JPS604273A - 光電変換部材 - Google Patents
光電変換部材Info
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- JPS604273A JPS604273A JP58112168A JP11216883A JPS604273A JP S604273 A JPS604273 A JP S604273A JP 58112168 A JP58112168 A JP 58112168A JP 11216883 A JP11216883 A JP 11216883A JP S604273 A JPS604273 A JP S604273A
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- Japan
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- film
- electrode
- photoelectric conversion
- conversion member
- voltage
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/227—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光電変換部材に関し、詳しくはアモルファスシ
リコンを用いた光センサに利用することのできる光電変
換部材の改良に係る。
リコンを用いた光センサに利用することのできる光電変
換部材の改良に係る。
近年、複写機やファクシミリ等の光電変換部の小形化す
るために原稿と１司寸法の読取幅をもった光センサの開
発がなされている。従来、光センサに用いられる光電変
換部材としてはＣｄＳ−ＣｄＳｅ 、 Ｓｅ −Ａｓ
−Ｔｅ等が検討されているが光応答時間が１２ｍ５と遅
いため、たとえば１ ｍｓ／Ｕｎｅ程度の高速読み出し
が不可能である。
るために原稿と１司寸法の読取幅をもった光センサの開
発がなされている。従来、光センサに用いられる光電変
換部材としてはＣｄＳ−ＣｄＳｅ 、 Ｓｅ −Ａｓ
−Ｔｅ等が検討されているが光応答時間が１２ｍ５と遅
いため、たとえば１ ｍｓ／Ｕｎｅ程度の高速読み出し
が不可能である。
そこで最近、光応答時間が１ｍｓ以下というアモルファ
スシリコン（以下ａ−８ｉと記す。）が光電変換部材と
して注目をあびてきた。ａ Ｓｉは、Ｓ Ｉ Ｈ４，８
＋ ２Ｈ６ｑ４のＳｉを含むガスをグロー放電によって
分解して成膜される。そして、その暗抵抗比は最良の）
良質のもので１０１１Ω・ｃｍ 。
スシリコン（以下ａ−８ｉと記す。）が光電変換部材と
して注目をあびてきた。ａ Ｓｉは、Ｓ Ｉ Ｈ４，８
＋ ２Ｈ６ｑ４のＳｉを含むガスをグロー放電によって
分解して成膜される。そして、その暗抵抗比は最良の）
良質のもので１０１１Ω・ｃｍ 。
６５０ ｎｍの波長で１０ ｐｈｏｔｏｎｓ ／ ｃｄ
の光に対して１０ Ω・ｃｍの光抵抗を示す。
の光に対して１０ Ω・ｃｍの光抵抗を示す。
ところが、暗抵抗が１００・ｃｍであるためａ Ｓｉ膜
の上下に直接、電極ではさんで、電圧を印加する構成の
光センサでは、電極からの電荷の注入瘉こよって暗電流
が増大してＳＮ比が低下してしまったり、また、光照射
のくり返しによってａ ８１膜が劣化してしまい、暗抵
抗がさらに小さくなり、従ってさらに暗電流が増大する
という不具合点がある。たとえば１．５ｖの動作電圧の
