JPS604274A - 光電変換部材 - Google Patents
光電変換部材Info
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- JPS604274A JPS604274A JP58112169A JP11216983A JPS604274A JP S604274 A JPS604274 A JP S604274A JP 58112169 A JP58112169 A JP 58112169A JP 11216983 A JP11216983 A JP 11216983A JP S604274 A JPS604274 A JP S604274A
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- film
- electrode
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- resistance
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/227—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier
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- Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光電変換部材に関し、詳しくはアモルファスシ
リコンを用いた光センサに利用できる光電変換部材の改
良に係る。
リコンを用いた光センサに利用できる光電変換部材の改
良に係る。
近年、複写機やファクシミリ等の光電変換部の小形化す
るために原稿と同寸法の読取幅をもった光センサの開発
がすされている。従来光センサの光電変換部材として（
まＣｄＳ −ＣｄＳｅ 、 Ｓｅ −Ａｓ Ｔｅ等が検
問されているが光応答時間が１２ ｍｓと遅いため、た
とえは１ ｍｓ ／ １ｉｎｅ程度の高速読１み出しが
不可能である。
るために原稿と同寸法の読取幅をもった光センサの開発
がすされている。従来光センサの光電変換部材として（
まＣｄＳ −ＣｄＳｅ 、 Ｓｅ −Ａｓ Ｔｅ等が検
問されているが光応答時間が１２ ｍｓと遅いため、た
とえは１ ｍｓ ／ １ｉｎｅ程度の高速読１み出しが
不可能である。
そこで最近光応答時間が１ｍ５ｌＪ、下というアモルフ
ァスシリコン（以下ａ Ｓｔと記す。）が光電変換部材
として注目をあびて来た。ａ −３ｉはＳｉＨ４，５ｉ
２ｅｓ等のＳｉを含むガスをグロー放電ｌこよって分解
して成１１Ｑされるが、その暗抵抗比は最良のＵ＝ Ｗ
のもので１０” Ｑ−ｃｍ、 ６５０ｎｍの波長で１０
Ｉ５ｐｈｏｔｏｎｓ ／ｃｄの光に対して１０７Ｑ −
ｃ＋ａの光抵抗を示す。ところが、暗抵抗が１０１１９
・Ｃｒｎであるためａ −３ｉ膜の上下に直接、電極で
はさんで、電圧を印加する構成の９′Ｃセンサでは、電
極からの電荷の注入によって暗電流が増大してＳＮ比が
低下してしまったり、また、光照射のくり返しによって
ａ−８ｉ膜が劣化してしまい、暗抵抗比がさらζこ小さ
くなり、従ってさらに暗電流が増大するという不具合点
がある。たとえは１．５ｖの動作１０５圧に対して暗電
流が１０ Ａ／−と大きく、才た、光照射のくり返しを
行なうと１０−８．Ａ／門、 １０−７Ａ／ｍと増大し
て行く。Ｇ５４の蛍光灯で１００ Ｌｕｘ照射した時の
光抵抗が１０”−７Ａ／−であるから、長時間の使用に
対してほさんとＳ／Ｎ比がとれない。
ァスシリコン（以下ａ Ｓｔと記す。）が光電変換部材
として注目をあびて来た。ａ −３ｉはＳｉＨ４，５ｉ
