JPS6035770A - 磁気複写機の磁気潜像形成装置 - Google Patents
磁気複写機の磁気潜像形成装置Info
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- JPS6035770A JPS6035770A JP14530983A JP14530983A JPS6035770A JP S6035770 A JPS6035770 A JP S6035770A JP 14530983 A JP14530983 A JP 14530983A JP 14530983 A JP14530983 A JP 14530983A JP S6035770 A JPS6035770 A JP S6035770A
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- magnetic field
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G19/00—Processes using magnetic patterns; Apparatus therefor, i.e. magnetography
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- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の第１」用分野
本発明は、磁気複写機における４ｉｙ気潜像形成装置肯
、更に詳しく言えば磁化し得る磁気記録体に対して熱と
磁界を同時に印１加して熱残留磁化現＃全利用して磁気
潜像を形成する磁気壱保形成財−商に関する。
、更に詳しく言えば磁化し得る磁気記録体に対して熱と
磁界を同時に印１加して熱残留磁化現＃全利用して磁気
潜像を形成する磁気壱保形成財−商に関する。
従来技術
熱残留磁化現象とは、強磁性体ケ、そのキューリ温度近
傍１で温度上昇させて、外部磁界印加の下で室飴１寸で
冷却後、外部磁界全消去すると残’ｉＡ磁化カ員ｌ（わ
れる現象であって、この現象否−利用した磁化パターン
形成技術の詳細な簡明り、たとえばニー−エム ペルコ
ウイツッ ダフルエッテメイクルジョン（Ａ、Ｍ、ＢＥ
ＲＫＯＷＩＴＺ、 Ｗ、Ｈ，ＭＥＩＫ−ＬＥＪＯＨＮ
） 著による、米国雑誌ＩＥＥＥＭＡＧ−／ ／巻ｑ号
（１９７！；）ｐ９ゾロ〜Ｐ／θ１７に１α戦されてい
る。この熱残留磁化現象全利用して磁気記録体上に磁気
潜像を形成する方法は、励１Ｍ、あるいは画像信号に対
応する熱パターンを磁化・ぐタ−ンに変換するもので、
単に磁界だけで磁気記録体ｆ磁化する方法に比べて、小
さな外部磁界で磁気記録体の飽和残留磁化に近い残留磁
化が得られるので好ましい方法といえる。
傍１で温度上昇させて、外部磁界印加の下で室飴１寸で
冷却後、外部磁界全消去すると残’ｉＡ磁化カ員ｌ（わ
れる現象であって、この現象否−利用した磁化パターン
形成技術の詳細な簡明り、たとえばニー−エム ペルコ
ウイツッ ダフルエッテメイクルジョン（Ａ、Ｍ、ＢＥ
ＲＫＯＷＩＴＺ、 Ｗ、Ｈ，ＭＥＩＫ−ＬＥＪＯＨＮ
） 著による、米国雑誌ＩＥＥＥＭＡＧ−／ ／巻ｑ号
（１９７！；）ｐ９ゾロ〜Ｐ／θ１７に１α戦されてい
る。この熱残留磁化現象全利用して磁気記録体上に磁気
潜像を形成する方法は、励１Ｍ、あるいは画像信号に対
応する熱パターンを磁化・ぐタ−ンに変換するもので、
単に磁界だけで磁気記録体ｆ磁化する方法に比べて、小
さな外部磁界で磁気記録体の飽和残留磁化に近い残留磁
化が得られるので好ましい方法といえる。
この熱残留磁化現象￥：／ｖｌＩ用した例としては、特
開昭３７−３２４１７０号公報に記載された磁気潜像形
成方法があげられる。この方法は、熱−Ｊ？ターンの熱