ａ Ｓｉを用いた従来の元センサーでは光照射の（り返
しを行なうと１０−８Ａ／ｎｄ 。
の上下に直接、電極ではさんで、電圧を印加する構成の
光センサでは、電極からの電荷の注入瘉こよって暗電流
が増大してＳＮ比が低下してしまったり、また、光照射
のくり返しによってａ ８１膜が劣化してしまい、暗抵
抗がさらに小さくなり、従ってさらに暗電流が増大する
という不具合点がある。たとえば１．５ｖの動作電圧の
ａ Ｓｉを用いた従来の元センサーでは光照射の（り返
しを行なうと１０−８Ａ／ｎｄ 。
１０” Ａ／ｍと増大して行く。そしてＧ５４（７）蛍
光灯で１００ Ｌｕｘ照射した時の光抵抗が１０−７Ａ
／−であるから、長時間の使用に対してほとんど実用的
なＳＮ比がとれない。
光灯で１００ Ｌｕｘ照射した時の光抵抗が１０−７Ａ
／−であるから、長時間の使用に対してほとんど実用的
なＳＮ比がとれない。
そこで例えばセラミック基板上にＣｒ％極。
ａ Ｓｉ膜、ＩＴＯ膜を順次積層した仮、アニールを行
なう事によりａ−８Ｌ膜とＩＴＯ膜との間にショットキ
ーバリアを形成させ、ＩＴＯ電極側からの電荷の注入を
防止］−るという提案がなされている。
なう事によりａ−８Ｌ膜とＩＴＯ膜との間にショットキ
ーバリアを形成させ、ＩＴＯ電極側からの電荷の注入を
防止］−るという提案がなされている。
このような構成であれはＩＴＯ電極側を負極として１，
５ｖの電圧を印加した時の暗電流はｌ Ｑ−” Ａ ／
ｖｕＡであり、充分なＳＮ比がとれることがわかった
。しかしながら、連続１０００時間の通電試験を行なっ
たところ、徐々にショットキーバリアの障壁がＢｒｅａ
ｋ Ｄｏｗｎ （破壊）され、全２００ピツト中３０ピ
ツトが不良になってしまうという不具合点があった。ま
た、このような構成であっても印加する電圧を徐々ζこ
増して行くと印加電圧がＩＯＶ近くでやはりショットキ
ーバリアが破壊され、耐圧が小さいという不具合点があ
った。
５ｖの電圧を印加した時の暗電流はｌ Ｑ−” Ａ ／
ｖｕＡであり、充分なＳＮ比がとれることがわかった
。しかしながら、連続１０００時間の通電試験を行なっ
たところ、徐々にショットキーバリアの障壁がＢｒｅａ
ｋ Ｄｏｗｎ （破壊）され、全２００ピツト中３０ピ
ツトが不良になってしまうという不具合点があった。ま
た、このような構成であっても印加する電圧を徐々ζこ
増して行くと印加電圧がＩＯＶ近くでやはりショットキ
ーバリアが破壊され、耐圧が小さいという不具合点があ
った。
〔発り４の目的〕
本発明は、上記事情にもとづきなされたもので、その目
的とするところは、光電流と暗電流との比が太きくＳＮ
比を向上させかつ、耐圧にすぐれた光電変換部材を捉供
しようとするものである。
的とするところは、光電流と暗電流との比が太きくＳＮ
比を向上させかつ、耐圧にすぐれた光電変換部材を捉供
しようとするものである。
本発明はかかる目的を達成するために、第１の電極、Ｓ
ｉ膜−母体として水素又はハロゲンの少なくとも一方を
含むアモルファスシリコン光導電性膜、少なくともＳｉ
を含む高抵抗膜及び透光性を有する第２のｆｄ極を順次
積層した後、１５０〜３００℃の温度でアニールを行な
うことにより光電変換部材を構成したものである。
ｉ膜−母体として水素又はハロゲンの少なくとも一方を
含むアモルファスシリコン光導電性膜、少なくともＳｉ
を含む高抵抗膜及び透光性を有する第２のｆｄ極を順次
積層した後、１５０〜３００℃の温度でアニールを行な