２ｅｓ等のＳｉを含むガスをグロー放電ｌこよって分解
して成１１Ｑされるが、その暗抵抗比は最良のＵ＝ Ｗ
のもので１０” Ｑ−ｃｍ、 ６５０ｎｍの波長で１０
Ｉ５ｐｈｏｔｏｎｓ ／ｃｄの光に対して１０７Ｑ −
ｃ＋ａの光抵抗を示す。ところが、暗抵抗が１０１１９
・Ｃｒｎであるためａ −３ｉ膜の上下に直接、電極で
はさんで、電圧を印加する構成の９′Ｃセンサでは、電
極からの電荷の注入によって暗電流が増大してＳＮ比が
低下してしまったり、また、光照射のくり返しによって
ａ−８ｉ膜が劣化してしまい、暗抵抗比がさらζこ小さ
くなり、従ってさらに暗電流が増大するという不具合点
がある。たとえは１．５ｖの動作１０５圧に対して暗電
流が１０ Ａ／−と大きく、才た、光照射のくり返しを
行なうと１０−８．Ａ／門、 １０−７Ａ／ｍと増大し
て行く。Ｇ５４の蛍光灯で１００ Ｌｕｘ照射した時の
光抵抗が１０”−７Ａ／−であるから、長時間の使用に
対してほさんとＳ／Ｎ比がとれない。
そこで、例えばセラミック基板上にＣｒ電極。
ａ −８１膜、ＩＴＯ膜と順次積層した後アニールを行
なう事をこよりａ−８ｉ膜とＩＴＯ膜さの間にショット
キーバリアを形成させ、ＩＴＯ電極側からの電荷の注入
を防止するという提案がなされている。この構成であれ
ばＩＴＯ電極側を負（≠とじて１゜５■の電圧を印加し
た時の暗電流が１０” Ａ／−であり、光分１．Ｉ Ｓ
／ Ｎ比がとれることがわかった。しかし、連続１０
００時間の通電試験を行なったところ、徐々にショット
キーバリアの障壁が１３ｒｅａｋ Ｄｏｗｎ （破壊）
され、全２００ビツト中３０ビツトが不良になってしま
うという不具合点があった。また、この構成であっても
印加する電圧を徐々にｊ＋；ｉ４ Ｌ／て行くと、１０
Ｖ近くでやはりショットキーバリアが破壊され、耐圧が
小さいという不具合点があった。
なう事をこよりａ−８ｉ膜とＩＴＯ膜さの間にショット
キーバリアを形成させ、ＩＴＯ電極側からの電荷の注入
を防止するという提案がなされている。この構成であれ
ばＩＴＯ電極側を負（≠とじて１゜５■の電圧を印加し
た時の暗電流が１０” Ａ／−であり、光分１．Ｉ Ｓ
／ Ｎ比がとれることがわかった。しかし、連続１０
００時間の通電試験を行なったところ、徐々にショット
キーバリアの障壁が１３ｒｅａｋ Ｄｏｗｎ （破壊）
され、全２００ビツト中３０ビツトが不良になってしま
うという不具合点があった。また、この構成であっても
印加する電圧を徐々にｊ＋；ｉ４ Ｌ／て行くと、１０
Ｖ近くでやはりショットキーバリアが破壊され、耐圧が
小さいという不具合点があった。
本発明は、上記事情ζこもとづきなされたもので、ぞの
目的とするところは、光電流と暗電流との比が太きくＳ
Ｎ比を向上させ、かつ耐圧にすぐれた一Ｘ、電変換部材
を提供しようとするものである。
目的とするところは、光電流と暗電流との比が太きくＳ
Ｎ比を向上させ、かつ耐圧にすぐれた一Ｘ、電変換部材
を提供しようとするものである。
本発明は、かかる目的を達成するために、第１の電極、
少なくともＳｊをぎむ第１の高抵抗１１ＬＳＩを母体と
して水素又はハロゲンの少なくとも一方を含むアモルフ
ァスシリコン光導電性膜、少なくともＳｉを含む第２の
高抵抗膜、及び透光性の第２０）ｉ１℃極を順次１３４
層した後、１５０〜３００℃でアニールを行なうことに
より元′蹴変換部材を構成するようにしたものである。
少なくともＳｊをぎむ第１の高抵抗１１ＬＳＩを母体と
して水素又はハロゲンの少なくとも一方を含むアモルフ
ァスシリコン光導電性膜、少なくともＳｉを含む第２の
高抵抗膜、及び透光性の第２０）ｉ１℃極を順次１３４
層した後、１５０〜３００℃でアニールを行なうことに
