JPS60500640A - 誤差を減少した電流源回路 - Google Patents
誤差を減少した電流源回路Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
誤差を減少した電かC源回路
技術的分野
本光明は、一般的には基準回路に関するものであシ。
更に詳しく云うと電源電圧の変動およびデバイスサイズ整合誤差の結果中じる出
方誤差を最小にする電流基準回路に関する。
背景技術
ベース−エミッタ電圧V0又はテルタVBRの何れがを用いて基準電圧手段と基
準電流手段の両方によって基準電圧および基準電流を設定する基準回路は周知で
ある。
そのような回路は米国特許第4,342,926号に詳しく記述されている。従
来のt流ミラー構造においてサイズを比せりさ一+E(♂izt ratr o
cd >基本電流に炉合さ往るトランシスタテバイスに、バイアス電圧を与え
る出力デバイスに基準電流を反射させる。周知の基4回路は殆んどフロセスに無
関係にすることができるが、電源電圧の独立性は典型的には5ボルト又はそれ以
下の1、源亀圧についてのみ存在する。これは電源電圧の大部分が一般的には1
個のトランジスタ両端に机われるからである。チャネル長変% (channt
l length modulation) として知られる一般的枳象によシ
、亀非奄圧の太祖・分を反射するトランジスタは不眠の出力インピーダンスを示
す。その組未基準電圧手(2)
段と基準電流手段との間に電流不整合が存在する。抵抗型基準電流手段が用いら
れる場合には、電流不整合は抵抗両端に存在するオフセットに圧に変換する。更
に、電源電圧が増すにつれて、オフセット電圧か増大して電源電圧への依存性を
生じさせる。この電圧誤差は5ボルト又はそれ以下の電源電圧については一般的
に云って重要ではないが、この出力誤差は一般的な衝突電離現象によりチャネル
導電率テバイスについては高電圧レベルでは次第に大きくなる。pチャネル導電
率デバイスもまたオフセット誤差を生じるが、そのオフセット誤差はより高い電
圧ではNチャネル導電デバイスに対するほど著しくはない。
発明の簡単な要約
本発明の目的は、鈎良された電流源回路を提供することでるる。
不発明のもう1つの目的は、出力誤差の小さい電流源を提供することである。
本発明の更にもう1つの目的は、高出力インピーダンスを七゛する電流源を提供
することである。
本発明の更にもう1つの目的は9種々の電源電圧で動作するための誤差の小さい
電流源を提供することである。
不発明の上記の目的およびその他の目的、およびオリ点を達成するために、ダイ
オード接続テバイスによって設定される基準電圧を有するバイアス電流基準回路
が1つの形式で備えられている。基準電流発生器は、夕”イオード接続テバイス
に結合され、基準電圧に比例する基準電流を与える。所定のインピーダンスを有
する単位利得増幅器(LLnity gain ampli fier)はタ′
イオード接続デバイスとΦ
基準電流発生器の両方に&Mされていてバアス電圧を与える。バイアス電流手段
はバイアス亘1圧に結合されて出力バイアス電流を与える。単位オlj得増幅器
の出力インピータンスを著しく増大させ電源変動依存性を少なくするバッファ手
段は単位利得増幅器とバイアス電流手段の両方に結合されている。
図面の簡単な説明
第1図は2本発明の好ましい実施例により製作された電流源回路を概略的な形で
示す。
第2図は1本発明によって与えられる出力バイアス電流誤差の減少をクラスの形
で示す。
好ぽしい実歴fijの説明
第1図に示されているのは本発明の好ましい実歴例により製作された篭ぴ1源回
路10である。電流源10は一般的に基準電圧部分11.基準電流部分12.単
位オl」得手幅器部分13.バイアス電流部分14およびバッファ部分15を含
む。本発明は多数の糎類の基準電圧手段および基準電流手段のどれを用いても実
施できることが容易に判るはずである。2つの一般に知られている電流源はベー
ス−エミッタ電圧VBEおよびナルタVBEを用いて基準電流を(4)
与える。本発明に電源およびレジスタのようなその他の基準および%流手段とと
もに用いるように容易に適合される。図示のためだけにテルタVB)、を用いて
電流源回路について説明する。更に、特定のNチャネルおよびPチャネルテバイ
スが一般的に示されているが、電流源10は処理方法を完全に逆にすることによ
シ(例えはNチャネル−Pチャネル)、又は他の形のトランジスタを用いること
によって実施し得ることか明らかなはずである。
基準電圧部分はダイオード接続バイポーラトランジスタ17を含み、このトラン
ジスタ17はベース電極、コレクタ電極の両方を一緒に結合させて電源電圧VD
Dを受信する。基準電流部分12はバイポーラトランジスタ18を含み、このト
ランジスタ18はそのコレクタ電極を電源電圧VDDに結合させ、ベースTa&
