JP2671714B2 - 固相めっき方法 - Google Patents
固相めっき方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固相で微細粒径の密着
性に優れためっきを行なうことのできる全く新規な固相
電気めっき方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、めっき方法には水溶液電気めっき
法、気相めっき法（蒸着、イオンプレーティング）、溶
融塩電気めっき法等が知られており、また、水溶液の無
電解めっき法等が知られている。しかしこの従来のめっ
き方法は、古くからの技術であるが近年の電子部品の微
細めっき加工に応用する場合に、以下の様な問題点があ
り、電子部品の高信頼性化、量産化および微細加工化に
限界をきたしている。 【０００３】（１）水溶液を用いるめっき方法は、電子
部品（リードフレーム等）に部分めっきを施す場合、め
っきを必要とする部分以外を、軟質のゴム等で押さえ
（めっきマスクと言う）、マスク開口部にめっき液を噴
射させ、直流電圧を印加してめっきする方法が広く採用
されている。 【０００４】この方法はめっき液のにじみ出し等で位置
精度の高いめっきが不可能である。また、機械的なマス
クのため微細めっき加工に限界がある。 【０００５】（２）水溶液めっき法は、排水処理施設の
高額な設備投資が必要であり、これに伴う公害上の問題
が大きな社会問題となっている。 【０００６】（３）蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法などの気相めっき方法は公害上の問題
は少ないが、真空中のめっきのため真空ポンプ、高耐圧
ベルジャおよび蒸発源加熱設備等の高額の設備投資が必
要である。また、これらの気相めっき方法は成膜速度
（めっき膜の成長速度）が遅いこと並びに真空引きの長
い所要時間等のため量産性が著しく悪いという欠点をを
持っている。 【０００７】（４）溶融塩電気めっき法は、カセイソー
ダ等の高温の溶融塩を用いるため、作業環境の悪化、高
温浴のため作業性が悪く危険等の問題があり、また、電
子部品用の微細加工めっきや部分めっき等への応用が不
可能である。 【０００８】 【発明が解決しようとする問題点】本発明は、上記従来
技術の問題点を解消しようとするものであって、めっき
液を用いず、多額の設備投資を要せず、固相で微細粒径
の密着性に優れためっきができる方法を工業的に実用化
することが可能な固相めっき方法を提供することを目的
とする。 【０００９】 【問題点を解決するための手段】上記目的を達成するた
めに、本発明者らは、めっきの媒体としてポリエチレン
オキシドにヨウ化銀を反応させてつくったイオン導電性
の高分子化合物からなる固体電解質を用いることによ
り、めっき液等を用いず、また、多額の設備投資を要し
ないまったく新しい固相で微細粒径の密着性に優れため
っきができる方式（以下、めっき媒体として固体電解質
を用いるめっき方式を「固相めっき方法」と呼ぶ）を発
見し、工業的な実用化を可能とすることにより、本発明
に至ったものである。 【００１０】すなわち、本発明は、ポリエチレンオキシ
ドにヨウ化銀を反応させてつくったイオン導電性の高分
子化合物からなると共に絶縁性の保護用筒体で保護され
かつ加熱された固体電解質を被めっき体に当接し、前記
被めっき体を陰極に、かつ前記固体電解質にめっき金属
と同じ材質からなる陽極を接続し、前記陰極と前記陽極
との間に電圧を印加することを特徴とする固相めっき方
法を提供するものである。 【００１１】前記被めっき体は、金属、プラスチック、
およびセラミックスであるのが好ましい。 【００１２】また、前記電圧は、直流電圧、パルス電圧
または矩形波電圧であるのが好ましい。 【００１３】また、前記電圧は、外部電源電圧であるの
が好ましい。 【００１４】また、固体電解質の被めっき体への当接
は、前記固体電解質に荷重または圧力を負荷してなされ
るものであるのが好ましい。 【００１５】以下に、本発明をさらに詳細に説明する。 【００１６】固相めっき方法に用いられる固体電解質
は、めっき金属イオンに対して固体のまま高いイオン導
電性を示すものであれば、いかなるものでもよく、無機
化合物でも高分子化合物でも使用可能であるが、実験に
よればポリエチレンオキシドにヨウ化銀を反応させてつ
くった特定のイオン導電性の高分子化合物からなるもの
が最も有効で実用的である。 【００１７】このような固体電解質はイオン選択透過機
能を有するものであって、前記固体電解質の導電がただ
一種類のイオンによって行なわれるものである。 【００１８】このようなイオンのうちめっきとして使う
ことのできる金属イオンであれば何でもよいが、例え
ば、Ａｇ＋（銀イオン）およびＣｕ＋（第一銅イオン）
などが挙げられる。 【００１９】Ａｇ＋（銀イオン）に対して高イオン導電
性を示す固体電解質としては、Ａｇ１−ｘＭｘＩ１−ｙ
Ｘｙ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）と表わすことができ、
例えば、Ａｇ３ＳＩ、Ａｇ１９Ｉ１５（Ｐ２Ｏ７）、Ａ
ｇ６Ｉ４（ＷＯ４）、ＲｂＡｇ４Ｉ５、ＫＡｇ４Ｉ５、
（ＮＨ４）Ａｇ４Ｉ５、Ｑ２Ａｇ１３Ｉ１５、ＱＡｇ５
Ｉ６（ここでＱはオニウムイオンである）、ＨｇＡｇ８
Ｓ２Ｉ６、Ａｇ１．８Ｈ０．４６Ｓｅ０．７Ｉ１．３、
ＲｂＡｇ４ＣＮＩ４およびα ＡｇＩ類似構造を有し、
ＡｇＩの一部のＩ−あるいはＡｇ＋を陰イオン、陽イオ
ンで置換したものなどを挙げることができる。特にＲｂ
Ａｇ４Ｉ５は導電率２．７×１０−１Ω−１ｃｍ
−１（２５℃）と高く、また、Ａｇ６Ｉ４（ＷＯ４）は
導電率４．７×１０−３Ω−１ｃｍ−１（２５℃）とそ
れほど高くないが、コスト的に有利であり安定性にも優
れているので好ましい。 【００２０】Ｃｕ＋（第一銅イオン）に対して高イオン
導電性を示す固体電解質としては、ハロゲン化第一銅の
陽イオン置換体、あるいは陰イオンおよび陽イオン置換
体などがあり、例えば、ＲｂＣｕ３Ｃｌ４，ＣｕＩ・Ｃ
Ｈ１０ＳＣＨ３Ｉ，Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｃｌ１３Ｉ７，７Ｃ
ｕＢｒＣ６Ｈ１２Ｎ４ＣＨ３Ｂｒ，１７ＣｕＩ・３Ｃ６
Ｈ１２Ｎ４ＣＨ３Ｉ，およびＲｂＣｕ４Ｃｌ３Ｉ２など
が挙げられ、さらにＣｕＴｅＸ（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）
などが挙げられる。特に、ＲｂＣｕ４Ｃｌ３Ｉ２は導電
率が４．７×１０−１Ω−１ｃｍ−１（２５℃）と高い