より元′蹴変換部材を構成するようにしたものである。
以下本発明の一実施例を図面を乏照しながら説明する。
第１図は本発明の光電変換部材としてのａｓｉフ’ｅセ
ンサの層構成を示すもので、表面をグレーズ処理した酸
化アルミニウム等のセラミツク基板１上に第１の電極と
してのＣｒ ｔ 、１ｆｆｉ２ 、 Ｓｉ及びＣを母体
としたアモルファスで形成された高抵抗の第１の薄膜５
および第２の電極としての透光性のＩＴＯ電極６を順次
積層した構成となっている。
ンサの層構成を示すもので、表面をグレーズ処理した酸
化アルミニウム等のセラミツク基板１上に第１の電極と
してのＣｒ ｔ 、１ｆｆｉ２ 、 Ｓｉ及びＣを母体
としたアモルファスで形成された高抵抗の第１の薄膜５
および第２の電極としての透光性のＩＴＯ電極６を順次
積層した構成となっている。
さらに、本発明では上記層構成で成ＩＩＩ！を行なった
後１５０〜３００℃の間の所定のｌ黒度でアニールを行
なう。この時、Ｓｉ及びＣ８−母体としたアモルファス
で形成された高抵抗の薄膜３及び５はより具体的にはバ
ンドギャップ１−８ｅＶ以上、暗抵抗比１０″１０＋ｍ
以上のａ −８ｉ ｘＣ４−ｘ：Ｈ膜を用いる。
後１５０〜３００℃の間の所定のｌ黒度でアニールを行
なう。この時、Ｓｉ及びＣ８−母体としたアモルファス
で形成された高抵抗の薄膜３及び５はより具体的にはバ
ンドギャップ１−８ｅＶ以上、暗抵抗比１０″１０＋ｍ
以上のａ −８ｉ ｘＣ４−ｘ：Ｈ膜を用いる。
次に本発明の層構成のａ−８ｉ光センサの効果を示す。
ＩＴＯ電極６とａＳｉ：Ｈ膜４の間の第２の高抵抗性に
より、例えばＩＴＯ電極６に負の電圧を印加した時、負
の電荷が、ａ−８ｉ：Ｈ膜４中へ注入されるのｆ ｌ５
１４市する。さらには、本発明では、成膜後Ｏこ１５０
〜３００℃でアニールを行なっているためａＳｉ二Ｈル
莫４とＩＴＯ電極６との間にショットキーバリアが形成
されるので、Ｉ ＴＯｔｌ、７極６からの負電Ｒ：ｉの
阻止はより強固とＩよる他、アニールする一１！＋こよ
り本来ａｓｉｘｃ４−ｘ：Ｈ膜５では生ずるはずのない
整流性が現われ、光照射時の光電流を減少させる事なく
、暗電流をより減少さぜる寝ができる小がわかった。
より、例えばＩＴＯ電極６に負の電圧を印加した時、負
の電荷が、ａ−８ｉ：Ｈ膜４中へ注入されるのｆ ｌ５
１４市する。さらには、本発明では、成膜後Ｏこ１５０
〜３００℃でアニールを行なっているためａＳｉ二Ｈル
莫４とＩＴＯ電極６との間にショットキーバリアが形成
されるので、Ｉ ＴＯｔｌ、７極６からの負電Ｒ：ｉの
阻止はより強固とＩよる他、アニールする一１！＋こよ
り本来ａｓｉｘｃ４−ｘ：Ｈ膜５では生ずるはずのない
整流性が現われ、光照射時の光電流を減少させる事なく
、暗電流をより減少さぜる寝ができる小がわかった。
また、Ｃｒ＠極２とａ−８ｉ：Ｈ膜４の間の第１の高抵
抗ａ ５ｉｘＣ４−Ｘ ： Ｈｌｌ’Ｊ ３は、Ｃｒ電
極２の側からの正の電荷かａ Ｓｉ：Ｈ１１％４中へ注
入されるのを阻止する機能がある。しかし光照射時にこ
の膜４中で発生するキャリアの自負のキャリアがＣｒ’
Ｅ極２へ到達するのｆ ｉＵｉ止してしまうため、その
膜厚は充分に眼定しなければならない。本発明者が、そ
の膜厚の検討を行なった結果、第１のａ ５ｉｘＣ４−
、（： Ｈ膜３の膜厚は３０Ｘ以下であっては、本来の
ａ Ｓｉ ＸＣ４−Ｘ ： Ｈ膜の電荷注入阻止能力が
損なわれ、１００ＯＸ以上の厚膜では、光照射時に光電
流が減少し、充分な信号電圧が得られない事が判１３＋
コシた。
抗ａ ５ｉｘＣ４−Ｘ ： Ｈｌｌ’Ｊ ３は、Ｃｒ電
極２の側からの正の電荷かａ Ｓｉ：Ｈ１１％４中へ注
入されるのを阻止する機能がある。しかし光照射時にこ
の膜４中で発生するキャリアの自負のキャリアがＣｒ’
