JPS6045561A - 新規イミド及びポリイミド合成における該イミドの使用法 - Google Patents

新規イミド及びポリイミド合成における該イミドの使用法

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JPS6045561A
JPS6045561A JP59125415A JP12541584A JPS6045561A JP S6045561 A JPS6045561 A JP S6045561A JP 59125415 A JP59125415 A JP 59125415A JP 12541584 A JP12541584 A JP 12541584A JP S6045561 A JPS6045561 A JP S6045561A
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ジミー・リン・ウエブ
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    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12Unsaturated polyimide precursors

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規イミド及びポリイミド合成におけるそれら
の使用に関するものである。
ジ無水物とジアミンとの反応によるポリイミドの製造は
既知である。 かく製造されるポリイミドの例はポリエ
ーテルイミドであり、これら(まエンジニアリングプラ
スチックとして広い用途を有する。 その他の単独重合
体状及び共重合体状ポリイミドは単一のジアミン及びジ
無水物から及び多種のジアミン及び/又はジ無水物の組
合せから製造することができる。
ポリイミドの製造に際しては、中間体としてのジ無水物
の製造が必要であるために屡々問題が生ずる。 この目
的のために使用される典型的なジ無水物は本明細書にお
いては総括的にパビスフェノールAジ無水物″と称され
かつ式:を有する。 特に有用な化合物は式(11にお
いてオキシ基が無水フタル酸環のグー位にある化合物で
ある。 この化合物を以下において特に”ビスフェノー
ルAジ無水物′″と称するものとする。 この化合物は
典型的には無水フタル酸と対応するビスイミド(以下総
括的に”ビスフェノールAビスイミド″と呼ぶ)との交
換反応によって製造される。 たとえばつぎの米国特許
明細書を参照されたい。
第幻個くタッグ号 第乞3認z29/号第乞3/ζざ5
2号 第乞3侭はグオ号この交換反応は平衡反応であり
、したがって多くの場合それから所望のビスフェノール
Aジ無水物な高収率で取得することは幾分困難である。
 さらに、とのジ無水物はどちらかといえば複雑なかつ
費用のか\る方法によって精製しなければならない。 
同様の問題はポリイミドの製造において使用されるその
他のジ無水物についても屡々生起する。
したがって、本発明の主目的はジ無水物の使用を不必要
にするようなポリイミドの製造法を提供するにある。
本発明の別の目的はポリイミドの製造のための比較的容
易なかつ安価な方法を提供するにある。
さらに別の目的はポリイミドの製造における中間体とし
て有用な新規組成物を提供するにある。
その他の目的は一部は自明でありかつ一部は以下の説明
から明らかになるであろう。
本発明の新規イミドは式: (式中、Arはイミド成分のカルボニル基によって隣接
位置が置換されている芳香族基であり;Xは置換基であ
り;mは/又はユであり;nは0又は/であり; m 
+ nは認であり;そしてZはつぎの反応: 1 1 からの平衡混合物の遊離アミン成分の少なくとも70モ
ルチを構成しかつそれが遊離アミン成分の約7sモルチ
以下を構成する場合には大気圧で約300Cより低い沸
点をもつアミンZ、N1−12から誘導された電子欠損
性の高い基である)を有する。
弐Hにおいて、Ar成分はたとえば0−フェニレン、/
、、、2−ナフチレン、、2.3−ナフチレン又は/、
と−ナフチレンであり得るが、通常は。−フェニレンで
ある。 Ar成分はX置換基以外は非置換であることが