ので好ましい。 【００２１】以上、固体電解質の組成について詳細に説
明したけれども、本発明においては、一般に、固体電解
質の導電率は温度依存性を有するものであり、導電率を
上げ、めっき効率を上げるため、固体電解質を加熱する
ことも特徴の一つとしている。 【００２２】本発明は、ポリエチレンオキシドにヨウ化
銀を反応させてつくったイオン導電性の高分子化合物か
らなる固体電解質を介して、被めっき体側を陰極とし、
前記固体電解質側を陽極として電気めっきを行なうもの
であるので、前記固体電解質にめっき金属イオンを供給
する必要がある。前記固体電解質にめっき金属イオンを
供給する方法としては、めっきに必要な量のめっき金属
イオンを供給できればいかなる方法を用いてもよいが、
例えば、ＡｇＩ粉末などを用いることができるが、好ま
しくは、前記固体電解質に接続する陽極をめっき金属を
含む材料で構成するのがよい。陽極をめっき金属だけで
構成してもよいし、まためっき金属を容器に入れ、該容
器を陽極としてもよい。 【００２３】本発明に用いられる被めっき体は、めっき
可能なものならなんでもよいが、例えば、金属、プラス
チックおよびセラミックスなどが好ましい。 【００２４】本発明においては、電気めっきを行なう際
に、被めっき体と固体電解質を当接させるが、接触状態
を密にするため、被めっき体と固体電解質との一方にあ
るいは両方に荷重を加えるかあるいは両方との間にバネ
等により圧力を加えるのが好ましい。 【００２５】被めっき体に固体電解質を当接させる際に
加える当接圧力は完全に密着させるためには、３００ｇ
／ｃｍ２〜１０００ｇ／ｃｍ２とするのが好適である。 【００２６】本発明に用いられる印加電圧は、めっきが
できるものならなんでもよいが外部電源電圧であり、直
流電圧、パルス電圧、矩形波電圧のいずれかが好まし
い。 【００２７】本発明の固相めっき方法においては、上記
被めっき体には陰極を接続し、上記ポリエチレンオキシ
ドにヨウ化銀を反応させてつくったイオン導電性の高分
子化合物からなると共に絶縁性の保護用筒体で保護され
かつ加熱された固体電解質には陽極を接続し、前記陰極
と前記陽極との間に上記電圧を印加して、前記被めっき
体に当接された前記固体電解質を介して、前記固体電解
質にめっき金属を供給しながら前記被めっき体にめっき
金属をめっきするものである。 【００２８】本発明の固相めっき方法においては、めっ
きの結晶粒を微細し、めっき電流効率を上げるために、
固体電解質と被めっき体とのいずれか一方あるいは両方
に超音波を負荷してもよい。 【００２９】ここで、超音波を負荷する方法としては、
超音波振動子を固体電解質または被めっき体に当てて照
射する方法がよい。 【００３０】超音波の負荷によるめっきの結晶粒が微細
となりかつめっき電流が上がる理由は、主に、超音波エ
ネルギーにより被めっき体のめっき表面の薄い酸化膜が
破壊されるため、めっき膜の密着性が高まるからであ
る。 【００３１】以下に、本発明の固相めっき方法を実施す
る装置構成を添付の図面に示す好適な実施例に基づいて
さらに詳細に説明する。 【００３２】図１は、本発明の固相めっき方法を実施す
る装置（以下、固相めっき装置という）の一実施例であ
る。 【００３３】図１に示すように、被めっき体１に保護用
筒体２で保護された特定のイオン導電性の高分子化合物
からなる固体電解質３を当接する。固体電解質３に陽極
４を埋め込んで、外部電源（図示せず）の陰極−と被め
っき体１とを接続し、前記外部電源の陽極＋と陽極４と
を接続する。 【００３４】ここで、保護用筒体２は固体電解質３を保
護でき、めっきに障害にならないものであれば、いかな
る形状あるいはいかなる材質のものでもよいが、絶縁性
があるものがよく、例えば、硬質のポリエチレン製筒
体、テフロン製筒体、ナイロン製筒体などが好ましい。 【００３５】また、固体電解質３の形状は、いかなる形
状でもよいが、当接部の形状は被めっき体１のめっき部
分の形状と全く同じあるいは少し大きめで略同一の形状
であるのが好ましい。 【００３６】前述したように、陽極４はめっき金属イオ
ンの補給源とするのがよく、めっき金属またはめっき金
属を含有するものがよく、その形状に特に制限はないが
棒状のものが好ましい。 【００３７】また、図２に示すように、固体電解質３の
温度を高温に保持するため、図２に示すめっき装置の保
護用筒体２に加熱装置を設けてもよい。図２において
は、固体電解質３の加熱は保護用筒体２の外側に加熱筒
５を配設し、高温流体を加熱筒５の下方に設けられた入
口６から流入させ、固体電解質３を加熱した前記高温流
体を加熱筒５の上方に設けられた出口７から排出させて
行なうことができる。もちろん、本発明に用いられる加
熱装置は図２に示す例に限定されない。 【００３８】図１および図２に示す固相めっき装置にお
いて、被めっき体１および固体電解質３のいずれか一方
あるいは両方に超音波を負荷する時は、被めっき体１の
下側からあるいは固体電解質３の上側から負荷するのが
よい。 【００３９】以上、本発明の固相めっき方法を実施する
装置について説明したが、本発明はこれに限定されるわ
けではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、
種々の改良ならびに設計の変更が可能なことは勿論であ
る。 【００４０】 【実施例】以下に、本発明を実施例を含む８つの実験例
に基づいて詳細に説明する。実験例４が本発明の実施例
であり、実験例１〜３および実験例５〜８の方法は、本
発明にも適用できる手段を含んではいるが、本発明の範
囲外のものである。 【００４１】（実験例１） 図１に示す固相めっき装置を用いて、固相めっき方法を
実施した。 【００４２】ここで、固体電解質３には非晶質で高導電
率の銀イオン導電性ガラス（Ａｇ６Ｉ４（ＷＯ４））を
使用した。固体電解質の保護体である筒体２は硬質のポ
リエチレン製筒体とした。陽極４には導電性銀イオンの
補給源である９９．９９％の純度の２ｍｍφの純銀陽極
棒を使用した。 【００４３】次に、めっきの手順を説明すると、まず、
被めっき体１として用いた厚さ１．０ｍｍの銅板（１０
０×１００ｍｍ）を脱脂酸洗して乾燥させ表面を清浄な
状態とした。次に、固体電解質３を約５００ｇ／ｃｍ２
の荷重で当接させ、単相全波の直流電流を印加した。固
体電解質３である棒状の銀イオン導電性ガラスの断面積
は５ｍｍφ＝約２０ｍｍ２であり、先端部は０．０６μ
ｍの平均粗さに研磨加工した。 【００４４】この実験例１における部分めっきの電流電
圧曲線（常温２５℃の時）を図３に示す。電圧を印加す
るとまず約０．５Ｖの分極電圧（Ａ領域）があり、すな
