JPS6043599B2 - 電荷結合回路に対する直線性出力段およびその駆動方法 - Google Patents
電荷結合回路に対する直線性出力段およびその駆動方法Info
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- JPS6043599B2 JPS6043599B2 JP54116626A JP11662679A JPS6043599B2 JP S6043599 B2 JPS6043599 B2 JP S6043599B2 JP 54116626 A JP54116626 A JP 54116626A JP 11662679 A JP11662679 A JP 11662679A JP S6043599 B2 JPS6043599 B2 JP S6043599B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000124815 Barbus barbus Species 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000012443 analytical study Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電荷結合回路に対する直線性出力段において
、評価電極が増幅器の入力を接続され、ゲート端子にス
イッチングクロックを導入される所のスイッチングトラ
ンジスタが備えられ、よつてスイッチングトランジスタ
が読出し過程の間閉塞され、2回の読出し過程の間の所
定の時間中導通される如く成るもおに係る。
、評価電極が増幅器の入力を接続され、ゲート端子にス
イッチングクロックを導入される所のスイッチングトラ
ンジスタが備えられ、よつてスイッチングトランジスタ
が読出し過程の間閉塞され、2回の読出し過程の間の所
定の時間中導通される如く成るもおに係る。
電荷結合デバイスは、アナログシフトレジスタとして使
用可能なので、アナログ信号の処理に対して重要である
。
用可能なので、アナログ信号の処理に対して重要である
。
電荷結合素子の普通の出力回路はソースフォロアと一緒
に構成される。その際外部の負荷抵抗を持つMOSソー
スフォロワの非直線性は、高いソース抵抗の補助により
広範囲に直線化される。文献PrOceedingsO
ftheIEEE,l97師1月、63巻、NO.l,
38及至67頁の、D,F.Barbeの641mag
ingdevicegusirgthechar?CO
upledcOncept′5にかかる出力回路が記載
されている。この出力回路の重大な欠点は、空間電荷深
さに関係する空間電荷容量が存在するので、信号の評価
が一般に電圧に関係することにある。西ドイツ特許出願
公告第2602520号公報により電荷結合デバイスに
対する直線性の出力増幅器が公知であり、之において増
幅器はスイッチングトランジスタおよび負荷素子その際
スイッチングトランジスタおよび負荷素子は、増幅器の
出力を表わす1点において互に直列に接続され、スイッ
チングトランジスタのゲート端子は増幅器の入力を表わ
し、増幅器の入力はCCD装置と接続され、増幅器の出
力は補助トランジスタを経て増幅器の入力と接続される
。
に構成される。その際外部の負荷抵抗を持つMOSソー
スフォロワの非直線性は、高いソース抵抗の補助により
広範囲に直線化される。文献PrOceedingsO
ftheIEEE,l97師1月、63巻、NO.l,
38及至67頁の、D,F.Barbeの641mag
ingdevicegusirgthechar?CO
upledcOncept′5にかかる出力回路が記載
されている。この出力回路の重大な欠点は、空間電荷深
さに関係する空間電荷容量が存在するので、信号の評価
が一般に電圧に関係することにある。西ドイツ特許出願
公告第2602520号公報により電荷結合デバイスに
対する直線性の出力増幅器が公知であり、之において増
幅器はスイッチングトランジスタおよび負荷素子その際
スイッチングトランジスタおよび負荷素子は、増幅器の
出力を表わす1点において互に直列に接続され、スイッ
チングトランジスタのゲート端子は増幅器の入力を表わ
し、増幅器の入力はCCD装置と接続され、増幅器の出
力は補助トランジスタを経て増幅器の入力と接続される
。
補助トランジスタのゲート端子はパルス源と接続され、
之はトランジスタを読出し過程の間閉塞し、多くの読出
し過程の中間で導通する。クロック結合の阻止のためこ
の公知の回路において、2個の付加のトランジスタが用
いられ、之により補助トランジスタのそれぞれソース域
はドレイン端子を遮断する。
之はトランジスタを読出し過程の間閉塞し、多くの読出
し過程の中間で導通する。クロック結合の阻止のためこ