好ましいが、さらにたとえばハロ、ヒドロキシ、アルコ
キシ、カルボキシ、カルボアルコキシ、シアノ、ニトロ
、メルカプト、アルキルチオ、アルキルスルホン等であ
り得る置換基で置換された基も本発明の範囲内である。
X基は数種の置換基の任意のものであり得る。
たとえばX基はイミド成分の特性又は反応性に実質的に
影響を与えない置換基であり得る。 かかる置換基の例
はハロゲン、0H1OR’、 SR’、 SSR’ 。
1 SM、NO2、CN、 C0OR’ 、−C−R’又は
5o2R’である。 これらの置換基中のR1基は脂肪
族又は芳香族基、典型的には低級アルキル(用語°゛低
級は7個までの炭素原子を表わす)又はC6−4゜アリ
ール基である。 Mはアルカリ金属、通常はリチウム5
ナトリウム又はカリウムであり、好ましくはナトリウム
である。 この型の好ましい置換基はC7,No2及び
SMである。
X基はまた式 (式中、Qは単結合手又は二価の架橋基であり得る〕を
有し得る。 この架橋基の種類はそれがイミド成分の特
性又は反応性を実質的に変えない限り重要ではない。 
代表的な架橋基の例は−CH2−11 、−C2H,−、−C(CN5)2−、−0−、− C
−1−8x−1−so2+、−042−0−、−842
−8−及び−8o 42−8o、(式中、Xは/又は−
であり、R2は二価の脂肪族又は芳香族基である)であ
る。
好寸しい架橋基は一〇−R2−0− (式中 R2は芳
香族基である)である。 ]t2としてもっとも好まし
い基はビスフェノールAから誘4される式をもつ基であ
る。
X基はAr塞上の任意の適当な位置に置換され得る。 
Ar基がフタル酸から誘導される場合にはその3位及び
グ位に置換し得る。 3位及びグ位置換化合物の混合物
又はもっばらグ位に置換された化合物が多くの場合好ま
しし・。
Z基の種類は別として、式■の構造に対応する構造をも
つ種々の無水物、イミド等をま当業者に既知である。 
XがSMであるか又は式■にお0てQが−S2−である
か\る化合物は本出願人自身の米国特許出願[: R,
D −/3.po3 )明細書に記載されている。
X基の数はθ又は/であり得るnによって示されかつそ
れは/又は認であり得るmの値に関係する。 包含され
る化合物はm + nが−の値をもつ化合物である。 
したがって1式■のイミドに′!。
置換モノイミド、すべてのカルボキシ基が同一の芳香族
基に結合されたビスイミド又はQによって連結された2
個の芳香族基を含み、該芳香族基の各々もまたイミド成
分を含んでいるビスイミドであり得ることは明らかであ
ろう。 特に好ましい化合物はm及びnがそれぞれ/で
ある化合物である。
Z基は前述したごとく反応穴開によって表わされる平衡
反応においである特徴をもつアミンZ−NH2から誘導
される。 後述するところから明らかに々るであろう理
由で該アミンは該反応からの平衡混合物の遊離アミン成
分の少なくとも70モルチ、すなわち該アミン及びアニ
リンの混合物の少なくとも70モル係を構成することが
必要である。 大部分の場合、Z −Nl−12は該混
合物の少なくとも約30モル係、好ましくは少なくとも
約j0モル係を構成するであろう。
アミンZ −’ NI−(2はまた大気圧で約300C
より低い、通常は2.!−OtZ’より低い、より好ま
しくは約270Cより低い、そしてもつとも好ましくは
/乙Cより低い沸点をもつことが好ましい。 該アミン
Z −NH2が平衡混合物の遊離アミン成分の約7オモ
ルチ以下を構成する場合には最高沸点約300’Cが要
求され、さらに上記したより低(1沸点がより好ましい
。 より低い沸点は後述するごときジアミンとの反応の
間に平衡がポリイミドの形成に資するように容易に移動
し得るために好ましい。
反応式11[によって表わされる反応を平衡に到達させ
る方法及び平衡混合物を分析する方法は当業者には明ら
かであろう。 代表的な一方法においては、アニリン及
びN−(Z置換)フタルイミドの各000jモルの混合
物を7Qmlのステンレス鋼製反応器に装入し、ついで
反応器を窒素で1< −ジし、密閉しそして″流源槽中
で、、zsoCに7時間加熱する。 ついで反応管を槽
からとり出し、冷却してから開放しそして反応混合物の
試料を採取しかつ高圧液−液クロマトグラフイーによっ