印加領域内の磁化パターンに磁気的変調を生せしめるこ
とによル良好な再現画像を得ることｆ％徴としている。
開昭３７−３２４１７０号公報に記載された磁気潜像形
成方法があげられる。この方法は、熱−Ｊ？ターンの熱
印加領域内の磁化パターンに磁気的変調を生せしめるこ
とによル良好な再現画像を得ることｆ％徴としている。
この方法によれは、単に熱印加領域内に全面的に一方向
に磁化した磁化パターンが存在する場合に比べて、ＷＩ
像力、ｉＪ＃［すぐｊた研気宿像を形成することができ
る。このようガ熱印加領域内に磁気的変調を生せしめる
手段としては、電磁ヘッドに交流霜、流を流す方法や、
予め全面に迫り周期的に変化する磁化パターンと磁化可
能な磁気記録体を密着して、加熱部で前記磁化パターン
を磁気記録体に熱磁気転写する方法が提案されている。
に磁化した磁化パターンが存在する場合に比べて、ＷＩ
像力、ｉＪ＃［すぐｊた研気宿像を形成することができ
る。このようガ熱印加領域内に磁気的変調を生せしめる
手段としては、電磁ヘッドに交流霜、流を流す方法や、
予め全面に迫り周期的に変化する磁化パターンと磁化可
能な磁気記録体を密着して、加熱部で前記磁化パターン
を磁気記録体に熱磁気転写する方法が提案されている。
しかしながら、Ｉｈ磁ヘッドによる方法では、加熱手段
の加熱位仏゛と電磁ヘッドのギャツｆ部の位僅合わせに
精度を要する欠点があり、一方熱磁気転写の場合には、
磁気記録体ケ熱残留磁化するのに十分な磁界を得るため
に磁化パターンと磁気記録体間の距離ケ小さくする必夕
２かあるので、磁気記録体のベース厚みを渕くしなけれ
ばならず、ひいては磁気記録体移動が困鈎しになる欠点
がある。
の加熱位仏゛と電磁ヘッドのギャツｆ部の位僅合わせに
精度を要する欠点があり、一方熱磁気転写の場合には、
磁気記録体ケ熱残留磁化するのに十分な磁界を得るため
に磁化パターンと磁気記録体間の距離ケ小さくする必夕
２かあるので、磁気記録体のベース厚みを渕くしなけれ
ばならず、ひいては磁気記録体移動が困鈎しになる欠点
がある。
発明の目的
本発明の目的は、磁気記録体のペース厚ｆ測くすること
なく磁気記録体表面の熱）？ターンの熱印加領域内の磁
化パターンか孕間的に変化している磁気宿イ象を作る磁
気向像形成骸、し！を提供することである。
なく磁気記録体表面の熱）？ターンの熱印加領域内の磁
化パターンか孕間的に変化している磁気宿イ象を作る磁
気向像形成骸、し！を提供することである。
発明の構成
本発明の磁気潜像形成装置け、周期的に変化する磁化パ
ターンがその表面に予め形成されているマスター磁性体
層と、そのマスター磁性体Ｊｒ’＋σ）内側にあるバイ
アス磁界発生手段とから成る外部磁界印加手段を設け、
前記マスター磁性体層が磁気ｉｊ−：録体とはｌ：Ｌ同
じ速度で移動するようＶ′ｃなったことｋ ％ ｍｌと
するものである。
ターンがその表面に予め形成されているマスター磁性体
層と、そのマスター磁性体Ｊｒ’＋σ）内側にあるバイ
アス磁界発生手段とから成る外部磁界印加手段を設け、
前記マスター磁性体層が磁気ｉｊ−：録体とはｌ：Ｌ同
じ速度で移動するようＶ′ｃなったことｋ ％ ｍｌと
するものである。
実施例
第１図は、本発明による磁気潜像形成装置の実施例ケ示
す図である。ｌは磁気記録体であって、磁性体ｍ ２と
ペース層８とから成り、矢印の方向に８．動する。４は
画像信号に応じて磁気記鑓体ｌヶ加熱するための加熱ヘ
ッドである。５は磁界発生装置であって中空シリンダ６
と、その表面に接方されたマスター磁性体層７と、中空
シリンダ６の内部に設けられたバイアス磁界発生用磁石
８とで構成さ力、る。中空シリンダ６は磁気記録体ｌと
同一方向にほぼ同一の表面速度で回転し、一方バイアス
磁界発生用磁石８は固定されている。マスター磁性体層
