JPS604991B2 - ディスプレイ装置 - Google Patents
ディスプレイ装置Info
- Publication number
- JPS604991B2 JPS604991B2 JP54056950A JP5695079A JPS604991B2 JP S604991 B2 JPS604991 B2 JP S604991B2 JP 54056950 A JP54056950 A JP 54056950A JP 5695079 A JP5695079 A JP 5695079A JP S604991 B2 JPS604991 B2 JP S604991B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- light
- pellets
- color
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光ダイオード(Light Emittin
gDiode=LED)を用いたディスプレイ装置に係
り特に電子計算機などのように自動的に制御される装置
から出た信号を目で読み出す場合に適しているディスプ
レイ装置に関する。
gDiode=LED)を用いたディスプレイ装置に係
り特に電子計算機などのように自動的に制御される装置
から出た信号を目で読み出す場合に適しているディスプ
レイ装置に関する。
ここで用いる用語“ディスプレイ”又は“表示”は単位
光源又は複数光源が同一平面上に配置され、光源あるい
は所望のパターンを表示するように動作するものである
。
光源又は複数光源が同一平面上に配置され、光源あるい
は所望のパターンを表示するように動作するものである
。
このパターンはアルファベット、数字や漢字のパターン
又は特殊な記号を含むパターン、絵やグラフィックパタ
ーン等から成るが、これらはディスプレイ装置の主要目
的に応じて作られる。例えば複数個の光源が用いられて
連続的なパターンを作り出すには、光源を出来るだけ接
近して配置され、個々のLEDに選択的に電気信号を送
り駆動される。
又は特殊な記号を含むパターン、絵やグラフィックパタ
ーン等から成るが、これらはディスプレイ装置の主要目
的に応じて作られる。例えば複数個の光源が用いられて
連続的なパターンを作り出すには、光源を出来るだけ接
近して配置され、個々のLEDに選択的に電気信号を送
り駆動される。
更に詳しく述べると、この電気信号はその駆動回路によ
って高速に操作されるため個々のLEDが短かし、パル
スによって一時的に駆動されるものであっても人間の目
に残像性質があり、くり返し信号を送ることによって静
止した画像や文字に見えるものである。従釆この種のデ
ィスプレイ装置において、その有用性を高めるために同
−平面上に配置された単位光源又は複数光源から多色の
光を発光する仕組をもたせて、同時間表示の中でより多
くの情報をもたらすことの出来るディスプレイ装置が必
要とされた。
って高速に操作されるため個々のLEDが短かし、パル
スによって一時的に駆動されるものであっても人間の目
に残像性質があり、くり返し信号を送ることによって静
止した画像や文字に見えるものである。従釆この種のデ
ィスプレイ装置において、その有用性を高めるために同
−平面上に配置された単位光源又は複数光源から多色の
光を発光する仕組をもたせて、同時間表示の中でより多
くの情報をもたらすことの出来るディスプレイ装置が必
要とされた。
このような要求を解決する手段として
{1} LEDに流れる電流の大きさに応じて異なった
色を発光する性質を利用する例えば特公昭53一344
7y号公報に示すもの、‘21 単位光源の中に異なっ
た色調をもつLEDを配置しておき、この異なったLE
Dの個々へ選択的に電気信号を送って多色表示するもの
。
色を発光する性質を利用する例えば特公昭53一344
7y号公報に示すもの、‘21 単位光源の中に異なっ
た色調をもつLEDを配置しておき、この異なったLE
Dの個々へ選択的に電気信号を送って多色表示するもの
。
が考えられてきたが、より明るい表示を可能にする点で
後者のものが優位と云える。後者におけるものを簡略し
て述べれば単位光源(1ドッド)と称される中に例えば
赤色の色調をもつLEDべレットと緑色の色調をもつL
EDべレットを極めて接近させて配置し、これらのLE
Dべレットのカソード電極もしくはアノード電極の一方
を共通の配線で接続し他方の樋性にそれぞれ選択的に電
気信号を加えることにより赤色の表示と緑色の表示を更
に赤色と緑色へ同時に信号を送って赤色と緑色の合成色
の表示を行うことの出来るものである。しかしながら第
1図のように1光源内に赤色の光を発光するLEDべレ
ット15と緑色の光を発光するLEDべレット15′を
配置すると、それぞれのLEDからの光(矢印)は全面
(6面体であるが通常底面は第1の金属配線層12を介
して基板11に接着固定されていて5面となる)から出
されているので、‘11 接近配置された異色LEDべ
レットの壁でそれぞれの光がさえぎられたり吸収された
りして明るさが低下する、■ 見る角度によって色調が
変わってしまう、などの欠点があった。
後者のものが優位と云える。後者におけるものを簡略し
て述べれば単位光源(1ドッド)と称される中に例えば
赤色の色調をもつLEDべレットと緑色の色調をもつL
EDべレットを極めて接近させて配置し、これらのLE
Dべレットのカソード電極もしくはアノード電極の一方
を共通の配線で接続し他方の樋性にそれぞれ選択的に電
気信号を加えることにより赤色の表示と緑色の表示を更
に赤色と緑色へ同時に信号を送って赤色と緑色の合成色
の表示を行うことの出来るものである。しかしながら第
1図のように1光源内に赤色の光を発光するLEDべレ
ット15と緑色の光を発光するLEDべレット15′を
配置すると、それぞれのLEDからの光(矢印)は全面
