JPS6050974A - アモルフアス太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアス太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS6050974A JPS6050974A JP58157977A JP15797783A JPS6050974A JP S6050974 A JPS6050974 A JP S6050974A JP 58157977 A JP58157977 A JP 58157977A JP 15797783 A JP15797783 A JP 15797783A JP S6050974 A JPS6050974 A JP S6050974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous
- type layer
- solar battery
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 7
- 244000062793 Sorghum vulgare Species 0.000 claims 1
- 235000019713 millet Nutrition 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000005837 radical ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はアモルファスシリコンを主材料とする多層構
造の太陽電池の製造工程において、アモルファスシリコ
ンの製造方法として汎用されているグロー放電法ととも
に、特定の工程のみＳｉＨ４ガス等の主材料の光分解Ｃ
ＶＤ法を用いた太陽電池の製造方法に関するものである
。
造の太陽電池の製造工程において、アモルファスシリコ
ンの製造方法として汎用されているグロー放電法ととも
に、特定の工程のみＳｉＨ４ガス等の主材料の光分解Ｃ
ＶＤ法を用いた太陽電池の製造方法に関するものである
。
従来のアモルファス太陽電池は第１図、第２図に示す構
造のものがある。第１図、第２図は多層構造のアモルフ
ァス太陽電池の断面構造を模型的に示したものである。
造のものがある。第１図、第２図は多層構造のアモルフ
ァス太陽電池の断面構造を模型的に示したものである。
第１図において（１）及び（５）は両極電極、（２）及
び（４）は不純物を多重にドープしてｎ形およびＰ形に
価電子制御されたアモルファス層、（３）は光照射によ
る主励起キャリヤ発生領域となるほぼノンドープに近い
アモルファス層、 （６）は集電極を示す。また、第２
図において、（１）〜（６）は第１図と同様のものを示
す他、 （３） 、 （８’） 、 （８つは各々禁制
帯幅が異なる主励起キャリヤ発生領域を示す。
び（４）は不純物を多重にドープしてｎ形およびＰ形に
価電子制御されたアモルファス層、（３）は光照射によ
る主励起キャリヤ発生領域となるほぼノンドープに近い
アモルファス層、 （６）は集電極を示す。また、第２
図において、（１）〜（６）は第１図と同様のものを示
す他、 （３） 、 （８’） 、 （８つは各々禁制
帯幅が異なる主励起キャリヤ発生領域を示す。
なお、第２図に示す構造では、電極（５）を通して光入
射を行う場合を示し、このとき光学的バンドギャップ値
ＥｑｏｐｔはＥｑｏｐｔ ８ ＜ Ｅｑｏｐｔ ８’
＜ Ｅｑｏｐｔ８’となるように構成されている。太陽
電池としての性能限界が、そのアモルファスシリコン（
以下、ａ−５ｉ：Ｈと称す。）材料の光学的バンドギャ
ップ値ＥｑＯｐｔが比較的大きい（１，７５〜１．９５
ｅＶ ） ことに起因して太陽光スペクトルの内、長波
長光の利用効率が低下する事が、その性能限界の一因と
なつているが、第２図に示したアモルファスシリコンゲ
ルマニウム（以下、ａ ５ｉＧｅ：Ｈと称す。）等の低
バンドギャップ材料の有用利用を図った多層構造のアモ
ルファス太陽電池においては、長波長光利用効率が改善
されて、その特性向上に対して有用な方法である。
射を行う場合を示し、このとき光学的バンドギャップ値
ＥｑｏｐｔはＥｑｏｐｔ ８ ＜ Ｅｑｏｐｔ ８’
