JPS6042808A - 雑音防止素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は電子回路に実装する雑音防止素子に関する。

〈従来技術） 例えば、東ν・ｉ等に塔載される電子機器においては、
同し車両にカーエンタテイメントとして無線機や車載ラ
シ」等も塔載されるため、例えば無線機からの強力な放
射電波等によりその機能を１ｒＩなわれずに正常に動作
し、かつ電子機器自らが発生ずる回１７＆雑音が車載ラ
ジオ等にＮｄ洩、混入して受信妨害を与えることがない
よう両者が共存゛］るための￥１を音防１１一手段を設
ＬＪる７ｇ・要かある。

そこで、□この雑音防止を目的として１７を来では第１
図に示ず」、・うに電子機器の入出力回路基板Ｉのコネ
クタ２と回路側と結ぶ入出力線にコンデンサ３を設ける
ごとによりコンデンザフィルりを１市大する方法がしば
しば用いられている。このフィルタ構成の場合には、高
周波での雑音バイパス作用を得るため、誘電体材料とし
て高周波特性が良く、比較ＪＩ男有口１容星１１られる
セラミ’７り（磁器）を用いた第２図に示すようなコン
デンサ３が用いられている。この＝Ｉンデンサ３は円板
状のセラミックからなる誘電体３　ａの両面に電極３ｂ
を形成し各電極３ｂにリート線３ｃ／！−接続した構造
になっており、ソー１線３ｃを介して回路基板１十に実
装するようになっている。

ところが、雑音防止素子と（７てごのよ・うなコンデン
サ３を用いた場合、ソー１線３（７が有す、乙インダク
タンス分のため、車両の雑音環境で特に問題となる５０
Ｍ１ｌＺ〜２００Ｍｔｌｚの高周波数域においては、そ
の高周波バイパス効果が十分発揮されないという欠点を
イＩＵ７°ζいる。

この欠点を解消するには、雑音防止素子として第３図Ｉ
Ａ１．　＋１１１に示すような円筒状に形成したセラミ
ック誘電体５の内・外周面にそれぞれ導体を設４Ｊで電
極６．７を形成したリード線長が実質的に零となるよ・
）な貫通型セラミックコンデンサを用いればよい。

とごろが、従来の貫通型セラミックコンデンサでは、そ
の構造−１−回路基板−ヒに実装することが、難しくＪ
Ｉ！、扱外に導体からなる仕切板を設けこの仕り」仮に
孔をあけてこの孔に貫通型コンデンサを固定するという
方法を取らなければならないという１１Ｖ付作業１−の
大きな制約を有するという不具合があった。

〈発明の目的〉 本発明は１−記の実情に鑑みてなされたもので、従来の
貫通型セラミ’７クコンデンサ構造を回路基板への実装
に適した構造に改良することにより、回路基板への実装
性を高め、かつ高い周波数域（も十分な雑音防止効果が
得られるようにすることを目的とする。

〈発明の構成〉 円柱又（、（角゛柱形状をなしかつ中空状に形成したセ
ラミック誘導体の両端外周面に誘電体中空部に設りた導
体部を介して互いに接続する第１電極を設けると共に、
誘電体の中央外周面に第１電極と絶縁された筒状導体か
らなる第２電極を設ける構成とした。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。

第４図ＩＡ１〜ＩｃＩは本発明に係わる雑音防１Ｆ素子
の第１実施例を示すもので、例えば円筒状に焼成したセ
ラミック誘電体１１の両端部に、キャップ状の導体を被
冠させ誘導体を誘電体中空部を貫通ずる導体１２を介し
て相互に接続して第１電極１３を形成すると共に、前記
誘電体１１の中央外周部に前記第１電極１３とは絶縁し
゛ζ筒状導体を設けて第２電極１４を形成″し、これら
セラミック誘電体１１．第１及び第２電極１３．１４に
より本実施例の雑音防止素子１５が構成されている。

次にこの雑音防１１．素子１５の回路基板への実装例を
第５図ＩＡＩ、　１ｔｉｌに示す。

この雑音防止素子１５を回路基板上に実装する場合には
、回路基板ＩＦの入出力線パターンを雑音防止素子１５
の寸法に合わせ一ζコネクタ側２１と回路側２２に分断
し、この分断したそれぞれの端部にランｌ’２３．２４
を形成する。また、前記ラント２３と２４との間に、回
路基板ｌの固定ネジ２６を介し”ζゲースにアースした
アースパターン２５を形成する。

