JPS6038048B2 - 誤差増幅回路 - Google Patents
誤差増幅回路Info
- Publication number
- JPS6038048B2 JPS6038048B2 JP53087175A JP8717578A JPS6038048B2 JP S6038048 B2 JPS6038048 B2 JP S6038048B2 JP 53087175 A JP53087175 A JP 53087175A JP 8717578 A JP8717578 A JP 8717578A JP S6038048 B2 JPS6038048 B2 JP S6038048B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- circuit
- transistor
- constant current
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45085—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45388—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising diodes in the source circuit of the AAC before the common source coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45462—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising a cascode circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45496—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more extra resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45508—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising a voltage generating circuit as bias circuit for the CSC
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45611—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising only one input signal connection lead for one phase of the signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45612—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more input source followers as input stages in the IC
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45652—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more further dif amp stages, either identical to the dif amp or not, in cascade
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45656—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one diode of a current mirror, i.e. forming an asymmetrical load
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、誤差増幅回路に関する。
誤差増幅回路として、本出願人らは第3図に示すような
回路を考えた。
回路を考えた。
この回路は、差敷トランジスタQ,o,Q,.と、この
トランジスタの共通ェミッタに設けられた定電流回路2
1。と、一方のトランジスタQ,.のコレク外こ設けら
れた電流ミラー回路1と、この電流ミラー回路の出力側
に設けられ、電流値が上記定電流回路21oの1′2の
値に設定された定電流回路Lとで構成される。この回路
は、電流ミラー回路からの出力電流と定電流回路loと
の差の電流を出力するものであり、定常的には、この電
流差が零に設定される状態で使用される。
トランジスタの共通ェミッタに設けられた定電流回路2
1。と、一方のトランジスタQ,.のコレク外こ設けら
れた電流ミラー回路1と、この電流ミラー回路の出力側
に設けられ、電流値が上記定電流回路21oの1′2の
値に設定された定電流回路Lとで構成される。この回路
は、電流ミラー回路からの出力電流と定電流回路loと
の差の電流を出力するものであり、定常的には、この電
流差が零に設定される状態で使用される。
これにより、誤差増幅回路の伝達特性のリニアリティの
良好な部分を使用することができる。上記差敷トランジ
スタQ,o,Q,.の入力電圧(Vin,Vref)と
がバランスした状態では、上記トランジスタQ,o,Q
,.のェミッタ電流は、loとなる。
良好な部分を使用することができる。上記差敷トランジ
スタQ,o,Q,.の入力電圧(Vin,Vref)と
がバランスした状態では、上記トランジスタQ,o,Q
,.のェミッタ電流は、loとなる。
したがって、そのコレクタ電流1,はlo−IBとなり
、電流ミラー回路1を介した出力電流1,′もlo−I
Bとなるものである。一方、出力回路の定電流回路には
、電流loを流すものであるため、入力がバランスされ
た状態で出力電流に差が生じることとなる。
、電流ミラー回路1を介した出力電流1,′もlo−I
Bとなるものである。一方、出力回路の定電流回路には
、電流loを流すものであるため、入力がバランスされ
た状態で出力電流に差が生じることとなる。
逆に、出力を零とするためには、上記差電流を生じさせ
ないように、入力差動トランジスタのェミツタバィアス
電流値にオフセットを生じさせることが必要となる。
ないように、入力差動トランジスタのェミツタバィアス
電流値にオフセットを生じさせることが必要となる。
このバイアス電流に差を与えるとトランジスタのベース
、ェミツタ電圧VB8の温度特性dV88/dTが異な
ることとなるため、この誤差増幅回路には温度変化に対
