JPS6050170A - プラズマｃｖｄ処理装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ処理装置Info
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- JPS6050170A JPS6050170A JP15582283A JP15582283A JPS6050170A JP S6050170 A JPS6050170 A JP S6050170A JP 15582283 A JP15582283 A JP 15582283A JP 15582283 A JP15582283 A JP 15582283A JP S6050170 A JPS6050170 A JP S6050170A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直流グＩ］−放電にＪ、り金属のハロゲン化物
や弗化物をイオン化し、被処理祠オ′之１表面に金属も
しくは金属窒化物、炭化物等の被ＩＩＬ、）を４１成り
るプラズマＣＶ Ｉ）処理装置に関づる１、近時、真空
蒸若に仕し、形成された膜の↑’ｌ￥′１がＪｌ−ｒ：
ｓに良いことからプラズマ中のイオンの１（ｕＯ・１を
利用しく金属化合物等の成膜を行４ｊう、所謂プラズマ
ｃ ｖｌ、）処理装置（ブラスマ中化学気相成（（装置
１′イ）が注目され、既に実用化の段階に人／））とし
−（いる。
や弗化物をイオン化し、被処理祠オ′之１表面に金属も
しくは金属窒化物、炭化物等の被ＩＩＬ、）を４１成り
るプラズマＣＶ Ｉ）処理装置に関づる１、近時、真空
蒸若に仕し、形成された膜の↑’ｌ￥′１がＪｌ−ｒ：
ｓに良いことからプラズマ中のイオンの１（ｕＯ・１を
利用しく金属化合物等の成膜を行４ｊう、所謂プラズマ
ｃ ｖｌ、）処理装置（ブラスマ中化学気相成（（装置
１′イ）が注目され、既に実用化の段階に人／））とし
−（いる。
直流グ１１−１−放電を利用ＪるプラズマＣＶ ｌ）装
置１９においてはグ１」−り交電のイオンのＲｉ−、、
）運ｆｈ ＋ −ンルギーによって被処理材料を加熱し
、シ９人ガス（゛ある窒素ガス、水素ガス及び金属ハロ
ゲン化物若しくは弗化物のガスをイオン化さＵることに
ｊ、つＣ被処理何斜表面に所望化合物の簿膜を′ｌ−成
りる（〕の（・、処理の効率を高める１（Ｚめに℃′き
るＩご（Ｊ畠い直流電ｆＸ （数面Ｖ乃至数］くＶ）及
び電力密庶（数Ｗ／Ｃｌ１１２ ）が要求される。しか
し乍ら、このよう４ｆ高電ＩＩ［、高電力密１印での処
理（゛は被処理月利の表面に汚物がイ」着しているとこ
の部分に電流の集中が牛し、グ１」−放電からアークｈ
り電ｌ＼移行して被処理祠石上に形成された被膜に溶痕
が生ずる。通′７ｉ、高電圧装置ではアーク放電防止の
ため過電流が流れた時点く・放電電圧を瞬時（Ｊ遮断力
る回路が備えられＣいるが、シラス゛マＣＶ ！、）装
置こ；”Ｃ−はアーク電流が流れだしてから遮断したの
ぐは微小とはいえ被膜に溶痕が形成されてしまい、）４
１庁Ｃ′さる結果は得られない。
置１９においてはグ１」−り交電のイオンのＲｉ−、、
）運ｆｈ ＋ −ンルギーによって被処理材料を加熱し
、シ９人ガス（゛ある窒素ガス、水素ガス及び金属ハロ
ゲン化物若しくは弗化物のガスをイオン化さＵることに
ｊ、つＣ被処理何斜表面に所望化合物の簿膜を′ｌ−成
りる（〕の（・、処理の効率を高める１（Ｚめに℃′き
るＩご（Ｊ畠い直流電ｆＸ （数面Ｖ乃至数］くＶ）及
び電力密庶（数Ｗ／Ｃｌ１１２ ）が要求される。しか
し乍ら、このよう４ｆ高電ＩＩ［、高電力密１印での処
理（゛は被処理月利の表面に汚物がイ」着しているとこ
の部分に電流の集中が牛し、グ１」−放電からアークｈ
り電ｌ＼移行して被処理祠石上に形成された被膜に溶痕
が生ずる。通′７ｉ、高電圧装置ではアーク放電防止の
ため過電流が流れた時点く・放電電圧を瞬時（Ｊ遮断力
る回路が備えられＣいるが、シラス゛マＣＶ ！、）装
置こ；”Ｃ−はアーク電流が流れだしてから遮断したの