て分析する。
Z基の主要な化学的特性はその電子欠損性が著しい点で
ある。 通常、適当な電子欠損基は7個又はそれ以上の
強い電子求引性の置換基を含む芳香族炭化水素基及び芳
香族性をもつ複素環式基からなる。
適当な芳香族炭化水素基はハロ、ニトロ、ケト、カルボ
アルコキシ、シアノ及びパーフルオルアルキルのような
置換基を含むフェニル、ナフチル等の基を包含する。 
少なくとも7個の該電子求引性置換基は遊離原子価結合
(すなわちZ−NH2中のアミノ基に結合されたもの)
に対して好ましくはオルト又はパラである。 トリフル
オルメチルフェニル基が%に好ましい。
芳香族特性をもつ適当な複素環式基はオ員又は乙員環を
もちかつピロール及びピリジン中に存在する型の芳香族
不飽和分をもつものを包含する。
これらの基は好ましくは7〜3個、特に7〜2個のへテ
ロ原子を含み、その少なくとも7個は窒素でありかつ存
在する場合他のへテロ原子は窒素又は硫黄である。 こ
れらの基は通常非置換であるが、置換されていてもよく
、特に前記列挙したごとき電子求引性置換基で置換され
ていてもよい。
遊離原子価結合は好ましくはへテロ原子に関して2位又
はグ位にある。 環が7個より多いヘテロ原子を含みか
つ特にそれがl員環である場合には。
遊離原子価結合は好ましくは該へテロ原子の2個の間の
単一の炭素原子に結合される。
!員複素環式基の例はピロリル%−−チアソリル、認−
イミダゾリル及び−2−C/、3.¥−チアジアソリル
)である。 乙員複素環式基の例は氾−ピリジル、3−
ピリジル、グーピリジル、氾−ピリミジル、氾−ピラジ
ル、j−(/、&−チアゾリル)及び2−(/、3−チ
アゾリル)である。
特に好ましいZ基はアミノピリジル基、特に−一ピリジ
ル及びグーピリジルである。
Z −NH2型のいくつかの代表的アミンをそれらのZ
基、平衡値及び適切な場合その沸点とともに次表に示す
CH。
本発明のイミドは式Z −NH2のアミンと遊離酸、酸
ハライド、酸無水物、ジエステル又は酸性エステルのよ
うな種々のフタル酸誘導体との反応を包含する反応順序
を含む既知の方法によって製造することができる。 酸
無水物は入手が容易でありかつ比較的安価であるのでこ
の目的のために多くの場合好ましい。
本発明の種々のイミドの製造のための反応順序の例を以
下に示す。
111 0 (■) 0 本発明のビスフェノールAビスイミドは反応工程■によ
ってビスフェノールAジ無水物かう製造することができ
るが、一般に工程■によってビスフェノールA塩から該
ビスイミドを製造することがジ無水物の製造を回避しか
つ前述した利益を達成するために好ましい。 同様に、
ニトロ化イミドの製造のためには工程■よりも工程■が
好ましい。 何故ならば、■程■における中間体である
非ニトロ化フタルイミドは通常硝酸と接触する際無水フ
タル酸よりも分解を受けやすいからである。
酸無水物とZNH2との反応は単に反応混合物を約72
j〜300’C,好ましくは約200〜22オCの範囲
の温度に加熱しそして水のような揮発性副生物を生成す
るにつれて除去することによって好都合に行なうことが
できる。 通常1反応を不活性雰囲気、たとえば窒素又
はヘリウム中で行なうことが好ましい。 ある場合には
、実質的に不活性な稀釈剤、たとえばトルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン、0−ジクロルベンゼン、ジメチル
ホルムアミド又はジメチルスルホキシドを使用するのが
有利である。 一般に、はy当量のフタル酸誘導体及び
アミン、たとえばフタル酸誘導体対アミンの当量化層0
9〜//:/が使用される。
反応が完了したとき、生成物は所望ならば適洛な液体か
らの再結晶のような既知の方法によって精製することが
できる。 この反応系統は酸無水物以外のフタル酸誘導
体を使用する場合には所要に応じて変更し得ることは当
業者には明らかであろう。
本発明のイミドの製造法をさらに実施例によって説明す
る。 実施例中、すべての部は重量部である。
実施例 / ビスフェノールAジ無水物12部(001モル)及び−
一アミノピリジン/♂ざ部(00部モル)の混合物を窒
素でパージした。 反応器を密閉しそして混合物を、2
