものであるが、さらに副走査方向にも拡
張することができる。
即ち必要とする副走査密度のｍ倍の副走査密度で走査を
行ないｍ−１行分の主走査による光電変換信号を、その
出力レベルが保存されるような方式の記憶装置、（例え
ばＢＢＤ技術を用いたアナログシフトレジスタやＣＣＤ
アナログメモリ又は、出力レベルをＡ／Ｄ変換してその
出力であるディジタル信号をディジタルメモリに入力す
る方式の記憶装置）に記憶させ主走査ｍ回毎にそれらを
読み出し、第ｍ回目の主走査による出力信号とそれ以前
のｍ−１回分の主走査により記憶されている光電変換信
号とを演算すれば、副走査方向においても前記主走査方
向について説明した場合と−同様な結果を得ることがで
きる。さらに、主走査方向と副走査方向の光電変換の密
度を必要とする画素密度の各々ｎ倍，ｍ倍にすれは１つ
の画素の出力にはＮｘｍ個の光電変換出力より演算する
ことになり、図形の縦方向にも横；方向にも高品質な光
電変換信号を得ることができる。
行ないｍ−１行分の主走査による光電変換信号を、その
出力レベルが保存されるような方式の記憶装置、（例え
ばＢＢＤ技術を用いたアナログシフトレジスタやＣＣＤ
アナログメモリ又は、出力レベルをＡ／Ｄ変換してその
出力であるディジタル信号をディジタルメモリに入力す
る方式の記憶装置）に記憶させ主走査ｍ回毎にそれらを
読み出し、第ｍ回目の主走査による出力信号とそれ以前
のｍ−１回分の主走査により記憶されている光電変換信
号とを演算すれば、副走査方向においても前記主走査方
向について説明した場合と−同様な結果を得ることがで
きる。さらに、主走査方向と副走査方向の光電変換の密
度を必要とする画素密度の各々ｎ倍，ｍ倍にすれは１つ
の画素の出力にはＮｘｍ個の光電変換出力より演算する
ことになり、図形の縦方向にも横；方向にも高品質な光
電変換信号を得ることができる。
６ｉｔり６真７
以上説明したように本発明は、装置が必要とする画素密
度より高い密度を光電変換走査密度とし、その走査で画
素密度の一画素に対応して含まれる出力のうちより低い
（又はより高い）レベルをその画素の出力とするように
したものであり、簡単な構成で細い線を正しく走査光電
変換でき高品質な図形入力装置を画素密度を上げること
なく提供できるものである。
度より高い密度を光電変換走査密度とし、その走査で画
素密度の一画素に対応して含まれる出力のうちより低い
（又はより高い）レベルをその画素の出力とするように
したものであり、簡単な構成で細い線を正しく走査光電
変換でき高品質な図形入力装置を画素密度を上げること
なく提供できるものである。
第１図は従来の図形入力方式の説明図、第２図は本発明
に関する図形入力方式の説明図、第３図は本発明の一実
施例を示す系統図、第４図は第３図における演算回路の
ブロック図、第５図は第３図における各部の波形図であ
る。 １０１・・・紙面、１０２・・・照明手段、１０３・・
ルンズ、１０４・・・自己走査形受光素子アレイ（セン
サ）、１０５・・・増幅器、１０６・・・演算回路、１
０７・・・出力端子、１０８・・・紙送り機構、２０１
・・・入力端子、２０２・・・パルス、２０３・・・サ
ンプルアンドホールド、２０４，２０５・・・ダイオー
ド、２０６・・・接続点、２０７・・・バイアス電源、
２０８・・・抵抗、２０９・・・バッファアンプ、２１
０・・・パルス、２１１・・・サンプルアンドホールド
、イ・・・センサ上に投影された図形、口・・・センサ
の素子分割、ハ・・・出力、二・・・画素の分割、ホ・
・・センサの素子の分割、へ出力レベル、ト・・・出力
レベル、チ，り，ヌ，ル，ヲ・・・波形。
に関する図形入力方式の説明図、第３図は本発明の一実
施例を示す系統図、第４図は第３図における演算回路の
ブロック図、第５図は第３図における各部の波形図であ
る。 １０１・・・紙面、１０２・・・照明手段、１０３・・
ルンズ、１０４・・・自己走査形受光素子アレイ（セン
サ）、１０５・・・増幅器、１０６・・・演算回路、１
０７・・・出力端子、１０８・・・紙送り機構、２０１
・・・入力端子、２０２・・・パルス、２０３・・・サ
ンプルアンドホールド、２０４，２０５・・・ダイオー
ド、２０６・・・接続点、２０７・・・バイアス電源、
２０８・・・抵抗、２０９・・・バッファアンプ、２１
０・・・パルス、２１１・・・サンプルアンドホールド
、イ・・・センサ上に投影された図形、口・・・センサ
の素子分割、ハ・・・出力、二・・・画素の分割、ホ・
・・センサの素子の分割、へ出力レベル、ト・・・出力
レベル、チ，り，ヌ，ル，ヲ・・・波形。
Claims (1)
- １ 出力すべき各画素領域に対して複数のｎ個の光電変
換をすることにより出力すべき画素密度より高い密度で
光電変換した信号を得、前記出力すべき各画素領域に含
まれる前記ｎ個の光電変換した信号の最小または最大の
レベルの光電変換した信号を選択して出力する図形入力
装置であつて、光電変換するセンサの出力に同期したパ
ルス信号により前記センサの出力をラッチして、ほぼパ
ルス信号の周期づつ遅延するサンプルアンドホールドを
（ｎ−１）個直列に接続し、前記センサの出力及び前記
各サンプルアンドホールドの各出力の各々を同種の電極
に各々入力するｎ個のダイオードと、前記ｎ個のダイオ
ードのもう一方の電極を共通に接続した共通出力側に接
続するバイアス電源と、前記ダイオードの出力を前記パ
ルスの周期よりｎ倍の周期をもつ他のパルスによりラッ
チする出力側のサンプルアンドホールドとを有すること
を特徴とする図形入力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54056923A JPS6053915B2 (ja) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | 図形入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54056923A JPS6053915B2 (ja) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | 図形入力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55150073A JPS55150073A (en) | 1980-11-21 |
| JPS6053915B2 true JPS6053915B2 (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=13041005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54056923A Expired JPS6053915B2 (ja) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | 図形入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053915B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457336U (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-10 | ||
| JPH01290870A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-22 | Toyo Linoleum Co Ltd | 床材および床仕上げ方法 |
| JPH0586277U (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-22 | 東ソー株式会社 | 軽量タイルカーペット |
-
1979
- 1979-05-11 JP JP54056923A patent/JPS6053915B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457336U (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-10 | ||
| JPH01290870A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-22 | Toyo Linoleum Co Ltd | 床材および床仕上げ方法 |
| JPH0586277U (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-22 | 東ソー株式会社 | 軽量タイルカーペット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55150073A (en) | 1980-11-21 |
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