JPS6053033A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS6053033A
JPS6053033A JP58162154A JP16215483A JPS6053033A JP S6053033 A JPS6053033 A JP S6053033A JP 58162154 A JP58162154 A JP 58162154A JP 16215483 A JP16215483 A JP 16215483A JP S6053033 A JPS6053033 A JP S6053033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
nitride film
semiconductor substrate
plasma cvd
formed according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58162154A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Yanagi
柳　裕治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58162154A priority Critical patent/JPS6053033A/ja
Publication of JPS6053033A publication Critical patent/JPS6053033A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、例えば半導体装置の製造工程における基板
表面に対するダメージの少ない、しかも防護性の高し・
シリコン窒化膜を形成することを目的とした半導体装置
の製造方法に関するものである。
〔従来技術〕
従来のこの独の製造方法を第１図によって説明する。こ
の方法は、例えばＧａ　Ａｓ等からなる半導体基板１の
表面にプラズマＣＶ　Ｉ）法によりシリフン窒化膜２を
形成し、半導体基板１の表面の薬品などに対する保護膜
としていた。
従来は半導体基板１の保護膜として、プラズマＣＶＤ法
によるシリコン窒化膜２を使用して℃・だが、このシリ
コン窒化膜２は半導体基板１０表面に対するダメージは
少ないが吸水性等基板表面力１がさがさで膜質が悪いた
め薬品などのしみこみカーあり、半導体基板１０表面や
半導体基板１上に形成されたパターンなどがエツチング
されることカーあった。また、吸水性が少なく膜質の良
し・スノくツク法によるシリコン窒化膜があるが、これ
は半導体基板１やパターンに対するダメージが大きく使
用できなかった。
〔発明の概要〕
この発明は、上記のような従来のものσ）欠点を除去す
るためになされたもので、半導体基板の表面に対するダ
メージを少なくし、しかも貼設性の高いシリコン窒化膜
を形成することを目的としている。
〔発明の笑施例〕
第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を説明する
ための断面図である。まず、第２図（ａ）のように、半
導体基板１０表面にプラズマＣＶＤ法によりシリコン窒
化膜２を形成し、このシリコン窒化膜２上九第２図（ｂ
）のように、スパッタ法によりシリコン窒化膜３を形成
する。
このようにこの発明は、プラズマＣＶＤ法によるシリコ
ン窒化膜２とスパッタ法によるシリコン窒化膜３の少な
くとも２層構造とし双方の欠点を除去し基板表面に対す
るダメージを少なくし、しかも防護性の高いシリコン窒
化膜を形成したものである。
なお、上記実施例では保護膜にプラズマＣＶ　ＩＪ法に
よるシリコン窒化膜とスパッタ法によるシリコン窒化膜
を使用したが、プラズマＣＶＤ法によるシリコン窒化膜
とシリコン酸化膜とのＡ’Ｊｌ　’Ａ合わせでもよく同
じ効果が得られろ。
また、上記実施例では半導体基＆１０表向の保護膜とし
て用いる場合につし・て説明したが、半導体回路内のコ
ンテンサ部分の誘電体としてはプラズマＣＶＤ法による
シリフン窒化膜一層を用いており、これは膜質が悪いの
で耐圧が低かったが、この発明を用いると膜質が良いの
で耐圧が向上し信頼性が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、半導体基板の保護膜
をプラズマＣＶＤ法によるシリコン窒化膜とスパッタ法
によるシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜の２層構造
としたので、半導体装置の信頼性が向上し歩留りの向上
も計れる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体基板の保護膜を示す断面図、第２
図（ａ）、＜ｂ）はこの発明の一実施例による半導体基
板の保護膜を示す断面図である。 図中、１は半導体基板、２はプラズマＣＶＤ法によるシ
リコン窒化膜、３はスパッタ法によるシリコン窒化膜で
ある。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大岩増雄　（外２名）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板表面にプラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化
    膜を形成する工程と、このシリコン窒化膜上にスパンタ
    法によりシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を形成す
    る工程とを含むことを４、ト徴とする半導体装置の製造
    方法。
JP58162154A 1983-09-02 1983-09-02 半導体装置の製造方法 Pending JPS6053033A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58162154A JPS6053033A (ja) 1983-09-02 1983-09-02 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58162154A JPS6053033A (ja) 1983-09-02 1983-09-02 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6053033A true JPS6053033A (ja) 1985-03-26

Family

ID=15749058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58162154A Pending JPS6053033A (ja) 1983-09-02 1983-09-02 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6053033A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62111436A (ja) * 1985-11-09 1987-05-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62111436A (ja) * 1985-11-09 1987-05-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890015358A (ko) 반도체기판 및 그 제조방법
JPS55163860A (en) Manufacture of semiconductor device
KR970063592A (ko) 다층 패드를 구비하는 반도체장치 및 그 제조방법
JPH0157495B2 (ja)
JPS6053033A (ja) 半導体装置の製造方法
KR920003408A (ko) 반도체 기판의 제조 방법
KR970017918A (ko) 고주파 회로 장치 및 그의 제조 방법
US5282922A (en) Hybrid circuit structures and methods of fabrication
KR980005512A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
JPH10154808A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR940008047A (ko) 반도체장치의 금속라인에 금속공백을 제거하는 방법 및 장치
JP2666186B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JPS6149439A (ja) 半導体装置の製造方法
KR930022475A (ko) 반도체 장치의 콘텍 형성방법 및 그 구조
JPS57208160A (en) Semiconductor device
JPS62112359A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05226483A (ja) モノリシックマイクロ波集積回路
JPS5799736A (en) Fabrication of semiconductor substrate
JPS5349964A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS63117468A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS64745A (en) Wiring structure of semiconductor device
JPH0320042A (ja) 半導体装置
JPH01270248A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5917540B2 (ja) 半導体装置の配線形成方法
JPS6222452A (ja) 半導体装置の製造方法