をバイポーラトランジスタ17のベース電極およびコレクタ電極に接続させてお
シ。
且つエミッタ11恨全有する。トランジスタ18のエミッタ電極は抵抗19の第
1端子に結合されている。
単位オリ行司幅器部分13はPチャネルトランジスタ21および22およびNチ
ャネルトランジスタ23および24を含む。バッファ部分15はNチャネルトラ
ンジスタ25および26を含む。Pチャネルトランジスタ21はそのソース電極
をトランジスタ17のエミッタ電極に結合させ。
ぞのケート電極をそのドレイン電極、トランジスタ22のケート電極およびトラ
ンジスタ25 のドレイン電極に(5)
結合させている。Pチャネルトランジスタ22ハそのソース電極を抵抗19の第
2端子にん合させ、そのドレイン電極をトランジスタ25のケート電極、トラン
ジスタ26のケート電極およびトランジスタ24のドレイン電極に結合させてい
る。トランジスタ25のソース市極ハトランジスタ23のドレイン電極とゲート
電極の両方およびトランジスタ24のケート電極に結合させている。トランジス
タ26および24はそれぞれそのソース電極を第2電源電圧’ssに結合させて
おり、この電源電圧は電源電圧’DD よシ負である。従って、トランジスタ2
1 および23はダイオードとして効果的に結合されている。
バイアス電流部分14はPチャネルトランジスタ27およびNチャネル28を含
む。 トランジスタ27はその ソース電極を電源電圧”DDに鯰合させ、その
ケート電極とドレイン電恢の両方を一緒に結合させて出力バイアス基準電圧を与
えるっバッファ部分15のトランジスタ26のドレイン電極ハトランジスタ27
のドレイン電極に結合てれ、トランジスタ26のンース74 憾はトランジス
タ28のドレイン%、%yに淑)合されている。トランジスタ28のケートm4
Mはトランジスタ23および24のケート電シおよびトランジスタ26のドレイ
ン電極に結合されている。
トランジスタ28のソース4極は電源電圧’ssに結合されている。
好筐しい形においてB、Nチャネルトランジスタ23゜24.25.26および
28の各ンース亀換ハそれぞれの基板に粘合されている。本発明はこれらのトラ
ンジスタの各々のソース電極と基板とを接続せずに実施してもよいか。
この方法で接続された各トランジスタのしきい値電圧は効果的に低下する。従っ
て、Nチャネルトランジスタ23.24,25.26および28を導通させるの
によシ低い電圧を必要とし、このことはより大きい電圧動作を可能にする。
動作するとトランジスタ17はトランジスタ17のVBEに等しい固定基準電圧
を与える。トランジスタ18もまたそれに対応づけられているベース−エミッタ
電圧を有す為。デルタ’Bg 電流源を用いるために、トランジスタ17および
18の電流密度は違わねはならないので、トランジスタ17および18は相異な
るVBgk圧を有する。トランジスタ17,18.21および22および抵抗1
9によって形成すれルループにキルヒホッフの電圧法則を適用すると、もしトラ
ンジスタ21および22が等しい電流密度を有する整合されたテバイスであれは
、抵抗19両端の電圧はトランジスタ17および18のペース−エミッタ電圧。
デルタVBHの差に等しいことか容易に証明できる。従って抵抗19はトランジ
スタ22および24を通る正確な基準電流を与える。比例する基準vL#r、が
直列接続トランジスタ21.25および23 ’(I:介して反訳又は反射され
る。
トランジスタ23 、24および25は電流源として機能する。トランジスタ1
7.21および23は& MQ的にはタイオードとして接続されているので+
VDD とVss との間の電圧%位はトランジスタのドレインおよびソース電
極を横切っている。トランジスタ26および24はその一1流電極を横切って存
在するほぼ一定した電圧電位を有する。トランジスタ24のドレインおよびソー
スル電極を横切る電圧電位は、トランジスタ24のゲートソース電1圧とトラン
ジスタ25のケート−ソース電圧の和である。トランジスタ23のドレインおよ
びソース電極を横切る電圧電位はトランジスタ23のゲート−ソース電圧である
。従って、トランジスタ25ハそのドレインおよびソース電極を粋切る電圧電位
の大部分を有することによってVDDとVss との間の電圧電位の大部分から
トランジスタ26をバッファ(、huffer)する。
トランジスタ27のケート嵐佐に2いて出力バイアス基進電圧を設定するために
、トランジスタ28はトランジスタ26に軸合されているのでバイアス電流Iは
トランジスタ28を通って流れる。バイアス電流Iはトランジスタ25を遡って
流れる電流に比例するか又にそれに等しい。更に、トランジスタ23のケートお
よびソース電極を横切って現われるのとはit同一の電圧がトランジスタ28の
ケートおよびソース電極を槓切って現われる。