(6面体であるが通常底面は第1の金属配線層12を介
して基板11に接着固定されていて5面となる)から出
されているので、‘11 接近配置された異色LEDべ
レットの壁でそれぞれの光がさえぎられたり吸収された
りして明るさが低下する、■ 見る角度によって色調が
変わってしまう、などの欠点があった。
更に同一平面上の複数個の光源を縦、横等間隔で配置す
れば、例えば縦方向に沿って第2図のように赤と緑のL
EDべレットを並べればとなり合う光源イと口あるいは
光源ハと二とにおいてべレット間隔が接近しすぎ、.鮮
明な色調のコントラストが失なわれ〜又トとなり合つた
光源イとハあるいは光源口と二とにおいては明るさのバ
ランスがくずれてしまい、人間の目に与える解像度を悪
くしていた。これを防ぐための方法として、従来はとな
り合った光源の相互干渉をしないように1光源をある角
度を有して囲む壁状の構造を持つ反射板をとりつけて工
夫していたが、これはべレット間隔を高密度にして解像
度を高めるのに障害となったり又、コスト高となる欠点
があった。
れば、例えば縦方向に沿って第2図のように赤と緑のL
EDべレットを並べればとなり合う光源イと口あるいは
光源ハと二とにおいてべレット間隔が接近しすぎ、.鮮
明な色調のコントラストが失なわれ〜又トとなり合つた
光源イとハあるいは光源口と二とにおいては明るさのバ
ランスがくずれてしまい、人間の目に与える解像度を悪
くしていた。これを防ぐための方法として、従来はとな
り合った光源の相互干渉をしないように1光源をある角
度を有して囲む壁状の構造を持つ反射板をとりつけて工
夫していたが、これはべレット間隔を高密度にして解像
度を高めるのに障害となったり又、コスト高となる欠点
があった。
本発明は以上のような問題点を解決するに適したディス
プレイ装置を提供するものである。
プレイ装置を提供するものである。
すなわち本発明を具体的に説明すれば、基板上の単位光
源となる発光部に例えば赤と緑の光を発光する色調の異
なる2個のLEDべレットを対とし、この対をなす2つ
のべレツトをマトリックス状に配設したディスプレイ装
置において、対をなすLEDべレットを一方方向でほゞ
接触させる程度に接近させ、他方方向には横にずらして
配置することによって複数光源全体の明るさを低下させ
ず、かつ、例えば赤、緑および赤と緑の合成色の色調と
コントラストの鮮明度を向上させるディスプレイ装置で
ある。以下本発明の実施例について第3図および第4図
を用いて説明する。
源となる発光部に例えば赤と緑の光を発光する色調の異
なる2個のLEDべレットを対とし、この対をなす2つ
のべレツトをマトリックス状に配設したディスプレイ装
置において、対をなすLEDべレットを一方方向でほゞ
接触させる程度に接近させ、他方方向には横にずらして
配置することによって複数光源全体の明るさを低下させ
ず、かつ、例えば赤、緑および赤と緑の合成色の色調と
コントラストの鮮明度を向上させるディスプレイ装置で
ある。以下本発明の実施例について第3図および第4図
を用いて説明する。
アルミナ等のセラミック基板31上にAuペーストを印
刷し、900qo〜110000で焼成処理を施こし第
1の電極層32を形成する。
刷し、900qo〜110000で焼成処理を施こし第
1の電極層32を形成する。
次ぎに絶縁層33をLEDべレットが位置する部分を除
く基板全面上に印刷し焼成して形成する。更に所望のパ
タンが得られるようにAuの第2電極層34を形成する
。こうして得られたLED搭載基板上に、赤色の光を発
光(6500A〜7000人位)するLEDべレツト3
5例えばZnと○を発光中心とするGaPLEDべレッ
トと緑色の光を発光(5550A〜5700A)するL
EDべレツト35′例えばNを発光中心とするGapL
EDべレツトを、第1の電極32にカソード側で共通に
して例えば銀ペースト36,36′で接着し例えば20
0℃で熱処理してこの銀ペーストを固め電気的に接続を
する。更に赤色LEDべレツト35および緑色LEDべ
レツト35′上のアノード側電極37,37′から例え
ば50〆の0のAuワイヤ38,38′で第2の電極層
34,34′上ヘボンデイング接続する。ここで本発験
は上記の如くLEDべレットの配層に際し、第4図のよ
うに光源の縦、横ピッチ間隔AおよびBを例えば1.2
7肋と等しくしておいて、第1の金属配線層42上にお
よそ0.3側×0.3肌×0.3肋の大きさをもつ赤色
LEDべレット48と緑色」EDべレット48′との接
近寸法Cを例えば20〜50仏仇とし、横ずれ寸法Dを
べレットの−辺の寸法の10〜110%例えば30〜3
30r肌にして配置させたものである。
く基板全面上に印刷し焼成して形成する。更に所望のパ
タンが得られるようにAuの第2電極層34を形成する
。こうして得られたLED搭載基板上に、赤色の光を発
光(6500A〜7000人位)するLEDべレツト3
5例えばZnと○を発光中心とするGaPLEDべレッ
トと緑色の光を発光(5550A〜5700A)するL
EDべレツト35′例えばNを発光中心とするGapL
EDべレツトを、第1の電極32にカソード側で共通に
して例えば銀ペースト36,36′で接着し例えば20
0℃で熱処理してこの銀ペーストを固め電気的に接続を
する。更に赤色LEDべレツト35および緑色LEDべ
レツト35′上のアノード側電極37,37′から例え
ば50〆の0のAuワイヤ38,38′で第2の電極層
34,34′上ヘボンデイング接続する。ここで本発験
は上記の如くLEDべレットの配層に際し、第4図のよ
うに光源の縦、横ピッチ間隔AおよびBを例えば1.2
7肋と等しくしておいて、第1の金属配線層42上にお
よそ0.3側×0.3肌×0.3肋の大きさをもつ赤色
LEDべレット48と緑色」EDべレット48′との接
近寸法Cを例えば20〜50仏仇とし、横ずれ寸法Dを
べレットの−辺の寸法の10〜110%例えば30〜3