の公知の回路において、2個の付加のトランジスタが用
いられ、之により補助トランジスタのそれぞれソース域
はドレイン端子を遮断する。
しかしそれによつてトレランスの問題が生じる。公知の
回路は殊に上記のMOS一増幅器が常に直線範囲で動作
される利点を持つが、信号出力の電圧に関係する空間電
荷容量により制約された非直線性が与えられる。この発
明の目的は上記の欠点を除いた、電荷結合素子に対する
直線性の出力段を得ることにある。この目的を達成する
ために冒頭に述べた直線性の出力段において、この発明
によれば、出力段中のスイッチングトランジスタが、第
1のシフトクロックを供給するクロック線と評価電極と
の間に挿入され、スイッチングクロックは、第1のシフ
トクロックを供給するクロック線が、読出し過程の前に
評価電極と接続され、読出し過程の間評価電極から分離
され、よつて信号電荷はフローティングでなくむしろ固
定電位にある所の、電極において受信されるように、時
間的に配置され、補助電位に固定的にある順序電極が備
えられ、しかして一定の表面電位の刻印のための、第1
の補助クロックを供給するクロック源と接続された所の
ダイオードを備えるのである。
回路は殊に上記のMOS一増幅器が常に直線範囲で動作
される利点を持つが、信号出力の電圧に関係する空間電
荷容量により制約された非直線性が与えられる。この発
明の目的は上記の欠点を除いた、電荷結合素子に対する
直線性の出力段を得ることにある。この目的を達成する
ために冒頭に述べた直線性の出力段において、この発明
によれば、出力段中のスイッチングトランジスタが、第
1のシフトクロックを供給するクロック線と評価電極と
の間に挿入され、スイッチングクロックは、第1のシフ
トクロックを供給するクロック線が、読出し過程の前に
評価電極と接続され、読出し過程の間評価電極から分離
され、よつて信号電荷はフローティングでなくむしろ固
定電位にある所の、電極において受信されるように、時
間的に配置され、補助電位に固定的にある順序電極が備
えられ、しかして一定の表面電位の刻印のための、第1
の補助クロックを供給するクロック源と接続された所の
ダイオードを備えるのである。
この発明は、直線化は一方において電圧に関係する空間
電荷容量の影響が、一定の酸化物容量の協動作用により
減少されることにより達成可能であり、他方において少
くも部分的に信号のひずみの補償が、入力および出力の
空間電荷容量の空間電荷深さの、相反する影響により達
成可能であるという認識から出発する。
電荷容量の影響が、一定の酸化物容量の協動作用により
減少されることにより達成可能であり、他方において少
くも部分的に信号のひずみの補償が、入力および出力の
空間電荷容量の空間電荷深さの、相反する影響により達
成可能であるという認識から出発する。
この発明の著しい利点は、評価電極が信号電荷をフロー
ティングで無く、むしろ固定の電位において受領し、電
荷のシフトが主として電極の一定の酸化物容量によつて
行われ、信号の照合は評価電極から電圧源を分離した後
、固定の表面電位の刻印によりダイオードにより行われ
、之により直線化を妨けるすべての重要な影響を十分に
排除することにある。
ティングで無く、むしろ固定の電位において受領し、電
荷のシフトが主として電極の一定の酸化物容量によつて
行われ、信号の照合は評価電極から電圧源を分離した後
、固定の表面電位の刻印によりダイオードにより行われ
、之により直線化を妨けるすべての重要な影響を十分に
排除することにある。
更にこの発明による出力段は、公知のCCD入力回路に
対し有利に比較可能に実施することができる。次にこの
発明を図面について説明する。
対し有利に比較可能に実施することができる。次にこの
発明を図面について説明する。
第1図はこの発明による出力段に対する装置を、それと
例えは共同動作する他の回路部分と共に示し、第2図は
出力段の動作に対するクロックパルスダイヤグラム、第
3図は信号電荷受容の相におけるこの発明による回路に
対する第1の等価回路、第4図は信号電圧送出の相にお
けるこの発明の回路に対する第2の等価回路、第5図は
種々に仮定したパラメータによる動作に対する特性曲線
群を示す。
例えは共同動作する他の回路部分と共に示し、第2図は
出力段の動作に対するクロックパルスダイヤグラム、第
3図は信号電荷受容の相におけるこの発明による回路に
対する第1の等価回路、第4図は信号電圧送出の相にお
けるこの発明の回路に対する第2の等価回路、第5図は
種々に仮定したパラメータによる動作に対する特性曲線
群を示す。
上述のように第1図はこの発明の出力段の装置と、それ
と共動動作する他の回路部分を示す。
と共動動作する他の回路部分を示す。
直線性の出力段はSAで、ドライバ段はTRで、゜゜フ
イルおよびスピル(FillandSpill)72入