＜ Ｅｑｏｐｔ８’となるように構成されている。太陽
電池としての性能限界が、そのアモルファスシリコン（
以下、ａ−５ｉ：Ｈと称す。）材料の光学的バンドギャ
ップ値ＥｑＯｐｔが比較的大きい（１，７５〜１．９５
ｅＶ ） ことに起因して太陽光スペクトルの内、長波
長光の利用効率が低下する事が、その性能限界の一因と
なつているが、第２図に示したアモルファスシリコンゲ
ルマニウム（以下、ａ ５ｉＧｅ：Ｈと称す。）等の低
バンドギャップ材料の有用利用を図った多層構造のアモ
ルファス太陽電池においては、長波長光利用効率が改善
されて、その特性向上に対して有用な方法である。
しかし、第１図に示した単層構造アモルファス太陽電池
において、主光励起キャリヤ発生領域となるノンピー１
１層の厚みは光励起キャリヤの拡散長と空乏層中との和
程度になる様に太陽電池を試作した時、はぼ最適化を行
う事が可能でその厚みは通常のグロー放電性アモルファ
スシリコン膜（ａ−５ｉ：Ｈ）では約０．８〜１．０
ｐｍ程度に最適値がある。−右筆２図に示した多層構造
素子において、光入射方向に対して最表面ｉこ位置する
ａ−５ｉ：Ｈあるいはａ−５ｉＮ：Ｈ，ａ−５ｉＣ：Ｈ
等の高バンドギャップ材料等に要求される仕様としては
、下部の低バンドギャップエネルギ材料太陽電池と太陽
光入射エネルギーによる光発生電流を均等分割した時最
大出力電流が得られる事に対応して、その厚みは第１図
に示した単層構造素子のｉ層厚と比較して薄くなる。第
２図に示した８層構造素子においては、その最表面層厚
の厚みは約４００〜６００人程度であり、又ａ −８ｉ
：Ｈ／ ａ−８ｉＧｅ：Ｈ等の２層構造素子において
は１０００〜２０００λ程度であり通常の単格段に薄く
成る。
において、主光励起キャリヤ発生領域となるノンピー１
１層の厚みは光励起キャリヤの拡散長と空乏層中との和
程度になる様に太陽電池を試作した時、はぼ最適化を行
う事が可能でその厚みは通常のグロー放電性アモルファ
スシリコン膜（ａ−５ｉ：Ｈ）では約０．８〜１．０
ｐｍ程度に最適値がある。−右筆２図に示した多層構造
素子において、光入射方向に対して最表面ｉこ位置する
ａ−５ｉ：Ｈあるいはａ−５ｉＮ：Ｈ，ａ−５ｉＣ：Ｈ
等の高バンドギャップ材料等に要求される仕様としては
、下部の低バンドギャップエネルギ材料太陽電池と太陽
光入射エネルギーによる光発生電流を均等分割した時最
大出力電流が得られる事に対応して、その厚みは第１図
に示した単層構造素子のｉ層厚と比較して薄くなる。第
２図に示した８層構造素子においては、その最表面層厚
の厚みは約４００〜６００人程度であり、又ａ −８ｉ
：Ｈ／ ａ−８ｉＧｅ：Ｈ等の２層構造素子において
は１０００〜２０００λ程度であり通常の単格段に薄く
成る。
通常のグロー放電−一合、成長厚の制御は一抵設時間の
制御によって任意の厚み成長する事が可能であるが、こ
のグロー放電法を用いて上記した非常にｉ層厚の薄い素
子を作成する場合法の様な問題点がある。
制御によって任意の厚み成長する事が可能であるが、こ
のグロー放電法を用いて上記した非常にｉ層厚の薄い素
子を作成する場合法の様な問題点がある。
（１）通常の高周波グロー放電分解法でプラズマ中にお
いて生成する高エネルギーラジカル、あるいはイオンと
か電子の荷電粒子は、ＳｉＨ４ガスをラジカル化する最
低エネルギよりも非常に高い状態でプラズマ化されてい
る為この高エネルギー粒子によるアモルファス材料表面
への衝撃効果が大きい。この荷電粒子によるアモルファ
ス膜表面から付着原子のスパッタエッチ現象と生成ラジ
カルの付着効果が重じようしている状態でアモルファス
膜成長が進むと考えられる。この過程においては上記薄
膜成長の前工程における付着膜２例えば不純物ドーピン
グ層（Ｐ形、ｎ形層）成長後であれば、ドーピング層中
不純物例えばボロン。
いて生成する高エネルギーラジカル、あるいはイオンと
か電子の荷電粒子は、ＳｉＨ４ガスをラジカル化する最
低エネルギよりも非常に高い状態でプラズマ化されてい
る為この高エネルギー粒子によるアモルファス材料表面
への衝撃効果が大きい。この荷電粒子によるアモルファ
ス膜表面から付着原子のスパッタエッチ現象と生成ラジ
カルの付着効果が重じようしている状態でアモルファス
膜成長が進むと考えられる。この過程においては上記薄