うことにより光電変換部材を構成したものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。第１図は本発明の光電変換部材としてのａ−８ｉを用
いた光センサの層林成を示すもので、酸化アルミニウム
等のセラミック基板１にグレーズ処理をした体、第１の
電極としてのＯｒ電極２、ａ−８４：Ｈ膜３、ａ−３ｉ
ｘＣ＋ −Ｘ”Ｈ膜４、及び第２の電極としての透光性
のＩＴＯ覚極５を順次積層した構成となっている。こσ
）時、ａ −５ｉｘＣ４−ｘ ： Ｈ膜４は、バンドキ
ャップ１．８ｅＶ以上、暗抵抗比１０”Ｑ−ｃｍ以上の
高抵抗のものを用いる。この状態では、ａ ５ＩＸＣ４
−Ｘ’Ｈ膜４が高抵抗膜であるため、ＩＴＯ透明電極５
側に正の電圧を印加しても負の電圧を印加しても、電荷
はＢ −５ｉｘＣ４−ｘ’ Ｈ膜４で阻止されてしまい
、ａ−８ｉ：Ｈ膜３へ注入される事はない。
。第１図は本発明の光電変換部材としてのａ−８ｉを用
いた光センサの層林成を示すもので、酸化アルミニウム
等のセラミック基板１にグレーズ処理をした体、第１の
電極としてのＯｒ電極２、ａ−８４：Ｈ膜３、ａ−３ｉ
ｘＣ＋ −Ｘ”Ｈ膜４、及び第２の電極としての透光性
のＩＴＯ覚極５を順次積層した構成となっている。こσ
）時、ａ −５ｉｘＣ４−ｘ ： Ｈ膜４は、バンドキ
ャップ１．８ｅＶ以上、暗抵抗比１０”Ｑ−ｃｍ以上の
高抵抗のものを用いる。この状態では、ａ ５ＩＸＣ４
−Ｘ’Ｈ膜４が高抵抗膜であるため、ＩＴＯ透明電極５
側に正の電圧を印加しても負の電圧を印加しても、電荷
はＢ −５ｉｘＣ４−ｘ’ Ｈ膜４で阻止されてしまい
、ａ−８ｉ：Ｈ膜３へ注入される事はない。
ところカ愚、ＩＴＯ電極５にマイナス１．５Ｖσ）電圧
を印加し同時にＧ５４の蛍光灯１００ Ｌｕｘを照射す
ると、従来ａ −５ｉｘＣ４−）（： Ｈ膜４０）’ｆ
ｌ（ｔ）時には１Ｏ−７Ａ／−の光電流が得られるのに
反し、ａ ５ｉｘＣ４−ｘ： Ｈ膜４をＩＴＯ寛極５と
ａ−８ｉ：Ｈ膜３の間に挾んだ第１図の構成では、ａ
Ｓｉ：Ｈｊｌｉ３中で発生したキャリアの内圧のキャリ
アの、ＩＴＯ電極５への到達をも阻止されてし才い、ブ
ｌ；電流が１Ｏ−８Ａ／−と１桁小さくなってしまう。
を印加し同時にＧ５４の蛍光灯１００ Ｌｕｘを照射す
ると、従来ａ −５ｉｘＣ４−）（： Ｈ膜４０）’ｆ
ｌ（ｔ）時には１Ｏ−７Ａ／−の光電流が得られるのに
反し、ａ ５ｉｘＣ４−ｘ： Ｈ膜４をＩＴＯ寛極５と
ａ−８ｉ：Ｈ膜３の間に挾んだ第１図の構成では、ａ
Ｓｉ：Ｈｊｌｉ３中で発生したキャリアの内圧のキャリ
アの、ＩＴＯ電極５への到達をも阻止されてし才い、ブ
ｌ；電流が１Ｏ−８Ａ／−と１桁小さくなってしまう。
そこで本発明で１・ま第１図の構１成でＣｒ、ａ−８ｉ
：Ｈ、’ａ ５ｉｘＣｔ−ｘ ： Ｈ、Ｉ ’Ｉ’Ｏの
各層２，３，４゜５を成膜した後１５０〜３００℃の温
度でアニールを行７よう。この墨によってＩＴＯ電極５
とａ ５ｉｘＣ４Ｘ ： Ｈ膜４及びａ−８ｉ：）（膜
３の間にショットキーバリアか形成され、 ａ −５ｉ
ｘＣ４−）（：Ｈ膜４の高抵抗性とショットキーバリア
との相乗効果によって、ＩＴＯａ・愼５の側に負０）電
圧を印加した時のみ、ａ −Ｓｉ ： ＨＩＩＳへの電
荷の注入を阻止するというすぐれた姫流性を示す事が本
発明者の行なった実験て例ｉ＋Ｈされた。さらには、Ｇ
５４−螢光灯１００ Ｌｕｘ照射照射光、アニールする
ことによって、光１．］、流が１０−８Ａ ／’ｔｒｉ