わちこれは活性化エネルギーに相当する活性化過電圧で
あった。この分極電圧（Ａ領域）を過ぎると電流の立ち
上がり領域Ｂに移りめっきが開始された。電流が流れ始
めると陽極４である純銀陽極棒から銀イオンの注入がお
こなわれ、固体電解質３であるＡｇ６Ｉ４（ＷＯ４）中
を銀イオンが移動して陰極の被めっき体１である銅板の
表面で放電して金属銀として折出した。１０Ｖの印加電
圧の時の電流値は０．３５Ａ＝１．７５Ａ／ｃｍ２＝１
７５Ａ／ｄｍ２（固体電解質３の断面積当り）であっ
た。銀めっきの成膜速度は１Ａ／ｄｍ２の電流密度の
時、ファラデーの法則により０．０１μｍ／秒であるか
ら、実験例１における成膜速度は０．０１×１７５＝
１．７５μｍ／秒の値となった。この成膜速度は従来の
電気めっきの５０〜１００倍の速度であり、最新の高速
噴流式水溶液めっき法の２〜５倍の速度であった。 【００４５】（実験例２） 図２に示す固相めっき装置を用いて、実験例１と同様に
して固相めっき方法を実施した。実験例２では固体電解
質３の温度を高温に保持するために、実験例１の固相め
っき装置に加熱筒５を筒体３の外側に配設し、沸湯水入
口６より１００℃の熱水を注入し沸湯水出口７より排出
させた。このことにより固体電解質３の内部平均温度は
１００℃に保持することができた。また、印加電圧１０
Ｖの最大電流は図４に示すように０．４２Ａ＝２．１Ａ
／ｃｍ２＝２１０Ａ／ｄｍ２となった。この電流密度に
おける成膜速度は０．０１×２１０＝２．１μｍ／秒で
高速噴流式めっき法の２．４〜６倍の速度となった。Ｉ
Ｃリードフレーム等の銀めっきの必要めっき厚さは約２
〜４μｍであり、実験例１の方法では１０Ｖの印加電圧
の時、約１秒間でこの厚さを達成することができた。 【００４６】以上のように、Ａｇ６Ｉ４（ＷＯ４）固体
電解質の導電率は約４．７×１０−２Ω−１ｃｍ
−１（２５℃）であり、これは通常の電導体と考えた場
合１０Ｖの電圧では０．４７Ａ（ａｔ２５℃）が最大で
あるが実験例２では約０．４２Ａ、実験例１では約０．
３５Ａの電流が達成できた。導電率より計算した電流よ
りも実際の電流が小さくなるのは、被めっき体１と固体
電解質３との接触抵抗による電圧成分と銀電極４の固体
電解質３への溶解と被めっき体１への銀イオンの折出の
活性化過電圧成分が含まれるためである。 【００４７】（実験例３） 固体電解質としてＲｂＡｇ４Ｉ５を用い、実験例１およ
び２と同様にして、固相めっき方法を実施した。この場
合、導電率はＡｇ６Ｉ４（ＷＯ４）の約５．７倍であ
り、低い電圧で高いめっき電流が得られた。実験例３で
は印加電圧１０Ｖの最大電流密度は、加熱なしで１．９
Ａ、１００℃に加熱すると３．８５Ａの電流値よりそれ
ぞれ９５０Ａ／ｄｍ２、１９２５Ａ／ｄｍ２となった。
この場合の成膜速度は加熱なしで０．０１×９５０＝
９．５μｍ／秒、加熱すると０．０１×１９２５＝１
９．２５μｍ／秒が得られた。このため、４μｍの必要
めっき厚さに要する時間は加熱なしで４÷９．５＝０．
４２秒、１００℃に加熱すると４÷１９．２５＝０．２
０秒で、瞬時にして部分めっきを終了させることができ
た。 【００４８】電圧を１０Ｖ以上に上げて電流値を上げれ
ばさらに高速のめっきが可能であるが、めっき時間が短
すぎてめっき厚の制御が不可能となり、実用上適さな
い。 【００４９】（実験例４〜本発明の実施例） 固体電解質としてイオン導電性高分子材料を用い、実験
例１および２と同様にして、本発明の固相めっき方法を
実施した。このイオン導電性高分子材料はＰＥＯ（ポリ
エチレンオキシド）にＡｇＩを反応させ作った。 【００５０】このイオン導電性高分子材料の導電率は、
無機固体電解質のそれと比較して一般に小さく、ＰＥＯ
−ＡｇＩ反応生成物の場合約１００℃で１０−１Ω−１
ｃｍ−１であるが、高分子材料では軟質なため被めっき
体１への表面なじみが良く、被めっき体に当接させるに
都合が良いので表面凹凸の被めっき材の場合の固相めっ
きに適した。ＰＥＯ−ＡｇＩ中への陽極純銀棒の埋め込
みは、ＰＥＯ−ＡｇＩに陽極純銀棒の直径より小さい穴
を研削により設け純銀棒の陽極４を取付けた。これは無
機固体電解質の場合と同様の方法であった。このＰＥＯ
−ＡｇＩを固体電解質として用い、実験例２と同様に固
相めっき方法を実施した場合の電流電圧曲線を図５に示
す。 【００５１】電圧１０Ｖの時の最大電流は約０．７５×
１０−２Ａであり、電流密度として３．７５Ａ／ｄｍ２
に相当する。この場合の成膜速度は０．０１×３．７５
＝０．０３７５μｍ／秒で２μｍの銀めっき厚さを得る
に要しためっき時間は２÷０．０３７５＝５３秒であっ
た。 【００５２】（実験例５） 印加電圧としてパルス電圧および矩形波電圧を用い、実
験例１と同様にして、固相めっき方法を実施した。使用
した波形を図６および図７に示す。図６および図７の波
形はいずれも水溶液の電気めっきの高電流密度化と密着
性の向上およびめっき結晶の微細化の目的に使用されて
いるものである。ただし、電圧の正負の時間の比率パル
ス波形にするか矩形波波形にするか等は必要とするめっ
きの膜質との関係で多様に選定されている。従って、実
験例５の代表的な波形として図６および図７を選定し
た。めっき電流は図６に示すパルス波形の場合、印加電
圧１０Ｖの時に０．４０Ａ、図７に示す矩形波電圧の場
合に、０．４４Ａに向上した。また、パルス波形および
矩形波では結晶粒が微細で密着性の良好なめっきが得ら
れた。 【００５３】（実験例６） 被めっき体１に０．５ｔ厚さのセラミック基板を用い、
その上部に無電解銅めっきを全面に１．０μｍ施したも
のを用い、実験例１と同様にして固相めっき方法を実施
した。銀めっきは実験例１と同様の条件で同様に行なう
ことができた。 【００５４】（実験例７）実験例 １における固相めっき方法を実施するに当り、被
めっき体１に対して出力７５Ｗ、周波数２００Ｈｚの超
音波を負荷した。超音波の負荷方法は被めっき体１の下
部から超音波振動子を当てて照射した。 【００５５】超音波の効果はめっきの結晶粒が微細とな
りかつめっき電流が１０Ｖの印加電圧の時０．４４Ａま
で高まった。 【００５６】超音波エネルギーにより被めっき体１の表
面の薄い酸化膜が破壊されるため、めっき膜の密着性が
高まった。 【００５７】（実験例８）実験例 １における固相めっき方法を実施するにあたり、
固体電解質３にＲｂＣｕ４Ｃｌ３Ｉ２を用いた。銅めっ
きのため陽極には９９．９９％の純銅棒を用いた。Ｒｂ
Ｃｕ４Ｃｌ３Ｉ２の導電率は４．７×１０−１Ω−１ｃ
ｍ−１であり、１０Ｖの印加電圧の時、４．０Ａ＝２０
００Ａ／ｄｍ２の電流密度が得られた。銅の成膜速度は
