JPS6053058A - 樹脂封止形素子およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止形素子およびその製造方法Info
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- JPS6053058A JPS6053058A JP58160519A JP16051983A JPS6053058A JP S6053058 A JPS6053058 A JP S6053058A JP 58160519 A JP58160519 A JP 58160519A JP 16051983 A JP16051983 A JP 16051983A JP S6053058 A JPS6053058 A JP S6053058A
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- thermosetting resin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は、通信用、家庭機器用のノイズフィルタとし
て用いる樹脂封止形素子およびその製ス青方法に関する
。
て用いる樹脂封止形素子およびその製ス青方法に関する
。
表面弾性波素子は、その性質上、素子の振動を許容する
空間を有することが特徴であり、この点についてセL来
の留脂封Jト方法につき説明する。矛1図は矛1の方法
によるものであって、読図(alにおいて外部接続端子
1をイ1する基板2?成形用金型(図示せず)のパーテ
ィング面にはさみ、樹脂を流し込むことにより、ノヅF
定形状のステム3を成形する。その後、素子4k・基板
2にグイボンディングし、さらに該素子4と上記外■(
接続端子1をワイヤ5によって接続する。
空間を有することが特徴であり、この点についてセL来
の留脂封Jト方法につき説明する。矛1図は矛1の方法
によるものであって、読図(alにおいて外部接続端子
1をイ1する基板2?成形用金型(図示せず)のパーテ
ィング面にはさみ、樹脂を流し込むことにより、ノヅF
定形状のステム3を成形する。その後、素子4k・基板
2にグイボンディングし、さらに該素子4と上記外■(
接続端子1をワイヤ5によって接続する。
一方、上記と別の成形用金型(図示せず)を用いて、読
図(L日こ示すように、下端が開き上端が閉じた形状の
樹脂キャップ6苓r成形し、該キャップ6を上記基板2
Kかぶせて、接着剤(図示せず)によりステム3と接続
する〔読図(C)参照〕。
図(L日こ示すように、下端が開き上端が閉じた形状の
樹脂キャップ6苓r成形し、該キャップ6を上記基板2
Kかぶせて、接着剤(図示せず)によりステム3と接続
する〔読図(C)参照〕。
しかし、上記の方法では、外観は良好であるが、接続力
の不均一や接着剤、ステム6および樹脂キャップ乙の各
材質の熱膨張率の違い等から、接着層または接着界面か
ら水が侵入し易く、耐湿性が悪いという欠点かあり、さ
らに接着工程に時間を要することから、コスト低減がで
きないという大きな問題点があった。
の不均一や接着剤、ステム6および樹脂キャップ乙の各
材質の熱膨張率の違い等から、接着層または接着界面か
ら水が侵入し易く、耐湿性が悪いという欠点かあり、さ
らに接着工程に時間を要することから、コスト低減がで
きないという大きな問題点があった。
λ′2図は従来の、1−2の方法によるもので、読図(
alに示すように外部接続端子1と素子4か接続された
状態で、読図(旬のように昇華物質7を素子4のまわり
に付着させろ。つぎに読図(C1に示すように上記昇華
物質7のまわりに流動浸漬法(図示せず)などにより熱
硬化性樹脂で牙1層の保護層8を形成する。この際、上
記昇華物質7を装着させる作業も、上記流動浸漬法によ
る作業もともに、該昇華物質7の昇華温度より低い温度
で行うものである。ついで全体をカロ熱して、上記保護
層8の硬化と上記昇華物質7の昇華とを同時に行ない、
読図(dlのように上記保護層8と素子4との間に空間
9′fX:形成する。そして、さらにその上に上記流動
浸漬法などによって熱硬化性樹脂の矛2層の保護層1o
