JPS6051270B2 - プレス切離成形方法 - Google Patents
プレス切離成形方法Info
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- JPS6051270B2 JPS6051270B2 JP18846580A JP18846580A JPS6051270B2 JP S6051270 B2 JPS6051270 B2 JP S6051270B2 JP 18846580 A JP18846580 A JP 18846580A JP 18846580 A JP18846580 A JP 18846580A JP S6051270 B2 JPS6051270 B2 JP S6051270B2
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Links
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は主として半導体装置の放熱板やり一ド等のプ
レス切離成形方法に関するものである。
レス切離成形方法に関するものである。
一般に、トランジスタやサイリスタ等の半導体装置は半
導体ペレットをマウントした放熱板を放熱器等に密着さ
せることにより、半導体ペレットの放熱性を良好にして
高出力化を図つている。この種半導体装置は例えば第１
図及び第２図に示すように複数の放熱板１を一体化した
放熱板フレーム２と、複数のリード３を一体化したリー
ドフレーム４を用い、このリード３の一部３’を放熱板
１にカルめ等て固定して両フレーム２、４を一体化して
おいて、各放熱板１上に半導体ペレット５をマウントし
、各半導体ペレット５の電極と対応するリード３を金属
細線６で接続し、各放熱板１上を樹脂材７で外装してか
ら、放熱板フレーム２とリードフレーム４を各々の放熱
板１とリード３に細分割して第３図に示す個々の製品を
複数個一括して製造している。上記放熱板フレーム２は
１枚の金属平板を所定の形状、つまり各放熱板１や放熱
板１を連結する連結部８、放熱板１を仕切るスリット９
、放熱板１を放熱器等にネジ止めする取付穴１０などを
有する形状に一括してプレス成形される。
導体ペレットをマウントした放熱板を放熱器等に密着さ
せることにより、半導体ペレットの放熱性を良好にして
高出力化を図つている。この種半導体装置は例えば第１
図及び第２図に示すように複数の放熱板１を一体化した
放熱板フレーム２と、複数のリード３を一体化したリー
ドフレーム４を用い、このリード３の一部３’を放熱板
１にカルめ等て固定して両フレーム２、４を一体化して
おいて、各放熱板１上に半導体ペレット５をマウントし
、各半導体ペレット５の電極と対応するリード３を金属
細線６で接続し、各放熱板１上を樹脂材７で外装してか
ら、放熱板フレーム２とリードフレーム４を各々の放熱
板１とリード３に細分割して第３図に示す個々の製品を
複数個一括して製造している。上記放熱板フレーム２は
１枚の金属平板を所定の形状、つまり各放熱板１や放熱
板１を連結する連結部８、放熱板１を仕切るスリット９
、放熱板１を放熱器等にネジ止めする取付穴１０などを
有する形状に一括してプレス成形される。
また放熱板フレーム２の連結部８もプレス成形によつて
放熱板１から切断分離される。このようなプレス成形の
従来方法を例えば前記スリット９の部分で説明すると、
第５図及び第６図に示すような下金型１１とパッド１２
及びパンチ１３を使つてプレス成形していた。下金型１
１は上面がフラットで要部にスリット９に合う形状の加
工穴１４を有し、この上面に放熱板フレーム２の加工材
料である金属平板１５が位置決め載置されるパッド１２
はフラットな下面で下金型１１上の金属平板１５を下金
型１１に押圧するもので、下金型１１の加工穴１４と対
応する位置に同一形状の加工穴１６を有する。パンチ１
３は上部がパッド１２上に強力なスプリング１７を介し
て連結され、常時はパッド１２のパンチ１３の途中位置
まで嵌挿され、プレス成形時にパンチ１３を下降してパ
ッド１２と下金型１１で挾持固定された金属平板１５の
スリット成形予定部分１５′をプレスして打抜く。ノ
ところで、下金型１１の加工穴１４、１６とパンチ１３
の間には微小な間隙が必ず生じるため、放熱板１のプレ
ス成形された側面の下端には第４図に示すようにプレス
方向に沿つた微小なりエリ１７が突出して形成される。
このようなりエリ１５７の発生をプレス成形に於て避け
られぬ現象である。またこのカエリ１７を残したまま放
熱板１を例えば第４図の放熱器１８に取付けると、放熱
板１の裏面がカエリ１７のために放熱器１８から微小間
隙ｇをもつて浮き上り、放熱器１８との密着面積が少な
くなつて放熱性が悪くなる。そこで、従来は放熱器１８
への放熱板１の密着性を良くするために、放熱板１のカ
エｌ川７のあるコーナ部をブレス操作によつてカエリ１
７を潰している。
放熱板１から切断分離される。このようなプレス成形の
従来方法を例えば前記スリット９の部分で説明すると、
第５図及び第６図に示すような下金型１１とパッド１２
及びパンチ１３を使つてプレス成形していた。下金型１
１は上面がフラットで要部にスリット９に合う形状の加
