JPH02174135A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPH02174135A
JPH02174135A JP32595088A JP32595088A JPH02174135A JP H02174135 A JPH02174135 A JP H02174135A JP 32595088 A JP32595088 A JP 32595088A JP 32595088 A JP32595088 A JP 32595088A JP H02174135 A JPH02174135 A JP H02174135A
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semiconductor element
semiconductor device
sealing
resin plate
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Kosuke Tange
丹下　孝輔
Yutaka Okuaki
奥秋　裕
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Oki Electric Industry Co Ltd
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    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、樹脂封止型半導体装置に係り、特に半導体素
子を載置固定するアイランドに関するものである。
（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭６
０−１１３９３２号に記載されるものがあった。
第３図はかかる従来の樹脂封止型半導体ｇＷの樹脂封止
部の状態を示す上面図、第４図はその正面断面図である
。
図中、１はリードフレームで、多数のリード部１ａ及び
連結枠部１ｂが設けられており、各リード部１ａの内方
側下面にはプラスチックフィルム４を接着し固定する。
このプラスチックフィルム４上の中央に半導体チップ２
を接着し、金属細線３を用いて半導体チップ２と各リー
ド部１ａをワイヤボンディングする。この後、リードフ
レーム１を成形金型に入れ、半導体チップ２部を樹脂封
止成形する。次に、プレス機により連結枠部１ｂを切取
り、各リード部１ａを分離する。
この様に、リードフレーム１の各リード部１ａの下部に
プラスチックフィルム４を接着し、このプラスチックフ
ィルム４上に半導体チップ２を接着することにより、半
導体チップ２をリードフレームｌ上面からその板厚骨だ
け沈めるようにしている。
そして、第４図（ａ）に示すように組み立てられた半導
体装置に封止樹脂５による樹脂封止を行うことにより、
第４図（ｂ）に示すような、極薄形パッケージを得るこ
とができる。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記構成の装置では、プラスチックフィ
ルム４が従来のアイランドに代わって存在することにな
る。従って、そのプラスチックフィルム４に沿って水分
が浸入したり、その水分が蒸発する際にクランクを生じ
るなどの問題があった。
（課題を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、樹脂封止型半
導体装置の製造方法において、対向するインナーリード
間に樹脂板を敷設する工程と、該樹脂板上に半導体素子
をｉ３Ｉ置し、該半導体素子とインナーリード間に配線
を施す工程と、前記樹脂板を同化して前記半導体素子及
び配線を樹脂封止する工程を施すようにしたものである
。
（作用） 本発明によれば、上記したように、樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、アイランド部を形成していない
リードフレームのインナーリードの内方端部にＢステー
ジ化した樹脂板を熱圧着、又は加圧によって取り付けて
、前記樹脂板に半導体素子を固定し、金属細線によって
配線した後、樹脂封止する。そして、金型キャビティ内
で前記樹脂板は樹脂が略充填されるまでに溶融し、封止
樹脂と同化し、存在していたＢステージ化した樹脂板と
封止樹脂とが一体化することにより、極薄形パッケージ
を得ることができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
第１図は本発明の実施によって得られる樹脂封止型半導
体装置の断面図、第２図は本発明の実施例を示す樹脂封
止型半導体装置の製造工程断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、リードフレームｌＯ
のインナーリードｌｏａ間にＢステージ化したエポキシ
樹脂板（以下、樹脂板という）１１を敷設し、インナー
リード１０ａの先端部で圧接又は加熱圧着して固定する
。そして、前記Ｂステージ化した樹脂板１１が硬化及び
溶融しない程度の温度で硬化、又は高粘度化する接着樹
脂、又は常温で硬化する接着樹脂等によって前記樹脂板
１１上に半導体素子１２を固着する。
そこで、樹脂板１１に固着した半導体素子１２の外部導
出電掻とインナーリード１０ａとを金属細線１３で配線
し、電気的に導通接続する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、金型１５をセットし
て、封止樹脂１４を注入する。ここで、Ｂステージ化し
た樹脂板１１として概ね１５０〜１６０℃の封止樹脂１
４の融点くらいの融点を有している樹脂を用いることに
より、金型１５のキャビティ内に封止樹脂１４を注入す
る時の温度と概ね同じとなり、樹脂板１１は注入された
封止樹脂１４中に溶解して消滅してしまう。つまり、樹
脂板１１は封止樹脂１４と同化してしまう。ただし、封
止樹脂１４を注入した時点ですぐに前記樹脂板１１が溶
解することはなく、それは概ねキャビティ内に封止樹脂
１４が充填された時点で溶解する。なお、図において、
１１′は樹脂板１１が封止樹脂１４に同化した状態を示
している。
なお、キャビティ内の矢印は注入時の封止樹脂の流れを
示している。
このようにして、第２図（ｃ）に示すように、樹脂板１
１が封止樹脂１４によって熔融し、同化した薄形の樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。
上記したように、Ｂステージ化した樹脂板１１は実質的
に消滅してしまうので、第１図に示すように半導体素子
１２の上、下部において、樹脂厚の十分なｆａ保を行う
ことができる。特に半導体素子１２の下部は幅ｄを持た
せることができるので、耐水性、耐クラツク性に優れる
。
そして、上記構成の装置は、近年バフケージの薄形化が
特に要求される樹脂封止型半導体装置として好適である
。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、対向す
るインナーリード間に樹脂板を敷設し、該樹脂板上に半
導体素子を載置し、該半導体素子とインナーリード間に
配線を施し、前記樹脂板を同化させて前記半導体素子及
び配線を樹脂封止するようにしたので、従来のリードフ
レームのアイランドをなくすことができ、装置の薄形化
を図ることができると共に、樹脂封止後に樹脂板を残す
ようなこともないので、耐水性及び耐クラツク性にも優
れるという利点を有する。
従って、信頼性の高い極薄形パッケージを提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によって得られる樹脂封止型半導体装置
の断面図、第２図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半
導体装置の製造工程断面図、第３図は従来の樹脂封止型
半導体装置の樹脂封止前の状態を示す上面図、第４図は
その正面断面図である。 １０・・・リードフレーム、１０ａ・・・インナーリー
ド、１１・・・エポキシ樹脂板、１２・・・半導体素子
、１３・・・金属細線、１４・・・封止樹脂、１５・・
・金型。 特許出願人　沖電気工業株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１） （ａ）対向するインナーリード間に樹脂板を敷設する工
    程と、 （ｂ）該樹脂板上に半導体素子を載置し、該半導体素子
    とインナーリード間に配線を施す工程と、（ｃ）前記樹
    脂板を同化して前記半導体素子及び配線を樹脂封止する
    工程を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  2. （２）前記樹脂板は封止樹脂注入時に封止樹脂中に溶融
    して全体が同化又は表面が同化するようにしたことを特
    徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
JP32595088A 1988-12-26 1988-12-26 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH02174135A (ja)

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