Ｅ極２へ到達するのｆ ｉＵｉ止してしまうため、その
膜厚は充分に眼定しなければならない。本発明者が、そ
の膜厚の検討を行なった結果、第１のａ ５ｉｘＣ４−
、（： Ｈ膜３の膜厚は３０Ｘ以下であっては、本来の
ａ Ｓｉ ＸＣ４−Ｘ ： Ｈ膜の電荷注入阻止能力が
損なわれ、１００ＯＸ以上の厚膜では、光照射時に光電
流が減少し、充分な信号電圧が得られない事が判１３＋
コシた。
以下、具体例を説明下る。すなわち、酸化アルミニウム
等のセラミック基板ｌ上Ｏこグレーズ処理をほどこした
後蒸ガＩこよってＣｒ市イタ２を３００ＯＡ成膜した。
等のセラミック基板ｌ上Ｏこグレーズ処理をほどこした
後蒸ガＩこよってＣｒ市イタ２を３００ＯＡ成膜した。
Ｐ、Ｅ、Ｐ（フォト、エンクリージングプロセス）によ
ってＩ Ｘ ｉ ｙｒｎｉ角のＣｒ醒他極２２００ピツ
トのバターニングを行なった後第２図に示す真空反応容
器１０内にサンプル１２・・をセットした。
ってＩ Ｘ ｉ ｙｒｎｉ角のＣｒ醒他極２２００ピツ
トのバターニングを行なった後第２図に示す真空反応容
器１０内にサンプル１２・・をセットした。
まず、真空反応谷滞１０内を図示しない拡散ポンプ、ロ
ータリーポンプによって１．Ｑ ｔｏｒｒの真空に引く
と同時にヒーター１１をｊｆｂ作させ、サンプル１２で
あるＣ ｒ 眠＆ ２・・・のバターニングの終ったセ
ラミック基鈑１を２５０℃の温度に昇温しておく。バル
ブ１３ｆｔ４’Ａζこしガス導入管１４より純シラン（
ＳｉＨ，）ガス（流量３０ｓｅｃＭ） 、及びＣＨ，ガ
ス（流量３ Ｑ ８ＣＣＭ ）を真窒反応容ｆ５１０内
へ導入すると同時Ｏこ排気系を図示しない拡散ポンプ、
ロータリーポンプ系からメカニカルブースクーポンプ、
ロータリーポンプ系へ切り替える。ついで、バルブ１５
の開閉によってＡ債反応６６ ｔｏ内の圧力が、１．
Ｏｔｏｒｒによる様調整した後、サンプル１２と対向し
た電極１６へ高周波型６ｆ１７を介して周波数１３．５
６Ｒ４Ｔ（Ｚの高周波出力（Ｒ、Ｆ 、Ｐｏｗｅｒ）
５０Ｗを印加１杓１分間５００Ｘのａ−５ｉｘＣ４−ｚ
： ＨＩＥｌｆＥ３をルｙ膜した。１′、Ｌ周波１ｕ
源１７を遮断し、ＣＨ。
ータリーポンプによって１．Ｑ ｔｏｒｒの真空に引く
と同時にヒーター１１をｊｆｂ作させ、サンプル１２で
あるＣ ｒ 眠＆ ２・・・のバターニングの終ったセ
ラミック基鈑１を２５０℃の温度に昇温しておく。バル
ブ１３ｆｔ４’Ａζこしガス導入管１４より純シラン（
ＳｉＨ，）ガス（流量３０ｓｅｃＭ） 、及びＣＨ，ガ
ス（流量３ Ｑ ８ＣＣＭ ）を真窒反応容ｆ５１０内
へ導入すると同時Ｏこ排気系を図示しない拡散ポンプ、
ロータリーポンプ系からメカニカルブースクーポンプ、
ロータリーポンプ系へ切り替える。ついで、バルブ１５
の開閉によってＡ債反応６６ ｔｏ内の圧力が、１．
Ｏｔｏｒｒによる様調整した後、サンプル１２と対向し
た電極１６へ高周波型６ｆ１７を介して周波数１３．５
６Ｒ４Ｔ（Ｚの高周波出力（Ｒ、Ｆ 、Ｐｏｗｅｒ）
５０Ｗを印加１杓１分間５００Ｘのａ−５ｉｘＣ４−ｚ
： ＨＩＥｌｆＥ３をルｙ膜した。１′、Ｌ周波１ｕ
源１７を遮断し、ＣＨ。
ガスの真を反応容器内ｌｏ内・＼の導入をやめる。
そして８口（４ガス（流１筺３０３ＣＣＭ ）を真空反
応容器１０内へ導入したまま真空反応容器１０内の圧力
が０．３ｔｏｒｒによる様に、バルブ１５を開閉を調整
した後、再度高ル■波箱−源１７を動作させて対向電極
１２へＩＯＷのｔよりを投入した。約１時間、膜厚１
ｐｍＯ） ａ Ｓｉ ： Ｈ膜４を成膜した後、高周波
電源Ｊ７を遮断し、バルブ１５を全開にすると同時ζこ
バルブ１３より再度ＣＨ，ガス（流量３０８ＣＣＭ ）
を真空反応容器ＩＯ内へ導入した。