７には、その幅方向に一様で周方向に周期的に変化する
磁化パターンが形成されている。
す図である。ｌは磁気記録体であって、磁性体ｍ ２と
ペース層８とから成り、矢印の方向に８．動する。４は
画像信号に応じて磁気記鑓体ｌヶ加熱するための加熱ヘ
ッドである。５は磁界発生装置であって中空シリンダ６
と、その表面に接方されたマスター磁性体層７と、中空
シリンダ６の内部に設けられたバイアス磁界発生用磁石
８とで構成さ力、る。中空シリンダ６は磁気記録体ｌと
同一方向にほぼ同一の表面速度で回転し、一方バイアス
磁界発生用磁石８は固定されている。マスター磁性体層
７には、その幅方向に一様で周方向に周期的に変化する
磁化パターンが形成されている。
次にこの飾気８ｊ伸ル成装簡による磁気電像ル威力Ｙ去
ニツイて説明する。このマスター磁化パターンによって
生ずる磁界の大きさは、ｙ方向に離れるに従って減少す
るが、マスター磁性体層７０表Ｈ＋ｒｙ□ における磁
界は、マスターし界ｉ４クーンの周期性により第２図の
−のように模式的に表わせる。図中Ｘ ｔ：Ｊマスター
？ｌｂ性体層のし１転方向？示］−１ｙｒＪマスメ一研
性体ノψηの厚み方向不”７Ｊｅ寸。
ニツイて説明する。このマスター磁化パターンによって
生ずる磁界の大きさは、ｙ方向に離れるに従って減少す
るが、マスター磁性体層７０表Ｈ＋ｒｙ□ における磁
界は、マスターし界ｉ４クーンの周期性により第２図の
−のように模式的に表わせる。図中Ｘ ｔ：Ｊマスター
？ｌｂ性体層のし１転方向？示］−１ｙｒＪマスメ一研
性体ノψηの厚み方向不”７Ｊｅ寸。
、磁気記録体（：ｊ通常比較的イ、へい磁気曲キューＩ
Ｊ−温ｍ−ケイ４する熱Ｇ！餓１じ録材料がフステ（４
ｒｌる。〕（・も好適に使用されるのは二酸化クロム（
ＣｒＯ２）夕′？ｉ＋ａ件体である。二酸化クロムは約
／３０℃のキューリ一温度を有するが、７３０℃から冷
却して十分な熱残留磁化を形成するのに必をな印加砧ゲ
ｒけ数１０エルステッドである。このような熱残留磁化
をプレ戚するのに必要な磁界をＨ□ とする。第２図８
からｔコかるようにｙ。においてにマスター磁性体層か
ら発生する磁界のビークイｉｉ Ｉｄ上記熱残伯磁化に
必吸・な磁界ＨＴ 工りも、Ｊ＼さいので、このマスク
−（・ｊＬ性体層から発生する仙・界単独でに熱残留す
ることができない。
Ｊ−温ｍ−ケイ４する熱Ｇ！餓１じ録材料がフステ（４
ｒｌる。〕（・も好適に使用されるのは二酸化クロム（
ＣｒＯ２）夕′？ｉ＋ａ件体である。二酸化クロムは約
／３０℃のキューリ一温度を有するが、７３０℃から冷
却して十分な熱残留磁化を形成するのに必をな印加砧ゲ
ｒけ数１０エルステッドである。このような熱残留磁化
をプレ戚するのに必要な磁界をＨ□ とする。第２図８
からｔコかるようにｙ。においてにマスター磁性体層か
ら発生する磁界のビークイｉｉ Ｉｄ上記熱残伯磁化に
必吸・な磁界ＨＴ 工りも、Ｊ＼さいので、このマスク
−（・ｊＬ性体層から発生する仙・界単独でに熱残留す
ることができない。
第２図中、破約すはバイアス値、昇発生磁石８によるバ
イアス磁界であってその太きさはＨ６である。このバイ
アス磁界Ｈ５が上記マスク−ｂｂ性体層と合成されてＣ
のようになる。したがってこの合成磁界がＨＴを越えた
領域で熱残留磁化されて、何気記録体ｌの磁性体層２に
ｕ′化パターンｄとして記録窟れる。
イアス磁界であってその太きさはＨ６である。このバイ
アス磁界Ｈ５が上記マスク−ｂｂ性体層と合成されてＣ
のようになる。したがってこの合成磁界がＨＴを越えた
領域で熱残留磁化されて、何気記録体ｌの磁性体層２に
ｕ′化パターンｄとして記録窟れる。
加熱されない領域では、ＨＴ は當温での何気記録体の
抗磁力Ｈ０に１６は等しいので、合成磁界Ｃのピーク磁
界がＨ８を越えぬ限シ磁化さねない。