から、１０−７Ａ ／ ｍ、Ｊに増大するという事か、
実験の結果わかった。
：Ｈ、’ａ ５ｉｘＣｔ−ｘ ： Ｈ、Ｉ ’Ｉ’Ｏの
各層２，３，４゜５を成膜した後１５０〜３００℃の温
度でアニールを行７よう。この墨によってＩＴＯ電極５
とａ ５ｉｘＣ４Ｘ ： Ｈ膜４及びａ−８ｉ：）（膜
３の間にショットキーバリアか形成され、 ａ −５ｉ
ｘＣ４−）（：Ｈ膜４の高抵抗性とショットキーバリア
との相乗効果によって、ＩＴＯａ・愼５の側に負０）電
圧を印加した時のみ、ａ −Ｓｉ ： ＨＩＩＳへの電
荷の注入を阻止するというすぐれた姫流性を示す事が本
発明者の行なった実験て例ｉ＋Ｈされた。さらには、Ｇ
５４−螢光灯１００ Ｌｕｘ照射照射光、アニールする
ことによって、光１．］、流が１０−８Ａ ／’ｔｒｉ
から、１０−７Ａ ／ ｍ、Ｊに増大するという事か、
実験の結果わかった。
以下、具体例を説明する。すなわち、酸化アルミニウム
等のセラミック基板上Ｑこ、り゛レーズ処理をほどこし
た後Ｃｒｔ極を蒸着によって３０００Ｘ成膜した。Ｐ、
Ｅ、Ｐ、（）７１７ ＋−、エン□り゛１ノージングプ
ロセス）によってＩ Ｘ １ ｍＡのＣｒ’ｔｒＬ極、
２００ビツトのノくターニング゛をイテなった後、第２
図に示す真突反°応容器ｌＯ内に０、づ゛ンフ゛′ル１
２・・・をセットした。まず、真壁反応容？、’ｆ−ｍ
内を図示しない摸敗ポンプ、ロータＩＪ −ｒ３＜ンブ
によって１０”−６ｔｏｒｒの真９４こ引くと同時にヒ
ーターｌｌを如）千′賑せ、サンプル ２・・・のバターニングＱ）終ったセラミ、゛ンク基＆
１を２５０℃の温度に昇温しで」３く。つし１で、ノ
＜ルブ１３を開にし、゛ガス導入管１７より糸１ｈシラ
ン（ＳｉＨ４）ガスを３ Ｑ ＳＣＣｉ■の流）片でプ
（空反応容器ＩＯ内へ導入すると同時に、ゼ［ン（系を
図示しＩＳい拡散ポンプ、ロータリー４ミンブ系カ）ら
メカニカルブースターポンプ、ロータ９−ｒ’４支ンブ
系へ切り替える。バルブ１ ４ ０．〕ｌｊ；Ｊ ＩＳ
４＆こ，教って真空反応容器１０内のガス圧が０．３ｔ
ｏｒｒｆこなる椋ｎ”’３整した後、サンプル１２と対
向した’Ｗ６ｊ＋派１５へｌｆｆ１周波′亀波１６を介
して周波数１ ３．５ ６ ＭＨｚの高周波出力（ Ｒ
、Ｆ 、’Ｐｏｗｅｒ ） １ ０Ｗを印加する。
等のセラミック基板上Ｑこ、り゛レーズ処理をほどこし
た後Ｃｒｔ極を蒸着によって３０００Ｘ成膜した。Ｐ、
Ｅ、Ｐ、（）７１７ ＋−、エン□り゛１ノージングプ
ロセス）によってＩ Ｘ １ ｍＡのＣｒ’ｔｒＬ極、
２００ビツトのノくターニング゛をイテなった後、第２
図に示す真突反°応容器ｌＯ内に０、づ゛ンフ゛′ル１
２・・・をセットした。まず、真壁反応容？、’ｆ−ｍ
内を図示しない摸敗ポンプ、ロータＩＪ −ｒ３＜ンブ
によって１０”−６ｔｏｒｒの真９４こ引くと同時にヒ
ーターｌｌを如）千′賑せ、サンプル ２・・・のバターニングＱ）終ったセラミ、゛ンク基＆
１を２５０℃の温度に昇温しで」３く。つし１で、ノ
＜ルブ１３を開にし、゛ガス導入管１７より糸１ｈシラ
ン（ＳｉＨ４）ガスを３ Ｑ ＳＣＣｉ■の流）片でプ
（空反応容器ＩＯ内へ導入すると同時に、ゼ［ン（系を
図示しＩＳい拡散ポンプ、ロータリー４ミンブ系カ）ら
メカニカルブースターポンプ、ロータ９−ｒ’４支ンブ
系へ切り替える。バルブ１ ４ ０．〕ｌｊ；Ｊ ＩＳ
４＆こ，教って真空反応容器１０内のガス圧が０．３ｔ
ｏｒｒｆこなる椋ｎ”’３整した後、サンプル１２と対
向した’Ｗ６ｊ＋派１５へｌｆｆ１周波′亀波１６を介