応容器１０内へ導入したまま真空反応容器１０内の圧力
が０．３ｔｏｒｒによる様に、バルブ１５を開閉を調整
した後、再度高ル■波箱−源１７を動作させて対向電極
１２へＩＯＷのｔよりを投入した。約１時間、膜厚１
ｐｍＯ） ａ Ｓｉ ： Ｈ膜４を成膜した後、高周波
電源Ｊ７を遮断し、バルブ１５を全開にすると同時ζこ
バルブ１３より再度ＣＨ，ガス（流量３０８ＣＣＭ ）
を真空反応容器ＩＯ内へ導入した。
真空反応容器！θ内の圧力が１． Ｏｔｏｒｔになる４
第バルブ１５の開閉を調整した後、再度高周波出力５０
Ｗを対向電極１６へ投入し、絢１５分間７５０人のａ−
８＋ｘＣ４−Ｘ ： Ｈ膜５θ）成１１Ｎｆ行なった。
第バルブ１５の開閉を調整した後、再度高周波出力５０
Ｗを対向電極１６へ投入し、絢１５分間７５０人のａ−
８＋ｘＣ４−Ｘ ： Ｈ膜５θ）成１１Ｎｆ行なった。
ヒーター１１及び高周波出力を推断にし、バルブ１３を
閉とし、バルブ１５を包囲◆こして真空反応容器１０内
の残留ガスを排気し、圧力か１０””’ ｔｏｒｒにな
るまで真仝Ｏこし、た。サンプル１２の温１貌か１００
℃以下にハ゛るのを待って、大気中へ取り出し、図示し
１．ｆ（ｔ）ＩＴｏスパッタ装懺内にセットし、ｔｓｏ
ｏｕのＩＴＯ８に６をさらに積層した。次いて、全成膜
付札を終えたａ Ｓｉ光センサを２００℃の温度で１時
間アニールした。この状態で２００ビツトの内、数とツ
Ｈ−選んでＩＴＯ’諷極６の１川にマイナス１１．５Ｖ
の螺圧を印加踵＃電流を測定したところＩ、）＝５ｘｌ
Ｏ”Ａ／−ときわめて小さい値り・示した。仄いて、Ｉ
Ｔ Ｏ’ｌｌ極側側番マイナス１．５ｖの゛電圧を印
加したまま、ＩＴＯ嶋極６１１１１からＧ５４の竹光灯
１００Ｌｕｘを照射したところ、■、＝８ｘｌＯＡであ
リａｓｉ：ｆ（膜４の上下ｌこａ −８ｉｘＣ４−ｘ：
Ｈ１嘆３，５がない場合と比べてほとんど変化がなか
った。才た、このサンプルを全２００ビツト連続１００
０時間の）…電試液を行なったところ、２００ビツト全
数不艮が１ｘかつ１こ。
閉とし、バルブ１５を包囲◆こして真空反応容器１０内
の残留ガスを排気し、圧力か１０””’ ｔｏｒｒにな
るまで真仝Ｏこし、た。サンプル１２の温１貌か１００
℃以下にハ゛るのを待って、大気中へ取り出し、図示し
１．ｆ（ｔ）ＩＴｏスパッタ装懺内にセットし、ｔｓｏ
ｏｕのＩＴＯ８に６をさらに積層した。次いて、全成膜
付札を終えたａ Ｓｉ光センサを２００℃の温度で１時
間アニールした。この状態で２００ビツトの内、数とツ
Ｈ−選んでＩＴＯ’諷極６の１川にマイナス１１．５Ｖ
の螺圧を印加踵＃電流を測定したところＩ、）＝５ｘｌ
Ｏ”Ａ／−ときわめて小さい値り・示した。仄いて、Ｉ
Ｔ Ｏ’ｌｌ極側側番マイナス１．５ｖの゛電圧を印
加したまま、ＩＴＯ嶋極６１１１１からＧ５４の竹光灯
１００Ｌｕｘを照射したところ、■、＝８ｘｌＯＡであ
リａｓｉ：ｆ（膜４の上下ｌこａ −８ｉｘＣ４−ｘ：
Ｈ１嘆３，５がない場合と比べてほとんど変化がなか
った。才た、このサンプルを全２００ビツト連続１００
０時間の）…電試液を行なったところ、２００ビツト全
数不艮が１ｘかつ１こ。
なお、不発明は上記央Ｍｆｉ、１・Ｑｉこ限るものでな
い′Ｖなわち、本発明’？’ ６Ｚ’ Ｉ Ｔ Ｏｔｌ
、 ４６とａ−８ｉ：］＋１！真４の同に高抵抗１？と
してａ ５ｉｘＣ４−Ｘ ： ＨｉｉＡ５を用いたか、
本発明コ、６、記これ６仁ｉ奴定する積なく、例えはａ
Ｓ Ｉ Ｘ Ｃ４−Ｘ ：ｌ＜Ａ？’）るいはハロケ
ンを含むａ Ｓｉｘ ハロ）ｆンであっても艮＜、また
０又はＮを含むａ ｂ Ｉ Ｘ Ｏ２ｙ、 Ｉ展、ａ−
８ｉｘ（ｈ−Ｘ： Ｈｉｉｉ、ａ ５ｉｘ０２−ｘ ’
ハロゲンｉＮｕ、ａ−８ｉｘＮ１−。