力段はSEで示す。評価電極E1は第1シフトクロック
φ1の正規のクロック電圧Uφ1を保有する。ゲート端
子にスイッチングクロックφRを導入されるスイッチン
グトランジスタ1により、評価電極E1はφ1から分離
可能である。評価電極E1のそばに、固定の補助電位U
1を持つ順序電極E2,および第1の補助クロックφD
1により制御される拡散領域が配置される。この双方は
、信号の照合の際評価電極の下における固定の表面電位
φSAの一時的の調整に役立つ。E1は、ドライバトラ
ンジスタT2および負荷トランジスタT3から形成され
た、ドライバ手段TRとしてのソースフォロワと接続さ
れ、TRの出力は、第1の制御電極E3および゜゛フイ
ルおよびスピル゛入力段SEの第3の制御電極E5と接
続される。ドライバ段は動作電位UBに接続される。。
ドライバ段TRを迂回して、所定の状態の下で電極E5
の直接制御も可能である。上記の制御電極の他に゜゜フ
イルおよびスピル′2入力段SEにおいて、なお第2の
制御電極E4,および第2補助クロックφD2により制
御される拡散領域が備えられる。第2図のクロックパル
スダイヤフラムについて作用を説明する。正規のCCD
動作の経過中に信号電荷QsがE1により完全に引継が
れた後、φRによりスイッチングトランジスタT1は閉
塞される(第1時刻t1)。適当な第1時間間隔Δt1
後に第2時刻T2において、適当な低い表面電位φSA
がE1の下に設定され、その際U1−φSAはピンチオ
フ電圧より大きくなければならない。従つてE1により
酸化物容量中に蓄積された信号は、T2またはE3或は
E5に進められる。ここでφSAの印加が破棄される前
に、評価は終了されねばならない。従つてφD2の負の
クロック相はD1のそれよりも早く、すなわち第3時刻
T3(第2時間間隔ΔT2)に終了されねばならず、そ
れに対しそのピンチオフ点は一致することができる。ス
イッチングクロックφRはこの過程の後、すなわち第4
時刻T4の後ではあるが、シフトクロックサイクルの最
後のシフトクロックφ4の開始前に、T1の閉塞を再び
破棄する。第3図および第4図はこの発明の装置に対す
る第1或は第2の等価回路を示し、第3図は信号電荷収
容の相、第4図は信号電圧送出の相に対するものである
。φS:表面電圧、 Qs:信号電荷、 C1:評価電極の酸化物容量、 C1*:評価電極の空間電荷容量、 C2:ドライバのゲート容量、 C3:スイツチングトランジスタのソース範囲 の空間
電荷容量、A:節点、 QA:節点Aにおける集合電荷、 A1:評価電極の面積、 A2:ドライバのゲートの面積、 A3:スイツチングトランジスタのソース範囲 の面積
、Uφ1:正規のクロック電圧、 φSA:固定的に印加された表面電位、 Ua:出力信号電圧、 解析研究の結果、面積比会Fの対応する選定により、非
直線性の影響の最適の補償が達成可能であることが示さ
れた。
イルおよびスピル(FillandSpill)72入
力段はSEで示す。評価電極E1は第1シフトクロック
φ1の正規のクロック電圧Uφ1を保有する。ゲート端
子にスイッチングクロックφRを導入されるスイッチン
グトランジスタ1により、評価電極E1はφ1から分離
可能である。評価電極E1のそばに、固定の補助電位U
1を持つ順序電極E2,および第1の補助クロックφD
1により制御される拡散領域が配置される。この双方は
、信号の照合の際評価電極の下における固定の表面電位
φSAの一時的の調整に役立つ。E1は、ドライバトラ
ンジスタT2および負荷トランジスタT3から形成され
た、ドライバ手段TRとしてのソースフォロワと接続さ
れ、TRの出力は、第1の制御電極E3および゜゛フイ
ルおよびスピル゛入力段SEの第3の制御電極E5と接
続される。ドライバ段は動作電位UBに接続される。。
ドライバ段TRを迂回して、所定の状態の下で電極E5
の直接制御も可能である。上記の制御電極の他に゜゜フ
イルおよびスピル′2入力段SEにおいて、なお第2の
制御電極E4,および第2補助クロックφD2により制
御される拡散領域が備えられる。第2図のクロックパル
スダイヤフラムについて作用を説明する。正規のCCD
動作の経過中に信号電荷QsがE1により完全に引継が
れた後、φRによりスイッチングトランジスタT1は閉
塞される(第1時刻t1)。適当な第1時間間隔Δt1
後に第2時刻T2において、適当な低い表面電位φSA
がE1の下に設定され、その際U1−φSAはピンチオ
フ電圧より大きくなければならない。従つてE1により
酸化物容量中に蓄積された信号は、T2またはE3或は
E5に進められる。ここでφSAの印加が破棄される前
に、評価は終了されねばならない。従つてφD2の負の
クロック相はD1のそれよりも早く、すなわち第3時刻
T3(第2時間間隔ΔT2)に終了されねばならず、そ
