JPS603716B2 - 電荷結合素子に対する直線性出力増幅器 - Google Patents

電荷結合素子に対する直線性出力増幅器

Info

Publication number
JPS603716B2
JPS603716B2 JP52006686A JP668677A JPS603716B2 JP S603716 B2 JPS603716 B2 JP S603716B2 JP 52006686 A JP52006686 A JP 52006686A JP 668677 A JP668677 A JP 668677A JP S603716 B2 JPS603716 B2 JP S603716B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier
output
transistor
input
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52006686A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5291623A (en
Inventor
カルルハインリツヒ・ホルニンガ−
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPS5291623A publication Critical patent/JPS5291623A/ja
Publication of JPS603716B2 publication Critical patent/JPS603716B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/30Time-delay networks
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G11C19/282Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
    • G11C19/285Peripheral circuits, e.g. for writing into the first stage; for reading-out of the last stage
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C27/00Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C27/00Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/04Shift registers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/303Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters using a switching device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3217Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in single ended push-pull amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電荷結合素子に対する直線性出力増幅器に係
る。
電荷結合素子はアナログレフトレジスタとして使用可能
なので、アナログ信号の処理に対し重要である。
電荷結合素子の普通の出力回路は、ソースフオロワとし
て構成される。その際著しい負荷抵抗を持つMOSソー
スフオロワの非道線特性は、高抵抗のソース抵抗により
充分に直線性にされる。PrMedin鱗ofthel
EEE、63巻、1号、1978王1月、斑乃至67頁
掲載のD.F.Barbe氏の論文“lmagngde
vices 雌lng the char群coupl
edcomeprにかかる出力回路が記載されている。
しかしこの回路の高抵抗のソース抵抗は、出力回路の上
部限界周波数を著しく低下させる欠点をもたらす。他の
欠点はかかるソースフオロワの増幅度が常に1より小さ
い点にある。この発明の目的は上記の欠点を除去した、
電荷結合素子に対する直線性出力増幅器を得ることにあ
る。この目的を達成するためこの発明により、増幅器が
スイッチングトランジスタおよび負荷素子を備え、スイ
ッチングトランジスタおよび負荷素子は増幅器の出力点
において直列に接続され、スイッチングトランジスタの
ゲート端子が増幅器の入力を表わし、増幅器の入力がC
CD回路と接続され、増幅器の出力および入力の間にト
ランジスタが備えられ、これにより入力が出力と電気的
に接続可能であるようにされるのである。
この発明の重要な利点は、半導体チップにおいて増幅器
v21が達成可能であり、この発明によるMOS増幅器
が常に直線領域で動作する点にある。
この発明の他の利点は、この発明のMOS増幅器の雑音
が、増幅器の飽和動作で動作することにより極めて小さ
い点にある。
従って増幅器の雑音は全回路の全雑音に対し小さい。次
に図面についてこの発明を説明する。
第1図および第3図はこの発明による直線性出力増幅器
の回路およびCCD回路への接続を線図的表現で示す。
第2図は第1図によるこの発明の増幅器の動作特性を示
す。第1図はCCD回路の出力段を示す。
之は半導体材料例えばシリコンから成る基板1から成る
。シリコン基板1と反対にドーブされた出力拡散領域を
2で示す。この出力拡散領域はスイッチングトランジス
タ6のゲート電極62と接続される。このスイッチング
トランジスタ6は点61において直列に接続されたトラ
ンジスタ7と一緒に出力増幅器8を形成する。その際ゲ
ート端子62は出力増幅器の入力を、しかして点61を
表わす。スイッチングトランジスタ6は一方において点
61と、他方において第1の給電電圧端子63と接続さ
れる。トランジスタ7は一方において点61と、他方に
おいて第2の給電電圧端子72と接続される。給電電圧
U。oは第1の給電電圧端子63および第2の給電電圧
端子72の間に存在する。端子63は接地すると有利で
ある。トランジスタ7は負荷トランジスタとして役立つ
そのゲートは給電電圧端子72と接続されるか、或は点
711こおいて別個の給電電圧と接続される。各議出し
過程の前に増幅器はその動作点にリセットする必要があ
る。この動作点は常に増幅器の伝送特性の直線範囲に存
在すべきである。この目的でトランジスタ4を備え、之
はそのゲート端子41を経て制御可能であり、かつその
導適状態において出力増幅器の出力61を入力62と援
続する。トランジスタ4が電圧パルス◇4,の補助によ
り導適状態にセットされた場合、出力増幅器の出力61
が入力62と接続される。その際第2図に示す動作点P
或はP′に調整される。第2図は出力増幅器の出力61
に存在する電圧U^と、入力62に印加される電圧UF
との関係を示す。動作点P或はP′は、出力電圧U^が
入力電圧OEと等しいことによって特徴ずけられる。第
2図において動作点P或はP′を通って画かれた直線G
は、伝送特性を直線範囲KL或はK′Lおよび非直線範
囲KN或はK′Nに分離する。伝送特性およびその性質
はMc GrawHill社、米国、1976年版R.
日.Crawford氏著の書籍“MOSFET in
ci−rcuitdesign’’に記載されている。
導通したトランジスタ或はそのゲート端子41に印加さ
れた電圧パルスで4,により出力増幅器は動作点P或は
P′にセットされ、同時に出力拡散領域2がトランジス
タ7を経てバイアスされる。
続いて電荷パケットがバイアスされたpn遷移部の空間
電荷領域21中に達すると、トランジスタ6のゲートに
おける電圧は低下し、このことは入力62における入力
電圧U耳が4・さくなることを意味する。議出し過程の
際トランジスタ4は閉塞される。この理由から特性曲線
KL或はK′Lが、殊に動作点P或はP′から小さいU
E値の方向に、従って出力電圧U^の大きい値の方向に
移行される。このことは動作特性の直線部分KL或はK
′Lが使用され、そのために信号の直線増幅が得られる
ことを意味する。第2図に種々の抵抗比に対する2個の
特性曲線を示す。
特性曲線K′LがKLの方向に、従って大きい増幅の方
向にシフトすればする程、pn遷移部をバイアスする電
圧UR或はU′Rは小さい。従って所与のCCDによっ
て最大の増幅が達成され、これは普通のCCD回路にお
いて2乃至8のオーダである。第1図に示すトランジス
タ3および5は、トランジスタ4に対称に直列に接続さ
れ、かつそのゲート端子が端子31を経て共通に制御可
能であるが、之は増幅器の出力61に、或はCCDの出
力拡散領域2に電圧パルス?4,のクロツク結合が達し
ないために役立つ。
これらトランジスタのゲート端子は一定の直流電圧Uo
にある。この発明の出力増幅器は制御電極(CCD電極
)に接続することもできる。
その際出力増幅器が拡散領域と接続される前述の装置と
は反対に、電荷を破壊ないこ論出すことができる。第3
図は出力増幅器のCCD制御電極への穣綾を示す。制御
電極は9で示してある。既に第1図について述べた第3
図の各部には対応する参照記号をつけてある。
【図面の簡単な説明】 第1図および第3図はこの発明による直線性出力増幅器
の回路およびCCD回路への接続を線図的表現で示し、
第2図は第1図によるこの発明の増幅器の動作特性を示
す。 Fi9.1 Fi9.2 Fig.3

