JPS605072A - 炭化ケイ素成形体の製造法 - Google Patents
炭化ケイ素成形体の製造法Info
- Publication number
- JPS605072A JPS605072A JP58113488A JP11348883A JPS605072A JP S605072 A JPS605072 A JP S605072A JP 58113488 A JP58113488 A JP 58113488A JP 11348883 A JP11348883 A JP 11348883A JP S605072 A JPS605072 A JP S605072A
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- JP
- Japan
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- silicon carbide
- temperature
- salt
- rice
- sic
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な炭化ケイ素成形体の製造法、さらに詳し
くいえば、もみがら又は稲ゎらを原料とし、結合剤を用
いることなく実質的に100%の炭化ケイ素成形体を製
造する方法に関するものである。
くいえば、もみがら又は稲ゎらを原料とし、結合剤を用
いることなく実質的に100%の炭化ケイ素成形体を製
造する方法に関するものである。
従来、炭化ケイ素成形・体の製造方法としては、一般に
炭化ケイ素微粉末と結合剤とを混合し、加圧成形したの
ち、焼成するというような方法が用いられている。
炭化ケイ素微粉末と結合剤とを混合し、加圧成形したの
ち、焼成するというような方法が用いられている。
しかしながら、この方法においては、粒度のそろったα
型炭化けい素を用い、結合剤としてタール系ピッチ系の
バインダー又は5i−C骨格を有するポリカルボシラン
などを使用する必要があり、また炭化ケイ素粉末と結合
剤との間隙にケイ素や酸化ケイ素の蒸気を侵入させたり
、あるいはコロイド状無水ケイ酸を、その水溶液を用い
て含浸させたりする必要があり、さらに常温で成形後焼
結させるなど、原材料の費用が高く、その上操作が煩雑
であるなどの欠点があった。
型炭化けい素を用い、結合剤としてタール系ピッチ系の
バインダー又は5i−C骨格を有するポリカルボシラン
などを使用する必要があり、また炭化ケイ素粉末と結合
剤との間隙にケイ素や酸化ケイ素の蒸気を侵入させたり
、あるいはコロイド状無水ケイ酸を、その水溶液を用い
て含浸させたりする必要があり、さらに常温で成形後焼
結させるなど、原材料の費用が高く、その上操作が煩雑
であるなどの欠点があった。
本発明者らは、このような欠点を克服し、実質的に10
0%の炭化ケイ素成形体を安価に、かつ簡単な操作で製
造する方法全提供すべく鋭意研究を重ねた結果、原料と
してもみがら又は稲わらを用い、これ全特定の処理を行
って炭化したのち、結合剤を用いずに所定の条件で焼結
することにより、その目的を達成しうろことを見出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
0%の炭化ケイ素成形体を安価に、かつ簡単な操作で製
造する方法全提供すべく鋭意研究を重ねた結果、原料と
してもみがら又は稲わらを用い、これ全特定の処理を行
って炭化したのち、結合剤を用いずに所定の条件で焼結
することにより、その目的を達成しうろことを見出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
□すなわち、本発明は、もみがら若しくは稲わら1
を鉄塩、バナジウム塩、ニッケル塩又はクロム塩It含
む水溶液中い浸漬1、次いア乾や後、。0〜1000℃
の温度で炭化したのち粉砕し、そのままか又はいったん
空気中にて酸化したのち、100〜400に9/cnl
の圧力下、1800℃以上の温度で焼結すること全特徴
とする炭化ケイ素成形体の製造法を提供するものである
。
む水溶液中い浸漬1、次いア乾や後、。0〜1000℃
の温度で炭化したのち粉砕し、そのままか又はいったん
空気中にて酸化したのち、100〜400に9/cnl
の圧力下、1800℃以上の温度で焼結すること全特徴
とする炭化ケイ素成形体の製造法を提供するものである
。
なお、もみがらより炭化ケイ素粉末を製造する方法はす
でに提案されているが、もみがらより結合剤を用いない
で炭化ケイ素成形体を得る方法については、まだ見出さ
れておらず、本発明方法は新規なものである。
でに提案されているが、もみがらより結合剤を用いない
で炭化ケイ素成形体を得る方法については、まだ見出さ
れておらず、本発明方法は新規なものである。
本発明方法においてもみがら又は稲わら全浸漬するため
に用いる金属塩水溶液は、鉄塩、ノ・ナジウム塩、ニッ
ケル塩又はクロム塩を含む水溶液であって、金属として
0.01重量係以上の濃度のものが好ましい。
に用いる金属塩水溶液は、鉄塩、ノ・ナジウム塩、ニッ
ケル塩又はクロム塩を含む水溶液であって、金属として
0.01重量係以上の濃度のものが好ましい。
これらの金属塩水溶液にもみがら又は稲わらを含浸させ
る時間は1時間程度で十分であり、この間に、金属イオ