ぐは微小とはいえ被膜に溶痕が形成されてしまい、）４
１庁Ｃ′さる結果は得られない。
而し′Ｃ１本発明は上記のような溶痕を〈１１゛るアー
ク放電を極力防止しｊｑる新規なプラス？′ＣＶ Ｄ処
理装置を提供することを目的と覆るしの−（′ある。
ク放電を極力防止しｊｑる新規なプラス？′ＣＶ Ｄ処
理装置を提供することを目的と覆るしの−（′ある。
本発明の構成は気密容器と、該気密容器内を所望の雰囲
気にりる手段と、該気密容器内に配設されＩこ被処理祠
籾ど、該被処理（Ａ利を陰極に気密容器を陽極←二して
高電月を印ｔｊｉ＋ Ｌ、直流Ｊノズマを発生さＵる１
１−１流高ＪＸ Ｔａ源と、前記被膜１１１祠別の表面
に生成り−へさ１１９の成分をイｊ・ｊる力スを前記気
密容器内に導入りる手段とを備えｉ＝装置に、１３い（
、前記１１）！流高汀電沌；は放電電力のＯＮ状態と（
ＩＩ） １−１−状態とを一周朋としく繰り返し、・高
速スイツＪンク（Ｘ１′山こ直流電圧を発生するようＩ
Ｊ構成され（いるｆラズマＣＶ １つ処理装置に１Ｊｆ
徴がある６゜１！ Ｆ図面に基づき本発明を解説りる。
気にりる手段と、該気密容器内に配設されＩこ被処理祠
籾ど、該被処理（Ａ利を陰極に気密容器を陽極←二して
高電月を印ｔｊｉ＋ Ｌ、直流Ｊノズマを発生さＵる１
１−１流高ＪＸ Ｔａ源と、前記被膜１１１祠別の表面
に生成り−へさ１１９の成分をイｊ・ｊる力スを前記気
密容器内に導入りる手段とを備えｉ＝装置に、１３い（
、前記１１）！流高汀電沌；は放電電力のＯＮ状態と（
ＩＩ） １−１−状態とを一周朋としく繰り返し、・高
速スイツＪンク（Ｘ１′山こ直流電圧を発生するようＩ
Ｊ構成され（いるｆラズマＣＶ １つ処理装置に１Ｊｆ
徴がある６゜１！ Ｆ図面に基づき本発明を解説りる。
。
第１図は本発明の一実施例の（１４成略図（あり、１は
気密容器を示しＣいる。該気密容器は１１１気′ｉ′Ｃ
１２倉介して真空ポンプ３に接続しく（１３す、内部が
５ｙ、ζ１空に１４１気ｉｉＪ能Ｃある。前記気密容器
（ま筒状４′なしく、１３す、ぞの中心ｆｉｌ！に゛山
気導電１１（の被処理（Ａ訃１ホルダー４か設置され（
いる。このホルタ−（Ｊは多数の被処理＋Ａ斜（〕か積
載され（いる。ｆ）’ｌ ｌ＋（： ｄ・ルグー４は電
気絶縁物を介しＣ気密容器１ ＋、二Ｉ１１．！ 、ｆ
−１（Ｊられ−ＣＡ３つ、直流高置電源ｆ ｔｉ＋ｆ成
りる整流器０の負端子に接続されている。叉、気密容器
Ｃ，Ｌ ’ｊ’ −ス゛市位に保たれ前記整流回路（′
ｉのｆ’ｌ ｙｉｉ；子に接わＣされでいく）。前記気
密容器にはバイブ７及びバルブ８を介しＣガス導入源９
が接続され、被膜形成に必要４ｊ窒素ノＪス、水素ガス
史にはハ［１グン刀スヤ）弗化ガスが導入でさる。
気密容器を示しＣいる。該気密容器は１１１気′ｉ′Ｃ
１２倉介して真空ポンプ３に接続しく（１３す、内部が
５ｙ、ζ１空に１４１気ｉｉＪ能Ｃある。前記気密容器
（ま筒状４′なしく、１３す、ぞの中心ｆｉｌ！に゛山
気導電１１（の被処理（Ａ訃１ホルダー４か設置され（
いる。このホルタ−（Ｊは多数の被処理＋Ａ斜（〕か積
載され（いる。ｆ）’ｌ ｌ＋（： ｄ・ルグー４は電
気絶縁物を介しＣ気密容器１ ＋、二Ｉ１１．！ 、ｆ
−１（Ｊられ−ＣＡ３つ、直流高置電源ｆ ｔｉ＋ｆ成
りる整流器０の負端子に接続されている。叉、気密容器
Ｃ，Ｌ ’ｊ’ −ス゛市位に保たれ前記整流回路（′
ｉのｆ’ｌ ｙｉｉ；子に接わＣされでいく）。前記気
密容器にはバイブ７及びバルブ８を介しＣガス導入源９
が接続され、被膜形成に必要４ｊ窒素ノＪス、水素ガス
史にはハ［１グン刀スヤ）弗化ガスが導入でさる。
前記整流回路６ ＃、Ｌ ’；ｆ汀］〜ンンス′１０を
介しＣ金波撃流器１１の出力側に接続され−Ｃいる１、
該背圧Ｉ〜ランスど全波整流器との間にはスイツｆング
１−ランジスタ１２が接続され、全波整流器１＋１らの
直流を５０１１７７ｉ＋〒数Ｋ ＩＩ Ｚの周波数の間
流に変換しＣいる。１３は発振器η、例え１３Ｕ ２
Ｋ ＩＩ Ｚの基準同期伝号を発振し乙おり、該信ｇは