して出力に変動を生じる。
、ェミツタ電圧VB8の温度特性dV88/dTが異な
ることとなるため、この誤差増幅回路には温度変化に対
して出力に変動を生じる。
また、電流増幅率hF8の温度特性より上記ベース電流
IB自体が温により変化するものであることにより、オ
フセット量そのものも温度特性を有し、更に温度変化に
対して出力が不安定となることが判明した。この発明は
、温度変化に対する出力の安定性を改善した誤差増幅回
路を提供するためになされた。
IB自体が温により変化するものであることにより、オ
フセット量そのものも温度特性を有し、更に温度変化に
対して出力が不安定となることが判明した。この発明は
、温度変化に対する出力の安定性を改善した誤差増幅回
路を提供するためになされた。
この発明は、出力側の定電流回路に直列にトランジスタ
を設け、そのコレクタにおける電流をベース電流分だけ
減じて、オフセットの防止を図ろうとするものである。
を設け、そのコレクタにおける電流をベース電流分だけ
減じて、オフセットの防止を図ろうとするものである。
以下、実施例により、この発明を具体的に説明する。第
1図は、この発明の一実施例を示す回路図である。
1図は、この発明の一実施例を示す回路図である。
この回路は、差動トランジスタQ,,Q2と、このトラ
ンジスタQ,,Q2の共通ェミッタに設けられた定電流
回路2Lと、一方のトランジスタQ2のコレク外こ設け
られた電流ミラー回路1と、この電流ミラー回路1の出
力側に対応して設けられ、電流を上記定電流回路2Lの
1′2の値に設定された定電流回路もと、この定電流回
路loと上記電流ミラー回路1の出力との間に設けられ
、べ−スに所定のバイアス電圧VB2が印加されたトラ
ンジスタQ3とで構成され、このトランジスタQ3のコ
レクタ側より、上記定電流回路Lと電流ミラー回路1と
の差の出力電流を得るものである。
ンジスタQ,,Q2の共通ェミッタに設けられた定電流
回路2Lと、一方のトランジスタQ2のコレク外こ設け
られた電流ミラー回路1と、この電流ミラー回路1の出
力側に対応して設けられ、電流を上記定電流回路2Lの
1′2の値に設定された定電流回路もと、この定電流回
路loと上記電流ミラー回路1の出力との間に設けられ
、べ−スに所定のバイアス電圧VB2が印加されたトラ
ンジスタQ3とで構成され、このトランジスタQ3のコ
レクタ側より、上記定電流回路Lと電流ミラー回路1と
の差の出力電流を得るものである。
上記定電流回路21o,loは、ベースに定電流を得る
ための一定電圧VB.が印放され、ェミッタにそれぞれ
の電流値を設定する抵抗R,,R2が設けられたトラン
ジスタQ,Q5で構成される。
ための一定電圧VB.が印放され、ェミッタにそれぞれ
の電流値を設定する抵抗R,,R2が設けられたトラン
ジスタQ,Q5で構成される。
そして、電流ミラー回路1は、入出力電流の差を補正す
るトランジスタQを設け、ベース、ェミッタを共通とす
るトランジスタQ6,Q7で構成するものである。すな
わち、トランジスタQ5は、トランジスタQ6,Q7を
駆動するためのべ−ス電流を、その動作により、入出力
に等しく振り分けて、両電流を等しくするものである。
この実施例回路において、トランジスタQをトランジス
タQ2と同等の特性を有するものとすることにより、こ
のコレクタ電流を1。
るトランジスタQを設け、ベース、ェミッタを共通とす
るトランジスタQ6,Q7で構成するものである。すな
わち、トランジスタQ5は、トランジスタQ6,Q7を
駆動するためのべ−ス電流を、その動作により、入出力
に等しく振り分けて、両電流を等しくするものである。
この実施例回路において、トランジスタQをトランジス
タQ2と同等の特性を有するものとすることにより、こ
のコレクタ電流を1。
−IBとすることができる。したがって、上記差敷回路
のトランジスタQ2のベース電流分だけ鰭流が減少して
出力端子VoU,に流入する電流と、定電流回路ちによ
り出力端子VoUTから流出する電流とを等しくするこ
とができるから、差敷回路におけるオフセットが防止で
きる。そして、上記トランジスタQ2,Q3のベース電
流は、温度変化に対しても同様に変化するものであるの
で電流増幅率の温度特性の影響をも防止することができ
るものとなる。特に、この実施例回路をモノシリック半
導体集積回路に構成した場合には、トランジスタの特性
の一致(ベア性)は良好なものが得られるとともに、温
度の影響が均一となるから温度変化に対して極めて安定
した出力を得ることができる。
のトランジスタQ2のベース電流分だけ鰭流が減少して
出力端子VoU,に流入する電流と、定電流回路ちによ
り出力端子VoUTから流出する電流とを等しくするこ
とができるから、差敷回路におけるオフセットが防止で
きる。そして、上記トランジスタQ2,Q3のベース電
流は、温度変化に対しても同様に変化するものであるの
で電流増幅率の温度特性の影響をも防止することができ
るものとなる。特に、この実施例回路をモノシリック半
導体集積回路に構成した場合には、トランジスタの特性
の一致(ベア性)は良好なものが得られるとともに、温
度の影響が均一となるから温度変化に対して極めて安定
した出力を得ることができる。
なお、出力側定電流回略しの電流値をlo一1Bとする
ことにより理論的には、この発明と同様の目的を達成す
ることができるが、現在の半導体技術の下では、全温度
領域にわたってこのようなことを行なうことは不可能で
あり、現実的ではない。この発明は、前記実施例に限定
されず、この実施例回路として種々変形できるものであ
る。例えば、第2図a,bに示すような、電流ミラー回
路1を用いることもできる。この場合、aの回路にあっ
ては、出力側(OUT)の電流は、トランジスタQ6,
Q7のベース電流分だけ減じたものとなることとなり、
bの回路にあってはトランジスタ1個分のベース電流分
だけ減じたものとなることにより、前記同様の問題が生
じるものであることより、第1図の電流ミラー回路のよ
うに、入出力電流が等しくなるものが望ましい。しかし
、上記電流ミラー回路a,bを用いた場合でも、少なく
とも、この発明を利用することにより差動トランジスタ
のベース電流分の補正が行なえるもので、その効果を得
ることができるものである。
ことにより理論的には、この発明と同様の目的を達成す
ることができるが、現在の半導体技術の下では、全温度
領域にわたってこのようなことを行なうことは不可能で
あり、現実的ではない。この発明は、前記実施例に限定
されず、この実施例回路として種々変形できるものであ
る。例えば、第2図a,bに示すような、電流ミラー回
路1を用いることもできる。この場合、aの回路にあっ
ては、出力側(OUT)の電流は、トランジスタQ6,
Q7のベース電流分だけ減じたものとなることとなり、