30r肌にして配置させたものである。
ここで用いられる第1の金属電極層のパターンは、あら
かじめ赤と緑のLEDべレットが定められた位置に置き
やすくするために第5図のような形状をなすものもあれ
ば、製造工程の点で効果的である。
かじめ赤と緑のLEDべレットが定められた位置に置き
やすくするために第5図のような形状をなすものもあれ
ば、製造工程の点で効果的である。
なお2個べレツトのずれがべレツトの一辺の寸法に対し
て110%を超えた場合、2個のべレットの合成色を得
ようとしても、その合成色が得られず、また1単位光源
の面積も大きくなり好ましくない。したがって2個のべ
レツトの隣接する部分でのずれは、一辺の長さに対して
最大110%位である。以上説明した実施例によれば、
単一光源から発せられた光は、この単一光源の中に配置
されたLEDべレット相互で減衰することが極めて少な
くてすみ、又、縦方向でとなり合う光源の異色LEDと
の干渉が少なくなることから、複数の光源をもつディス
プレイ装置全体で明るさを低下させず色調の鮮明度を向
上させることが出来るものである。
て110%を超えた場合、2個のべレットの合成色を得
ようとしても、その合成色が得られず、また1単位光源
の面積も大きくなり好ましくない。したがって2個のべ
レツトの隣接する部分でのずれは、一辺の長さに対して
最大110%位である。以上説明した実施例によれば、
単一光源から発せられた光は、この単一光源の中に配置
されたLEDべレット相互で減衰することが極めて少な
くてすみ、又、縦方向でとなり合う光源の異色LEDと
の干渉が少なくなることから、複数の光源をもつディス
プレイ装置全体で明るさを低下させず色調の鮮明度を向
上させることが出来るものである。
さらに上託した実施例によれば製造上の効果も向上する
。
。
即ち異なる発光を示す2個のLEDべレットを隣接する
部分でずらすことによって、銀ペーストの流出が少なく
なり、ベレツトの懐きが生じたりせず、歩溜りが非常に
少なくなる。この効果は、特に本発明のようなディスプ
レイ装置の如く、数多くのべレットを配置する場合に増
大する。即ちこの種のディスプレイ装置において1個の
べレットが不良となった場合に全体のディスプレィ装置
が不良となる為である。なお2個のべレツトの隣接する
部分でのずれは、わずか一辺のべレットの長さに対して
10%位であっても歩溜りが30%以上向上することが
実験的に確かめられている。また上記実施例によれば、
反射板を用いなくても良いので、低コストで高密度のデ
ィスプレイ装置を得るのに効果的である。
部分でずらすことによって、銀ペーストの流出が少なく
なり、ベレツトの懐きが生じたりせず、歩溜りが非常に
少なくなる。この効果は、特に本発明のようなディスプ
レイ装置の如く、数多くのべレットを配置する場合に増
大する。即ちこの種のディスプレイ装置において1個の
べレットが不良となった場合に全体のディスプレィ装置
が不良となる為である。なお2個のべレツトの隣接する
部分でのずれは、わずか一辺のべレットの長さに対して
10%位であっても歩溜りが30%以上向上することが
実験的に確かめられている。また上記実施例によれば、
反射板を用いなくても良いので、低コストで高密度のデ
ィスプレイ装置を得るのに効果的である。
なお上記実施例において、2個のLEDべレットとして
赤色発光(発光ピーク波長〒6800A)のものと緑色
発光(発光ピーク波長±5650A)のものを用いたが
、赤色発光のものと黄色発光のもの、黄色発光のものと
緑色発光のもの、或いはGaNからなる青色発光のもの
との組み合せであっても良い。
赤色発光(発光ピーク波長〒6800A)のものと緑色
発光(発光ピーク波長±5650A)のものを用いたが
、赤色発光のものと黄色発光のもの、黄色発光のものと
緑色発光のもの、或いはGaNからなる青色発光のもの
との組み合せであっても良い。
但し現在最も高い発光効率を示す上記実施例のようなG
aP結晶を用いたものが最も好ましい。また上記実施例
に示す数値或いは構成などはこの限りでなく、請求の範
囲内に含む範囲で種々変更できる。
aP結晶を用いたものが最も好ましい。また上記実施例
に示す数値或いは構成などはこの限りでなく、請求の範
囲内に含む範囲で種々変更できる。
第1図および第2図は従釆のべレット配置を示す実体斜
視図および平面図、第3図および第4図は本発明のべレ
ツト配置を示す断面図および平面図、第5図は本発明に
よる変形例を示す平面図である。 11,31・…・・絶縁基板、12,22,32,42
,52・・・・・・第1の金属配線層、33・・・・・
・中間絶縁層、34,34′,44,44′…・・・第
2の金属配線層、15,15′,251,251′,2
52,252′,253,253′.254,254′
,35,35′,45,45′……LEDべレツト、3
6,36′・・・・・・接続用金属層(銀ベスト)、1
7,17′,37,37′・・・・・・LEDべレツト
上電極、18,18′,38,38′・・・・・・Au
ワイヤ−−。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図
視図および平面図、第3図および第4図は本発明のべレ
ツト配置を示す断面図および平面図、第5図は本発明に
よる変形例を示す平面図である。 11,31・…・・絶縁基板、12,22,32,42
,52・・・・・・第1の金属配線層、33・・・・・
・中間絶縁層、34,34′,44,44′…・・・第
2の金属配線層、15,15′,251,251′,2
52,252′,253,253′.254,254′
,35,35′,45,45′……LEDべレツト、3
6,36′・・・・・・接続用金属層(銀ベスト)、1
7,17′,37,37′・・・・・・LEDべレツト
上電極、18,18′,38,38′・・・・・・Au
