JPS6045549A - 新規ネマチツク液晶化合物 - Google Patents

新規ネマチツク液晶化合物

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JPS6045549A
JPS6045549A JP15252683A JP15252683A JPS6045549A JP S6045549 A JPS6045549 A JP S6045549A JP 15252683 A JP15252683 A JP 15252683A JP 15252683 A JP15252683 A JP 15252683A JP S6045549 A JPS6045549 A JP S6045549A
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JP
Japan
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liquid crystal
compound
formula
crystal compound
nematic liquid
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JP15252683A
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JPS6254783B2 (ja
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Haruyoshi Takatsu
晴義 高津
Hisato Sato
久人 佐藤
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DIC Corp
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Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気光学的表示材料として有用な3,4−ジフ
ルオロフェノール誘導体の新規ネマチック液晶化合物に
関する。本発明によって提供される新規ネマチック液晶
化合物は 一般式 で表わされる化合物である。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット(MII
Sehadt)等[APPLIED PHYSIC8L
ETTER818,127〜12B (1971))に
よって提案された電界効果型セル(フィールド・エフェ
クト・モード・セル)又はジ〜・エイチ拳ノーイルマイ
ヤー(GaI■Hei1meier)等[:PROCI
DING 0FTHE 1.E、E、E、56 116
2〜1171(1968)’)によって提案された動的
光散型セル(ダイミック・スキャツタリング・モード・
セル)又はジー・エイチ・ノ1イルマイヤー(G*HH
ejlmeier)等[:APPLIED PHYSI
C8LETTER813,91(196B))あるいは
ディー・エル・ホワイト(D L whlte)等[J
OURNAL 0FAPPLIED PHYSIC84
5,471B (1974))によって提案されたゲス
ト・ホスト型セルなどがある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共通して要求され
ている重要な特性である。このような特性を有する実用
可能な材料の多くは、通常、室温付近にネマチック相を
有する化合物と室温より高い温度領域にネマチック相を
有する化合物から成る数種又はそれ以上の成分を混合す
ることによって調製される。現在実用的に使用される上
記の如き混合液晶の多くは、少なくとも一30℃〜+6
5℃の全温度範囲に亘ってネマチック相を有することが
要求されている。かかる要求を満すために、室温より高
い温度領域にネマチック相を有する化合物として、4,
4′−置換ターフェニル、4.4′−置換ビフェニルシ
クロヘキサン、4.4’−ft換ベンゾイルオキシ安息
香酸フェニルエステルの如き、約100℃の結晶相−ネ
マチック相転移温度(C−N点)を有すると共に約20
0℃のネマチック相−等方性液体相転移温度(N−I点
)を有する化合物が使用される場合が多い。しかしなが
ら、これらの化合物は、混合液晶のN−I点を65℃又
はそれ以上の温度とするのに充分な量を混合した場合、
得られる混合液晶の粘度を上昇せしめ、このことによっ
て応答速度を低下せしめる好ましからざる性質を有して
いる。さらに電界効果型セル特にTN型セルに用いられ
る液晶材料に要求される特性の一つに低電圧動作性があ
る。
一般に液晶表示セルの動作電圧を下げることは液晶のし
きい値電圧vth を下げることに対応する。上記のご
とき高いN−I点を有する化合物は、混合液晶のN−I
点を65℃又はそれ以上の温度とするのに充分な量を混
合した場合、得られる混合液晶のしきい値電圧を上昇せ
しめ、このことによって動作電圧を上げてしまう好まし
からざる性質を有している。
本発明に係る式([)の化合物は、この性質が改良され
た新規な化合物である。即ち、式(Ilの化合物は、他
の1種又は2種以上のネマチック液晶化合物と混合する
ことによって65℃以上のN−I点を有する実用可能な
混合液晶を調製する際、前記公知の液晶化合物が粘度及
びしきい値電圧の両方あるいはどちらか一方を著しく上
昇せしめてしまうのに対し、混合液晶の粘度及びしきい
値電圧の上昇を小幅に抑えることができる。
更に、式(Ifの化合物は、本出願人が特開昭54−8
3694号公報の中で時分割駆動特性の優れたネマチッ
ク液晶材料として報告した4、4′−置換シクロへキシ
ルカルボン酸フェニルエステルと極めて良好な相溶性を
有するから、これらの化合物と混合することによって更
に優れた混合液晶を得ることができる。
で表わされる化合物に、エーテル、ベンゼン、トルエン
の如き不活性有機溶媒中で、ピリジンの如き塩基性化合
物を触媒として3,4−ジフルオロフェノールを反応さ
せることによシ製造できる。
斯くして製造された式(I)の化合物の転移温度を第1
表に第1表 (表中の転移温度欄におけるCは結晶相、Nはネマチッ
ク相、■は等方性液体相、矢印は相転移を表わす。)本
発明に係る式(【)の化合物は弱い正の誘電率異方性を
有するネマチック液晶化合物であシ、従って例えば、負
の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物との
混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料として使用
することができ、また正又は負の誘電率異方性を有する
他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で電界効果
型表示セルの材料として使用することができる。