して周波数１ ３．５ ６ ＭＨｚの高周波出力（ Ｒ
、Ｆ 、’Ｐｏｗｅｒ ） １ ０Ｗを印加する。
約１時間ａＳｉ：Ｈ膜３を１μｍ成膜を行なった後、バ
ルブ１４を全開にしＳｉＨ４ガスを止めずに同一のガス
柳，入管１７よりＣＨ４ガスを３０ＳＣＣＭの流量で興
窒反応答器ＩＯ内へ導入する。再度バルブ１４の開閉を
調整し、真空反応容器１０内のＳｉＨ４とＣＨ，の混合
ガスのガス圧を１．Ｏｔｏｒｒにした。次いで再度高周
波・−（原１６を動作させて、５０Ｗ（７）電力を対同
電，極１５に印加し、約２分間ａ ＳｉｘＣ４−Ｘ ：
Ｈ膜４を１００ＯＸを成膜した。高周波出力の印加を
止めＳ ｉＨ４ガス、ＣＨ，ガスの導入を止めた後、ヒ
ータ１１の動作を停止してサンプル１２の温度が１００
°Ｃ以下になるのを待って大気中へ取り出した。サンプ
ル１２をトリクレンの超音波振動によって洗浄した後、
図１示し’ｆｌい真孕スパッタ案にてＩＴＯ電極５を１
５０ＯＸ蒸着した。この状態でのＶ−１（電圧−電ｉ）
％性は第３図で（ム）と（△）で示す。この時はＩＴＯ
電極５への一印加電圧の極性が正であっても負であって
も口１流ＧはＩＱ−”Ａ／鰭と小さいが、同時にＩＴＯ
電極５ ｇＡＩＩ力１らσＪＧ５４−螢光灯１ ０ ０
Ｌｕｘ照射で０）元軍，流も１０−８Ａ／−と小さい
。
ルブ１４を全開にしＳｉＨ４ガスを止めずに同一のガス
柳，入管１７よりＣＨ４ガスを３０ＳＣＣＭの流量で興
窒反応答器ＩＯ内へ導入する。再度バルブ１４の開閉を
調整し、真空反応容器１０内のＳｉＨ４とＣＨ，の混合
ガスのガス圧を１．Ｏｔｏｒｒにした。次いで再度高周
波・−（原１６を動作させて、５０Ｗ（７）電力を対同
電，極１５に印加し、約２分間ａ ＳｉｘＣ４−Ｘ ：
Ｈ膜４を１００ＯＸを成膜した。高周波出力の印加を
止めＳ ｉＨ４ガス、ＣＨ，ガスの導入を止めた後、ヒ
ータ１１の動作を停止してサンプル１２の温度が１００
°Ｃ以下になるのを待って大気中へ取り出した。サンプ
ル１２をトリクレンの超音波振動によって洗浄した後、
図１示し’ｆｌい真孕スパッタ案にてＩＴＯ電極５を１
５０ＯＸ蒸着した。この状態でのＶ−１（電圧−電ｉ）
％性は第３図で（ム）と（△）で示す。この時はＩＴＯ
電極５への一印加電圧の極性が正であっても負であって
も口１流ＧはＩＱ−”Ａ／鰭と小さいが、同時にＩＴＯ
電極５ ｇＡＩＩ力１らσＪＧ５４−螢光灯１ ０ ０
Ｌｕｘ照射で０）元軍，流も１０−８Ａ／−と小さい
。
そこで、サンプルにＩＴＯ電極５を１ｓｏｏＫ蒸着した
後、２３０℃の温度で３０分間アニールした後再度Ｖ−
Ｉ測定を行なった。（第３図で暗電流を・、光電流をＯ
で示す。）暗中で０）Ｖ−Ｉ特性はＩ’ｌ’Ｏ電極５側
に負Ｑ）電圧を目］ ７ＪＩｌすると電荷注入阻止、正
の電圧を印加１−ると注入されるという完全な整流性を
示す。一方でＣまＩＴＯ電極５ １１０からＧ５４−を
光灯１ ０ ０ Ｌｕｘ照射照射光電流は１０−７Ａ／
−と増加してＧする。
後、２３０℃の温度で３０分間アニールした後再度Ｖ−
Ｉ測定を行なった。（第３図で暗電流を・、光電流をＯ
で示す。）暗中で０）Ｖ−Ｉ特性はＩ’ｌ’Ｏ電極５側
に負Ｑ）電圧を目］ ７ＪＩｌすると電荷注入阻止、正
の電圧を印加１−ると注入されるという完全な整流性を
示す。一方でＣまＩＴＯ電極５ １１０からＧ５４−を
光灯１ ０ ０ Ｌｕｘ照射照射光電流は１０−７Ａ／
−と増加してＧする。
参考のために第３図にＸ印で従来σＪ Ｃ ｒ ’ｉｆ