を形成してなるものである。しかし、この方法では、上
記空間9の形成用に昇華物質7を用いているために、昇
華温度に達すると上記昇華物質7が固体状態から一気に
気化し、上記保護層8,10を変形させながら該保護層
8.10外に発散していた。従って最終製品の形状や信
頼性が不均一で、実質的に極めて装着させにくいという
問題点があった。
alに示すように外部接続端子1と素子4か接続された
状態で、読図(旬のように昇華物質7を素子4のまわり
に付着させろ。つぎに読図(C1に示すように上記昇華
物質7のまわりに流動浸漬法(図示せず)などにより熱
硬化性樹脂で牙1層の保護層8を形成する。この際、上
記昇華物質7を装着させる作業も、上記流動浸漬法によ
る作業もともに、該昇華物質7の昇華温度より低い温度
で行うものである。ついで全体をカロ熱して、上記保護
層8の硬化と上記昇華物質7の昇華とを同時に行ない、
読図(dlのように上記保護層8と素子4との間に空間
9′fX:形成する。そして、さらにその上に上記流動
浸漬法などによって熱硬化性樹脂の矛2層の保護層1o
を形成してなるものである。しかし、この方法では、上
記空間9の形成用に昇華物質7を用いているために、昇
華温度に達すると上記昇華物質7が固体状態から一気に
気化し、上記保護層8,10を変形させながら該保護層
8.10外に発散していた。従って最終製品の形状や信
頼性が不均一で、実質的に極めて装着させにくいという
問題点があった。
この発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、
信頼性、生産性および実装性に優れた樹脂封止形の表面
弾性波素子およびその製造方法を提供することにある。
信頼性、生産性および実装性に優れた樹脂封止形の表面
弾性波素子およびその製造方法を提供することにある。
安するにこの発明は、素子のまわりの借問を形1ノに−
fるのに、温度に対するM量減小車曲線がゆるやかな発
泡物質を用い一温度制御乞することによって所望の場所
から気体を排出することにより、所定の外形の製品を得
るものである。
fるのに、温度に対するM量減小車曲線がゆるやかな発
泡物質を用い一温度制御乞することによって所望の場所
から気体を排出することにより、所定の外形の製品を得
るものである。
以下、この発明の一実施例を1・3図および牙4図によ
って説明する。なお、各図中、同一または同等の部位に
は同一の符号ケ付ける。
って説明する。なお、各図中、同一または同等の部位に
は同一の符号ケ付ける。
牙ろ図(alは、基板2に素子4をダイボンディングし
、さらにワイヤ51Cよって素子4と外部接続端子1を
接続した後、エタノールにより分散させた発泡剤(例え
ばAIBN :アゾビスイソブチロニトリル)11を上
記素子40表面に塗布した状態を示す。この工程はエタ
ノールの沸点(78°C)、AIBN 11の発泡開始
温度(106°C)よりも低い温4哩で実施する。読図
<8)は、上記基板2全体をエタノールの沸点以上で、
しかもAlBNllの発泡開始温度以下の温度に加熱し
、エタノールのみを揮発させることにより、固体のAI
BN12f;!0:上記素子4の表面に付着させた状態
を示曵読図(C)は、成形用金型16のキャビティ部1
4に上記基板2全体ヶ固゛定したところを示すもので、
上記金型1ろは、温調器(図示せず)によりAIBN1
2の発泡開始点より低い温度に保たれている。
、さらにワイヤ51Cよって素子4と外部接続端子1を
接続した後、エタノールにより分散させた発泡剤(例え
ばAIBN :アゾビスイソブチロニトリル)11を上
記素子40表面に塗布した状態を示す。この工程はエタ
ノールの沸点(78°C)、AIBN 11の発泡開始
温度(106°C)よりも低い温4哩で実施する。読図
<8)は、上記基板2全体をエタノールの沸点以上で、
しかもAlBNllの発泡開始温度以下の温度に加熱し
、エタノールのみを揮発させることにより、固体のAI
BN12f;!0:上記素子4の表面に付着させた状態
を示曵読図(C)は、成形用金型16のキャビティ部1
4に上記基板2全体ヶ固゛定したところを示すもので、
上記金型1ろは、温調器(図示せず)によりAIBN1
2の発泡開始点より低い温度に保たれている。