い′Ｖなわち、本発明’？’ ６Ｚ’ Ｉ Ｔ Ｏｔｌ
、 ４６とａ−８ｉ：］＋１！真４の同に高抵抗１？と
してａ ５ｉｘＣ４−Ｘ ： ＨｉｉＡ５を用いたか、
本発明コ、６、記これ６仁ｉ奴定する積なく、例えはａ
Ｓ Ｉ Ｘ Ｃ４−Ｘ ：ｌ＜Ａ？’）るいはハロケ
ンを含むａ Ｓｉｘ ハロ）ｆンであっても艮＜、また
０又はＮを含むａ ｂ Ｉ Ｘ Ｏ２ｙ、 Ｉ展、ａ−
８ｉｘ（ｈ−Ｘ： Ｈｉｉｉ、ａ ５ｉｘ０２−ｘ ’
ハロゲンｉＮｕ、ａ−８ｉｘＮ１−。
膜、ａ ５ｊｘＮ＋ −ｙ、 ’ Ｈｉ、ｌＫ、ａ −
Ｓｉ ｘＮｌ−ｘ： ハロゲン膜であっても、光学バン
ドギャップが１．８ｅＶ以上暗抵抗比５ρｒ＋−１０１
１ｘｉ・ｃｍ以上の高抵抗膜であればまったく四ノダに
の効果が期待できる。
Ｓｉ ｘＮｌ−ｘ： ハロゲン膜であっても、光学バン
ドギャップが１．８ｅＶ以上暗抵抗比５ρｒ＋−１０１
１ｘｉ・ｃｍ以上の高抵抗膜であればまったく四ノダに
の効果が期待できる。
また、本発明のＩＴＯ軍′）１５１．６とａｓｉ：Ｈ膜
４０月用に秒♂んたａ −５ｉｘＣｔ−ｘ ： Ｈ膜５
の膜厚は１０００λであったが、種りの実強から、ＩＴ
Ｏ電極６のアニールによるショットキーバリア性能をそ
こねる事なく、ａ −５ｉｘＣ４−Ｘ ： Ｈｌｌ’ｌ
：５の電荷注入阻止性を充分効果的にするため０こは、
その膜厚は３０Ｘ〜５ｏｏｏＸが適正であると判明した
。
４０月用に秒♂んたａ −５ｉｘＣｔ−ｘ ： Ｈ膜５
の膜厚は１０００λであったが、種りの実強から、ＩＴ
Ｏ電極６のアニールによるショットキーバリア性能をそ
こねる事なく、ａ −５ｉｘＣ４−Ｘ ： Ｈｌｌ’ｌ
：５の電荷注入阻止性を充分効果的にするため０こは、
その膜厚は３０Ｘ〜５ｏｏｏＸが適正であると判明した
。
その他、本発明は本発明の要旨を変えない範（囲で種々
変形実施可能１よことは勿論である。
変形実施可能１よことは勿論である。
しかして、上記実施例のように基８１上にＣｒ電極２
、 ＳｉとＣを母体としたアモルファスの第１の高抵抗
薄膜３．ａ−８ｒ：Ｈ光導電膜４．ＳｌとＣを母体とし
たアモルファスの第２の尚抵抗薄膜５．および透光性０
）ＩＴＯ’成極６をＩＩＥ！次積層した後、１５０〜３
００ ”Ｃでアニールしたａ−８ｉ光イメージセンサで
は、ＩＴＯ電極６側に負の電圧を印加した時従来の単な
るＣｒ電極２．ａ−８ｉｎ）（膜４．ＩＴＯ電極６を順
次７ＩＡ 層シタＭ 成０）ａ Ｓ＋ｉ光センサと比べ
、光照射時の光′紙面を変化させることなく、暗電流を
きわめて小さく−ｒる事が出来る他、全ビット数の連続
１０００時間の通電試験によっても不良ビットが生じる
ｈｓもなく、実用上杆特性の光電変換部材を提供する事
が出来る。
、 ＳｉとＣを母体としたアモルファスの第１の高抵抗
薄膜３．ａ−８ｒ：Ｈ光導電膜４．ＳｌとＣを母体とし
たアモルファスの第２の尚抵抗薄膜５．および透光性０
）ＩＴＯ’成極６をＩＩＥ！次積層した後、１５０〜３
００ ”Ｃでアニールしたａ−８ｉ光イメージセンサで
は、ＩＴＯ電極６側に負の電圧を印加した時従来の単な
るＣｒ電極２．ａ−８ｉｎ）（膜４．ＩＴＯ電極６を順
次７ＩＡ 層シタＭ 成０）ａ Ｓ＋ｉ光センサと比べ
、光照射時の光′紙面を変化させることなく、暗電流を
きわめて小さく−ｒる事が出来る他、全ビット数の連続
１０００時間の通電試験によっても不良ビットが生じる
ｈｓもなく、実用上杆特性の光電変換部材を提供する事
が出来る。
以上説明したように、本発明によれは、光電流と暗電流
とのＳ／Ｎ比が大きく、電圧にすぐれ、従って連続通電
試験を行ｆｓっても不良ビット数のないすぐれた光電変
換部材を提供できる。
とのＳ／Ｎ比が大きく、電圧にすぐれ、従って連続通電
試験を行ｆｓっても不良ビット数のないすぐれた光電変