ｆ ｈＪａｓｉ：Ｈ膜／ＩＴＯ電極の構成０＞Ｖ−Ｉ特
性を示した。両者を比較するとわかる４１こロケ１蝋流
番ま本発明の光電変換部材を用いた光センサでは１桁小
さく、光電流はほとんど変らＩＳい。し力１も゛、従来
のセンサがマイナス１０Ｖ程度からｂｒ ｅａｋｄｏｗ
ｎ （破壊）が起こり暗電流値が急倣Ｏこ増大して行く
のに反し、本発明のセンサは、マイナス５０Ｖであって
もまだｂｒｅａｋ ｄｏｗｎ ｊ７ていない。
ｆ ｈＪａｓｉ：Ｈ膜／ＩＴＯ電極の構成０＞Ｖ−Ｉ特
性を示した。両者を比較するとわかる４１こロケ１蝋流
番ま本発明の光電変換部材を用いた光センサでは１桁小
さく、光電流はほとんど変らＩＳい。し力１も゛、従来
のセンサがマイナス１０Ｖ程度からｂｒ ｅａｋｄｏｗ
ｎ （破壊）が起こり暗電流値が急倣Ｏこ増大して行く
のに反し、本発明のセンサは、マイナス５０Ｖであって
もまだｂｒｅａｋ ｄｏｗｎ ｊ７ていない。
さらには、以上の様なＶ−Ｉ特性の好結果をもとに全２
００ビツト数の一５■での連続通電試＠８１０００時間
行なったところ、不艮ビット数はＯであった。
００ビツト数の一５■での連続通電試＠８１０００時間
行なったところ、不艮ビット数はＯであった。
なお、本発明は上記実施例に限るものでない。
丁なわち、本発明ではＩＴＯ電極５とａ’Ｓｉ：Ｈ膜３
との間に高抵抗膜としてａ −５ｉｘＣ４−Ｘ ： Ｈ
膜４を用いたが、本発明ではこれζこ限定する事なく、
例えばａｓｉｘｃ４−Ｘ膜あるいはハロゲンを含むａ−
ｓｉ：ハロゲンも良く、また、ｏ、又はＮ−￥−含むａ
ｓｉｘ０２−ｘ膜、ａ ５ｉｘ０２−ｘ ： Ｈ膜、ａ
ｓｉｘ０２−Ｘ：ハロゲン膜、ａ −５ｉｘＮ１−ｘ月
ｆｉ％ａ ５ｉｘＮ１−ｘ ： Ｈ，Ｂ’Ａ、ａｓｉｘ
Ｎ＋−ｚ’ハロゲン膜であっても、光学バンドギャップ
が１．８ｅＶ以上、暗抵抗比、Ｄ＝＝ １ ｏ １１Ω
・Ｃ７８以上の高抵抗膜であればすったく同様の効果が
期待できる。
との間に高抵抗膜としてａ −５ｉｘＣ４−Ｘ ： Ｈ
膜４を用いたが、本発明ではこれζこ限定する事なく、
例えばａｓｉｘｃ４−Ｘ膜あるいはハロゲンを含むａ−
ｓｉ：ハロゲンも良く、また、ｏ、又はＮ−￥−含むａ
ｓｉｘ０２−ｘ膜、ａ ５ｉｘ０２−ｘ ： Ｈ膜、ａ
ｓｉｘ０２−Ｘ：ハロゲン膜、ａ −５ｉｘＮ１−ｘ月
ｆｉ％ａ ５ｉｘＮ１−ｘ ： Ｈ，Ｂ’Ａ、ａｓｉｘ
Ｎ＋−ｚ’ハロゲン膜であっても、光学バンドギャップ
が１．８ｅＶ以上、暗抵抗比、Ｄ＝＝ １ ｏ １１Ω
・Ｃ７８以上の高抵抗膜であればすったく同様の効果が
期待できる。
また、本発明のＩＴＯ電極５とａｓｉ：Ｈ膜３の間に挾
んだａ ５ｉｘＣ４−ｚ ： Ｈ膜４の膜厚は１０００
Ｘであったが、種々の実験から、ＩＴＯ電極５のアニー
ルによるショットキーバリア性能をそこねる事なく、ａ
−５ｉｘＣ４−ｙ、 ： Ｈ膜４０）電荷注入阻止性
を充分効果的にするためには、その膜厚は３０入〜５０
００Ｘが適正であると判明した。
んだａ ５ｉｘＣ４−ｚ ： Ｈ膜４の膜厚は１０００
Ｘであったが、種々の実験から、ＩＴＯ電極５のアニー
ルによるショットキーバリア性能をそこねる事なく、ａ
−５ｉｘＣ４−ｙ、 ： Ｈ膜４０）電荷注入阻止性
を充分効果的にするためには、その膜厚は３０入〜５０
００Ｘが適正であると判明した。
その他、本発明は本発明の要旨を変えない範囲で種々変
形実施可能なことは勿論である。
形実施可能なことは勿論である。
しかして、上記実施例のようにセラミック基板１上にＣ
ｒ電極、ａ−８ｉ：Ｈ膜３、高抵抗膜４、ＩＴＯ電極５