膜成長の前工程における付着膜２例えば不純物ドーピン
グ層（Ｐ形、ｎ形層）成長後であれば、ドーピング層中
不純物例えばボロン。
リンが１層成長時のラジカル荷電粒子のエネルギに及ぼ
す成長条件、ＲＦパワー、ガス圧等の影響を受けてｉ層
中に再分布する。
す成長条件、ＲＦパワー、ガス圧等の影響を受けてｉ層
中に再分布する。
（２）ｉ層中に混入、再分布した活性不純物の太陽電池
素子特性への影響は、結果的な不純物ドーピングによる
フェルミレベルシフトの及ぼす太陽電池内部電界強度へ
の影響とかあるいはｉ層中に新しく作る不純物５ｔａｔ
Ｂによるキャリヤ再結合中心としての効果等、素子時性
への影響はかなり複雑ではあるが、一般的にはこのｉ層
中不純物濃度は少ないもの捏持性向上の可能性を持つと
考えられる。
素子特性への影響は、結果的な不純物ドーピングによる
フェルミレベルシフトの及ぼす太陽電池内部電界強度へ
の影響とかあるいはｉ層中に新しく作る不純物５ｔａｔ
Ｂによるキャリヤ再結合中心としての効果等、素子時性
への影響はかなり複雑ではあるが、一般的にはこのｉ層
中不純物濃度は少ないもの捏持性向上の可能性を持つと
考えられる。
（３）単層構造アモルファス太陽電池の１層の場合、そ
の最適厚が比較的厚い為、ｉ層成長過程において成長時
のＲＦ ｐｏｗｅｒ 、−圧力等の制御によって・ドー
ピング層等からの不純物再分布の適正化が可能であり、
ｉ層中のメイン動作領域においては、はぼ再分布不純物
の影響を和した素子作成が可能になる。
の最適厚が比較的厚い為、ｉ層成長過程において成長時
のＲＦ ｐｏｗｅｒ 、−圧力等の制御によって・ドー
ピング層等からの不純物再分布の適正化が可能であり、
ｉ層中のメイン動作領域においては、はぼ再分布不純物
の影響を和した素子作成が可能になる。
一方第２図に示した多層構造素子の最表面層の様にｉ層
厚として薄い状態において、その１層膜質の均質化およ
び高品質化を図るには、上記したドーピングノーからの
不純物の再分布の影響によって急激な膜質の低下を起こ
しやす（難しい。又、その再分布状態も再現性のよいも
のが得られにくく、多層構造素子開発の為には、グロー
放電法の持つ本質的な欠点、すなわち生成するラジカル
イオン、電子等のエネルギーが非常に大きいという本質
的欠点を改良する必要があった。
厚として薄い状態において、その１層膜質の均質化およ
び高品質化を図るには、上記したドーピングノーからの
不純物の再分布の影響によって急激な膜質の低下を起こ
しやす（難しい。又、その再分布状態も再現性のよいも
のが得られにくく、多層構造素子開発の為には、グロー
放電法の持つ本質的な欠点、すなわち生成するラジカル
イオン、電子等のエネルギーが非常に大きいという本質
的欠点を改良する必要があった。
この発明は上記不都合を解消するためになされたもので
、ＩＣＱ造プロセスのより低温化を意図した半導体プロ
セスとして、光ＣＶＤ法技術が活発化しており、シリコ
ン酸化膜あるいはシリコン窒素膜等の製造工程にお０て
は、従来の熱分解ＣＶＤ法あるいは、プラズマＣＶＤ法
に変る技術として注目されていることに鑑み、アモルフ
ァスシリコン等の薄膜部分を光分解ＣＶＤ法を用いる新
規なアモルファス太陽電池の製造方法を提案するもので
ある。本発明の一実施例を第８図を用いて説明する。
、ＩＣＱ造プロセスのより低温化を意図した半導体プロ
セスとして、光ＣＶＤ法技術が活発化しており、シリコ
ン酸化膜あるいはシリコン窒素膜等の製造工程にお０て
は、従来の熱分解ＣＶＤ法あるいは、プラズマＣＶＤ法
に変る技術として注目されていることに鑑み、アモルフ
ァスシリコン等の薄膜部分を光分解ＣＶＤ法を用いる新
規なアモルファス太陽電池の製造方法を提案するもので
ある。本発明の一実施例を第８図を用いて説明する。
第８図は水銀増感法光ＣＶＤ装置の一例を示すが、この
光ＣＶＤ装置においては、低圧水銀アークから放射され
る紫外線（主としてλ＝２５８７Ａ） ＋こより、ソー
スガスに微量混入された水銀蒸気とソース分子の衝突に
よるソースガスの間接的な励起を行って堆積する方法で
ある。アモルファスシリコン堆積過程において予測され
る反応過程は次の様に考えられる。
光ＣＶＤ装置においては、低圧水銀アークから放射され
る紫外線（主としてλ＝２５８７Ａ） ＋こより、ソー