電流密度１Ａ／ｄｍ２の時０．００７４μｍ／秒であ
り、従って２０００Ａ／ｄｍ２では１４．８μｍ／秒の
成膜速度が得られた。めっき膜の粒子は非常に微細であ
り密着性も良好であった。 【００５８】以上、実験例１〜８において実施した固相
めっき方法により得られた固相めっき膜の性能を試験し
た。その条件および結果を表１に示す。ここで、曲げ密
着性を調べるため、めっき厚さを要求値より高い１０μ
ｍに設定した。 【００５９】曲げ密着性試験はめっき面を内側として
０．５Ｒに９０°折り曲げ、次に曲げ戻して表面を１０
倍（×１０）の顕微鏡で観察した。その結果、素地面ま
で達する微細クラックによるハガレで判定した。 【００６０】次に、従来法と実験例の方法との電気めっ
きにおける比較をめっき位置精度、可能な最小のめっき
エリア、めっき速度およびめっき粒径について行なっ
た。その結果を表２に示す。 【００６１】 【表１】【００６２】 【表２】【００６３】表１および表２から明らかなように、本発
明の特定のイオン導電性の高分子化合物からなる固体電
解質を用いた固相めっき方法により、高精度で微細な粒
径の微細クラックによるはがれの生じないめっきを得る
ことができる。 【００６４】さらに、めっき電圧の波形をパルス電圧あ
るいは矩形波電圧にすること、あるいは超音波を負荷す
ることにより高品質のめっきを得ることができる。ま
た、加熱することにより、めっき速度あげることができ
る。 【００６５】 【発明の効果】以上、詳述したように、本発明には、次
のような効果がある。 【００６６】（１）本発明によれば、めっきに必ず附随
していた公害問題の解消を図ることができる。すなわ
ち、めっきを実施する際に薬品をまったく使わないた
め、公害問題が発生しない。 【００６７】（２）本発明によれば、従来のめっき方法
に比べ、位置精度が高いので、部分めっきがめっきマス
クを用いずに容易にしかも微細に高精度にできる。 【００６８】（３） めっき性能の向上を図ることがで
きる。本発明の方法によるめっきはめっきの粒径が微細
なため、密着性が非常に優れる。 【００６９】（４） 本発明によれば、めっきの経済性
を向上させることができる。めっき薬品を使用しないた
め、めっき費用の低減が図れる。 【００７０】（５） 本発明によれば、めっき設備費が
安い。高価な長いめっき槽を必要としないため、設備費
が安い。例えば次の通りである。 【００７１】従来のめっき設備（ＩＣリードルーム、１
０００万個／月）＝７０，０００，０００円。 【００７２】本発明のめっき設備（ＩＣリードルーム、
１０００万個／月）＝３０，０００，０００円。
性に優れためっきを行なうことのできる全く新規な固相
電気めっき方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、めっき方法には水溶液電気めっき
法、気相めっき法（蒸着、イオンプレーティング）、溶
融塩電気めっき法等が知られており、また、水溶液の無
電解めっき法等が知られている。しかしこの従来のめっ
き方法は、古くからの技術であるが近年の電子部品の微
細めっき加工に応用する場合に、以下の様な問題点があ
り、電子部品の高信頼性化、量産化および微細加工化に
限界をきたしている。 【０００３】（１）水溶液を用いるめっき方法は、電子
部品（リードフレーム等）に部分めっきを施す場合、め
っきを必要とする部分以外を、軟質のゴム等で押さえ
（めっきマスクと言う）、マスク開口部にめっき液を噴
射させ、直流電圧を印加してめっきする方法が広く採用
されている。 【０００４】この方法はめっき液のにじみ出し等で位置
精度の高いめっきが不可能である。また、機械的なマス
クのため微細めっき加工に限界がある。 【０００５】（２）水溶液めっき法は、排水処理施設の
高額な設備投資が必要であり、これに伴う公害上の問題
が大きな社会問題となっている。 【０００６】（３）蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法などの気相めっき方法は公害上の問題
は少ないが、真空中のめっきのため真空ポンプ、高耐圧
ベルジャおよび蒸発源加熱設備等の高額の設備投資が必
要である。また、これらの気相めっき方法は成膜速度
（めっき膜の成長速度）が遅いこと並びに真空引きの長
い所要時間等のため量産性が著しく悪いという欠点をを
持っている。 【０００７】（４）溶融塩電気めっき法は、カセイソー
ダ等の高温の溶融塩を用いるため、作業環境の悪化、高
温浴のため作業性が悪く危険等の問題があり、また、電
子部品用の微細加工めっきや部分めっき等への応用が不
可能である。 【０００８】 【発明が解決しようとする問題点】本発明は、上記従来
技術の問題点を解消しようとするものであって、めっき
液を用いず、多額の設備投資を要せず、固相で微細粒径
の密着性に優れためっきができる方法を工業的に実用化
することが可能な固相めっき方法を提供することを目的
とする。 【０００９】 【問題点を解決するための手段】上記目的を達成するた
めに、本発明者らは、めっきの媒体としてポリエチレン
オキシドにヨウ化銀を反応させてつくったイオン導電性
の高分子化合物からなる固体電解質を用いることによ
り、めっき液等を用いず、また、多額の設備投資を要し
ないまったく新しい固相で微細粒径の密着性に優れため
っきができる方式（以下、めっき媒体として固体電解質
を用いるめっき方式を「固相めっき方法」と呼ぶ）を発
見し、工業的な実用化を可能とすることにより、本発明
に至ったものである。 【００１０】すなわち、本発明は、ポリエチレンオキシ
ドにヨウ化銀を反応させてつくったイオン導電性の高分
子化合物からなると共に絶縁性の保護用筒体で保護され
かつ加熱された固体電解質を被めっき体に当接し、前記
被めっき体を陰極に、かつ前記固体電解質にめっき金属
と同じ材質からなる陽極を接続し、前記陰極と前記陽極
との間に電圧を印加することを特徴とする固相めっき方
法を提供するものである。 【００１１】前記被めっき体は、金属、プラスチック、
およびセラミックスであるのが好ましい。 【００１２】また、前記電圧は、直流電圧、パルス電圧
または矩形波電圧であるのが好ましい。 【００１３】また、前記電圧は、外部電源電圧であるの
が好ましい。 【００１４】また、固体電解質の被めっき体への当接
は、前記固体電解質に荷重または圧力を負荷してなされ
るものであるのが好ましい。 【００１５】以下に、本発明をさらに詳細に説明する。 【００１６】固相めっき方法に用いられる固体電解質
は、めっき金属イオンに対して固体のまま高いイオン導
電性を示すものであれば、いかなるものでもよく、無機