そして、雑音防止素子１５の両端部に設けた第１電極１
３番、アースパターン２５を挾んで形成されているラン
ド２３．２４　ｌ：に重ねかつ中央部の第２電極１４を
′ｌｌススターン２５上に市ねて仮留めし、他の抵抗、
コンデンサ、コイル等のチップ部品と共にハンダ付けに
よって装着すればよい。

以−１−のよう番にかかる雑音防止素子１５の構成によ
れば、従来の円板型セラミ゛ツクコンデンサの問題点で
あるり−ト線によるインダクタンスが、ないため、アー
スパターンを広くすれば２００Ｍ１ｌｚ程度までなら十
分な高周波バイパス効果を得ることができ、雑音防＋１
＝性能の良好な優れた電子機器を得ることができる。し
かも、回路基板への実装作業に関して、リード線を基板
パターンの孔に挿入するという作業がなく、また従来の
貫通型コンデンサのような回路基板に実装する際の制約
もなく、抵抗等の他のチップ部品と同様の方法で基板に
取り付けられるので、基板上への実装作業が極めて簡準
に行うことができる。従って、小型、軽量でしかも雑音
防止面で優れた性能を有する電子ユニットを量産性を損
なうことなく低コストで提供することができる。

また、−ヒ記実施例では誘電体１］の中空部に導体１２
を貫通させて誘電体両端の第１電極１３を相互に接続す
る構成としたが第６図に示すよ・うに形成してもよい。

即ち、セラミックを例えば第１実施例と同様に円筒形に
焼成し゛（形成した第６図ＩＡＩに示すようなｐラミッ
ク誘電体３１の内周全面とこの内周面に続く両端面とこ
の両端面に続く端部外円面とに連続場る導体膜を形成し
て第１電極３２とすると共に、中央部外周面にも前記第
１電極３２と絶縁した導体膜を形成して第２電極３３と
して雑音防止素子３４を形成してもよい（第６図＋Ｂｌ
、　ｆｃｌ参照）。

この場合、第７図に示すように中心部の貫通孔を暴くた
めに雑音防１（二素子３４両端部に導体からＸ１″るキ
ャップ３５を被冠させてるようにしてもよい。

この雑音防ＩＬ素子３４を回路基板に実装する場合は第
１実施例のものと同様に行えばよ（、また、そのり」果
も同様のものが得られる。

面、上記実施例の雑音防止素子はいずれも円柱状に形成
しであるが、例えば第８図に示すような角柱状の雑音防
ＩＬ素子４０にしてもよいことは勿論である。

〈発明のりＪ果〉 以上述べたように本発明によれは、リート線がなく一般
のチップ部品と同様にしてプリント基板に直接実装でき
る構成としたので、高い周波数ｊ・友までも十分な高周
波バイパス効果を得ることができ雑音防止性能が向」二
すると共に、回路基板への実装性を向上できる。従って
、小型５軽鼠でかつ性能の優れた電子ユニットを量産性
を損なうことなく低コストで提供できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の回路基板への実装例を示す図、第２図は
従来の雑音防止素子上して使用される円板型セラミック
コンデンサの構成図、第３図ｆＡｌ。 （１３）はそれぞれ従来の貫通型セラミノクコンデンザ
を示す図、第４図は本発明に係わる雑音防止素子の１実
施例を示し、ｆＡｌは正面図、（ＩＩ）は横断面図、ｆ
ｃｌは縦断面図、第５図は第４図の雑音防止素子の回路
実装例を示す図で、ｆＡｌは実装前の回１１８基板図、
ｆＢｌは実装後の回路基板図、第６図＋Ａｌ〜（０）は
本発明の第２実施例を示す図、第７図は同上第２実施例
の変形態様の説明図、第８圓は本発明の第３実施例を示
す斜視図である。 １１　、　、３１・・・セラミック誘電体　１３．３２
・・・第１電極　１４．３３・・・第２電極　＋５．３
４．４０・・・雑音防１１−素子 特許出願人　日産自動車株式会社 代理人　弁理士　笹　島　冨二雄 第１図 （Ａ）（Ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 円柱又は角柱形状をなしかつ中空状に形成したセラミッ
   ク誘電体と、該誘電体の両端外周面に形成され誘電体中
   空部に設けた導体部を介して互いに電気的に接続される
   第１電極と、前記セラミ・ツク誘電体の中央外周面に前
   記第１電極と電気的に絶縁されて形成した筒状導体から
   なる第２電極とで構成しまたことを特徴とする雑音防１
   ヒ素子。