乙jt[加熱した。 混合物が溶融しそして水の発生が
激しくなったとき、反応器を大気に連通させて反応水を
蒸発によって除去した。
水の発生は約2θ分後に止んだので、こ\で混合物を冷
却した。 所望のビスフェノールAビス−(2−ピリジ
ル)イミド322部を融点、、22j〜、2Ω乙Cの薄
黄色固体として得た。
実施例 2〜に 実質的に実施例/の方法に従って、ビスフェノールAジ
無水物を当量のグーアミノビリノン、2−7ミノピリミ
ジン、2−アミノピラジン、−一アミノーグーメチルチ
アゾール及びm−アミノベンシトリフルオライドとそれ
ぞれ反応させる。
対応するビスイミドが得られる。
実施例 2 実施例/と同様の方法によって当量のピロメリト酸ジ無
水物と2−アミノピリジンとを約〃。
Cで反応させて所望のN、 N’−ビス(,2−ピリジ
ル)ピロメリトイミドを得る。
実施例 と 実質的に実施例/の方法に従って当量のグークロル無水
フタル酸とコーアミノピリミシンとを2000で反応さ
せて所望のグークロル−(2−ピリミジル)フタルイミ
ドを得る。
実施例 2 ジメチルホルムアミド20m1中のグークロル−N−(
,2−ピリミジル)−フタルイミド及び硫化ナトリウム
の各θ0023/<モルの溶液を窒素雰囲気中で攪拌し
つつ八2trに7時間加熱する。
それによって得られる生成物は所望のナトリウム&−(
N−(,2−ピリミジル)フタルイミドスルフィドのジ
メチルホルムアミド中の溶液である。
実施例 10 実施例2の方法によって製造された溶液に当量(すなわ
ちθ00/2とモル)の三臭化エチレンを添加する。 
この混合物を攪拌しつつ10θCに7時間加熱しそして
水に注入する。 所望のエチレン/1,2−ビス〔グー
N−(2−ピリミジル)−フタルイミドスルフィド〕を
流過により分離しそして乾燥する。
本発明のイミドはポリイミドの製造のための中間体とし
て有用であり、本発明の別の態様は少なくとも一種のジ
アミンと本発明に従う少なくとも一種のビスイミドとを
反応させることからなるポリイミドの製造法である。 
本発明のモノイミドは従来技術において知られている種
々の反応によるビスイミドの製造に使用することができ
る。
たとえば、ニトロイミドは反応工程■1に従ってビスフ
ェノールAのジナトリウム塩と反応させて対応するビス
フェノールAビスイミドを与え得る。
モノイミドはまたビスイミドとともに反応混合物中に配
合することによってポリイミドの製造における連鎖停止
剤としても使用することができる。
ポリイミドの製造に適当なジアミンの例はエチレンジア
ミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、ジ
エチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ヘプタ
メチレンジアミン、オクタメチレンシアミン、2.//
−ドデカンジアミン、/、/、2−オクタデカンジアミ
ン、3−メチルへブタメチレンジアミン、り、クージメ
チルヘプタメチレンジアミン、グーメチルノナメチレン
ジアミン1.2.オージメチルへキサメチレンジアミン
、J、 、! −ジメチルプロピレンジアミン、N−メ
チル−ビス(3−アミノプロピル)アミン、3−メトキ
シヘキサメチレンジアミン、/、2−ビス(3−アミノ
プロポキシ)エタン、ビス(3−アミノプロピル)スル
ノイド、/、クーシクロへキサンジアミン、ビス−(グ
ーアミノシクロヘキシル)メタン、m−フェニレンジア
ミン、p−フェニレンジアミン。
認、クージアミノトルエン、2.乙−ジアミノトルエン
、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジアミン、
ベンチジン、3.3′−ジメチルベンチジス3.3′−
ジメトキシベンチジン、/は−ジアミノナフタリン、¥
、¥’−ジアミノジフェニルメタン、り。
グ′−ジアミノジフェニルプロパン、認、クービス−(
β−アミノ−1−ブチル)トルエン、ビス(p−β−メ
チル−〇−アミノフェニル)−ベンゼン、/、3−ジア
ミノ−グーイソプロピルベンゼン、り。
グ′−ジアミノジフェニルスルホン、グ、y′−ジアミ
ノジフェニルエーテル及びビス(3−アミノプロピル)
テトラメチルジシロキサンである。 これらのジアミン