dq図(dlば、上記金型1ろのゲート部15がらAI
BN12の発泡開始点より高い温度の溶融樹脂16ケ上
記キャビティ部14内に注入した状態を示すもので、該
溶融樹脂16からの熱電導によりAIBN 12は発泡
を開始し、発泡空間9を形成する。このとぎ該発泡空間
9の体積をま膨張するが、上記溶融樹脂16の圧力より
も大きくなった上記空間9内の気体は、上記溶融樹脂1
6の先端およびまだ固体状のA、IBN 12との僅か
な隙間1)から4ツ「出―常に樹脂圧力と内部の気体の
圧力はバランスする。そして上記隙間17かも排出した
気体は上記金ノ(IJ 15のパーティング而18から
外部へ排出する。
BN12の発泡開始点より高い温度の溶融樹脂16ケ上
記キャビティ部14内に注入した状態を示すもので、該
溶融樹脂16からの熱電導によりAIBN 12は発泡
を開始し、発泡空間9を形成する。このとぎ該発泡空間
9の体積をま膨張するが、上記溶融樹脂16の圧力より
も大きくなった上記空間9内の気体は、上記溶融樹脂1
6の先端およびまだ固体状のA、IBN 12との僅か
な隙間1)から4ツ「出―常に樹脂圧力と内部の気体の
圧力はバランスする。そして上記隙間17かも排出した
気体は上記金ノ(IJ 15のパーティング而18から
外部へ排出する。
11q図(c)ば、上記γG融樹脂16がさらにキャビ
ティrX11 i 4内? :1lllんだ状wを示す
。このとき固体状のALLIN 12は僅かに残り、上
記素子4のまわりに光ねノ旧Ml 9か形成されている
。読図(f)は成形をJ、1了した状態ヲ示すもので、
固体状のAIBN 12は無くなり、上記素子4のまわ
り全体に発泡空間9ができる。読図(刀は、上記ゲート
部15を切断後、上記金型13かも取り出した製品を示
す。
ティrX11 i 4内? :1lllんだ状wを示す
。このとき固体状のALLIN 12は僅かに残り、上
記素子4のまわりに光ねノ旧Ml 9か形成されている
。読図(f)は成形をJ、1了した状態ヲ示すもので、
固体状のAIBN 12は無くなり、上記素子4のまわ
り全体に発泡空間9ができる。読図(刀は、上記ゲート
部15を切断後、上記金型13かも取り出した製品を示
す。
この実施例では、上記のように発泡剤を使用し、該発泡
剤の′種類、塗布量や金型13の温度を適切に設定、制
御することにより、所望の発泡空間9を一回の成形工程
だけで得ることができる。
剤の′種類、塗布量や金型13の温度を適切に設定、制
御することにより、所望の発泡空間9を一回の成形工程
だけで得ることができる。
その上、従来のような接着剤や昇華物質の作用に伴う問
題も発生せず、外観、信頼性に優れた製品が得られろ。
題も発生せず、外観、信頼性に優れた製品が得られろ。
なお、この方法において用いる樹脂は一般に熱可塑性で
あるため、製品の・・ンダディノブ時の熱変形を未然に
防止するためには、読図(4) [示すように、成形ま
たはキャスティング等により、上記図(I)に示した製
品の上にさらに熱硬化性樹脂で保護層10を形成するこ
とにより、その目的を達成できる。
あるため、製品の・・ンダディノブ時の熱変形を未然に
防止するためには、読図(4) [示すように、成形ま
たはキャスティング等により、上記図(I)に示した製
品の上にさらに熱硬化性樹脂で保護層10を形成するこ
とにより、その目的を達成できる。
1・4図は、この発明の第2の実施例を示したもので、
読図(alは上記3−3図(町と同じ状態、すなわち、
固体のA、1l−3N 12を上記素子40表面に付着
させたところを示したもので、読図(旬は、上記基板2
をテフロン型19に入れた熱硬化性樹脂液20内にキャ
スティングしているところを示している。該熱硬化性樹
脂液20は、」二記固体状A113N12の発泡点以上
の温度に保たれているため、rtI熱硬化性樹脂液20
に接触した固体状A、03N12は発泡夕開始し、発泡
空間9を形成する。読図(C)は、上記基板2をさらに
下降させたところを示しており、より広い発i’i&
空間9が形成される。読図(d)は、上記基板2を所定
の位ii:<まで下降させたとこわを示すもので、上記
素子4のまわりに所望の発泡空間9が形成される。1.