ンは有機質中のセルロースのなかに均一に含浸する。こ
の金属イオンは炭化物の焼成時に触媒として作用させる
ためのものであり、もみがら又は稲わらヲ400〜10
00℃の温度で炭、化したのち、含浸させてもよいが、
該金属イオン、を均一に分散含浸させるためには、前記
の方法が優れている。
る時間は1時間程度で十分であり、この間に、金属イオ
ンは有機質中のセルロースのなかに均一に含浸する。こ
の金属イオンは炭化物の焼成時に触媒として作用させる
ためのものであり、もみがら又は稲わらヲ400〜10
00℃の温度で炭、化したのち、含浸させてもよいが、
該金属イオン、を均一に分散含浸させるためには、前記
の方法が優れている。
このように金属塩水溶液中に浸漬したもみがら又は稲わ
らを、該水溶液から分離したのち、室温〜110℃の温
度で乾燥後、好ましくは窒素ガスなどの不活性ガス雰囲
気下に、400〜1000℃の温度で炭化する。炭化時
間は1時間程度で十分である。例えばもみがら及び稲わ
らを500℃の温度で1時間炭化して得られた炭化物の
収率は、それぞれ約50%であり、捷だ炭化物中のシリ
カと炭素との比率は、重量基準でそれぞれ59.6 :
40.4及び59.7 : 40.3であった。
らを、該水溶液から分離したのち、室温〜110℃の温
度で乾燥後、好ましくは窒素ガスなどの不活性ガス雰囲
気下に、400〜1000℃の温度で炭化する。炭化時
間は1時間程度で十分である。例えばもみがら及び稲わ
らを500℃の温度で1時間炭化して得られた炭化物の
収率は、それぞれ約50%であり、捷だ炭化物中のシリ
カと炭素との比率は、重量基準でそれぞれ59.6 :
40.4及び59.7 : 40.3であった。
この炭化物は、好ましくは44μm以下の粒径に粉砕し
、そのままかあるいは、この粉体全空気中で約300℃
の温度で酸化したのち、例えばホットプレス装置などを
用いて、100〜400に?/caの圧力下、1800
℃以上の温度で焼結する。好ましい焼結温度は1800
〜1900 ℃の範囲であり、また焼結時間は1時間程
度で十分である。
、そのままかあるいは、この粉体全空気中で約300℃
の温度で酸化したのち、例えばホットプレス装置などを
用いて、100〜400に?/caの圧力下、1800
℃以上の温度で焼結する。好ましい焼結温度は1800
〜1900 ℃の範囲であり、また焼結時間は1時間程
度で十分である。
この際、昇温中の1200℃前後と、1800〜185
0℃の温度において、ホットプレス装置のマイクロメー
ターの針が急速に回転し、モールド中でみかけの体積の
収縮が起り、反応焼結が起っていることが判る。約18
50’C″i!で昇温し、この温度に保持されている間
に、次に示すような反応が進行していることが考えられ
る。
0℃の温度において、ホットプレス装置のマイクロメー
ターの針が急速に回転し、モールド中でみかけの体積の
収縮が起り、反応焼結が起っていることが判る。約18
50’C″i!で昇温し、この温度に保持されている間
に、次に示すような反応が進行していることが考えられ
る。
5i02 + C−+SiO+CO−(IISiO+2
0又u2co −) sic + 200又は2c02
−−− (II) この反応においてもみがらに含浸させた鉄、バナジウム
、ニッケル又はクロムの金属塩は前記反応を促進させる
触媒の働きをする。
0又u2co −) sic + 200又は2c02
−−− (II) この反応においてもみがらに含浸させた鉄、バナジウム
、ニッケル又はクロムの金属塩は前記反応を促進させる
触媒の働きをする。
添付図面に、不発明方・法により得られた成形体のX線
回折図を示す。この図から明らかなように得られた成形
体はβ型SiCが主であり、強固なSiO結合が生じて
いることが判る。また成形体の外部及び内部の色模様は
一様な暗緑色であった。
回折図を示す。この図から明らかなように得られた成形
体はβ型SiCが主であり、強固なSiO結合が生じて
いることが判る。また成形体の外部及び内部の色模様は
一様な暗緑色であった。
さらに図において26.5”の炭素によるピークが認め
られないこと、及びもみがら中のSiO2は1400℃
まで昇温すると結晶性のよいクリスタルパライトに変化
することが知られているが、そのピークもみられないこ
とから成形体中には微量の炭素及びシリカは存在せず、
はホ100%の5jyOであることが判る。
られないこと、及びもみがら中のSiO2は1400℃
まで昇温すると結晶性のよいクリスタルパライトに変化
することが知られているが、そのピークもみられないこ
とから成形体中には微量の炭素及びシリカは存在せず、
はホ100%の5jyOであることが判る。
本発明方法により得られたSIC成形体は、従来のもの
に較べて、(1)SiC化がほぼ完全に進行するので、
未反応の炭素分や5i02が極めて少ない、(2)成形
体のかさ比重が小さく、かつ成形体の強度が気孔率の割
には太きい、(3)簡単な方法で安価に製造しうるなど
の特徴を有している。
に較べて、(1)SiC化がほぼ完全に進行するので、
未反応の炭素分や5i02が極めて少ない、(2)成形
体のかさ比重が小さく、かつ成形体の強度が気孔率の割
には太きい、(3)簡単な方法で安価に製造しうるなど
の特徴を有している。
このように、本発明により得られた成形体は、微量の炭