れに対しそのピンチオフ点は一致することができる。ス
イッチングクロックφRはこの過程の後、すなわち第4
時刻T4の後ではあるが、シフトクロックサイクルの最
後のシフトクロックφ4の開始前に、T1の閉塞を再び
破棄する。第3図および第4図はこの発明の装置に対す
る第1或は第2の等価回路を示し、第3図は信号電荷収
容の相、第4図は信号電圧送出の相に対するものである
。φS:表面電圧、 Qs:信号電荷、 C1:評価電極の酸化物容量、 C1*:評価電極の空間電荷容量、 C2:ドライバのゲート容量、 C3:スイツチングトランジスタのソース範囲 の空間
電荷容量、A:節点、 QA:節点Aにおける集合電荷、 A1:評価電極の面積、 A2:ドライバのゲートの面積、 A3:スイツチングトランジスタのソース範囲 の面積
、Uφ1:正規のクロック電圧、 φSA:固定的に印加された表面電位、 Ua:出力信号電圧、 解析研究の結果、面積比会Fの対応する選定により、非
直線性の影響の最適の補償が達成可能であることが示さ
れた。
非直線性の偏差を明白に表わすため、この発明の接続の
動作点に関係する、特性曲線傾度の相対変化ΔSを第5
図に示し、その際所定の技術的に重要な動作パラメータ
を採用した。比介惜は一定で1と仮定し、べ+をパラメ
ータとして変化させた。
動作点に関係する、特性曲線傾度の相対変化ΔSを第5
図に示し、その際所定の技術的に重要な動作パラメータ
を採用した。比介惜は一定で1と仮定し、べ+をパラメ
ータとして変化させた。
その他に使用したパラメータ値は第5図中に示す。最大
の偏差はλ)=oすなわちC3が無い場合に存在する。
λ(の値が増すに伴い、直線性が改善される。λF=6
においてほぼ最適が達成される。この経過から、C1*
とC3の非直線性の影響は相反し、部分的の補償を許す
ことになる。この特性曲線から更に、特性曲線傾度は動
作点Qs/AlcOlの増大と共に一層小さいこと(Q
sの符号は負である)が分かる。
の偏差はλ)=oすなわちC3が無い場合に存在する。
λ(の値が増すに伴い、直線性が改善される。λF=6
においてほぼ最適が達成される。この経過から、C1*
とC3の非直線性の影響は相反し、部分的の補償を許す
ことになる。この特性曲線から更に、特性曲線傾度は動
作点Qs/AlcOlの増大と共に一層小さいこと(Q
sの符号は負である)が分かる。
ソースフォロアの特性曲線は之に対し反対の傾向を持つ
ことが有利である。従つて更に対応する付加の補償可能
性がある。E5に関し直接の電気的結合可能性があるが
、E3に対してはそうでないことを既に述べた。このこ
とは、E5の表面電位は電荷配分の際それぞれE3によ
り予定され、よつて酸化物容量のみが現われることに原
因する。すなわちドライバを使用する際と状況は類似で
ある。E3の入力容量に対してこのことは適用しない。
この発明による直線性の出力段は、4相CCDに対する
応用に限定されるものでなく、むしろ2相或は3相のC
CDに対しても適当する。
ことが有利である。従つて更に対応する付加の補償可能
性がある。E5に関し直接の電気的結合可能性があるが
、E3に対してはそうでないことを既に述べた。このこ
とは、E5の表面電位は電荷配分の際それぞれE3によ
り予定され、よつて酸化物容量のみが現われることに原
因する。すなわちドライバを使用する際と状況は類似で
ある。E3の入力容量に対してこのことは適用しない。
この発明による直線性の出力段は、4相CCDに対する
応用に限定されるものでなく、むしろ2相或は3相のC
CDに対しても適当する。
第1図はこの発明による出力段の接続、およびそれと例
えば共同動作する他の回路部分、第2図は出力段の動作
に対するクロックパルスダイヤグラム、第3図は信号電
荷受容の相におけるこの発明による回路に対する第1の
等価回路、第4図は信号電圧送出の相における第2の等
価回路、第5図は種々に仮定したパラメータによる動作
に対する特性曲線群を示す。 図において、A・・・・・・節点、A1・・・・・・評
価電極面積、AZ・・・・・ドライバーゲートの面積、
A3・・・スイッチングトランジスタのソース範囲面積
、C1・・・・・・評価電極の酸化物容量、C1木・・
・・・・評価電極の空間電荷容量、C2・・・・・・ド
ライバーゲートの容量、C3・・・・スイッチングトラ
ンジスタのソース範囲の空間電荷容量、E1・・・・・
・評価電極、E2・・・・順序電極、E3〜E5・・・
・・・第1〜第3の制御電極、QA・・・・・・節点A
における集合電荷、Qs・・信号電荷、SA・・・・・
・出力段、SE・・・・・・入力段、T1・・スイッチ
ングトランジスタ、T2・・・・・・ドライバトランジ
スタ、T3・・・・・負荷トランジスタ、TR・・・・
・・ドライバ段、t1〜T4・・・・・・時刻、U1・
・固定の補助電位、Ua・・・・・・出力信号電位、U