【お、該発泡空間9のfri制御(・上、発泡剤の種類
、塗布量、上記熱硬化性樹脂液20の温度やキャスティ
ングの速jI!によって行なわれろ。読図(4)は、所
定の硬化時間経過後、上記基板2を上記テフロン型19
フン・ら引ぎ−ヒげた製品ビ示すもので、硬化樹)]1
121が発泡空間9のまわりを覆っている。さらに該・
1q品の信頼性を高めろためにb:r、 、読図(fl
に示−ぐよ5に上記硬化樹脂21の上に、ilT度、熱
硬化性樹脂を用いて外表の保護層10を形成する。
読図(alは上記3−3図(町と同じ状態、すなわち、
固体のA、1l−3N 12を上記素子40表面に付着
させたところを示したもので、読図(旬は、上記基板2
をテフロン型19に入れた熱硬化性樹脂液20内にキャ
スティングしているところを示している。該熱硬化性樹
脂液20は、」二記固体状A113N12の発泡点以上
の温度に保たれているため、rtI熱硬化性樹脂液20
に接触した固体状A、03N12は発泡夕開始し、発泡
空間9を形成する。読図(C)は、上記基板2をさらに
下降させたところを示しており、より広い発i’i&
空間9が形成される。読図(d)は、上記基板2を所定
の位ii:<まで下降させたとこわを示すもので、上記
素子4のまわりに所望の発泡空間9が形成される。1.
【お、該発泡空間9のfri制御(・上、発泡剤の種類
、塗布量、上記熱硬化性樹脂液20の温度やキャスティ
ングの速jI!によって行なわれろ。読図(4)は、所
定の硬化時間経過後、上記基板2を上記テフロン型19
フン・ら引ぎ−ヒげた製品ビ示すもので、硬化樹)]1
121が発泡空間9のまわりを覆っている。さらに該・
1q品の信頼性を高めろためにb:r、 、読図(fl
に示−ぐよ5に上記硬化樹脂21の上に、ilT度、熱
硬化性樹脂を用いて外表の保護層10を形成する。
「発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれ(イ、素子の周囲
の空間形成時に発生する気体の膨張によるところの保獲
部の変形や残留応力等カーなくなるので、外観および信
頼性の優れた表面弾性波素子な得ることができると℃・
う効果カーある。
の空間形成時に発生する気体の膨張によるところの保獲
部の変形や残留応力等カーなくなるので、外観および信
頼性の優れた表面弾性波素子な得ることができると℃・
う効果カーある。
第1図は、表面波弾性波素子の牙1の従来f130分解
および組立斜視図、之・2図をま、表面波弾性波素子の
、第2の従来例の各工程にオdける該素子の断面図、乏
・6図は、こσ)発明の牙1の実施例の各工程における
表面弾性波素子の断面図、召・4図は、この発明の牙2
の実施例の各工程における表面弾性体波素子の断面図で
ある0符号の説明 1・・・外部接続端子、2・・基板、ろ ・ステム、4
・・・素子、5・・ワイヤ、6・・・樹脂キャップ、7
・・昇華物質、8,10・・・保護層、9・・・仝lW
jまた(ま発l包仝間、11・・・発泡剤(例え&了A
IBN) 、12−1司体状AIBN 13−金型、1
4・2.キャピテイ部、15・・・ゲー)部、16 溶
融樹脂、17・・・隙間、18・・・パーティ〜ング面
、19 テフロン型、2o・・・熱硬化性樹脂液、21
・硬化樹脂。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 /T1 図 ((JL) (I)) (C) d (り牙3図 2 第4 Ce)、 Cf) (C) rcl) 1
および組立斜視図、之・2図をま、表面波弾性波素子の
、第2の従来例の各工程にオdける該素子の断面図、乏
・6図は、こσ)発明の牙1の実施例の各工程における
表面弾性波素子の断面図、召・4図は、この発明の牙2
の実施例の各工程における表面弾性体波素子の断面図で
ある0符号の説明 1・・・外部接続端子、2・・基板、ろ ・ステム、4
・・・素子、5・・ワイヤ、6・・・樹脂キャップ、7
・・昇華物質、8,10・・・保護層、9・・・仝lW
jまた(ま発l包仝間、11・・・発泡剤(例え&了A
IBN) 、12−1司体状AIBN 13−金型、1
4・2.キャピテイ部、15・・・ゲー)部、16 溶
融樹脂、17・・・隙間、18・・・パーティ〜ング面
、19 テフロン型、2o・・・熱硬化性樹脂液、21
・硬化樹脂。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 /T1 図 ((JL) (I)) (C) d (り牙3図 2 第4 Ce)、 Cf) (C) rcl) 1
Claims (5)
- (1) 接続端子を備えた素子の周囲に発泡空間が形成
しであることを特徴とする樹脂封止形素子。 - (2)準接端子を備えた素子を、予め常温で固体の発泡
物質で被覆した状態で金型キャビティ部に取り付け、溶
融した熱可塑性樹脂をキャビティ部内に流入させること
により、上記発泡物質を発泡させて上記素子の周囲に発
泡空間を作るとともに、該発泡9間の周囲を樹J指によ
って仮4゛草1−ろことを特徴とする樹脂封止形素子の
製造方法。 - (3)接続端子ケ備えた素子乞、予め常温で固体の発泡
物′肖で被覆した状、11!すで金型キャビティr;I
t vこ取り付け、r’u融し7こ熱可塑性樹脂をキャ
ビティ部内にvlt人させることCτより、上記発泡物
’I’f ン’i1〕泡させて上記素子の周囲に発泡9
間を作るとともに、該発泡空間の周囲硬1百によって被
覆した後、上記全体をさらに熱硬化性樹脂によって被覆
することを特徴とする特許請求の範囲子2項記載の樹脂
封止形素子の製造方法。 - (4)接続端子を備えた素子を、予め常温で固体の発泡
物質で被覆した状態で加熱した熱硬化性樹脂液または粉
体の中へ浸漬し、上記発泡物質7発泡させて上記素子の
周囲に発泡窒間乞作るとともに、該発泡空間の周囲を熱
硬化性樹脂によって被覆することを特徴とする樹脂封止
形素子の製造方法。 - (5)接続端子を備えた素子を、予め常温で固体の発泡
物質で被覆した状態で加熱した熱硬化性樹脂液または粉
体の中へ浸漬し、上記発泡物質を発泡させて上記素子の
周囲に発泡空間を作るとともに、該発泡空間の周囲を熱
硬化性樹脂によって複覆しだ後、上記全体をさらに熱硬
化性樹脂によって被覆することを特徴とする特許請求の