工穴１４を有し、この上面に放熱板フレーム２の加工材
料である金属平板１５が位置決め載置されるパッド１２
はフラットな下面で下金型１１上の金属平板１５を下金
型１１に押圧するもので、下金型１１の加工穴１４と対
応する位置に同一形状の加工穴１６を有する。パンチ１
３は上部がパッド１２上に強力なスプリング１７を介し
て連結され、常時はパッド１２のパンチ１３の途中位置
まで嵌挿され、プレス成形時にパンチ１３を下降してパ
ッド１２と下金型１１で挾持固定された金属平板１５の
スリット成形予定部分１５′をプレスして打抜く。ノ
ところで、下金型１１の加工穴１４、１６とパンチ１３
の間には微小な間隙が必ず生じるため、放熱板１のプレ
ス成形された側面の下端には第４図に示すようにプレス
方向に沿つた微小なりエリ１７が突出して形成される。
このようなりエリ１５７の発生をプレス成形に於て避け
られぬ現象である。またこのカエリ１７を残したまま放
熱板１を例えば第４図の放熱器１８に取付けると、放熱
板１の裏面がカエリ１７のために放熱器１８から微小間
隙ｇをもつて浮き上り、放熱器１８との密着面積が少な
くなつて放熱性が悪くなる。そこで、従来は放熱器１８
への放熱板１の密着性を良くするために、放熱板１のカ
エｌ川７のあるコーナ部をブレス操作によつてカエリ１
７を潰している。
しかし、カエリ１７が放熱板１の裏面側に慣れないよう
にすることが難しく、また叩くことによるコーナ部の裏
面側への膨出の問題があり、更に製造工数が増える等の
問題がある。本発明はブレス切離成形によるカエリの発
生は避けられぬことであり、このカエリの除去に甚だ手
間を要することに鑑み、カエリがあつても放熱性等の影
響を与えないようにブレス切離成形する方法を開発し、
ここに提供する。以下、本発明を図面を参照して説明す
る。例えば本発明の方法で上記放熱板フレーム２のスリ
ット部分をブレス切離成形する場合、第７図に示す下金
型２６とバッド１９とパンチ２０を使用して行う。
にすることが難しく、また叩くことによるコーナ部の裏
面側への膨出の問題があり、更に製造工数が増える等の
問題がある。本発明はブレス切離成形によるカエリの発
生は避けられぬことであり、このカエリの除去に甚だ手
間を要することに鑑み、カエリがあつても放熱性等の影
響を与えないようにブレス切離成形する方法を開発し、
ここに提供する。以下、本発明を図面を参照して説明す
る。例えば本発明の方法で上記放熱板フレーム２のスリ
ット部分をブレス切離成形する場合、第７図に示す下金
型２６とバッド１９とパンチ２０を使用して行う。
下金型２６とバッド１９は夫々にスリット９に合う形状
の加工穴２１，２２を有し、バッド１９とパンチ２０は
強力なスプリング２３でもつて連結されているところは
従来と同様である。異なるところは下金型２６の上面に
加工穴２１に沿う部分を従来の小さな幅１で、且つ微小
な高さｄでもつて突出させて凸部２４を一体に形成ノす
る。一方、バッド１９の下面の加工穴２２に沿う部分に
前記凸部２４に嵌まる形状の凹部２５を対向させて形成
する。而して第８図乃至第１０図に示す要領でブレス成
形を行う。即ち、下金型２６上に金属平板１５を位置決
め３載置して、金属平板１５上にバッド１９を当てる。
の加工穴２１，２２を有し、バッド１９とパンチ２０は
強力なスプリング２３でもつて連結されているところは
従来と同様である。異なるところは下金型２６の上面に
加工穴２１に沿う部分を従来の小さな幅１で、且つ微小
な高さｄでもつて突出させて凸部２４を一体に形成ノす
る。一方、バッド１９の下面の加工穴２２に沿う部分に
前記凸部２４に嵌まる形状の凹部２５を対向させて形成
する。而して第８図乃至第１０図に示す要領でブレス成
形を行う。即ち、下金型２６上に金属平板１５を位置決
め３載置して、金属平板１５上にバッド１９を当てる。
（第８図）。次にパンチ２０を押し下げる。するとまず
スプリング２３を介してバッド１９が金属平板１５を押
圧して、金属平板１５は凸部２４に接する部分を残して
下金型２６上に圧接され、３凸部２４上の金属平板１５
″は凸部２４で押し上げられて凹部２５内に嵌まる（第
９図）。更にパンチ２０を押し下げて押上げ加工された
金属平板１５″をブレスして加工穴２１へ打ち抜く（第
１０図）。このようにブレス成形された放熱板１には第
１１図に示すように裏面より高さｄだけ押上げ加工され
たエッジ部１″の側面下端にカエリ１７が形成される。
そこで、高さｄをカエｌ川７の平均的突出高さである約
０．１Ｗ＄Ｌ程度に設定しておくことにより、放熱板１
を放熱器１８に取付けてもカエ１１１７が放熱板１８に
当る心配がなく、従つて放）熱板１はエッジ部１″を除
く大部分の裏面が放熱器１８に密着する。またエッジ部
１″の幅１を十分に小さくして、エッジ部１″の裏面の
全体に占める割合を小さくしておけば、エッジ部１″が
放熱器１８から浮き上つても放熱板１の放熱性を損うこ
とはない。尚、本発明は半導体装置の放熱板のブレス切
離成形に限らず、他の一般のリードや電極板などのブレ
ス切離成形にも十分に適用し得るものである。以上説明
したように、本発明によれば被ブレス切離成形物の裏面
にカエリができても、このカエリは裏面から浮き上る位
置にできる。