スガスに微量混入された水銀蒸気とソース分子の衝突に
よるソースガスの間接的な励起を行って堆積する方法で
ある。アモルファスシリコン堆積過程において予測され
る反応過程は次の様に考えられる。
Ｈｇ＋′＋ＳｉＨ４→Ｈｇ（Ｓ’０） ＋（ＳｉＨ４）
’・・・分子の衝突によるエネルギ ー移動 （ＳｉＨ４） →Ｈ＋ Ｓ ｔＨ，→Ｓｉ↓・・・通常
のラジカル反応 この反応の過程からも明らかな様に、光ＣＶＤ成長過程
においては、堆積過程にイオンや電子といった高エネル
ギー荷電粒子が関与せず、低エネルギラジカルのみによ
って成長が進行すると考えられるので、下地や堆積膜へ
の損傷が少く、かつ前述した下地不純物ドープ層からの
ドーピング原子のｉ層中への再分布を理想的に抑制でき
る。
’・・・分子の衝突によるエネルギ ー移動 （ＳｉＨ４） →Ｈ＋ Ｓ ｔＨ，→Ｓｉ↓・・・通常
のラジカル反応 この反応の過程からも明らかな様に、光ＣＶＤ成長過程
においては、堆積過程にイオンや電子といった高エネル
ギー荷電粒子が関与せず、低エネルギラジカルのみによ
って成長が進行すると考えられるので、下地や堆積膜へ
の損傷が少く、かつ前述した下地不純物ドープ層からの
ドーピング原子のｉ層中への再分布を理想的に抑制でき
る。
多層構造アモルファス太陽電池あるいは単層構造アモル
ファス太陽電池の製造方法として、光ＣＶＤ法を利用し
た場合の成長装置について第８図を用いて説明する。第
８図において、石英管（７）で構成される反応室（８）
内に太陽電池の基板（９）を配置する。この反英管（７
）の−側面から管αＱを通して５ｉＨ４ｔ ＧｅＨａあ
るいは８２ Ｈ６等のガスが反応室（８）内へ導入され
、さらに管（ＩＩ）を通してＰＨｓ 、 Ｈ２あるいは
ＮＨ３等のガスが反応室（８）へ導入される。また、石
英管（７）の上部には水銀ランプ＠を設けるとともに石
英管（８）の下部にはヒーター（至）が設けられており
、ｗａηの反応室（８）内には水銀ポットＯＱを設けら
れている。
ファス太陽電池の製造方法として、光ＣＶＤ法を利用し
た場合の成長装置について第８図を用いて説明する。第
８図において、石英管（７）で構成される反応室（８）
内に太陽電池の基板（９）を配置する。この反英管（７
）の−側面から管αＱを通して５ｉＨ４ｔ ＧｅＨａあ
るいは８２ Ｈ６等のガスが反応室（８）内へ導入され
、さらに管（ＩＩ）を通してＰＨｓ 、 Ｈ２あるいは
ＮＨ３等のガスが反応室（８）へ導入される。また、石
英管（７）の上部には水銀ランプ＠を設けるとともに石
英管（８）の下部にはヒーター（至）が設けられており
、ｗａηの反応室（８）内には水銀ポットＯＱを設けら
れている。
なお、石英管（７）の管ＱＯαρと反対側には排気口ａ
４が設けられている。
４が設けられている。
第８図に示した成長装置において、反応室（８）への励
起紫外線光の取り入れ部分は、励起紫外線光、例えばｚ
５ａｖＡの波長領域において透過特性の良いホモジル石
英等を利用することが可能であるが、アモルファスシリ
コン膜の場合、前述したＳｉｎ、。
起紫外線光の取り入れ部分は、励起紫外線光、例えばｚ
５ａｖＡの波長領域において透過特性の良いホモジル石
英等を利用することが可能であるが、アモルファスシリ
コン膜の場合、前述したＳｉｎ、。
Ｓｉ３Ｎ４膜等と比較して、その可視光吸収係数が格段
に大きい為に、光取り入れ部材質ホモジル石英ｎ部に付
着したアモルファスシリコンポリマー、トるいはクラス
ターは、アモルファスシリコン膜の成長が進むにつれて
、励起光２５８７Ａの波長に対して、遮蔽物として働く
。
に大きい為に、光取り入れ部材質ホモジル石英ｎ部に付
着したアモルファスシリコンポリマー、トるいはクラス
ターは、アモルファスシリコン膜の成長が進むにつれて
、励起光２５８７Ａの波長に対して、遮蔽物として働く
。
シタ力って、グロー放電性アモルファスシリコン膜等の
如（連続成長が難かしくなる不都合はあるがこの管壁付
着物は光ＣＶＤ成長条件、例えば成長時ガス圧、管壁温
度等の影響を受けるので、通常太陽電池等の基板（９）
へのアモルファスシリコン膜成長膜厚として、５００〜
２ｏｏｏＡ程度を限界とすればよい。なお、それ以上の
成長厚を用する時には、石英管（７）をクリニングすれ
ば足りる。
如（連続成長が難かしくなる不都合はあるがこの管壁付