素やシリカを含まないので、耐熱、耐酸化、耐塩基性が
要求されるあらゆる分野に適用されるのはもちろんのこ
と、気孔率が大きいので高温におけるフィルターなどに
適用できるという利点を有している。
素やシリカを含まないので、耐熱、耐酸化、耐塩基性が
要求されるあらゆる分野に適用されるのはもちろんのこ
と、気孔率が大きいので高温におけるフィルターなどに
適用できるという利点を有している。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
もみがらを0.05重量係の鉄塩水溶液中に1時間浸漬
したのち、ガラスロートでろ過して水を切り、空気中で
3時間放置して乾燥する。
したのち、ガラスロートでろ過して水を切り、空気中で
3時間放置して乾燥する。
次いで、これを管状炉中に入れ、窒素ガス全50ゴ/
m i nで通じながら5℃/minで昇温し、500
℃で1時間保持して炭化した。この炭化物をメノーの乳
鉢中で粉砕して4・1μm以下の粒径を有する粉体とし
た。
m i nで通じながら5℃/minで昇温し、500
℃で1時間保持して炭化した。この炭化物をメノーの乳
鉢中で粉砕して4・1μm以下の粒径を有する粉体とし
た。
次に、この微粉体を磁製ボートにとり、空気乾燥器中で
ゆるやかに温度全上昇させ、微粉体の酸化による温度上
昇を確認したのち、冷却して取り出した。これを黒鉛の
ホットプレス用のモールドに移し、200 K9 /
alで加圧しながら、1200℃寸では250℃/mi
n、1200〜1850℃までは30℃/minで昇温
し、1850℃で1時間保持した。
ゆるやかに温度全上昇させ、微粉体の酸化による温度上
昇を確認したのち、冷却して取り出した。これを黒鉛の
ホットプレス用のモールドに移し、200 K9 /
alで加圧しながら、1200℃寸では250℃/mi
n、1200〜1850℃までは30℃/minで昇温
し、1850℃で1時間保持した。
成形体は炭化粉末の重量?基準として、約30%の収率
で得られた。
で得られた。
得られた成形体の物性を従来品と比較し2て次表に示す
。
。
表
この表から判るように、本発明の成形体はかさ比重が1
.60と小さく、かつ比曲げ強度の太きいものであった
。
.60と小さく、かつ比曲げ強度の太きいものであった
。
また、得られた成形体のX線回折図を添付図面に示す。
この図から明らかに、本発明の成形体はほぼ100 L
gのSiCから成り立っていることが判る。
gのSiCから成り立っていることが判る。
図は本発明方法で得られた成形体のX線回折図の1例で
ある。 特許出願人 工業技術院長 川 1)裕 部443− (官 庁 手 続) 手 続 捕 正 書 2、発明の名称 炭化ケイ素成形体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 (1141工業技術院長 川 1)裕 部4、指定代理
人 佐賀県鳥栖市宿町字野々下807番地17、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 8、補正の内賽 明細書5ページ、下から3行目、4行目記載のrsiO
+2G又は2CO→SiC+2CO又は2 CO2・・
・・(■)」 を rsio+2c→SiC+ CO−−(H)又は SiO+ C十CO→SiC+ CO2−−(N )
Jに訂正しまず。 昭和58年 9月 1日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和 58年 特許願 第113488号2、発明の名
称 炭化ケイ素成形体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 (1,14)工業技術院長 川 1)裕 部6、補正に
よ秒増加する発明の数 0 7、補正の対象 昭和58年8月9日付提出の手続補正書の補正の内容の
欄昭和58年8月9日付の手続補正書の補正の内容の欄
の第3行目、4行目と8行目記載の rsio+zc又は2CO→SiC+ 2 CO又は2
C02・・ (■)」 を rsiO+2G又は2CO→SiC+2CO又は2C0
2(■ ) 」 に r SiO+ C+ Co→Si C+ C02(N
) Jを rsio+c+cO→SIC+C02(■)」に訂正し
ます。
ある。 特許出願人 工業技術院長 川 1)裕 部443− (官 庁 手 続) 手 続 捕 正 書 2、発明の名称 炭化ケイ素成形体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 (1141工業技術院長 川 1)裕 部4、指定代理
人 佐賀県鳥栖市宿町字野々下807番地17、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 8、補正の内賽 明細書5ページ、下から3行目、4行目記載のrsiO
+2G又は2CO→SiC+2CO又は2 CO2・・
・・(■)」 を rsio+2c→SiC+ CO−−(H)又は SiO+ C十CO→SiC+ CO2−−(N )
Jに訂正しまず。 昭和58年 9月 1日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和 58年 特許願 第113488号2、発明の名