を順次積層した後１５０〜３００℃のアニールを行なう
事によって構成されたａ Ｓｊ光センサＯこあっては、
従来の光′αα倍信号そこなう事なく、ＩＴＯ電極５側
に負の電圧を印加した時耐圧にすぐれ、連ｇ、１０００
時間の通電試験によっても不艮ビット数のないすぐれた
光電変換部材を提供する事ができる。
ｒ電極、ａ−８ｉ：Ｈ膜３、高抵抗膜４、ＩＴＯ電極５
を順次積層した後１５０〜３００℃のアニールを行なう
事によって構成されたａ Ｓｊ光センサＯこあっては、
従来の光′αα倍信号そこなう事なく、ＩＴＯ電極５側
に負の電圧を印加した時耐圧にすぐれ、連ｇ、１０００
時間の通電試験によっても不艮ビット数のないすぐれた
光電変換部材を提供する事ができる。
以上説明したようＯこ、本発明によれば、光電流と暗電
流との比が太きくＳＮ比にすぐれ、耐圧にすぐれ、従っ
て連続通電試験を行なっても不艮ビット数のないすぐれ
た）゛ｌ；電変換部材を提供できる。
流との比が太きくＳＮ比にすぐれ、耐圧にすぐれ、従っ
て連続通電試験を行なっても不艮ビット数のないすぐれ
た）゛ｌ；電変換部材を提供できる。
第１図は本発明の光電変換部材の一実施例を示す構成説
明必、第２図は成膜装置の概略的楡成図、第３図は本発
明の層構成でのアニール前後での暗電流と光電流を比較
したグラフである。 １・・・基板（セラミック４板）、２・・・岸１の電極
（Ｃｒ電極）、３・・・光纏電性ｙ （ａ −ｓｔ ：
Ｈ膜）、４・・・高抵抗膜（ａ−ｓｔｃ ：Ｈａ＞’＜
）、５ ・−第２０）電極（ＩＴＯ電極）。
明必、第２図は成膜装置の概略的楡成図、第３図は本発
明の層構成でのアニール前後での暗電流と光電流を比較
したグラフである。 １・・・基板（セラミック４板）、２・・・岸１の電極
（Ｃｒ電極）、３・・・光纏電性ｙ （ａ −ｓｔ ：
Ｈ膜）、４・・・高抵抗膜（ａ−ｓｔｃ ：Ｈａ＞’＜
）、５ ・−第２０）電極（ＩＴＯ電極）。
Claims (6)
- （１） ＞４１の電極、Ｓｉを母体として水素又は／’
％ロゲンの少なくとも一方を含むアモルファスシリコン
元導電性）■気、少なくともＳｉを含む高抵抗膜、及び
透光性をイ］する椅）、２の電極を順次積層しかつ１５
０〜３００℃の温度でアニールを行なうことにより４．
ｉ、ｌ？成した事を特徴とする光電変換部材。 - （２） 少なくともＳｉを含む筒抵侃膜が８ｉを母体と
してＣ，Ｏ，Ｎの少なくともいずれか１つ以上ヲ含むア
モルファスシリコンである婆を特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光電変換部材。 - （３） 少なくともＳｉを含む尚抵抗膜が、水素又はハ
ロゲンの少なくとも一方を含む事を特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項記載の光電変換部材。 - （４） 少なくともＳｉを含む高抵抗（摸がＳｉ及びＣ
を母体として、水素を含むアモルファスシリコンであり
、かつそのｌ！抵抗比が１０ｒＪ−ｃｍ以上、光学バン
ドギャップが１．’８ ｅＶ以上である特許請求の範囲
第１項記載の光電変換部材。 - （５）少なくともＳｔを含む高抵抗膜の膜厚が３０Ｘ〜
５０００Ｘである事を特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光電変換部材。 - （６）透光性の電極がＩＴＯである事を特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光信、変換部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112168A JPS604273A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112168A JPS604273A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604273A true JPS604273A (ja) | 1985-01-10 |
| JPH0473311B2 JPH0473311B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14579943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112168A Granted JPS604273A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236159A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Ricoh Co Ltd | 非晶質シリコン光センサ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122471A (en) * | 1976-03-22 | 1977-10-14 | Rca Corp | Schottky barier semiconductor device |
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
| JPS5640284A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductor heterojunction element |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58112168A patent/JPS604273A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122471A (en) * | 1976-03-22 | 1977-10-14 | Rca Corp | Schottky barier semiconductor device |
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
| JPS5640284A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductor heterojunction element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236159A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Ricoh Co Ltd | 非晶質シリコン光センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473311B2 (ja) | 1992-11-20 |
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