トランジスタ26はカスケードデバイスであシ、トランジスタ28を横切って現
われるこの電圧の代わりに’DD(8)
と”88の間の電位電圧の大部分をトランジスタ25のドレインおよびソース電
極両端に有することによってトランジスタ25に似た機能を行う。トランジスタ
23,25,26および28によって形成されるループにキルヒホッフの電圧法
則を適用することによって、トランジスタ25および26のゲートおよびソース
電極を横切って存在する電圧の大きさかほぼ等しいことか容易に判る。トランジ
スタ23.24および28の各のドレイン−ソース電圧はJ’DLIとJ’ss
の電圧差に比べて小さいので、各トランジスタの自然インピーダンスは大きく、
従って衝突電離によって小さくならない。更に、トランジスタ23.24および
25の各々を横切る小さいドレイン−ソース電圧を有することによって、これら
のトランジスタに関連した整合誤差の効果ニ最小となる。更に、トランジスタ2
5および26は各トランジスタを通る%流に影響を与えることなしに”DDと”
83 との差のいかなる変動も吸収する。従って、電流源20の実効インピーダ
ンスに著しく増大する。
バッファ部分15によって与えられるよう高い笑効インヒータンスの11」点を
完全に理解するために、トランジスタ25および26がなく、トランジスタ23
がダイオード接続されておらず、トランジスタ24がダイオード接続されている
場合の電流源20の動作を考えてみよう。
そのような回路鶴成においては、トランジスタ26ヲ償(9)
切る電圧は典型的にはタイオード接続されているトランジスタ24を横切る電圧
よりもはるかに高い。トランジスタ25および24ハチヤネル長1訴によって生
じる有限の出力インピーダンスを有するという挙実によシ、トランジスタ23と
24との間の電流不整合は抵抗19両端のオフセラ)X圧に変換さt、これは出
力バイアス電流の誤差を与える。トランジスタ26のドレイン電極を横切る電圧
が上昇するにつれて、それに比例して抵抗19両端のオフセット電圧量も増大す
る。出力バイアス電圧誤差は衝突電離によってNチャネルトランジスタの高電圧
レベルにおいて一層大きくなる。衝突電離は、基板への電荷キャリアか次第に高
くなるドレイン−ソース電位で失われそれによってトランジスタのインピーダン
スを小さくする現象である。減少したトランジスタイ/ビーダンスの効果(ζ抵
抗19両側のオフセット電圧の上昇であυ、この上昇(′:出出刃バイア電電L
lk増大させる1゜第2図には、トランジスタ25および26を電流源2゜から
取シ除き、トランジスタ24 をタイオード接続し。
トランジスタ23をタイオード接続しない場合における第2図の曲、W (/i
)には、第1図に示した本発明についての同じ範囲の”DD電源電圧に対する抵
抗19両端のオフセット電圧を示すクランか示されている。容易に+するよ(1
0)
うに、オフセット(5)圧の1便って電源電圧依存性および出力バイアス電流誤
差の大幅な低下乃至減少が本発明によって達成される。
非活動状態を防止するためには、従来の起動(5tart−ap)回路(図示さ
れていない)は、出力バイアスが所定のしきい値以下の場合には起動電流が基準
電圧部分11を通って数、れることかできるようにする必要があることが容易に
明らかになるはすである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ダイオード接続テバイスを有し、バイアス電流に比例した基準電圧を与える 基準電圧手段と。 基準電圧手段に組合され、基準電圧に比例した基準電流を与える基準電流手段と 。 所定の出力インピーダンスを、前記基準電圧手段と前記基準電流手段の両方に結 合させ、前記基準電流に比例したバイアス電圧を与える単位利得増幅器手段と。 前記単位オll得増幅器手段に私金され、前記バイアス電圧に比例した出力バイ アスNN、を与えるバイアス電流手段と。 前記単位利得増幅器手段と前記バイアス電流手段との両方に結合され、前記単位 利得増幅器の出力インピーダンスを芙質的に増力口させ、それによって諷源変動 依百性を少なくするバッファ手段と、を具える誤差を/」・さくした電流源回路 。 2、前記基準電流手段は。 その第1寛流′酸極を第1電源電圧端子に結合させて第1亀#を電圧を受信し、 そのtiill *電極を前記基準電圧手段に結合させ、且つ第2篭流電極を有 する第1トランジスタと。 その第1端末を前記第1トランジスタの第2を流電′極に結合させ、その第2端 子を前記単位利得増幅器手段に(12) 3、前記基準電圧手段のタイオード接続テバイスは。 その第1電流電極と制御電板との両方を第1電諒電圧に結合させ、″その第2電 流電極を前記単位オリ得増幅器手段にね合させている第2トランジスタである前 記詣求の範囲第2項の1、流源回路。 5、前記単位利得増幅器は。 