夕ｒマー１４に供給されると同時に三角波発生器１！′
５に供給される。該三角波発生器（３（発振器］３が（
うの同！１１３信弓が供給されると電圧が次第に８ ＜
＜Ｚる三角波仁月を発生りるが、タイン＝１４からの
終ｊ′信号により元の電Ｊ十に戻る。前記整流回路６と
気密容器１どの間には電流検出器１６が挿入され、放電
電流が検出される。該検出電流は矩形波であるためその
出力は実効値増幅器７に送られ実効的電流に変換される
。この実効値電流信号は比較器１８に送られｈ（！雷電
流設定器１９ ｈｒ Ｉらの設定電流仏シ３と比較され
、該比較回路からの出力仏シ）が１％ ｉｌ〔＞れる。
介しＣ金波撃流器１１の出力側に接続され−Ｃいる１、
該背圧Ｉ〜ランスど全波整流器との間にはスイツｆング
１−ランジスタ１２が接続され、全波整流器１＋１らの
直流を５０１１７７ｉ＋〒数Ｋ ＩＩ Ｚの周波数の間
流に変換しＣいる。１３は発振器η、例え１３Ｕ ２
Ｋ ＩＩ Ｚの基準同期伝号を発振し乙おり、該信ｇは
夕ｒマー１４に供給されると同時に三角波発生器１！′
５に供給される。該三角波発生器（３（発振器］３が（
うの同！１１３信弓が供給されると電圧が次第に８ ＜
＜Ｚる三角波仁月を発生りるが、タイン＝１４からの
終ｊ′信号により元の電Ｊ十に戻る。前記整流回路６と
気密容器１どの間には電流検出器１６が挿入され、放電
電流が検出される。該検出電流は矩形波であるためその
出力は実効値増幅器７に送られ実効的電流に変換される
。この実効値電流信号は比較器１８に送られｈ（！雷電
流設定器１９ ｈｒ Ｉらの設定電流仏シ３と比較され
、該比較回路からの出力仏シ）が１％ ｉｌ〔＞れる。
該比較回路１）ｒ Ｉらの低刈ど前＋：Ｉ２ ’−ニー
角波光１１−器１′）からの１８号どを出力信号発（１
器２０に）スリ込み、両者を比較しＣ比較回路１ε３か
らのにｉ ＞’：４強庶に一角波信号が等しくなるよＣ
′の期間トノンジスタ１２をＯＮの状態にりる１１１号
を発生りる。１２」は敢電電Ｙ１−検出器、２２は過電
流検出器を一小し、該メ１番電流検出器からの信号は図
示しないが 定舶を越えた場合には前記スイップング１
−フンジスタ１２を遮断りる。
角波光１１−器１′）からの１８号どを出力信号発（１
器２０に）スリ込み、両者を比較しＣ比較回路１ε３か
らのにｉ ＞’：４強庶に一角波信号が等しくなるよＣ
′の期間トノンジスタ１２をＯＮの状態にりる１１１号
を発生りる。１２」は敢電電Ｙ１−検出器、２２は過電
流検出器を一小し、該メ１番電流検出器からの信号は図
示しないが 定舶を越えた場合には前記スイップング１
−フンジスタ１２を遮断りる。
この様な構成の装置にお【ノる動１′１を次＋ｒｌ説明
りる。
りる。
先り゛、気密容器１内の被処理＋４１１小ルダー／１ｔ
＝被処理拐わ１５を積載した後、この気落容器内を一゛
１空ポンプ３により排気し、続い（）ｊスと′Ｑ人に！
９ Ｊ、り気密容器１内に所望のガスを導入し、所定
月））（’１０−’−２０Ｔｏｒｒ ） ０））Ｊ ス
雰囲’ｊ＋ニリル、コの状態で電源をＯＮにするど彼処
ｖ１１祠石５）を陰（奄に、又気密容器１を陽極にしζ
高雷月が印加され、容器内部にグリ−放電が生成される
。この時の放電電流（よ検出器１６で検出され、実効値
増幅器１７で実効値に変換された後比較回路１８に送ら
れ、該比較回路で設定信程と比較される。第２図（ａ）
の信号Ａは該比較回路１Ｂの出力を示し、例えば設定器
１９からの設定値に対して検出信月値が小さい場合には
該比較回路の出ノノイ８号Δを自動的に高くりる。第２
図（ａ ）の１３の信ｇは三角波信号発生器１５からの
信号で前記Δの１３号と、！＝ｂに出力信号発生器２０
に送られ、該Ａの信号と一致するまで第２図（ｂ）に承
りように一定の出ノＪを発生し、１〜ランジスタ１２の
ベースにＯＮ （、ｉ号としＣ供給される１、従っ−で
、１〜ランジスタ１２は第２図（ｂ）に斜線℃′示づ期
間のみ動作（ＯＮ ）状態となり、それに対応りるＯＮ
、ＯＦＦの繰り返し周期を持つ放電電Ｌ［が気密容器１