bの回路にあってはトランジスタ1個分のベース電流分
だけ減じたものとなることにより、前記同様の問題が生
じるものであることより、第1図の電流ミラー回路のよ
うに、入出力電流が等しくなるものが望ましい。しかし
、上記電流ミラー回路a,bを用いた場合でも、少なく
とも、この発明を利用することにより差動トランジスタ
のベース電流分の補正が行なえるもので、その効果を得
ることができるものである。
第1図は、この発明の一実施例を示す回路図であり、第
2図a,bは、それぞれ電流ミラー回路の変形例を示す
回路図、第3図は誤差増幅回路の回路図である。 1・・・・・・電流ミラー回路、21o,lo・・・・
・・定電流回路。 弟l図 第2図 弟ろ図
2図a,bは、それぞれ電流ミラー回路の変形例を示す
回路図、第3図は誤差増幅回路の回路図である。 1・・・・・・電流ミラー回路、21o,lo・・・・
・・定電流回路。 弟l図 第2図 弟ろ図
Claims (1)
- 1 エミツタを共通とした差動トランジスタQ_1,Q
_2と、この差動トランジスタの共通エミツタに設けら
れた第1の定電流回路と、上記一方の差動トランジスタ
のコレクタに設けられた電流ミラー回路と、この電流ミ
ラー回路の出力電流に対応し、上記第1の定電流回路の
電流値の1/2の電流を流す第2の定電流回路と、上記
電流ミラー回路の出力と第2の定電流回路との間に設け
られ、上記一方の差動トランジスタと同等の特性を有し
、ベースに所定のバイアス電圧が印加されたトランジス
タQ_3とを含み、上記トランジスタQ_3のコレクタ
における上記電流ミラー回路の出力電流と第2の定電流
回路の定電流の定電流との差を出力としたことを特徴と
する誤差増幅回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53087175A JPS6038048B2 (ja) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | 誤差増幅回路 |
US06/056,422 US4264873A (en) | 1978-07-19 | 1979-07-10 | Differential amplification circuit |
DE19792928841 DE2928841A1 (de) | 1978-07-19 | 1979-07-17 | Differenzverstaerkerschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53087175A JPS6038048B2 (ja) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | 誤差増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5514725A JPS5514725A (en) | 1980-02-01 |
JPS6038048B2 true JPS6038048B2 (ja) | 1985-08-29 |
Family
ID=13907641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53087175A Expired JPS6038048B2 (ja) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | 誤差増幅回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4264873A (ja) |
JP (1) | JPS6038048B2 (ja) |
DE (1) | DE2928841A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56111503A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-03 | Nippon Steel Corp | Rolling method for strip |
JPS59212780A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Toshiba Corp | レベル検出回路 |
US4598215A (en) * | 1983-11-03 | 1986-07-01 | Motorola, Inc. | Wide common mode range analog CMOS voltage comparator |
US4573177A (en) * | 1984-02-06 | 1986-02-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Bi-directional current differencer for complementary charge coupled device (CCD) outputs |
IT1213256B (it) * | 1984-12-13 | 1989-12-14 | Ates Componenti Elettron | Circuito sommatore di correnti, integrato monoliticamente. |
US5510745A (en) * | 1987-07-29 | 1996-04-23 | Fujitsu Limited | High-speed electronic circuit having a cascode configuration |
JPH02230807A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-13 | Rohm Co Ltd | ホール素子検出信号増幅回路 |
US4999585A (en) * | 1989-11-06 | 1991-03-12 | Burr-Brown Corporation | Circuit technique for cancelling non-linear capacitor-induced harmonic distortion |
JP3135283B2 (ja) * | 1991-06-27 | 2001-02-13 | キヤノン株式会社 | 絶対値検出用信号処理回路装置 |
JPH06338934A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-06 | Exar Corp | 事象駆動型制御回路を有するスピーカーホーン |