の混合物も使用し得る。 特に好ましいジアミンは芳香
族ジアミン、特にm−フェニレンジアミン及びり、り′
−ジアミノジフェニルメタンで・ある。
ポリイミドは単にビスイミド−ジアミン混合物を通常は
攪拌下に約700\230C,好ましくは約、2邸\3
30C1特に好ましくは約、250〜3認jCの範囲の
温度に加熱することによって製造することができる。 
一般に、高分子量ポリイミドの製造のためには実質的に
等モル量のジアミン及びビスイミドを使用する。 典型
的なビスイミド対ジアミンのモル比は約095〜/、O
j:/である。
分子量の調節は有機モノアミン又は前述したごとく本発
明のモノイミドを包含する有機モノイミドを代表的には
ビスイミド−ジアミン混合物に基づいてオモル%7はそ
れ以下の量で添加することによって達成され得る。 ポ
リイミドの生成は溶融重合法によって行なうことができ
又はトルエン、キシレン、m−クレゾール又は0−ジク
ロルベンゼン(又はそれらの混合物のような不活性稀釈
剤を使用することもできる。
本発明の方法によるポリイミドの製造は平衡反応であり
、反応■に類似するものである。 というのは、該反応
における芳香族ジアミン及び脂肪族ジアミンの反応性は
それぞれアニリンの反応性に匹敵するものであり1通常
はそれよりも大であるからである。 したがって、この
反応はアミンZ −NH2の除去によって促進される。
 蒸留による除去又は不活性ガス(たとえば窒素)によ
るパージによる除去が屡々有効であり、特に該アミンの
沸点が比較的低い場合に有効である。 アミンが特に平
衡傾向にある場合には、ポリイミドを沈澱等によって、
たとえばポリイミドに対する非溶剤を添加することによ
って単離することができる。 いずれにしても、該アミ
ンは所望ならば本発明のイミドを製造するために再循環
することができる。
本発明の方法に従うポリイミドの製造法を実施例によっ
てさらに説明する。
実施例 // 実施例/のビスイミド3グ部(00(B−03モル)及
びm−フェニレンジアミン0(B;’;19.2部(o
oososモル)の混合物を窒素でパージし、密閉しそ
して、270Cに加熱した。 反応のその後の段階は約
、!タトルの減圧下で行なった。 ついで温度をゆっく
り3/ICまで上昇させそして反応を合計で7時間続け
た。 所望のポリイミドが薄黄色の固体として得られた
。 それは重量平均分子量約/jに、000及び、2J
Cでクロロホルム中で測定して0233 dll gの
固有粘度を有していた。
本発明のポリイミドはジ無水物とジアミンとの反応によ
って製造された対応するポリイミドの用途と同様又は同
一の用途を有している。 たとえば、これらはフィルム
、成形用コンパウンド。
塗料等の製造用に使用することができる。 代表的な利
用領域は装飾及び保護用の目的で自動車及び航空機の用
途に、高温電気絶縁材及び誘電コンデンサーとして、コ
イル及びケーブル外装として、容器及び容器内張り用と
してフィルム又は種々の耐熱性又はその他の材料として
の用途のための積層用構造体において及び石綿、雲母、
カラス繊維等のような充填剤を含む組成物としての使用
にある。 その他の用途は石綿繊維、炭素繊維及びその
他のブレーキライニング製造の繊維質材料用の結合剤と
しての用途及び石綿、ガラス繊維、タルク、石英、木粉
、微粉砕炭素及びシリカのような充填剤を用いる成形用
組成物の製造用の用途を包含する。 ポリイミドについ
てのその他の用途は多数の米国特許明細書に記載されて
いる。
第1頁の続き Qlnt、CI、’ 識別記号 庁内整理番号285:
00)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 7式 (式中、Arはイミド成分のカルボニル基によって隣接
    位置が置換されている芳香族基であり;Xは置換基であ
    り;mは/又は認であり;nは0又は/であり;m+n
    は−であり;そしてZはつぎの反応 1 0 (III) からの平衡混合物の遊離アミン成分の少なくとも70モ
    ル係を構成しかつ遊離アミン成分の約75モル係以下を
    構成する場合には大気圧で約3000より低い沸点をも
    つアミンZ−’NH2から誘導された電子欠損性の高い