と被膜理祠わ１５どの間に印加されることになる１、尚
、第２図（ａ ）の八ｔは第１図におりるタイマー１４
にＪ、るＯ「１時間であり、三角波がどのような場合Ｔ
５ ’（ｇ）最低５０μｓｅｃ程度カッ１〜されるよう
に描成しである。
＝被処理拐わ１５を積載した後、この気落容器内を一゛
１空ポンプ３により排気し、続い（）ｊスと′Ｑ人に！
９ Ｊ、り気密容器１内に所望のガスを導入し、所定
月））（’１０−’−２０Ｔｏｒｒ ） ０））Ｊ ス
雰囲’ｊ＋ニリル、コの状態で電源をＯＮにするど彼処
ｖ１１祠石５）を陰（奄に、又気密容器１を陽極にしζ
高雷月が印加され、容器内部にグリ−放電が生成される
。この時の放電電流（よ検出器１６で検出され、実効値
増幅器１７で実効値に変換された後比較回路１８に送ら
れ、該比較回路で設定信程と比較される。第２図（ａ）
の信号Ａは該比較回路１Ｂの出力を示し、例えば設定器
１９からの設定値に対して検出信月値が小さい場合には
該比較回路の出ノノイ８号Δを自動的に高くりる。第２
図（ａ ）の１３の信ｇは三角波信号発生器１５からの
信号で前記Δの１３号と、！＝ｂに出力信号発生器２０
に送られ、該Ａの信号と一致するまで第２図（ｂ）に承
りように一定の出ノＪを発生し、１〜ランジスタ１２の
ベースにＯＮ （、ｉ号としＣ供給される１、従っ−で
、１〜ランジスタ１２は第２図（ｂ）に斜線℃′示づ期
間のみ動作（ＯＮ ）状態となり、それに対応りるＯＮ
、ＯＦＦの繰り返し周期を持つ放電電Ｌ［が気密容器１
と被膜理祠わ１５どの間に印加されることになる１、尚
、第２図（ａ ）の八ｔは第１図におりるタイマー１４
にＪ、るＯ「１時間であり、三角波がどのような場合Ｔ
５ ’（ｇ）最低５０μｓｅｃ程度カッ１〜されるよう
に描成しである。
第２図（に ） ｉＪ最人の出力にした場合ＣΔ（か必
ｔＩ″ＯＦ Ｆ ＋！、？間とし−（４イｒ保’ｊ：
ｔｌ、 Ｃイル、前記敢７Ｆ７ ｉｔｉ流設定設定器１
９整づると第１図（ａ）の信Ｖ−）八が変化し１−ラン
ジスタ１２のＯＮ 、 Ｏｌ’ Ｉ’ ｌｌ、’＋間の
比を自由に調整できる。
ｔＩ″ＯＦ Ｆ ＋！、？間とし−（４イｒ保’ｊ：
ｔｌ、 Ｃイル、前記敢７Ｆ７ ｉｔｉ流設定設定器１
９整づると第１図（ａ）の信Ｖ−）八が変化し１−ラン
ジスタ１２のＯＮ 、 Ｏｌ’ Ｉ’ ｌｌ、’＋間の
比を自由に調整できる。
この様に被処理月オ′″Ａ５に印加りるｌｌ′ｌ流’１
ｌｉｌｌを定周期ぐ強制的に０ＦＩ−りると、容器１内
【ご１１−しくいるグＬ１−放電が何等かの原因（゛）
′−り放？ｉｉ １．−移行しようどしてもその瞬間印
加電月が力・ンｉ Ａフの状態になるので、アーク／ｌ
（電７＼の移１１は防１１される。
ｌｉｌｌを定周期ぐ強制的に０ＦＩ−りると、容器１内
【ご１１−しくいるグＬ１−放電が何等かの原因（゛）
′−り放？ｉｉ １．−移行しようどしてもその瞬間印
加電月が力・ンｉ Ａフの状態になるので、アーク／ｌ
（電７＼の移１１は防１１される。
第３図は本発明の他の実施例を７ｈ （Ｉ ｂの（、第
１図と同一のｒｑｇは同様な（１１１成要素を示しくあ
る。
１図と同一のｒｑｇは同様な（１１１成要素を示しくあ
る。
この実施１シ１ひ（よ放電出力の割筒１を１〜ノンジス
タのＯＮ、（−）ｒ「時間比で行なう代り；こ／ｉＳ（
’市電１１を＋１変りる４１４成の６のである。即ら、
ｆｒｔ波発１１器１りからの伯ｔ３ ｔ、１． トラ
ンジスタ１２のｌ＼−スに供給しＣ′塁に一定のＯＮ、
ＯＦに状態と４＊ Ｌｌ ’（＋Ｉ＞さ、出力信号発生
器２０からのイハ舅を全波ヲｉ（流器コ１の入力電圧制
御回路２３に供給して仝波整流器１１の出力電Ｙ［を可
変するＪ、うに構成して・しる。
タのＯＮ、（−）ｒ「時間比で行なう代り；こ／ｉＳ（
’市電１１を＋１変りる４１４成の６のである。即ら、
ｆｒｔ波発１１器１りからの伯ｔ３ ｔ、１． トラ
ンジスタ１２のｌ＼−スに供給しＣ′塁に一定のＯＮ、
ＯＦに状態と４＊ Ｌｌ ’（＋Ｉ＞さ、出力信号発生
器２０からのイハ舅を全波ヲｉ（流器コ１の入力電圧制
御回路２３に供給して仝波整流器１１の出力電Ｙ［を可