US5319704A (en) * | 1993-06-17 | 1994-06-07 | Exar Corporation | Control circuit for voltage controlled attenuator for speakerphones |
US5977832A (en) * | 1997-12-18 | 1999-11-02 | Philips Electronics North America Corporation | Method of biasing an MOS IC to operate at the zero temperature coefficient point |
US6028478A (en) * | 1998-07-13 | 2000-02-22 | Philips Electronics North America Corporation | Converter circuit and variable gain amplifier with temperature compensation |
US6285256B1 (en) | 2000-04-20 | 2001-09-04 | Pericom Semiconductor Corp. | Low-power CMOS voltage follower using dual differential amplifiers driving high-current constant-voltage push-pull output buffer |
JP4167201B2 (ja) | 2004-04-21 | 2008-10-15 | 株式会社日立製作所 | 周波数出力回路 |
RU2444116C1 (ru) * | 2011-02-09 | 2012-02-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Дифференциальный усилитель с малым напряжением питания |
US9157764B2 (en) | 2011-07-27 | 2015-10-13 | Honeywell International Inc. | Devices, methods, and systems for occupancy detection |
US9621371B2 (en) | 2012-07-24 | 2017-04-11 | Honeywell International Inc. | Wireless sensor device with wireless remote programming |
CN102801396B (zh) * | 2012-09-12 | 2014-10-15 | 电子科技大学 | 用于音频系统中的增益自动调节电路 |
RU2519373C1 (ru) * | 2012-12-13 | 2014-06-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Гибридный дифференциальный усилитель |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3564439A (en) * | 1969-05-21 | 1971-02-16 | Bell Telephone Labor Inc | Differential amplifier |
US3932768A (en) * | 1973-03-15 | 1976-01-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Limiting amplifier |
NL7309767A (nl) * | 1973-07-13 | 1975-01-15 | Philips Nv | Versterkerschakeling. |
JPS576138B2 (ja) * | 1975-01-17 | 1982-02-03 |
-
1978
- 1978-07-19 JP JP53087175A patent/JPS6038048B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-07-10 US US06/056,422 patent/US4264873A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-07-17 DE DE19792928841 patent/DE2928841A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2928841A1 (de) | 1980-01-31 |
US4264873A (en) | 1981-04-28 |
JPS5514725A (en) | 1980-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6038048B2 (ja) | 誤差増幅回路 | |
JP2766264B2 (ja) | 差動増幅回路 | |
JPH0775289B2 (ja) | 相互コンダクタンス増幅回路 | |
JP3118393B2 (ja) | 差動増幅回路 | |
US4354122A (en) | Voltage to current converter | |
JPS6014523B2 (ja) | カスコ−ド増幅器回路 | |
JP2733962B2 (ja) | 利得制御増幅器 | |
US4369410A (en) | Monolithically integrable transistor amplifier having gain control means | |
US4928073A (en) | DC amplifier | |
JP2748017B2 (ja) | リニア広帯域差動増幅器 | |
JP2774120B2 (ja) | 増幅回路配置 | |
JPH051646B2 (ja) | ||
JP2969665B2 (ja) | バイアス電圧設定回路 | |
JP3129071B2 (ja) | 電圧制御増幅器 | |
JPH0241927Y2 (ja) | ||
JP3140107B2 (ja) | 差動増幅器 | |
JPH0462608B2 (ja) | ||
JPH0328581Y2 (ja) | ||
JP3406468B2 (ja) | 定電圧発生回路 | |
JPH09139642A (ja) | 増幅器 | |
JP2703953B2 (ja) | 電流増幅回路 | |
JPS6328112A (ja) | 利得制御回路 | |
JPH0418251Y2 (ja) | ||
JPS584327Y2 (ja) | 増幅回路 | |
JPH0261172B2 (ja) |