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 増幅器8はスイツチングトランジスタ6および負荷
    素子7を備え、スイツチングトランジスタ6および負荷
    素子7は、増幅器8の出力を表わす点61において直列
    に接続され、スイツチングトランジスタ6のゲート端子
    62が増幅器8の入力を表わし、増幅器8の入力62が
    CCD回路と接続され、増幅器8の出力61および入力
    62の間のトランジスタ4が備えられ、これにより入力
    62が出力61と電気的に接続可能であることを特徴と
    する電荷結合素子に対する直線性出力増幅器。 2 負荷素子7は電界効果トランジスタであり、その負
    荷抵抗はゲート端子71の電圧の印加により変化可能で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の出力
    増幅器。 3 トランジスタ4の制御パルスφ_4_1によるクロ
    ツク結合を阻止するため、トランジスタ4および増幅器
    8の入力62の間にトランジスタ3が挿入され、かつト
    ランジスタ4および増幅器8の出力61の間にトランジ
    スタ5が挿入され、両トランジスタ3,5のゲート端子
    が端子31と接続されることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項或は第2項記載の出力増幅器。 4 スイツチングトランジスタ6、負荷素子7、トラン
    ジスタ4および両トランジスタ3,5はMOS電界効果
    形トランジスタであることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項ないし第3項のいずれかに記載の出力増幅器。 5 増幅器の入力62はCCD回路の出力拡散領域2と
    接続されることを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
    し第4項のいずれかに記載の出力増幅器。 6 増幅器の入力62はCCD回路の制御電極9と接続
    されることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
    4項のいずれかに記載の出力増幅器。
JP52006686A 1976-01-23 1977-01-24 電荷結合素子に対する直線性出力増幅器 Expired JPS603716B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE26025207 1976-01-23
DE19762602520 DE2602520B2 (de) 1976-01-23 1976-01-23 Linearer ausgangsverstaerker fuer ladungsgekoppelte elemente