変するＪ、うに構成して・しる。
この様な構成であつ（−ｂ必ずＯＦＦ時間か５０μＳｅ
Ｃ乃至それ以上設置Ｊられるので、グ１１−放電がアー
ク放電に移行りる（１イ「率は極めて低い。
Ｃ乃至それ以上設置Ｊられるので、グ１１−放電がアー
ク放電に移行りる（１イ「率は極めて低い。
以上説明したように本発明は放電電力のＯＮ状態とＯＦ
Ｆ状態とを一周期としＣ繰り返し高速スイッチングされ
る直流電ｊ−「を印加するＪ、うに構成しであるので、
グロー放電がアーク放電に移行することは殆んどなく、
従って高い効率でＣＶＤ処理が角化どなり且つ従来のよ
うにアーク放電による形成被■９への溶痕は全く発生し
ない。
Ｆ状態とを一周期としＣ繰り返し高速スイッチングされ
る直流電ｊ−「を印加するＪ、うに構成しであるので、
グロー放電がアーク放電に移行することは殆んどなく、
従って高い効率でＣＶＤ処理が角化どなり且つ従来のよ
うにアーク放電による形成被■９への溶痕は全く発生し
ない。
第１図は本発明の一実施例を示リブ１−１ツク線図、第
２図は第１図装置の動作を説明り−る図、第３図は本発
明の仙の実施例のブ［１）り線図（ある１゜１：気密容
器 ５：被処理＋Ｊ Ｊ”１ ６：整流回路 ９：ガス導入Ｊ≦； １１：全波整流器 １２ニスイツチング１〜ランジスタ １３：同１ｙ１１ハ弓発振器 １４：タイマー １５：三角波発生回路 １（３：放電電流検出器 １７：実効値増幅器 １８：比較回路 １９：放電電流設定器 ２０：出力情８光１１器 １ぜｊ Ｒ’ｌ出願人 １１本電子１−業珠」（介層 代表者 高橋 道之助 第２図
２図は第１図装置の動作を説明り−る図、第３図は本発
明の仙の実施例のブ［１）り線図（ある１゜１：気密容
器 ５：被処理＋Ｊ Ｊ”１ ６：整流回路 ９：ガス導入Ｊ≦； １１：全波整流器 １２ニスイツチング１〜ランジスタ １３：同１ｙ１１ハ弓発振器 １４：タイマー １５：三角波発生回路 １（３：放電電流検出器 １７：実効値増幅器 １８：比較回路 １９：放電電流設定器 ２０：出力情８光１１器 １ぜｊ Ｒ’ｌ出願人 １１本電子１−業珠」（介層 代表者 高橋 道之助 第２図
Claims (4)
- （１）気密容器と、該気密容器内を所望の雰゛囲気にづ
る手段と、該気密容器内に配設された被処理材料ど、該
被処理）ｒＡ １３＋を陰極に気密容器を陽極にして高
電圧を印加し直流プラズマを発生さける直流高圧電源と
、前記被処理材わ１の表面に１１成づべき股の成分を右
゛づるガスを前記気密容器内に導入づ−る手段とを備え
／、：装置にｄ３い（、前記、Ｘ゛１流Ａ’Ｌ ［電源
は放電型）ｊのＯＮ状態とＯ［［：状態とを一周期どし
゛（繰り返し高速スイッチングされ〕こ自流電圧を発生
りるように構成δれＣいることを１Ｓ１徴どリ−るプラ
ズマＣＶＤ処理装置。 - （２）前記スイッチング周期を５０１−ｌ ｚから数Ｋ
Ｈｚにする特許請求の範囲第１項記載の／ラズマＣＶＤ
処理装置。 - （３）前記放電電力のＯＮ状態とＯＦＦ状態の比を可変
になした特許請求の範囲第１項又は第２項記載のプラズ
マＣＶＤ処理装置１゜ - （４）前記ＯＮ状態にお（）る放電型１１を＋ｉｌ変と
４＋−した特許請求の範囲第１拍又ｃａｔ ＊ｒ ２拍
記載のプラズマＣＶ Ｉ）処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15582283A JPS6050170A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | プラズマｃｖｄ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15582283A JPS6050170A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | プラズマｃｖｄ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050170A true JPS6050170A (ja) | 1985-03-19 |
Family
ID=15614242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15582283A Pending JPS6050170A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | プラズマｃｖｄ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050170A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996031899A1 (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Advanced Energy Industries, Inc. | Adjustable energy quantum thin film plasma processing system |
| KR100341376B1 (ko) * | 1993-09-07 | 2002-11-22 | 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 | 플라즈마처리실에서 캐소드를 구동하는전원회로및플라즈마처리방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5360337A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-30 | Fuji Electronics Co Ltd | Controlling method of stabilizing glow discharge in surface treatment using glow dicgarge and apparatus therefor |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP15582283A patent/JPS6050170A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5360337A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-30 | Fuji Electronics Co Ltd | Controlling method of stabilizing glow discharge in surface treatment using glow dicgarge and apparatus therefor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100341376B1 (ko) * | 1993-09-07 | 2002-11-22 | 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 | 플라즈마처리실에서 캐소드를 구동하는전원회로및플라즈마처리방법 |
| WO1996031899A1 (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Advanced Energy Industries, Inc. | Adjustable energy quantum thin film plasma processing system |
| US6368477B1 (en) | 1995-04-07 | 2002-04-09 | Advanced Energy Industries, Inc. | Adjustable energy quantum thin film plasma processing system |
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