着物は光ＣＶＤ成長条件、例えば成長時ガス圧、管壁温
度等の影響を受けるので、通常太陽電池等の基板（９）
へのアモルファスシリコン膜成長膜厚として、５００〜
２ｏｏｏＡ程度を限界とすればよい。なお、それ以上の
成長厚を用する時には、石英管（７）をクリニングすれ
ば足りる。
以上のように、本実施例によればクリニングと成長の繰
り返しにより高厚膜アモルファスシリコン膜の成長が可
能であるが、１層成長途中に生じる不連続性は、素子特
性の不安定性とともに、チャンバーのクリニング過程に
おいて生じる種々の汚染源からの影響を受けやすい。こ
のため、前述した多層構造アモルファス太陽電池製造工
程における最表面ｉｌｌ等の如く、その厚みを薄くし、
上記したアモルファスシリコン光ＣＶＤ技術において問
題となる製造途中におけるクリニングエ哩等カ不用にな
る為、連続成長アモルファスシリコン□陣の太陽電池へ
の応用が可能になるとともに、前記したグロー放電性ア
モルファスシリコン成長技術に細隙する本質内入点すな
わち、ドーピング層からの不純物の再分布を、光ＣＶＤ
法では抑制モ君るという利点を生かす事ができる。
り返しにより高厚膜アモルファスシリコン膜の成長が可
能であるが、１層成長途中に生じる不連続性は、素子特
性の不安定性とともに、チャンバーのクリニング過程に
おいて生じる種々の汚染源からの影響を受けやすい。こ
のため、前述した多層構造アモルファス太陽電池製造工
程における最表面ｉｌｌ等の如く、その厚みを薄くし、
上記したアモルファスシリコン光ＣＶＤ技術において問
題となる製造途中におけるクリニングエ哩等カ不用にな
る為、連続成長アモルファスシリコン□陣の太陽電池へ
の応用が可能になるとともに、前記したグロー放電性ア
モルファスシリコン成長技術に細隙する本質内入点すな
わち、ドーピング層からの不純物の再分布を、光ＣＶＤ
法では抑制モ君るという利点を生かす事ができる。
以上説明したように、本発明は主励起キャリヤ発生領域
を幾層にも直列接続し、かつ上記主励起キャリヤ発生領
域の禁制帯幅が光入射面側から順次小さくなるように構
成したアモルファス太陽電池の製造方法において、上記
主励起キャリヤ発生領域を高周波グロー放電性及び光分
解プラズマＣＶＤ法によって形成するようにしたので、
製造過程においてドーピング層からの不純物の再分布を
抑制することができる。
を幾層にも直列接続し、かつ上記主励起キャリヤ発生領
域の禁制帯幅が光入射面側から順次小さくなるように構
成したアモルファス太陽電池の製造方法において、上記
主励起キャリヤ発生領域を高周波グロー放電性及び光分
解プラズマＣＶＤ法によって形成するようにしたので、
製造過程においてドーピング層からの不純物の再分布を
抑制することができる。
第１図は従来の単層構造アモルファス太陽電池の構造を
示す断面図、第２図は従来の多層構造のアモルファス太
陽電池の構造を示す断面図、第８図はこの発明に係るア
モルファス太陽電池の製造方法を説明するために用いる
製造装置を示す構成図である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 （７）・・・石英管、（８）・・・反応室、（９）・・
・基板、Ｑｏ（ロ）・・・管。 （２）・・・水銀ランプ、 Ｑｌ・・・ヒーター、α→
・・・排気口、（至）・・・水銀ポット 出願人 工業技術院長 川 １） 裕 部 手続補正者（自発） 昭和（ｔ′Ｉ年Ｓ月之ダ日 持奸庁長官 殿 １、 事件の表示 特願昭５８−１５７９７７号２、
発明の名称 アモルファス太陽電池の製造方法 ８、ｒ＋ｔｉ正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関１丁目８番１号４、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細畜牛第２頁第４行目に「多重にドープして」
とあるのを「ドープして」に補正する。 （２）明細書中第８頁＠８行目に「有用利用」とあるの
を「有効利用」に補正する。 （３）明ｍ畜牛第４頁第行目に「その最表面層厚の厚み
」とあるのを「その最表面層厚」に補正する。 （４）明細畜牛第４頁第９行目に「厚は成長する」とあ
るのを「厚みに成長する」に補正する。 （５）明細畜牛第５頁第１０行目に「活性不純物」とあ