このように、式(【)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4,4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4.4’−置換シクロヘ
キサンカルボン酸フェニルエステル、4.4’−置換シ
クロヘキサンカルボン酸ビフェニルエステル、4 (4
−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ)安息香酸4′
−置換フェニルエステル、4(4−置換シクロヘキシル
)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4(4−置換
シクロヘキシル)安息香酸4′−置換シクロヘキシルエ
ステル、4.4’−ビフェニル、4.4’−フェニルシ
クロヘキサン、4.4’−置換ターフェニル、4.4′
−ビフェニルシクロヘキサン、2(4’−W換フェニル
)5−置換ピリミジンなどを挙げることができる。
第2表は時分割駆動特性の優れたネマチック液晶月相と
して現在汎用されている母体液晶仏)の80重量%と第
1表に示した式(I)の化合物/I61、腐2、屑3、
扁4、扁5の各々の20重量%とから成る各混合液晶に
ついて測定されたN−I点と粘度としきい値電圧を掲示
し、比較のために母体液晶(Al自体について測定され
たN−I点と粘度としきい値電圧を掲示したものである
尚、母体液晶(Alは 8重号%の 8重量%の 8重量%の 8重量%の 8重量%の 及び 8重量%の から成るものである。
第 2 表 N−1点 粘 度 しきい値電圧 C℃) cセンチボイズ/20℃) (V)(A) 5
4.0 2.1.(11,60(A)+(A61) i
、3 23.4 1.7[1(A)+(A62) 73
,2 23.5 1.71(h)+(A6s> 71.
!5 25.9 1.72(A)+(腐4) 73,7
 24.0 1.74(A)+(腐5) 70,5 2
4.6 1.75第2表に掲示したデータから、式(I
)の化合物は、混合液晶の粘度及びしきい値電圧を大幅
に上昇せしめることなく、混合液晶のN−1点を実用上
充分なまでに上昇せしめ得ることが理解できるであろう
。このように低い粘度で低いしきい値電圧の混合液晶が
得られるところに式(I)の化合物の実用上の高い価値
がある。
本発明の効果は、下記の比較実験によっても明らかにさ
れる。化学構造が本発明1係る式(【)の化合物に類似
しておシ、且つ混合液晶のN−1点を高める目的で使用
されてbる式 の公知化合物を前記の母体液晶(A)に種々の割合で混
合した。
の化合物を母体液晶(A)に睡々の割合で混合した。斯
くして得られた2種類の混合液晶について、夫々のN−
1点と粘度としきい値電圧を測定した。これらの測定結
果に基すて添付図面の第1図にN−1点と粘度、第2図
にN−1点としきい値電圧の関係を示した。
これらの事実から、本発明に係る式(I)の化合物は代
表的な公知の類似化合物に比べてN−1点の上昇に伴う
粘度及びしきい値電圧の上昇が遥が釦小さいことが理解
できるであろう。
実施例1 10にのトルエンに15.01 (0,100mol)
の6,4−ジフルオロフェノールと11.919のピリ
ジンを溶解した溶1(0,jDOmol)を10℃で攪
拌しながら滴下した。滴下終了後2時間還流温度で反応
させ、反応終了後、反応生成物をトルエンで抽出した。
抽出液を水洗、乾燥後、この液からトルエンを留去し、
得られた反応生成物をエタノールから再結晶させて下記
化合物30.29 (0,0830mol)を得た。
収率 830% 転移温度 57℃(C−+N) 153℃(N01) 実施例2 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率 814% 転移温度 68℃(C−+N) 136℃(NgI) 実施例3 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
145℃(NgI) 実施例4 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率 82.9% 転移温度 54℃(C−+N ) 156℃(NgI) 実施例5 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率 795% 転移温度 61℃(C→N) 140℃(NOI)
【図面の簡単な説明】
第」図と第2図は本発明に係る化合物の1つである腐2
の化合物及びこれと類似構造をもつ公知化合物(a)の
夫々を現在汎用されている母体液晶囚に添加して得られ
る混合液晶のN−I点と粘度の関係及びN−I点としき
い値電圧の関係を夫々示す図表である。 代理人 弁理士 高 橋 勝 利 L1図 12図 一一−−−−−−蛮知化会吻含郁腟璋晶[(Aン士(α
月 〔(八)+(No、2)E / 、/ 7′ 7′ / / 7/

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. で表わされる化合物。
JP15252683A 1983-08-23 1983-08-23 新規ネマチツク液晶化合物 Granted JPS6045549A (ja)

Priority Applications (1)

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JP15252683A JPS6045549A (ja) 1983-08-23 1983-08-23 新規ネマチツク液晶化合物

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JP15252683A JPS6045549A (ja) 1983-08-23 1983-08-23 新規ネマチツク液晶化合物

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Publication Number Publication Date
JPS6045549A true JPS6045549A (ja) 1985-03-12
JPS6254783B2 JPS6254783B2 (ja) 1987-11-17

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ID=15542358

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JP15252683A Granted JPS6045549A (ja) 1983-08-23 1983-08-23 新規ネマチツク液晶化合物

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JPS6254783B2 (ja) 1987-11-17

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