化合物でも高分子化合物でも使用可能であるが、実験に
よればポリエチレンオキシドにヨウ化銀を反応させてつ
くった特定のイオン導電性の高分子化合物からなるもの
が最も有効で実用的である。 【００１７】このような固体電解質はイオン選択透過機
能を有するものであって、前記固体電解質の導電がただ
一種類のイオンによって行なわれるものである。 【００１８】このようなイオンのうちめっきとして使う
ことのできる金属イオンであれば何でもよいが、例え
ば、Ａｇ＋（銀イオン）およびＣｕ＋（第一銅イオン）
などが挙げられる。 【００１９】Ａｇ＋（銀イオン）に対して高イオン導電
性を示す固体電解質としては、Ａｇ１−ｘＭｘＩ１−ｙ
Ｘｙ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）と表わすことができ、
例えば、Ａｇ３ＳＩ、Ａｇ１９Ｉ１５（Ｐ２Ｏ７）、Ａ
ｇ６Ｉ４（ＷＯ４）、ＲｂＡｇ４Ｉ５、ＫＡｇ４Ｉ５、
（ＮＨ４）Ａｇ４Ｉ５、Ｑ２Ａｇ１３Ｉ１５、ＱＡｇ５
Ｉ６（ここでＱはオニウムイオンである）、ＨｇＡｇ８
Ｓ２Ｉ６、Ａｇ１．８Ｈ０．４６Ｓｅ０．７Ｉ１．３、
ＲｂＡｇ４ＣＮＩ４およびα ＡｇＩ類似構造を有し、
ＡｇＩの一部のＩ−あるいはＡｇ＋を陰イオン、陽イオ
ンで置換したものなどを挙げることができる。特にＲｂ
Ａｇ４Ｉ５は導電率２．７×１０−１Ω−１ｃｍ
−１（２５℃）と高く、また、Ａｇ６Ｉ４（ＷＯ４）は
導電率４．７×１０−３Ω−１ｃｍ−１（２５℃）とそ
れほど高くないが、コスト的に有利であり安定性にも優
れているので好ましい。 【００２０】Ｃｕ＋（第一銅イオン）に対して高イオン
導電性を示す固体電解質としては、ハロゲン化第一銅の
陽イオン置換体、あるいは陰イオンおよび陽イオン置換
体などがあり、例えば、ＲｂＣｕ３Ｃｌ４，ＣｕＩ・Ｃ
Ｈ１０ＳＣＨ３Ｉ，Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｃｌ１３Ｉ７，７Ｃ
ｕＢｒＣ６Ｈ１２Ｎ４ＣＨ３Ｂｒ，１７ＣｕＩ・３Ｃ６
Ｈ１２Ｎ４ＣＨ３Ｉ，およびＲｂＣｕ４Ｃｌ３Ｉ２など
が挙げられ、さらにＣｕＴｅＸ（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）
などが挙げられる。特に、ＲｂＣｕ４Ｃｌ３Ｉ２は導電
率が４．７×１０−１Ω−１ｃｍ−１（２５℃）と高い
ので好ましい。 【００２１】以上、固体電解質の組成について詳細に説
明したけれども、本発明においては、一般に、固体電解
質の導電率は温度依存性を有するものであり、導電率を
上げ、めっき効率を上げるため、固体電解質を加熱する
ことも特徴の一つとしている。 【００２２】本発明は、ポリエチレンオキシドにヨウ化
銀を反応させてつくったイオン導電性の高分子化合物か
らなる固体電解質を介して、被めっき体側を陰極とし、
前記固体電解質側を陽極として電気めっきを行なうもの
であるので、前記固体電解質にめっき金属イオンを供給
する必要がある。前記固体電解質にめっき金属イオンを
供給する方法としては、めっきに必要な量のめっき金属
イオンを供給できればいかなる方法を用いてもよいが、
例えば、ＡｇＩ粉末などを用いることができるが、好ま
しくは、前記固体電解質に接続する陽極をめっき金属を
含む材料で構成するのがよい。陽極をめっき金属だけで
構成してもよいし、まためっき金属を容器に入れ、該容
器を陽極としてもよい。 【００２３】本発明に用いられる被めっき体は、めっき
可能なものならなんでもよいが、例えば、金属、プラス
チックおよびセラミックスなどが好ましい。 【００２４】本発明においては、電気めっきを行なう際
に、被めっき体と固体電解質を当接させるが、接触状態
を密にするため、被めっき体と固体電解質との一方にあ
るいは両方に荷重を加えるかあるいは両方との間にバネ
等により圧力を加えるのが好ましい。 【００２５】被めっき体に固体電解質を当接させる際に
加える当接圧力は完全に密着させるためには、３００ｇ
／ｃｍ２〜１０００ｇ／ｃｍ２とするのが好適である。 【００２６】本発明に用いられる印加電圧は、めっきが
できるものならなんでもよいが外部電源電圧であり、直
流電圧、パルス電圧、矩形波電圧のいずれかが好まし
い。 【００２７】本発明の固相めっき方法においては、上記
被めっき体には陰極を接続し、上記ポリエチレンオキシ
ドにヨウ化銀を反応させてつくったイオン導電性の高分
子化合物からなると共に絶縁性の保護用筒体で保護され
かつ加熱された固体電解質には陽極を接続し、前記陰極
と前記陽極との間に上記電圧を印加して、前記被めっき
体に当接された前記固体電解質を介して、前記固体電解
質にめっき金属を供給しながら前記被めっき体にめっき
金属をめっきするものである。 【００２８】本発明の固相めっき方法においては、めっ
きの結晶粒を微細し、めっき電流効率を上げるために、
固体電解質と被めっき体とのいずれか一方あるいは両方
に超音波を負荷してもよい。 【００２９】ここで、超音波を負荷する方法としては、
超音波振動子を固体電解質または被めっき体に当てて照
射する方法がよい。 【００３０】超音波の負荷によるめっきの結晶粒が微細
となりかつめっき電流が上がる理由は、主に、超音波エ
ネルギーにより被めっき体のめっき表面の薄い酸化膜が
破壊されるため、めっき膜の密着性が高まるからであ
る。 【００３１】以下に、本発明の固相めっき方法を実施す
る装置構成を添付の図面に示す好適な実施例に基づいて
さらに詳細に説明する。 【００３２】図１は、本発明の固相めっき方法を実施す
る装置（以下、固相めっき装置という）の一実施例であ
る。 【００３３】図１に示すように、被めっき体１に保護用
筒体２で保護された特定のイオン導電性の高分子化合物
からなる固体電解質３を当接する。固体電解質３に陽極
４を埋め込んで、外部電源（図示せず）の陰極−と被め
っき体１とを接続し、前記外部電源の陽極＋と陽極４と
を接続する。 【００３４】ここで、保護用筒体２は固体電解質３を保
護でき、めっきに障害にならないものであれば、いかな
る形状あるいはいかなる材質のものでもよいが、絶縁性
があるものがよく、例えば、硬質のポリエチレン製筒
体、テフロン製筒体、ナイロン製筒体などが好ましい。 【００３５】また、固体電解質３の形状は、いかなる形
状でもよいが、当接部の形状は被めっき体１のめっき部
分の形状と全く同じあるいは少し大きめで略同一の形状
であるのが好ましい。 【００３６】前述したように、陽極４はめっき金属イオ
ンの補給源とするのがよく、めっき金属またはめっき金
属を含有するものがよく、その形状に特に制限はないが