B・・・・動作電位、Uφ1・・・・・・正規のクロッ
ク電圧、φ1・・・・・・第1シフトクロック、φ4・
・・・・・シフトクロック、φDl,φD2・・・・・
・第1,第2の補助クロック、φR・・・・スイッチン
グクロック、φSA・・固定の表面電位、φS・・・・
表面電位、ΔTl,ΔT2・・・・・・時間間隔。
えば共同動作する他の回路部分、第2図は出力段の動作
に対するクロックパルスダイヤグラム、第3図は信号電
荷受容の相におけるこの発明による回路に対する第1の
等価回路、第4図は信号電圧送出の相における第2の等
価回路、第5図は種々に仮定したパラメータによる動作
に対する特性曲線群を示す。 図において、A・・・・・・節点、A1・・・・・・評
価電極面積、AZ・・・・・ドライバーゲートの面積、
A3・・・スイッチングトランジスタのソース範囲面積
、C1・・・・・・評価電極の酸化物容量、C1木・・
・・・・評価電極の空間電荷容量、C2・・・・・・ド
ライバーゲートの容量、C3・・・・スイッチングトラ
ンジスタのソース範囲の空間電荷容量、E1・・・・・
・評価電極、E2・・・・順序電極、E3〜E5・・・
・・・第1〜第3の制御電極、QA・・・・・・節点A
における集合電荷、Qs・・信号電荷、SA・・・・・
・出力段、SE・・・・・・入力段、T1・・スイッチ
ングトランジスタ、T2・・・・・・ドライバトランジ
スタ、T3・・・・・負荷トランジスタ、TR・・・・
・・ドライバ段、t1〜T4・・・・・・時刻、U1・
・固定の補助電位、Ua・・・・・・出力信号電位、U
B・・・・動作電位、Uφ1・・・・・・正規のクロッ
ク電圧、φ1・・・・・・第1シフトクロック、φ4・
・・・・・シフトクロック、φDl,φD2・・・・・
・第1,第2の補助クロック、φR・・・・スイッチン
グクロック、φSA・・固定の表面電位、φS・・・・
表面電位、ΔTl,ΔT2・・・・・・時間間隔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 評価電極が増幅器の入力と接続され、ゲート端子に
スイッチングクロックを導入されるスイッチングトラン
ジスタが備えつけられ、よつてスイッチングトランジス
タは読出し過程の間閉塞され、2回の読出し過程の間所
定の時間中導通される如くなる、電荷結合回路に対する
直線性出力段において、出力段SA中のスイッチングト
ランジスタTiが、第1のシフトクロックφ1を供給す
るクロック線と評価電極E1との間に挿入され、スイッ
チングクロックφRは時間的に下記のように、すなわち
、第1のシフトクロックφ1を供給するクロック線が読
出し過程の前に評価電極E1と接続され、読出し過程の
間評価電極から分離され、よつて信号電荷は、フローテ
ィングでなくむしろ固定電位にある所の電極において受
信されるように、時間的に配置され、補助電位U1に固
定的にある順序電極E2が備えられ、しかして一定の表
面電位φSAの印加のための、第1の補助クロックφD
1を供給する所の、クロック源と接続されたダイオード
が備えられたことを特徴とする電荷結合回路に対する直
線性出力段。 2 評価電極E1は、ドライバトランジスタT2および
負荷トランジスタT3から形成されソースフオロワとし
て動作する所の、ドライバ手段TRの入力と接続され、
しかしてドライバ手段TRの出力は、第1の制御電極E
3および入力段、殊に“フィルおよびスピル(Fill
andSpil)”入力段SEの第3制御電極E5と接
続されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
直線性出力段。 3 評価電極E1は、“フィルおよびスピル”入力段S
Eの第3の制御電極E5と直接に接続されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の直線性出力段。 4 信号電荷qsは評価電極E1の固定電位において完
全に収容さ、スイッチングクロックφRは第1のシフト
クロックφ1の終了の前の第1の時刻t1に遮断さ、従
つてスイッチングトランジスタT1が閉塞され、第1の
補助クロックφD1、および信号引継ぎに対して備えら
れた第2の補助クロックφD2が、第1の時間間隔Δt
1後第2の時刻を2において挿入され、その際第1の補
助クロックφD1により、表面電位φSAが評価電極E
1の下に調整され、表面電位はそれと補助電位U1との
差がピンチオフ電圧より大きいように選定され、第3の
時刻t_3第2の補助クロックφD2が遮断され、第2
の時間間隔Δを2の後に第4の時刻を4に第1の補助ク
ロックφD1が遮断され、しかしてスイッチングクロッ
クφRはシフトクロックサイクルの最後のシフトクロッ
クφ4の開始前に再び導通されることを特徴とする電荷