称 炭化ケイ素成形体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 (1,14)工業技術院長 川 1)裕 部6、補正に
よ秒増加する発明の数 0 7、補正の対象 昭和58年8月9日付提出の手続補正書の補正の内容の
欄昭和58年8月9日付の手続補正書の補正の内容の欄
の第3行目、4行目と8行目記載の rsio+zc又は2CO→SiC+ 2 CO又は2
C02・・ (■)」 を rsiO+2G又は2CO→SiC+2CO又は2C0
2(■ ) 」 に r SiO+ C+ Co→Si C+ C02(N
) Jを rsio+c+cO→SIC+C02(■)」に訂正し
ます。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 もみがら若しくは稲わらを鉄塩、バナジウム塩、ニ
ッケル塩又はクロム塩を含む水溶液中に浸漬し、次いで
乾燥後400〜1000℃の温度で炭化したのち粉砕し
、そのままか又はいったん空気中にて酸化したのち、i
oo〜400に9/crlの圧力下、1800℃以上の
温度で焼結すること全特徴とする炭化ケイ素成形体の製
造法。 2 粉砕された炭化物の粒径が44μm以下である特許
請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58113488A JPS605072A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 炭化ケイ素成形体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58113488A JPS605072A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 炭化ケイ素成形体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS605072A true JPS605072A (ja) | 1985-01-11 |
JPS613302B2 JPS613302B2 (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=14613561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58113488A Granted JPS605072A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 炭化ケイ素成形体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS605072A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03228816A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化ケイ素粉末の製造方法 |
JP2012176909A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Epia:Kk | 水溶性有機珪素の抽出方法及び抽出装置 |
CN108946712A (zh) * | 2018-09-26 | 2018-12-07 | 西安交通大学苏州研究院 | 基于稻壳的高面积比容量三维多孔类石墨烯材料及其制备方法 |
CN109019567A (zh) * | 2018-09-26 | 2018-12-18 | 西安交通大学苏州研究院 | 高体积比容量的稻壳基类石墨烯多孔碳材料及其制备方法 |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58113488A patent/JPS605072A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03228816A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化ケイ素粉末の製造方法 |
JP2012176909A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Epia:Kk | 水溶性有機珪素の抽出方法及び抽出装置 |
CN108946712A (zh) * | 2018-09-26 | 2018-12-07 | 西安交通大学苏州研究院 | 基于稻壳的高面积比容量三维多孔类石墨烯材料及其制备方法 |
CN109019567A (zh) * | 2018-09-26 | 2018-12-18 | 西安交通大学苏州研究院 | 高体积比容量的稻壳基类石墨烯多孔碳材料及其制备方法 |
CN108946712B (zh) * | 2018-09-26 | 2020-11-27 | 西安交通大学苏州研究院 | 基于稻壳的高面积比容量三维多孔类石墨烯材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS613302B2 (ja) | 1986-01-31 |
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