棒状のものが好ましい。 【００３７】また、図２に示すように、固体電解質３の
温度を高温に保持するため、図２に示すめっき装置の保
護用筒体２に加熱装置を設けてもよい。図２において
は、固体電解質３の加熱は保護用筒体２の外側に加熱筒
５を配設し、高温流体を加熱筒５の下方に設けられた入
口６から流入させ、固体電解質３を加熱した前記高温流
体を加熱筒５の上方に設けられた出口７から排出させて
行なうことができる。もちろん、本発明に用いられる加
熱装置は図２に示す例に限定されない。 【００３８】図１および図２に示す固相めっき装置にお
いて、被めっき体１および固体電解質３のいずれか一方
あるいは両方に超音波を負荷する時は、被めっき体１の
下側からあるいは固体電解質３の上側から負荷するのが
よい。 【００３９】以上、本発明の固相めっき方法を実施する
装置について説明したが、本発明はこれに限定されるわ
けではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、
種々の改良ならびに設計の変更が可能なことは勿論であ
る。 【００４０】 【実施例】以下に、本発明を実施例を含む８つの実験例
に基づいて詳細に説明する。実験例４が本発明の実施例
であり、実験例１〜３および実験例５〜８の方法は、本
発明にも適用できる手段を含んではいるが、本発明の範
囲外のものである。 【００４１】（実験例１） 図１に示す固相めっき装置を用いて、固相めっき方法を
実施した。 【００４２】ここで、固体電解質３には非晶質で高導電
率の銀イオン導電性ガラス（Ａｇ６Ｉ４（ＷＯ４））を
使用した。固体電解質の保護体である筒体２は硬質のポ
リエチレン製筒体とした。陽極４には導電性銀イオンの
補給源である９９．９９％の純度の２ｍｍφの純銀陽極
棒を使用した。 【００４３】次に、めっきの手順を説明すると、まず、
被めっき体１として用いた厚さ１．０ｍｍの銅板（１０
０×１００ｍｍ）を脱脂酸洗して乾燥させ表面を清浄な
状態とした。次に、固体電解質３を約５００ｇ／ｃｍ２
の荷重で当接させ、単相全波の直流電流を印加した。固
体電解質３である棒状の銀イオン導電性ガラスの断面積
は５ｍｍφ＝約２０ｍｍ２であり、先端部は０．０６μ
ｍの平均粗さに研磨加工した。 【００４４】この実験例１における部分めっきの電流電
圧曲線（常温２５℃の時）を図３に示す。電圧を印加す
るとまず約０．５Ｖの分極電圧（Ａ領域）があり、すな
わちこれは活性化エネルギーに相当する活性化過電圧で
あった。この分極電圧（Ａ領域）を過ぎると電流の立ち
上がり領域Ｂに移りめっきが開始された。電流が流れ始
めると陽極４である純銀陽極棒から銀イオンの注入がお
こなわれ、固体電解質３であるＡｇ６Ｉ４（ＷＯ４）中
を銀イオンが移動して陰極の被めっき体１である銅板の
表面で放電して金属銀として折出した。１０Ｖの印加電
圧の時の電流値は０．３５Ａ＝１．７５Ａ／ｃｍ２＝１
７５Ａ／ｄｍ２（固体電解質３の断面積当り）であっ
た。銀めっきの成膜速度は１Ａ／ｄｍ２の電流密度の
時、ファラデーの法則により０．０１μｍ／秒であるか
ら、実験例１における成膜速度は０．０１×１７５＝
１．７５μｍ／秒の値となった。この成膜速度は従来の
電気めっきの５０〜１００倍の速度であり、最新の高速
噴流式水溶液めっき法の２〜５倍の速度であった。 【００４５】（実験例２） 図２に示す固相めっき装置を用いて、実験例１と同様に
して固相めっき方法を実施した。実験例２では固体電解
質３の温度を高温に保持するために、実験例１の固相め
っき装置に加熱筒５を筒体３の外側に配設し、沸湯水入
口６より１００℃の熱水を注入し沸湯水出口７より排出
させた。このことにより固体電解質３の内部平均温度は
１００℃に保持することができた。また、印加電圧１０
Ｖの最大電流は図４に示すように０．４２Ａ＝２．１Ａ
／ｃｍ２＝２１０Ａ／ｄｍ２となった。この電流密度に
おける成膜速度は０．０１×２１０＝２．１μｍ／秒で
高速噴流式めっき法の２．４〜６倍の速度となった。Ｉ
Ｃリードフレーム等の銀めっきの必要めっき厚さは約２
〜４μｍであり、実験例１の方法では１０Ｖの印加電圧
の時、約１秒間でこの厚さを達成することができた。 【００４６】以上のように、Ａｇ６Ｉ４（ＷＯ４）固体
電解質の導電率は約４．７×１０−２Ω−１ｃｍ
−１（２５℃）であり、これは通常の電導体と考えた場
合１０Ｖの電圧では０．４７Ａ（ａｔ２５℃）が最大で
あるが実験例２では約０．４２Ａ、実験例１では約０．
３５Ａの電流が達成できた。導電率より計算した電流よ
りも実際の電流が小さくなるのは、被めっき体１と固体
電解質３との接触抵抗による電圧成分と銀電極４の固体
電解質３への溶解と被めっき体１への銀イオンの折出の
活性化過電圧成分が含まれるためである。 【００４７】（実験例３） 固体電解質としてＲｂＡｇ４Ｉ５を用い、実験例１およ
び２と同様にして、固相めっき方法を実施した。この場
合、導電率はＡｇ６Ｉ４（ＷＯ４）の約５．７倍であ
り、低い電圧で高いめっき電流が得られた。実験例３で
は印加電圧１０Ｖの最大電流密度は、加熱なしで１．９
Ａ、１００℃に加熱すると３．８５Ａの電流値よりそれ
ぞれ９５０Ａ／ｄｍ２、１９２５Ａ／ｄｍ２となった。
この場合の成膜速度は加熱なしで０．０１×９５０＝
９．５μｍ／秒、加熱すると０．０１×１９２５＝１
９．２５μｍ／秒が得られた。このため、４μｍの必要
めっき厚さに要する時間は加熱なしで４÷９．５＝０．
４２秒、１００℃に加熱すると４÷１９．２５＝０．２
０秒で、瞬時にして部分めっきを終了させることができ
た。 【００４８】電圧を１０Ｖ以上に上げて電流値を上げれ
ばさらに高速のめっきが可能であるが、めっき時間が短
すぎてめっき厚の制御が不可能となり、実用上適さな
い。 【００４９】（実験例４〜本発明の実施例） 固体電解質としてイオン導電性高分子材料を用い、実験
例１および２と同様にして、本発明の固相めっき方法を
実施した。このイオン導電性高分子材料はＰＥＯ（ポリ
エチレンオキシド）にＡｇＩを反応させ作った。 【００５０】このイオン導電性高分子材料の導電率は、
無機固体電解質のそれと比較して一般に小さく、ＰＥＯ
−ＡｇＩ反応生成物の場合約１００℃で１０−１Ω−１
ｃｍ−１であるが、高分子材料では軟質なため被めっき
体１への表面なじみが良く、被めっき体に当接させるに
都合が良いので表面凹凸の被めっき材の場合の固相めっ
きに適した。ＰＥＯ−ＡｇＩ中への陽極純銀棒の埋め込
みは、ＰＥＯ−ＡｇＩに陽極純銀棒の直径より小さい穴
を研削により設け純銀棒の陽極４を取付けた。これは無
機固体電解質の場合と同様の方法であった。このＰＥＯ
−ＡｇＩを固体電解質として用い、実験例２と同様に固