ワイヤ−−。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁基板の上に、矩形状の第1の発光ダイオードペ
レツトと該第1の発光ダイオードペレツトから発光され
る発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有する矩形
状の第2の発光ダイオードペレツトとを対とし、この対
をなす発光ダイオードペレツトをマトリツクス状に載置
し、このマトリツクス状に載置した個々の発光ダイオー
ドペレツトに選択的に電気信号を送つて、前記第1の発
光ダイオードペレツトから発光される第1の発光色、前
記第2の発光ダイオードペレツトから発光される第2の
発光色及び該第1の発光色と第2の発光色との合成色を
発光せしめて表示するデイスプレイ装置において、前記
絶縁基板上に対をなす如く載置した第1及び第2の発光
ダイオードペレツトを、一方方向ではほぼ接触させる程
度に接近させ、他方方向では発光ダイオードペレツトの
一辺の長さに対して10〜110%ずらして設置したこ
とを特徴とするデイスプレイ装置。 2 第1の発光色の発光ピーク波長が5550Å〜57
00Åのいずれかの部分に第2の発光色の発光ピーク波
長が6500Å〜7000Åのいずれかの部分にある発
光ダイオードペレツトを用いたことを特徴とする前記特
許請求の範囲第1項記載のデイスプレイ装置。 3 絶縁基板上に金属配線層を設け、該金属配線層の一
部に、第1及び第2の発光ダイオードペレツトを載置す
ることを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載のデ
イスプレイ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54056950A JPS604991B2 (ja) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | ディスプレイ装置 |
US06/146,790 US4322735A (en) | 1979-05-11 | 1980-05-05 | Display device |
DE3017892A DE3017892C2 (de) | 1979-05-11 | 1980-05-09 | Anzeigevorrichtung mit matrixartig verdrahteten lichtemittierenden Dioden |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54056950A JPS604991B2 (ja) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | ディスプレイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55149979A JPS55149979A (en) | 1980-11-21 |
JPS604991B2 true JPS604991B2 (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=13041821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54056950A Expired JPS604991B2 (ja) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | ディスプレイ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4322735A (ja) |
JP (1) | JPS604991B2 (ja) |
DE (1) | DE3017892C2 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS575083A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-11 | Tokyo Shibaura Electric Co | Display unit |
US4728999A (en) * | 1980-06-25 | 1988-03-01 | Pitney Bowes Inc. | Light emitting diode assembly |
DE3106376A1 (de) * | 1981-02-20 | 1982-09-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiteranordnung mit aus blech ausgeschnittenen anschlussleitern |
US4518982A (en) * | 1981-02-27 | 1985-05-21 | Motorola, Inc. | High current package with multi-level leads |
JPS61269456A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-28 | Alps Electric Co Ltd | 光学素子の配置構造 |
JPH0777261B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1995-08-16 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置及びその組立方法 |
US5317194A (en) * | 1989-10-17 | 1994-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-sealed semiconductor device having intermediate silicon thermal dissipation means and embedded heat sink |