るのを「活性不純物」に補正する。 （６）明細畜牛第５頁第１２行目に「フェルミレベルシ
フトの」とあるのを「フェルミレベルシフトに」に補正
する。 （７）明細畜牛第５頁第１４行目に［５ｔａｔＢ Ｊと
あるのを「５ｔａｔｅ Ｊ に補正する。 （８）明細畜牛第６頁第４行目に「影響を」とあるのを
ｒ影響を緩」に補正する。 （９）明細書中綿１Ｏ頁第１４行目に「その厚みを薄く
し」とあるのを「その厚みが薄いとき」に補正する。 以上
示す断面図、第２図は従来の多層構造のアモルファス太
陽電池の構造を示す断面図、第８図はこの発明に係るア
モルファス太陽電池の製造方法を説明するために用いる
製造装置を示す構成図である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 （７）・・・石英管、（８）・・・反応室、（９）・・
・基板、Ｑｏ（ロ）・・・管。 （２）・・・水銀ランプ、 Ｑｌ・・・ヒーター、α→
・・・排気口、（至）・・・水銀ポット 出願人 工業技術院長 川 １） 裕 部 手続補正者（自発） 昭和（ｔ′Ｉ年Ｓ月之ダ日 持奸庁長官 殿 １、 事件の表示 特願昭５８−１５７９７７号２、
発明の名称 アモルファス太陽電池の製造方法 ８、ｒ＋ｔｉ正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関１丁目８番１号４、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細畜牛第２頁第４行目に「多重にドープして」
とあるのを「ドープして」に補正する。 （２）明細書中第８頁＠８行目に「有用利用」とあるの
を「有効利用」に補正する。 （３）明ｍ畜牛第４頁第行目に「その最表面層厚の厚み
」とあるのを「その最表面層厚」に補正する。 （４）明細畜牛第４頁第９行目に「厚は成長する」とあ
るのを「厚みに成長する」に補正する。 （５）明細畜牛第５頁第１０行目に「活性不純物」とあ
るのを「活性不純物」に補正する。 （６）明細畜牛第５頁第１２行目に「フェルミレベルシ
フトの」とあるのを「フェルミレベルシフトに」に補正
する。 （７）明細畜牛第５頁第１４行目に［５ｔａｔＢ Ｊと
あるのを「５ｔａｔｅ Ｊ に補正する。 （８）明細畜牛第６頁第４行目に「影響を」とあるのを
ｒ影響を緩」に補正する。 （９）明細書中綿１Ｏ頁第１４行目に「その厚みを薄く
し」とあるのを「その厚みが薄いとき」に補正する。 以上
Claims (1)
- 主励起キャリヤ発生領域を幾層にも縦形に直列接続し、
かつ上記主励起キャリヤ発生領域の禁制帯幅が光入射面
側から順次小さくなるように構成した水素化アモルファ
スシリコンを主材料とするものにおいて、各主励起キャ
リヤ発生領域を作る方法として、高周波グロー放電法と
光分＃ 黍？−４
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157977A JPS6050974A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157977A JPS6050974A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050974A true JPS6050974A (ja) | 1985-03-22 |
Family
ID=15661553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157977A Pending JPS6050974A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050974A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5586544A (en) * | 1993-11-30 | 1996-12-24 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Fuel injection amount control system for internal combustion engines and intake