    基である)を有するイミド。 認、Xがイミド成分の特性又は反応性に実質的に影響を
    与えない置換基であるモノイミドである特許請求の範囲
    第1項記載のイミド。 3 XがC4No2又はSMであり1Mはアルカリ金属
    である特許請求の範囲第2項記載のモノイミ ド。 q Arが0−フェニレンである特許請求の範囲第3項
    記載のモノイミド。 夕 XがNO2である特許請求の範囲第り項記載のモノ
    イミド。 乙 Xが式 (式中、Qは単結合又は二価架橋基である)をもつビス
    イミドである特許請求の範囲第1項記載のイミド。 7 Qが一〇H2−,−C2H4−、−C(CH3)2
    −。 〇 −8−R2−8−又は−802−R2−8o2−であり
    ;Xは/又は認でありそしてR2は二価脂肪族又は芳香
    族基である特許請求の範囲第6項記載のビスイミド。 と Qが一〇−R2−0−でありそしてR2が芳香族基
    である特許請求の範囲第7項記載のビスイミド。 9 R2が式 をもつ特許請求の範囲第と項記載のビスイミド。 /θ Ar が0−フェニレンである特許請求の範囲第
    2項記載のビスイミド。 // アミンZ −N1−12が大気圧で、、zsoC
    より低い沸点をもつ特許請求の範囲第3項又は第に項記
    載のイミド。 /、2. Zが!員又は乙員環及び芳香族不飽和分をも
    ちかつヘテロ原子の少なくとも7個は窒素原子でありそ
    して他のへテロ原子が存在する場合は他のヘテロ原子は
    窒素又は硫黄原子である7〜3個のへテロ原子を含む複
    素環式基である特許請求の範囲第1/項記載のイミド。 /3 Zが乙員環なもちかつ遊離原子価結合が2位又は
    グ位にある特許請求の範囲第7.2項記載のイミド。 /K Zが場合によってはハロー又はニトロ−置換基を
    もつ一一ピリジル、3−ピリジル、グーピリジル1,2
    −ピリミジル又は−一ピラジル基である特許請求の範囲
    第73項記載のイミド。 /、& Zが2−ピリジル又はグーピリジル基である特
    許請求の範囲第1グ項記載のイミド。 /乙 Zがオ員環及び2個のへテロ原子をもちかつ遊離
    原子価結合かへテロ原子間にある単一の炭素原子に結合
    されている特許請求の範囲第7.2項記載のイミド。 /7 Zが場合によってはメチル−又はベンゾ−置換さ
    れた一一チアゾリル又は、2−(/、3.3−チアジア
    ゾリル)基である特許請求の範囲第1乙項記載のイミド
    。 /と式 (式中、Arはイミド成分のカルボニル基にょって隣接
    位置が置換されている芳香族基であり、Qは−0−R2
    −0−で、R2が芳香族基であり、そしてZは次の反応 1 からの平衡混合物の遊離アミン成分の少なくとも70モ
    ル係を構成しかつ遊離アミン成分の約2タモルチ以下を
    構成する場合には大気圧で約300Uより低い沸点をも
    つアミンZ−NH2から誘導されたt 子欠損性の高い
    基である)を有する少なくとも7種のビスイミドに少な
    くとも7種のジアミンを反応させる、ポリイミドの製造
    方法。 /9 ジアミンがm−フェニレンジアミンかり。 グージアミノジフェニルメタンである特許請求の範囲第
    1ざ項記載の方法。 I式 (式中、Arはイミド成分のカルボニル基によって隣接
    位置が置換されている芳香族基であり、Qは単結合か二
    価の架橋基であり、Zは次の反応1 からの平衡混合物の遊離アミン成分の少な(とも/θモ
    ルチを構成しかつ遊離アミン成分の約23モルチ以下を
    構成する場合には大気圧で、!30Cより低い沸点をも
    つアミンZ −NH2から誘導された電子欠損性の高い
    基である)を有する少なくとも7種のビスイミドに少な
    くとも7種のジアミンを反応させる、ポリイミドの製造
    方法。 2/ ジアミンがm−フェニレンジアミンかり、クージ
    アミノジフェニルメタンである、特許請求の範囲第2θ
    項記載の方法。
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