相めっき方法を実施した場合の電流電圧曲線を図５に示
す。 【００５１】電圧１０Ｖの時の最大電流は約０．７５×
１０−２Ａであり、電流密度として３．７５Ａ／ｄｍ２
に相当する。この場合の成膜速度は０．０１×３．７５
＝０．０３７５μｍ／秒で２μｍの銀めっき厚さを得る
に要しためっき時間は２÷０．０３７５＝５３秒であっ
た。 【００５２】（実験例５） 印加電圧としてパルス電圧および矩形波電圧を用い、実
験例１と同様にして、固相めっき方法を実施した。使用
した波形を図６および図７に示す。図６および図７の波
形はいずれも水溶液の電気めっきの高電流密度化と密着
性の向上およびめっき結晶の微細化の目的に使用されて
いるものである。ただし、電圧の正負の時間の比率パル
ス波形にするか矩形波波形にするか等は必要とするめっ
きの膜質との関係で多様に選定されている。従って、実
験例５の代表的な波形として図６および図７を選定し
た。めっき電流は図６に示すパルス波形の場合、印加電
圧１０Ｖの時に０．４０Ａ、図７に示す矩形波電圧の場
合に、０．４４Ａに向上した。また、パルス波形および
矩形波では結晶粒が微細で密着性の良好なめっきが得ら
れた。 【００５３】（実験例６） 被めっき体１に０．５ｔ厚さのセラミック基板を用い、
その上部に無電解銅めっきを全面に１．０μｍ施したも
のを用い、実験例１と同様にして固相めっき方法を実施
した。銀めっきは実験例１と同様の条件で同様に行なう
ことができた。 【００５４】（実験例７）実験例 １における固相めっき方法を実施するに当り、被
めっき体１に対して出力７５Ｗ、周波数２００Ｈｚの超
音波を負荷した。超音波の負荷方法は被めっき体１の下
部から超音波振動子を当てて照射した。 【００５５】超音波の効果はめっきの結晶粒が微細とな
りかつめっき電流が１０Ｖの印加電圧の時０．４４Ａま
で高まった。 【００５６】超音波エネルギーにより被めっき体１の表
面の薄い酸化膜が破壊されるため、めっき膜の密着性が
高まった。 【００５７】（実験例８）実験例 １における固相めっき方法を実施するにあたり、
固体電解質３にＲｂＣｕ４Ｃｌ３Ｉ２を用いた。銅めっ
きのため陽極には９９．９９％の純銅棒を用いた。Ｒｂ
Ｃｕ４Ｃｌ３Ｉ２の導電率は４．７×１０−１Ω−１ｃ
ｍ−１であり、１０Ｖの印加電圧の時、４．０Ａ＝２０
００Ａ／ｄｍ２の電流密度が得られた。銅の成膜速度は
電流密度１Ａ／ｄｍ２の時０．００７４μｍ／秒であ
り、従って２０００Ａ／ｄｍ２では１４．８μｍ／秒の
成膜速度が得られた。めっき膜の粒子は非常に微細であ
り密着性も良好であった。 【００５８】以上、実験例１〜８において実施した固相
めっき方法により得られた固相めっき膜の性能を試験し
た。その条件および結果を表１に示す。ここで、曲げ密
着性を調べるため、めっき厚さを要求値より高い１０μ
ｍに設定した。 【００５９】曲げ密着性試験はめっき面を内側として
０．５Ｒに９０°折り曲げ、次に曲げ戻して表面を１０
倍（×１０）の顕微鏡で観察した。その結果、素地面ま
で達する微細クラックによるハガレで判定した。 【００６０】次に、従来法と実験例の方法との電気めっ
きにおける比較をめっき位置精度、可能な最小のめっき
エリア、めっき速度およびめっき粒径について行なっ
た。その結果を表２に示す。 【００６１】 【表１】【００６２】 【表２】【００６３】表１および表２から明らかなように、本発
明の特定のイオン導電性の高分子化合物からなる固体電
解質を用いた固相めっき方法により、高精度で微細な粒
径の微細クラックによるはがれの生じないめっきを得る
ことができる。 【００６４】さらに、めっき電圧の波形をパルス電圧あ
るいは矩形波電圧にすること、あるいは超音波を負荷す
ることにより高品質のめっきを得ることができる。ま
た、加熱することにより、めっき速度あげることができ
る。 【００６５】 【発明の効果】以上、詳述したように、本発明には、次
のような効果がある。 【００６６】（１）本発明によれば、めっきに必ず附随
していた公害問題の解消を図ることができる。すなわ
ち、めっきを実施する際に薬品をまったく使わないた
め、公害問題が発生しない。 【００６７】（２）本発明によれば、従来のめっき方法
に比べ、位置精度が高いので、部分めっきがめっきマス
クを用いずに容易にしかも微細に高精度にできる。 【００６８】（３） めっき性能の向上を図ることがで
きる。本発明の方法によるめっきはめっきの粒径が微細
なため、密着性が非常に優れる。 【００６９】（４） 本発明によれば、めっきの経済性
を向上させることができる。めっき薬品を使用しないた
め、めっき費用の低減が図れる。 【００７０】（５） 本発明によれば、めっき設備費が
安い。高価な長いめっき槽を必要としないため、設備費
が安い。例えば次の通りである。 【００７１】従来のめっき設備（ＩＣリードルーム、１
０００万個／月）＝７０，０００，０００円。 【００７２】本発明のめっき設備（ＩＣリードルーム、
１０００万個／月）＝３０，０００，０００円。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の固相めっき方法を実施する装置一実施
例の概略図。 【図２】本発明の固相めっき方法を実施する装置別の実
施例の概略図。 【図３】実験例１の固相めっき方法において用いられた
直流電圧の電源電圧に対する電流のグラフ。 【図４】実験例２の固相めっき方法において用いられた
直流電圧の電源電圧に対する電流のグラフ。 【図５】実験例５の固相めっき方法において用いられた
直流電圧の電源電圧に対する電流のグラフ。 【図６】実験例５の固相めっき方法において用いられた
パルス電圧および矩形波電圧の波形。 【図７】実験例５の固相めっき方法において用いられた
パルス電圧および矩形波電圧の波形。 【符号の説明】 １ 被めっき体 ２ 保護用筒体 ３ 固体電解質 ４ 陽極 ５ 加熱筒 ６ 高温流体入口 ７ 高温流体出口
例の概略図。 【図２】本発明の固相めっき方法を実施する装置別の実
施例の概略図。 【図３】実験例１の固相めっき方法において用いられた
直流電圧の電源電圧に対する電流のグラフ。 【図４】実験例２の固相めっき方法において用いられた
直流電圧の電源電圧に対する電流のグラフ。 【図５】実験例５の固相めっき方法において用いられた
直流電圧の電源電圧に対する電流のグラフ。 【図６】実験例５の固相めっき方法において用いられた
パルス電圧および矩形波電圧の波形。 【図７】実験例５の固相めっき方法において用いられた
パルス電圧および矩形波電圧の波形。 【符号の説明】 １ 被めっき体 ２ 保護用筒体 ３ 固体電解質 ４ 陽極 ５ 加熱筒 ６ 高温流体入口 ７ 高温流体出口