passage wall temperature-estimating device used therein |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58157977A patent/JPS6050974A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5586544A (en) * | 1993-11-30 | 1996-12-24 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Fuel injection amount control system for internal combustion engines and intake passage wall temperature-estimating device used therein |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5736431A (en) | Method for producing thin film solar battery | |
| US6307146B1 (en) | Amorphous silicon solar cell | |
| JPS60154521A (ja) | 炭化珪素被膜作製方法 | |
| WO2003085746A1 (en) | Method for fabricating tandem thin film photoelectric converter | |
| US4520380A (en) | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors | |
| JPS63233564A (ja) | 接合型トランジスタの製造法 | |
| US4710786A (en) | Wide band gap semiconductor alloy material | |
| JPH0253941B2 (ja) | ||
| JP2006216921A (ja) | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 | |
| US4799968A (en) | Photovoltaic device | |
| US7038238B1 (en) | Semiconductor device having a non-single crystalline semiconductor layer | |
| JPS6050974A (ja) | アモルフアス太陽電池の製造方法 | |
| JPH07106611A (ja) | Ｂｓｆ型太陽電池の製造方法 | |
| JPH08506215A (ja) | 高品質半導体材料製造のためのマイクロ波励起方法 | |
| JPS59213176A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2989055B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS6037118A (ja) | プラズマ気相反応方法 | |
| JPH11266030A (ja) | 半導体素子、及び半導体素子の製造方法 | |
| JP2854083B2 (ja) | 半導体薄膜およびその製造方法 | |
| JP2540684B2 (ja) | 珪素を主成分とする半導体被膜の作製方法 | |
| JP2003158078A (ja) | シリコン半導体の形成方法 | |
| JPH0574707A (ja) | 非晶質半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2004253417A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPS63244887A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| JPH02177371A (ja) | アモルファス太陽電池の製造方法 |