JPS6053033A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6053033A JPS6053033A JP58162154A JP16215483A JPS6053033A JP S6053033 A JPS6053033 A JP S6053033A JP 58162154 A JP58162154 A JP 58162154A JP 16215483 A JP16215483 A JP 16215483A JP S6053033 A JPS6053033 A JP S6053033A
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- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えば半導体装置の製造工程における基板
表面に対するダメージの少ない、しかも防護性の高し・
シリコン窒化膜を形成することを目的とした半導体装置
の製造方法に関するものである。
表面に対するダメージの少ない、しかも防護性の高し・
シリコン窒化膜を形成することを目的とした半導体装置
の製造方法に関するものである。
従来のこの独の製造方法を第1図によって説明する。こ
の方法は、例えばGa As等からなる半導体基板1の
表面にプラズマCV I)法によりシリフン窒化膜2を
形成し、半導体基板1の表面の薬品などに対する保護膜
としていた。
の方法は、例えばGa As等からなる半導体基板1の
表面にプラズマCV I)法によりシリフン窒化膜2を
形成し、半導体基板1の表面の薬品などに対する保護膜
としていた。
従来は半導体基板1の保護膜として、プラズマCVD法
によるシリコン窒化膜2を使用して℃・だが、このシリ
コン窒化膜2は半導体基板10表面に対するダメージは
少ないが吸水性等基板表面力1がさがさで膜質が悪いた
め薬品などのしみこみカーあり、半導体基板10表面や
半導体基板1上に形成されたパターンなどがエツチング
されることカーあった。また、吸水性が少なく膜質の良
し・スノくツク法によるシリコン窒化膜があるが、これ
は半導体基板1やパターンに対するダメージが大きく使
用できなかった。
によるシリコン窒化膜2を使用して℃・だが、このシリ
コン窒化膜2は半導体基板10表面に対するダメージは
少ないが吸水性等基板表面力1がさがさで膜質が悪いた
め薬品などのしみこみカーあり、半導体基板10表面や
半導体基板1上に形成されたパターンなどがエツチング
されることカーあった。また、吸水性が少なく膜質の良
し・スノくツク法によるシリコン窒化膜があるが、これ
は半導体基板1やパターンに対するダメージが大きく使
用できなかった。
この発明は、上記のような従来のものσ)欠点を除去す
るためになされたもので、半導体基板の表面に対するダ
メージを少なくし、しかも貼設性の高いシリコン窒化膜
を形成することを目的としている。
るためになされたもので、半導体基板の表面に対するダ
メージを少なくし、しかも貼設性の高いシリコン窒化膜
を形成することを目的としている。
第2図(a)、(b)はこの発明の一実施例を説明する
ための断面図である。まず、第2図(a)のように、半
導体基板10表面にプラズマCVD法によりシリコン窒
化膜2を形成し、このシリコン窒化膜2上九第2図(b
)のように、スパッタ法によりシリコン窒化膜3を形成
する。
ための断面図である。まず、第2図(a)のように、半
導体基板10表面にプラズマCVD法によりシリコン窒
化膜2を形成し、このシリコン窒化膜2上九第2図(b
)のように、スパッタ法によりシリコン窒化膜3を形成
する。
このようにこの発明は、プラズマCVD法によるシリコ
ン窒化膜2とスパッタ法によるシリコン窒化膜3の少な
くとも2層構造とし双方の欠点を除去し基板表面に対す
るダメージを少なくし、しかも防護性の高いシリコン窒
化膜を形成したものである。
ン窒化膜2とスパッタ法によるシリコン窒化膜3の少な
くとも2層構造とし双方の欠点を除去し基板表面に対す
るダメージを少なくし、しかも防護性の高いシリコン窒
化膜を形成したものである。
なお、上記実施例では保護膜にプラズマCV IJ法に
よるシリコン窒化膜とスパッタ法によるシリコン窒化膜
を使用したが、プラズマCVD法によるシリコン窒化膜
とシリコン酸化膜とのA’Jl ’A合わせでもよく同
じ効果が得られろ。
よるシリコン窒化膜とスパッタ法によるシリコン窒化膜
を使用したが、プラズマCVD法によるシリコン窒化膜
とシリコン酸化膜とのA’Jl ’A合わせでもよく同
じ効果が得られろ。
また、上記実施例では半導体基&10表向の保護膜とし
て用いる場合につし・て説明したが、半導体回路内のコ
ンテンサ部分の誘電体としてはプラズマCVD法による
シリフン窒化膜一層を用いており、これは膜質が悪いの
で耐圧が低かったが、この発明を用いると膜質が良いの
で耐圧が向上し信頼性が得られる。
て用いる場合につし・て説明したが、半導体回路内のコ
ンテンサ部分の誘電体としてはプラズマCVD法による
シリフン窒化膜一層を用いており、これは膜質が悪いの
で耐圧が低かったが、この発明を用いると膜質が良いの
で耐圧が向上し信頼性が得られる。
以上説明したように、この発明は、半導体基板の保護膜
をプラズマCVD法によるシリコン窒化膜とスパッタ法
によるシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜の2層構造
としたので、半導体装置の信頼性が向上し歩留りの向上
も計れる利点がある。
をプラズマCVD法によるシリコン窒化膜とスパッタ法
によるシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜の2層構造
としたので、半導体装置の信頼性が向上し歩留りの向上
も計れる利点がある。
第1図は従来の半導体基板の保護膜を示す断面図、第2
図(a)、<b)はこの発明の一実施例による半導体基
板の保護膜を示す断面図である。 図中、1は半導体基板、2はプラズマCVD法によるシ
リコン窒化膜、3はスパッタ法によるシリコン窒化膜で
ある。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 (外2名)
図(a)、<b)はこの発明の一実施例による半導体基
板の保護膜を示す断面図である。 図中、1は半導体基板、2はプラズマCVD法によるシ
リコン窒化膜、3はスパッタ法によるシリコン窒化膜で
ある。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 (外2名)
Claims (1)
- 半導体基板表面にプラズマCVD法によりシリコン窒化
膜を形成する工程と、このシリコン窒化膜上にスパンタ
法によりシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を形成す
る工程とを含むことを4、ト徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58162154A JPS6053033A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58162154A JPS6053033A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6053033A true JPS6053033A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15749058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58162154A Pending JPS6053033A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053033A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62111436A (ja) * | 1985-11-09 | 1987-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58162154A patent/JPS6053033A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62111436A (ja) * | 1985-11-09 | 1987-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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