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．ポリエチレンオキシドにヨウ化銀を反応させてつく
ったイオン導電性の高分子化合物からなると共に絶縁性
の保護用筒体で保護されかつ加熱された固体電解質を被
めっき体に当接し、前記被めっき体を陰極に、かつ前記
固体電解質にめっき金属と同じ材質からなる陽極を接続
し、前記陰極と前記陽極との間に電圧を印加することを
特徴とする固相めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13891792A JP2671714B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 固相めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13891792A JP2671714B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 固相めっき方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324720A Division JPH01165786A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 固相めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05148681A JPH05148681A (ja) | 1993-06-15 |
| JP2671714B2 true JP2671714B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=15233168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13891792A Expired - Lifetime JP2671714B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 固相めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671714B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9890464B2 (en) | 2012-01-12 | 2018-02-13 | Oceanit Laboratories, Inc. | Solid electrolyte/electrode assembly for electrochemical surface finishing applications |
| JP5692268B2 (ja) | 2013-03-25 | 2015-04-01 | トヨタ自動車株式会社 | 金属被膜の成膜装置および成膜方法 |
| JP5915602B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2016-05-11 | トヨタ自動車株式会社 | 金属皮膜の成膜装置および成膜方法 |
| JP5949696B2 (ja) | 2013-08-07 | 2016-07-13 | トヨタ自動車株式会社 | 金属皮膜の成膜装置および成膜方法 |
| JP5967034B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2016-08-10 | トヨタ自動車株式会社 | 金属被膜の成膜装置および成膜方法 |
| US10240244B2 (en) | 2014-03-12 | 2019-03-26 | Oceanit Laboratories, Inc. | Portable, liquid free, electroless, electrochemical deposition of metal on conductive and nonconductive surfaces |
| WO2015167582A1 (en) * | 2014-05-02 | 2015-11-05 | Oceanit Laboratories, Inc. | Electrochemical deposition of metal on surfaces |
| JP6197813B2 (ja) | 2015-03-11 | 2017-09-20 | トヨタ自動車株式会社 | 金属皮膜の成膜装置およびその成膜方法 |
| US11466355B1 (en) | 2016-07-20 | 2022-10-11 | Oceanit Laboratories, Inc. | Submerged underwater electroless, electrochemical deposition of metal on conductive and nonconductive surfaces |
| JP7306344B2 (ja) | 2020-07-29 | 2023-07-11 | トヨタ自動車株式会社 | 銀皮膜の形成方法 |
| DE102020133220B3 (de) * | 2020-12-11 | 2022-02-17 | I.T.C.Intercircuit Electronic GmbH | Verfahren zum Füllen von mindestens einem in einer Leiterplatte ausgebildeten Loch, derart gefüllte Leiterplatte und Fahrzeug, welches eine solche Leiterplatte aufweist |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138892A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of forming thin film |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13891792A patent/JP2671714B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05148681A (ja) | 1993-06-15 |
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