その第1電流電極を前記第2トランジスタの第2電流鵞極に結合させ、その第2 電流電極をその制が電極と前記バッファ手段の両方に結合させている集1導電率 形の第3トランジスタと。 その第1鵞泥亀合を前記抵抗手段○第2端子に結合させ、その制御電極を前記第 3トランジスタの制御(極と拓2電流電極の両方および前記単位/PII得増幅 得手幅器手段させており、且つ諏2電流隼憔を有する前記第1導電率形の第4ト ランジスタと。 その第1電流電憔を前記第4トランジスタの第2電流寛惟および前記バッファ手 段に結合させ、その第2電流亀住金第2電源電圧端子に結合させて第2電源電圧 を受けとシ、且つ制御電極を有する第2導電率形の第5トランジスタと。 (13) その第1電流電極をその制御電極、前記第5トランジスタの制御電極、前記バッ ファ手段および前記バイアス電流手段に結合さ七、その第2電流電極を第2電源 電圧端子に結合させているniJ記第2導電率形の第6トランジスタとを含む、 前記請求の範囲第6項の電流源回路。 6、前記バッファ手段は。 その第1電流電極を前記第6トランジスタの第2電流驚極に結合させ、その第2 電流電極を前記第6トランジスタの第1電流電極に結合させておシ、且つ制御電 極を有する前記第2導電率形の第7トランジスタと。 その第1および第2電流電極を前記バイアス電流手段に結合させ、その制御電極 を前記第7トランジスタの制御電極、前記第4トランジスタの第2電流知極およ び前記第5トランジスタの第1電流電極に結合させている前記第2導電工形の扼 8むランジスタとを含む、献記詞求の範囲第5項の電流源回路。 7、前記バイアス電流手段は。 その第1電流電極を前記第1電源電圧端子に組合させ。 その制御電極をその第2電流電極と前記第8トランジスタの第1電流亀毬の両方 に結合させて前記出力バイアス電流に比例した出力電圧を与える前記第1導電率 形の第9トランジスタと。 その第1′醒流%極を前記第8トランジスタの第2電流電極に結合させ、その制 御電極を前記第5および第6トランジスタの制′#1.%mおよび前記第6トラ ンジスタの第1亀流電秘に結合式ぜ、その第2電流電極を前記第2電源電圧に結 合させている前記第2導電率形の第10トランジスタとを含む、前記請求の範囲 第6項の電流源回路。 8、前記第5.第6.第7.第8および第10トランジスタのうちの少なくとも 1つはその第2知1流電極をその基板に接続させ、それによってそのしきい値箱 圧を低下させる前記請求の範囲第7項の電流源回路。 9、第1バイポーラトランジスタを含み、バイアス電流に比例した基準電圧を与 える基準電圧手段と。 基準電圧手段に結合し、抵抗と直列結合した第2バイポーラトランジスタを含み 、前記第1および第2バイポーラトランジスタのベース−エミッタ電圧、デルタ TIBPO差の比に比例し前記抵抗の抵抗に比例1した基準電流を与える基憔篭 陀手段と。 所定の出力インピーダンスを、前記基準電圧手段と前記基準電流手段との両方に 結合させ、前記基準電流に比例したバイアス電圧を与える増幅器手段と。 前記増幅器手段に結合され、前記バイアス電圧に比例した出刃バイアス%aを与 えるバイアス′低流手段と。 前記増幅器手段と前記バイアス電流手段の両方に結合され、前記増幅器手段の出 力インピーダンスを大幅に増大させ、それによって電源変動依存性を低下させる バッファ手段とを含む、テルタVBE竜流源回路。 (15) 10、前記増幅器手段は。 その第1電流電極を第1バイポーラトランジスタに結合させ、その制御電極を第 2電流電極と前記増幅器手段の両方に結合させている第1導電率形の第3トラン ジスタと。 その第1電流電極を前記抵抗に結合させ、その制御電極を前記第3トランジスタ の制御電極に結合させ、その第2電流電極を前記増幅器手段に結合させている前 記第1導電率形の第4トランジスタと。 その第1電流電極を前記第4トランジスタの第2電流電極に結合させ、その第2 電流電極を電源電圧端子に結合させて電源電圧を受けとシ、その制御電極を前記 バッファ手段と前記バイアス電流手段の両方に結合させている第2導電率形の第 5トランジスタと。 その第1電流!極をその制@電極と前記第5トランジスタの?1t14f!電極 の両方に結合させ、その第2制徂電極を前記電源電圧端子にに合させている削・ 記第2導亀率形の第6トランジスタと、を含む前記請求の範囲第9項のテルタV □電流源。
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DE (1) | DE3379352D1 (ja) |