DE9411065U1 (de) * | 1994-07-07 | 1994-10-27 | Abler, Gerhard, 90475 Nürnberg | Leuchtkörper für Werbe-, Anzeige- und ähnliche Sichtflächen |
DE60224681T2 (de) * | 2001-08-20 | 2009-01-08 | Showa Denko K.K. | Mehrfarben-lichtemissionslampe und lichtquelle |
US20050199899A1 (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-15 | Ming-Der Lin | Package array and package unit of flip chip LED |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US8669572B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US8735920B2 (en) * | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US10295147B2 (en) * | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
US9711703B2 (en) * | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
CN101388161A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | 科锐香港有限公司 | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US8866169B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US8183581B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-05-22 | Siemens Aktiengesellschsft | LED arrangement |
AT506709B1 (de) * | 2008-05-30 | 2009-11-15 | Kuster Martin | Leuchtmittel |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US8791471B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
TWI479641B (zh) * | 2010-09-20 | 2015-04-01 | 英特明光能股份有限公司 | 發光元件及其製作方法 |
US9899329B2 (en) | 2010-11-23 | 2018-02-20 | X-Celeprint Limited | Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
US8889485B2 (en) | 2011-06-08 | 2014-11-18 | Semprius, Inc. | Methods for surface attachment of flipped active componenets |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US10128426B1 (en) * | 2013-11-11 | 2018-11-13 | Andrey Zykin | LS core LED connector system and manufacturing method |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
US20160093600A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | X-Celeprint Limited | Compound micro-assembly strategies and devices |
US9799719B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-10-24 | X-Celeprint Limited | Active-matrix touchscreen |
TWI710061B (zh) | 2016-02-25 | 2020-11-11 | 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 | 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上 |
AU2017351056B2 (en) * | 2016-10-24 | 2020-08-27 | Invuity, Inc. | Lighting element |
TWI762428B (zh) | 2016-11-15 | 2022-04-21 | 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 | 微轉印可印刷覆晶結構及方法 |
US10395966B2 (en) | 2016-11-15 | 2019-08-27 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