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5291623A JPS5291623A (en) 1977-08-02
JPS603716B2 true JPS603716B2 (ja) 1985-01-30

Family

ID=5968126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52006686A Expired JPS603716B2 (ja) 1976-01-23 1977-01-24 電荷結合素子に対する直線性出力増幅器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4074206A (ja)
JP (1) JPS603716B2 (ja)
BE (1) BE850641A (ja)
DE (1) DE2602520B2 (ja)
FR (1) FR2339284A1 (ja)
GB (1) GB1511984A (ja)
IT (1) IT1076529B (ja)
NL (1) NL7700391A (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2258783B1 (ja) * 1974-01-25 1977-09-16 Valentin Camille
DE2839834A1 (de) * 1978-09-13 1980-03-27 Siemens Ag Lineare ausgangsstufe fuer ladungsgekoppelte schaltungen
US4388532A (en) * 1981-04-27 1983-06-14 Eastman Kodak Company Solid state image sensor with image sensing elements having charge coupled photocapacitors and a floating gate amplifier
JP2672507B2 (ja) * 1987-05-21 1997-11-05 株式会社東芝 電荷転送素子
NL8701528A (nl) * 1987-06-30 1989-01-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voozien van een ladingsoverdrachtinrichting.
DE3886040D1 (de) * 1988-08-08 1994-01-13 Siemens Ag Breitbandsignal-Koppeleinrichtung.
JP2666522B2 (ja) * 1990-05-14 1997-10-22 日本電気株式会社 電荷転送装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3392341A (en) * 1965-09-10 1968-07-09 Rca Corp Self-biased field effect transistor amplifier
US3656011A (en) * 1971-02-02 1972-04-11 Rca Corp Charge coupled device
US3836862A (en) * 1972-08-14 1974-09-17 Gen Instrument Corp Field effect transistor linear amplifier with clocked biasing means
JPS5339211B2 (ja) * 1973-10-26 1978-10-20

Also Published As

Publication number Publication date
US4074206A (en) 1978-02-14
DE2602520B2 (de) 1978-02-02
GB1511984A (en) 1978-05-24
BE850641A (fr) 1977-05-16
JPS5291623A (en) 1977-08-02
DE2602520C3 (ja) 1978-10-05
FR2339284B1 (ja) 1980-10-17
IT1076529B (it) 1985-04-27
DE2602520A1 (de) 1977-07-28
FR2339284A1 (fr) 1977-08-19
NL7700391A (nl) 1977-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3914702A (en) Complementary field-effect transistor amplifier
US3031588A (en) Low drift transistorized gating circuit
KR920019087A (ko) 승산기 및 이 승산기에 사용되는 제곱 회로
KR920001828A (ko) 적분 회로
EP0448951B1 (en) Low-noise amplifier with high input impedance, particularly for microphones
Berglund Analog performance limitations of charge-transfer dynamic shift registers
KR970031232A (ko) 차동증폭기를 갖는 이득 제어 증폭회로(gain controlled amplification circuit having differential amplifier)
JPS603716B2 (ja) 電荷結合素子に対する直線性出力増幅器
JPS614310A (ja) レベルシフト回路
KR900000992B1 (ko) Mos 트랜지스터 증폭기
US2773250A (en) Device for storing information
US3281718A (en) Field effect transistor amplitude modulator
US3986060A (en) Compound transistor circuitry
US3449683A (en) Operational thin film amplifier
US4059811A (en) Integrated circuit amplifier
US3443240A (en) Gain control biasing circuits for field-effect transistors
US2936424A (en) Transistor amplifier
JP2005507202A5 (ja)
US3460050A (en) Integrated circuit amplifier
TW589781B (en) Gain stage that minimizes the miller effect
US5430413A (en) High gain, low distortion, faster switching transistor
JPH0461524B2 (ja)
US3582801A (en) Voltage amplifying circuit
JP3147597B2 (ja) モノリシック集積回路
JPH1065464A (ja) マイクロ波回路