WO (1) | WO1984003372A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017519426A (ja) * | 2014-05-23 | 2017-07-13 | クアルコム,インコーポレイテッド | フィードフォワードバイアス回路 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5990412A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Nec Corp | 双方向性定電流駆動回路 |
US4583037A (en) * | 1984-08-23 | 1986-04-15 | At&T Bell Laboratories | High swing CMOS cascode current mirror |
US4954769A (en) * | 1989-02-08 | 1990-09-04 | Burr-Brown Corporation | CMOS voltage reference and buffer circuit |
US5083079A (en) * | 1989-05-09 | 1992-01-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Current regulator, threshold voltage generator |
US5029283A (en) * | 1990-03-28 | 1991-07-02 | Ncr Corporation | Low current driver for gate array |
JP2978226B2 (ja) * | 1990-09-26 | 1999-11-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
US5155394A (en) * | 1991-02-12 | 1992-10-13 | National Semiconductor Corporation | Bias distribution circuit and method using FET and bipolar |
US5155384A (en) * | 1991-05-10 | 1992-10-13 | Samsung Semiconductor, Inc. | Bias start-up circuit |
CA2066929C (en) * | 1991-08-09 | 1996-10-01 | Katsuji Kimura | Temperature sensor circuit and constant-current circuit |
KR0141466B1 (ko) * | 1992-10-07 | 1998-07-15 | 모리시타 요이찌 | 내부 강압회로 |
US5367248A (en) * | 1992-10-13 | 1994-11-22 | Winbond Electronics North America Corporation | Method and apparatus for precise modulation of a reference current |
US5307007A (en) * | 1992-10-19 | 1994-04-26 | National Science Council | CMOS bandgap voltage and current references |
FR2769103B1 (fr) * | 1997-09-30 | 2000-11-17 | Sgs Thomson Microelectronics | Source de polarisation independante de sa tension d'alimentation |
US5936460A (en) * | 1997-11-18 | 1999-08-10 | Vlsi Technology, Inc. | Current source having a high power supply rejection ratio |
US6433624B1 (en) | 2000-11-30 | 2002-08-13 | Intel Corporation | Threshold voltage generation circuit |
US6346803B1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-02-12 | Intel Corporation | Current reference |
US6351111B1 (en) | 2001-04-13 | 2002-02-26 | Ami Semiconductor, Inc. | Circuits and methods for providing a current reference with a controlled temperature coefficient using a series composite resistor |