範囲子4項記載の樹脂封止形素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58160519A JPS6053058A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 樹脂封止形素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58160519A JPS6053058A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 樹脂封止形素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6053058A true JPS6053058A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15716708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58160519A Pending JPS6053058A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 樹脂封止形素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053058A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6265557U (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-23 | ||
JPS6457739A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Toshiba Corp | Resin seal type element |
US5096853A (en) * | 1988-10-20 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a resin encapsulated semiconductor device |
US5219795A (en) * | 1989-02-07 | 1993-06-15 | Fujitsu Limited | Dual in-line packaging and method of producing the same |
US5302553A (en) * | 1991-10-04 | 1994-04-12 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a coated plastic package |
EP0930644A1 (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-21 | Nec Corporation | Fabrication method of plastic-packaged semiconductor device |
US6078123A (en) * | 1997-08-08 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Structure and method for mounting a saw device |
JP2020004842A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58160519A patent/JPS6053058A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6265557U (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-23 | ||
JPS6457739A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Toshiba Corp | Resin seal type element |
JPH0519310B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1993-03-16 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
US5096853A (en) * | 1988-10-20 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a resin encapsulated semiconductor device |
US5219795A (en) * | 1989-02-07 | 1993-06-15 | Fujitsu Limited | Dual in-line packaging and method of producing the same |
US5302553A (en) * | 1991-10-04 | 1994-04-12 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a coated plastic package |
US6078123A (en) * | 1997-08-08 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Structure and method for mounting a saw device |
EP0930644A1 (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-21 | Nec Corporation | Fabrication method of plastic-packaged semiconductor device |
JP2020004842A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
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