US10600671B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-03-24 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
US11024608B2 (en) | 2017-03-28 | 2021-06-01 | X Display Company Technology Limited | Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3932927A (en) * | 1973-03-05 | 1976-01-20 | Motorola, Inc. | Scannable light emitting diode array and method |
US3936694A (en) * | 1973-12-28 | 1976-02-03 | Sony Corporation | Display structure having light emitting diodes |
US4011575A (en) * | 1974-07-26 | 1977-03-08 | Litton Systems, Inc. | Light emitting diode array having a plurality of conductive paths for each light emitting diode |
GB1522145A (en) * | 1974-11-06 | 1978-08-23 | Marconi Co Ltd | Light emissive diode displays |
CA1082378A (en) * | 1976-08-05 | 1980-07-22 | Thomas A. Brown | Abuttable light-emitting device modules for graphic display assemblies |
JPS54102886A (en) * | 1978-01-31 | 1979-08-13 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Light emitting diode indicator |
US4213141A (en) * | 1978-05-12 | 1980-07-15 | Solid State Scientific Inc. | Hybrid transistor |
-
1979
- 1979-05-11 JP JP54056950A patent/JPS604991B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-05-05 US US06/146,790 patent/US4322735A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-05-09 DE DE3017892A patent/DE3017892C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55149979A (en) | 1980-11-21 |
US4322735A (en) | 1982-03-30 |
DE3017892C2 (de) | 1983-07-07 |
DE3017892A1 (de) | 1980-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS604991B2 (ja) | ディスプレイ装置 | |
US4445132A (en) | LED Module for a flat panel display unit | |
JP5559834B2 (ja) | Ledを用いたバックライトおよびそれを備える液晶表示装置 | |
JP3292133B2 (ja) | Led表示器及びそれを用いた表示装置 | |
JP2014045089A (ja) | Led発光装置 | |
KR20170099324A (ko) | 발광소자 패키지 및 이를 갖는 표시장치 | |
KR20010064820A (ko) | 측면 발광형 엘.이.디. 램프 | |
JP3941487B2 (ja) | 表示装置 | |
KR930005794A (ko) | 컬러 프린트 헤드 | |
JP2022516299A (ja) | 画素構成、表示パネル及び表示装置 | |
KR950020899A (ko) | 디스플레이 장치 | |
CN215182844U (zh) | 显示装置及其灯板 | |
CN210511102U (zh) | 一种led舞台灯及其灯板模组 | |
JPH06243965A (ja) | El発光装置 | |
JP2011129502A (ja) | 電界放出装置 | |
JP2002050486A (ja) | Elパネルとelパネル用電極基板 | |
JPS58147989A (ja) | Elパネル | |
JPH04120984U (ja) | ドツトマトリクス発光表示体 | |
KR20020073757A (ko) | 전광판의 엘이디모듈 표시구조 및 그 구조의 형성방법 | |
CN220106529U (zh) | 一种灯珠芯片排布结构及led灯珠 | |
JPS62232682A (ja) | 発光表示体プレ−ト | |
JPS58199576A (ja) | 発光ダイオ−ド表示器 | |
JPS6275697A (ja) | 発光ダイオ−ドチツプを用いた発光表示体 | |
JP3059699B2 (ja) | Led表示器 | |
JPS60205481A (ja) | 多色ドツトマトリツクス表示装置 |