US6342781B1 (en) | 2001-04-13 | 2002-01-29 | Ami Semiconductor, Inc. | Circuits and methods for providing a bandgap voltage reference using composite resistors |
US6693332B2 (en) * | 2001-12-19 | 2004-02-17 | Intel Corporation | Current reference apparatus |
US20050003764A1 (en) * | 2003-06-18 | 2005-01-06 | Intel Corporation | Current control circuit |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3953807A (en) * | 1973-08-09 | 1976-04-27 | Rca Corporation | Current amplifier |
US3930172A (en) * | 1974-11-06 | 1975-12-30 | Nat Semiconductor Corp | Input supply independent circuit |
US4302718A (en) * | 1980-05-27 | 1981-11-24 | Rca Corporation | Reference potential generating circuits |
US4342926A (en) * | 1980-11-17 | 1982-08-03 | Motorola, Inc. | Bias current reference circuit |
US4359680A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-16 | Mostek Corporation | Reference voltage circuit |
US4399399A (en) * | 1981-12-21 | 1983-08-16 | Motorola, Inc. | Precision current source |
-
1983
- 1983-02-28 US US06/470,039 patent/US4461991A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-12-12 JP JP59500422A patent/JPS60500640A/ja active Pending
- 1983-12-12 EP EP84900355A patent/EP0138823B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-12-12 WO PCT/US1983/001961 patent/WO1984003372A1/en active IP Right Grant
- 1983-12-12 DE DE8484900355T patent/DE3379352D1/de not_active Expired
- 1983-12-16 CA CA000443504A patent/CA1199688A/en not_active Expired
-
1984
- 1984-02-28 KR KR1019840001000A patent/KR910006514B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017519426A (ja) * | 2014-05-23 | 2017-07-13 | クアルコム,インコーポレイテッド | フィードフォワードバイアス回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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EP0138823B1 (en) | 1989-03-08 |
EP0138823A4 (en) | 1986-05-14 |
KR910006514B1 (ko) | 1991-08-27 |
US4461991A (en) | 1984-07-24 |
CA1199688A (en) | 1986-01-21 |
KR840008092A (ko) | 1984-11-22 |
EP0138823A1 (en) | 1985-05-02 |
DE3379352D1 (en) | 1989-04-13 |
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