換部材を提供できる。
第１図は本発明の光電変換部材の一実施例を示す構成説
明図、第２（スｌは成ｊ漢装置の概略的構成図である。 ｌ・・・基板（セラミック基板）、２・・・’：４’Ｅ
ｌ Ｏ）紙積（Ｃｒ電極）、３ 、＝ 第１の高抵抗
ｒｉｉＡ （ａ Ｓｔ ｘＣ４−＞：Ｈ膜）、（・・・
アモルファスシリコン−１ｔ、専電性膜（ａｓｉ：Ｈ膜
）、５−＝第２の尚抵抗膜（ａ−８Ｉ Ｘ Ｃ４−Ｘ
： Ｈ膜）、６ 、、、 第２の覗％ＪＡ （Ｉ ＴＯ
透明電極）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 ば手続補正書 昭和 ８ （’＋、 ：Ｔ３． ＋＋ ７日特許庁長ｂ
港 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 １、ｊ願昭５８−１１２１６９号 ２、発明の名朴 光電変換部刊 ３、補正をする者 事件との関係 牝許出騨：人 （３０７） 卦ｊ 京乏ｌＩ′１１訃ニジ−４ｊ ５人
１槍 社４、代理人 ５、自発補正 ６、相■１三の夕′、Ｊ象 明 細 偶 ７、補正の内容 明細書第】ｏ負干がら５ ｔＪ’ｌＦｌ ｒ’ ５ Ｘ
１Ｏ−８ｊ （！：あるのをｒ５×ｌｏ′−１８」と
訂正する。
明図、第２（スｌは成ｊ漢装置の概略的構成図である。 ｌ・・・基板（セラミック基板）、２・・・’：４’Ｅ
ｌ Ｏ）紙積（Ｃｒ電極）、３ 、＝ 第１の高抵抗
ｒｉｉＡ （ａ Ｓｔ ｘＣ４−＞：Ｈ膜）、（・・・
アモルファスシリコン−１ｔ、専電性膜（ａｓｉ：Ｈ膜
）、５−＝第２の尚抵抗膜（ａ−８Ｉ Ｘ Ｃ４−Ｘ
： Ｈ膜）、６ 、、、 第２の覗％ＪＡ （Ｉ ＴＯ
透明電極）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 ば手続補正書 昭和 ８ （’＋、 ：Ｔ３． ＋＋ ７日特許庁長ｂ
港 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 １、ｊ願昭５８−１１２１６９号 ２、発明の名朴 光電変換部刊 ３、補正をする者 事件との関係 牝許出騨：人 （３０７） 卦ｊ 京乏ｌＩ′１１訃ニジ−４ｊ ５人
１槍 社４、代理人 ５、自発補正 ６、相■１三の夕′、Ｊ象 明 細 偶 ７、補正の内容 明細書第】ｏ負干がら５ ｔＪ’ｌＦｌ ｒ’ ５ Ｘ
１Ｏ−８ｊ （！：あるのをｒ５×ｌｏ′−１８」と
訂正する。
Claims (6)
- （１） 第１の電極、少なくともＳｉを含む第１の高抵
抗膜、５ｉ（ｉ−母体として水素又はハロゲンの少すく
とも一方を含むアモルファスシリコン光導電性膜、少な
くともＳｉを含む第２の高抵抗膜、及び透光性の第２０
）′電極を順次積層した汝、１５０〜３００℃の温度で
アニールを行なうことにより構成した事を特徴とする光
電変換部材。 - （２）少なくともＳｉｆ賞む第１及び渠２の高抵抗膜が
、ＳＩヲ母体としてＣ，Ｏ，Ｎのいずれか１つ以上含む
アモルファスシリコンであル８を特徴とする特許請求の
ｉｌｌη囲第１項第１項記載岨変換部材。 - （３） 少なくともＳｔを含む第１及び第２の高抵抗膜
に水素又はハロゲンの少なくとも一方が含まれている事
を特徴とする特許請求の範囲第１項才たは第２項記載の
光電変換部材。 - （４）少なくともＳｉを含む第１及び第２の高抵抗膜が
、ＳｉとＣとを母体として水素を含むアモルファスシリ
コンであり、暗抵抗比が１０１１Ω・ＣｒｒＬ以上であ
り、光学バンドキャップが１．８ｅＶ以上である特許請
求の範囲第１．ｒＪ″Ｊ記載の光電変換部材。 - （５）少なくともＳｉを含む第１の高抵抗膜の膜厚が３
０人〜５０００Ｘであり、第２の高抵抗膜の膜厚が３０
Ｘ〜１ｏｏｏＸであろ事８特徴とする特許請求の範囲第
１項ｈピ載の光゛酸俊換部材。 - （６）透光性の第２の電極がＩＴＯである石を特徴とす
る特許請求のｉ陀囲δ３１頃酎２−、：ｒχの光Ｔｉｔ
、没換部打換
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112169A JPS604274A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112169A JPS604274A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604274A true JPS604274A (ja) | 1985-01-10 |
| JPH0473312B2 JPH0473312B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14579970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112169A Granted JPS604274A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4982246A (en) * | 1989-06-21 | 1991-01-01 | General Electric Company | Schottky photodiode with silicide layer |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122471A (en) * | 1976-03-22 | 1977-10-14 | Rca Corp | Schottky barier semiconductor device |
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
| JPS5640284A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductor heterojunction element |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58112169A patent/JPS604274A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122471A (en) * | 1976-03-22 | 1977-10-14 | Rca Corp | Schottky barier semiconductor device |
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
| JPS5640284A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductor heterojunction element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4982246A (en) * | 1989-06-21 | 1991-01-01 | General Electric Company | Schottky photodiode with silicide layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473312B2 (ja) | 1992-11-20 |
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