結合回路に対する直線性出力段の駆動方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2839834.7 | 1978-09-13 | ||
DE19782839834 DE2839834A1 (de) | 1978-09-13 | 1978-09-13 | Lineare ausgangsstufe fuer ladungsgekoppelte schaltungen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5542395A JPS5542395A (en) | 1980-03-25 |
JPS6043599B2 true JPS6043599B2 (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=6049348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54116626A Expired JPS6043599B2 (ja) | 1978-09-13 | 1979-09-11 | 電荷結合回路に対する直線性出力段およびその駆動方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4302685A (ja) |
JP (1) | JPS6043599B2 (ja) |
DE (1) | DE2839834A1 (ja) |
FR (1) | FR2436470A1 (ja) |
GB (1) | GB2030406B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4631739A (en) * | 1984-11-28 | 1986-12-23 | Xerox Corporation | High dynamic range charge amplifier |
US5748035A (en) * | 1994-05-27 | 1998-05-05 | Arithmos, Inc. | Channel coupled feedback circuits |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3623132A (en) * | 1970-12-14 | 1971-11-23 | North American Rockwell | Charge sensing circuit |
DE2541686A1 (de) * | 1975-09-18 | 1977-03-24 | Siemens Ag | Regenerierschaltung fuer ladungsgekoppelte elemente |
DE2602520B2 (de) * | 1976-01-23 | 1978-02-02 | Linearer ausgangsverstaerker fuer ladungsgekoppelte elemente | |
US4139784A (en) * | 1977-08-02 | 1979-02-13 | Rca Corporation | CCD Input circuits |
-
1978
- 1978-09-13 DE DE19782839834 patent/DE2839834A1/de not_active Ceased
-
1979
- 1979-09-05 FR FR7922201A patent/FR2436470A1/fr active Granted
- 1979-09-06 US US06/072,980 patent/US4302685A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-09-11 JP JP54116626A patent/JPS6043599B2/ja not_active Expired
- 1979-09-12 GB GB7931630A patent/GB2030406B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2030406B (en) | 1982-11-24 |
FR2436470B1 (ja) | 1983-08-05 |
US4302685A (en) | 1981-11-24 |
GB2030406A (en) | 1980-04-02 |
JPS5542395A (en) | 1980-03-25 |
DE2839834A1 (de) | 1980-03-27 |
FR2436470A1 (fr) | 1980-04-11 |
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