抗磁力Ｈ０に１６は等しいので、合成磁界Ｃのピーク磁
界がＨ８を越えぬ限シ磁化さねない。
加熱さむた領域では、磁気記録体の抗磁力Ｈ６が小さく
なるため、熱残留磁化現象が生じる。
なるため、熱残留磁化現象が生じる。
１だバイアス磁界Ｈｄ は、マスター磁性体Ｊシｉの磁
化パターン全磁気的に破壊しないように選択される。従
ってマスター磁性体層の抗磁力ｆＨＭ とすると、バイ
アス磁界の最大値はｈＭ 全越えない。
化パターン全磁気的に破壊しないように選択される。従
ってマスター磁性体層の抗磁力ｆＨＭ とすると、バイ
アス磁界の最大値はｈＭ 全越えない。
バイアス磁界発生用磁石８は、図示する永久公布の他に
電磁石であってもよい。バイアス磁界の向きは、任意の
向き？とることができる。たたし、この磁界の向きは、
イ１炒気記録体ｌの磁性体層２の（ｄ：ｃ−化容易軸と
一致させるのが好ましい。したかつて磁性体層ｚ内の磁
化各局軸がその表面と半行Ｖ？−配向されている綾１合
には、バイアス磁界も平付に配向されている方が好まし
い。逆に値化釜・易ｎ１ｌｌ＋がぞの表ｍｊに垂直に配
向されている札侶−に−バイアス磁界も垂直ＶＣ配向さ
れているのが１．′Ｉ丑しい。
電磁石であってもよい。バイアス磁界の向きは、任意の
向き？とることができる。たたし、この磁界の向きは、
イ１炒気記録体ｌの磁性体層２の（ｄ：ｃ−化容易軸と
一致させるのが好ましい。したかつて磁性体層ｚ内の磁
化各局軸がその表面と半行Ｖ？−配向されている綾１合
には、バイアス磁界も平付に配向されている方が好まし
い。逆に値化釜・易ｎ１ｌｌ＋がぞの表ｍｊに垂直に配
向されている札侶−に−バイアス磁界も垂直ＶＣ配向さ
れているのが１．′Ｉ丑しい。
磁界発生装置５についてさらに詳しくスホベる。
磁界発生装置すの製造例をあげると、中窮シリンダ６は
外径乙０咽、内径５グーのアルミ望１であり、その表面
に厚み２闘のウレタンがム層が設けら才１、さらにその
上に厚さ／２．Ｓμｍのマイラーをペース層とする市販
のＦｅ −Ｃｏメタルテーグ（磁性体の厚み３μｍ）が
接着されている。このメタルチーｆは裁１１さ才１てお
らず１１届３０硼の広弊１であり、メタル磁性層が表面
に出ている。
外径乙０咽、内径５グーのアルミ望１であり、その表面
に厚み２闘のウレタンがム層が設けら才１、さらにその
上に厚さ／２．Ｓμｍのマイラーをペース層とする市販
のＦｅ −Ｃｏメタルテーグ（磁性体の厚み３μｍ）が
接着されている。このメタルチーｆは裁１１さ才１てお
らず１１届３０硼の広弊１であり、メタル磁性層が表面
に出ている。
このメタル磁性層に磁化ノ９ターンを形成するには、メ
タル磁性層をその全幅３０Ｏμにａり一様になＺ、よう
に交流磁化する。このとき、族期Ｓθμｍの磁化パター
ンとなるように磁化自己録ηＬ流及びメタルし性ノ曽の
送りａ度が１（）・す′昭ネれる。バイアス磁界発生磁
石８としては棒磁石か用いられ、第７図の配儀で１没け
られた。この仲碌石ｒＪ１メタル侭性ｊ釣衣面Ｑこおい
てＳＯエルステッドの磁界を発生させる。
タル磁性層をその全幅３０Ｏμにａり一様になＺ、よう
に交流磁化する。このとき、族期Ｓθμｍの磁化パター
ンとなるように磁化自己録ηＬ流及びメタルし性ノ曽の
送りａ度が１（）・す′昭ネれる。バイアス磁界発生磁
石８としては棒磁石か用いられ、第７図の配儀で１没け
られた。この仲碌石ｒＪ１メタル侭性ｊ釣衣面Ｑこおい
てＳＯエルステッドの磁界を発生させる。
次に、上述のよう々バイアス磁界発生磁石を備えた磁界
発生装置と、バイアス磁界発生磁石ケ備えない従来の磁
界発生装置との磁気潜像形成能力を比較する。ｋお、山
気記録体と１．でけルミ磁性体層として二酸化クロムチ
ーブを使用し、ベース厚みが７ 、、ｔｌｔｍ 、 ／
ｊμｍ ％ ！ｒＯｔｉｍ 、 ７’３ｔｔｍのダＰ