スプリング２３を介してバッド１９が金属平板１５を押
圧して、金属平板１５は凸部２４に接する部分を残して
下金型２６上に圧接され、３凸部２４上の金属平板１５
″は凸部２４で押し上げられて凹部２５内に嵌まる（第
９図）。更にパンチ２０を押し下げて押上げ加工された
金属平板１５″をブレスして加工穴２１へ打ち抜く（第
１０図）。このようにブレス成形された放熱板１には第
１１図に示すように裏面より高さｄだけ押上げ加工され
たエッジ部１″の側面下端にカエリ１７が形成される。
そこで、高さｄをカエｌ川７の平均的突出高さである約
０．１Ｗ＄Ｌ程度に設定しておくことにより、放熱板１
を放熱器１８に取付けてもカエ１１１７が放熱板１８に
当る心配がなく、従つて放）熱板１はエッジ部１″を除
く大部分の裏面が放熱器１８に密着する。またエッジ部
１″の幅１を十分に小さくして、エッジ部１″の裏面の
全体に占める割合を小さくしておけば、エッジ部１″が
放熱器１８から浮き上つても放熱板１の放熱性を損うこ
とはない。尚、本発明は半導体装置の放熱板のブレス切
離成形に限らず、他の一般のリードや電極板などのブレ
ス切離成形にも十分に適用し得るものである。以上説明
したように、本発明によれば被ブレス切離成形物の裏面
にカエリができても、このカエリは裏面から浮き上る位
置にできる。
従つて放熱板１のブレス切離成形に適用すればカエリを
除去することなく放熱性の改善が図れ、また製造工数が
少なくできる。
除去することなく放熱性の改善が図れ、また製造工数が
少なくできる。
第１図は半導体装置の一例を示す平面図、第２図は第１
図Ａ−Ａ線に沿う断・面図、第３図は第１図の半導体装
置を細分割して得た半導体装置の平面図、第４図は第３
図のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図、第５図及び第６図は従
来のブレス成形動作を説明する各段階の断面図、第７図
乃至第１０図は本発明によるブレス切離成形方法を実施
する装置の一例とその動作を説明する各段階ての断面図
、第１１図は本発明の方法でブレス成形された被ブレス
切離成形物の一部断面図である。 １・・・・・・被ブレス切離成形物（放熱板）。
図Ａ−Ａ線に沿う断・面図、第３図は第１図の半導体装
置を細分割して得た半導体装置の平面図、第４図は第３
図のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図、第５図及び第６図は従
来のブレス成形動作を説明する各段階の断面図、第７図
乃至第１０図は本発明によるブレス切離成形方法を実施
する装置の一例とその動作を説明する各段階ての断面図
、第１１図は本発明の方法でブレス成形された被ブレス
切離成形物の一部断面図である。 １・・・・・・被ブレス切離成形物（放熱板）。
Claims (1)
- １ 被プレス切離成形物の裏面を被プレス切離成形線に
沿つて部分的に押上げ加工した状態で表面側よりプレス
切離成形することを特徴とするプレス切離成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18846580A JPS6051270B2 (ja) | 1980-12-27 | 1980-12-27 | プレス切離成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18846580A JPS6051270B2 (ja) | 1980-12-27 | 1980-12-27 | プレス切離成形方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57111057A JPS57111057A (en) | 1982-07-10 |
| JPS6051270B2 true JPS6051270B2 (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=16224184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18846580A Expired JPS6051270B2 (ja) | 1980-12-27 | 1980-12-27 | プレス切離成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051270B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086750A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Rohm Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
-
1980
- 1980-12-27 JP JP18846580A patent/JPS6051270B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57111057A (en) | 1982-07-10 |
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