５ｒのものを用いた。まず、バイアス磁界発生磁石を備
えない従来の磁界発生装置を用いて外部磁界を印加しな
がら、市販の加熱ヘッド装置九より熱磁化したところ、
ペース厚７．Ａ；／１ｍ、１３μｍの何気記録体には熱
残留磁化境象にまり十分な磁気量イ纂・が得られたが、
ベース厚５０μｍ１７３μｍの磁気記録体に対しては磁
化できなかった。
発生装置と、バイアス磁界発生磁石ケ備えない従来の磁
界発生装置との磁気潜像形成能力を比較する。ｋお、山
気記録体と１．でけルミ磁性体層として二酸化クロムチ
ーブを使用し、ベース厚みが７ 、、ｔｌｔｍ 、 ／
ｊμｍ ％ ！ｒＯｔｉｍ 、 ７’３ｔｔｍのダＰ
５ｒのものを用いた。まず、バイアス磁界発生磁石を備
えない従来の磁界発生装置を用いて外部磁界を印加しな
がら、市販の加熱ヘッド装置九より熱磁化したところ、
ペース厚７．Ａ；／１ｍ、１３μｍの何気記録体には熱
残留磁化境象にまり十分な磁気量イ纂・が得られたが、
ベース厚５０μｍ１７３μｍの磁気記録体に対しては磁
化できなかった。
一方バイアス磁界発生磁石を備えた磁界発生装置の部会
には、ベース厚７．３μｍ１７５μｍの磁気記録体のみ
ならずベース厚５０μｍ１７５μｍの磁気記録体にも十
分な磁気潜像が得られた。
には、ベース厚７．３μｍ１７５μｍの磁気記録体のみ
ならずベース厚５０μｍ１７５μｍの磁気記録体にも十
分な磁気潜像が得られた。
発明の効果
本ジｉ）ツ」の磁気ず１像形成装橢でｄｌその表ｎｏに
周期的に便化する磁化パターンが予めノ［；成さねてい
るマスター磁性体層が砺化しうる４、５気記釘、体とｔ
Ｅｔは同一の周速で動くので、磁気Ｈ１録体表面に周期
的に磁化する磁化パターンを形成することができる。さ
Ｉ−１にマスター磁性体Ｊ曽の内（ｉ１１７にバイアス
磁界発生磁石が前筒されているので上記磁化パターンσ
）磁化の強さを熱残留磁化を生ずるのに十分な弘−ａｔ
で上けることができる。さらにこのノぐイアス硲界発４
．１ ？ｉ庁石−、マスター磁性体）−１の似ｆ化・ぐ
クーン分研ノリしない限り爪−当な大きさの値を１′を
発生−４−るようにｆｊｌ！１１Ｙ自できるので、マス
ター右狂伯〜イＡｊ暫Ｖ及び磁気記録体との距離を適当
にｎ’ｌ！Ｉ如できる。（−、ブこかつてベース厚の厚
い何気記録体を１史用でき、磁気記録体の柊わＬ的強度
ケ向上させるとともＶＣ沙！（す１の困難性′ｆｆ排除
する。
周期的に便化する磁化パターンが予めノ［；成さねてい
るマスター磁性体層が砺化しうる４、５気記釘、体とｔ
Ｅｔは同一の周速で動くので、磁気Ｈ１録体表面に周期
的に磁化する磁化パターンを形成することができる。さ
Ｉ−１にマスター磁性体Ｊ曽の内（ｉ１１７にバイアス
磁界発生磁石が前筒されているので上記磁化パターンσ
）磁化の強さを熱残留磁化を生ずるのに十分な弘−ａｔ
で上けることができる。さらにこのノぐイアス硲界発４
．１ ？ｉ庁石−、マスター磁性体）−１の似ｆ化・ぐ
クーン分研ノリしない限り爪−当な大きさの値を１′を
発生−４−るようにｆｊｌ！１１Ｙ自できるので、マス
ター右狂伯〜イＡｊ暫Ｖ及び磁気記録体との距離を適当
にｎ’ｌ！Ｉ如できる。（−、ブこかつてベース厚の厚
い何気記録体を１史用でき、磁気記録体の柊わＬ的強度
ケ向上させるとともＶＣ沙！（す１の困難性′ｆｆ排除
する。
第１図Ｃま、本名間による磁気１＃ｉ １ｈづ１？成シ
・「シの似陥図、第２図Ａは、第１図の個気白督ル成装
置りにふ・いて熱磁化現象により修気配音体に形成さ〕
］た磁気沿佇パターン分表わすグラフ、第２図Ｂは、行
）気市゛僑・形成装部□の磁界発生装置＆でより発生さ
れる磁界全表わすグラフである。 ｌ・・・磁気記録体、２・・・磁性体当、３・・・ペー
ス層、４・・・加熱ヘッド、５・・・磁界発生装置、６
・・・中でとシリンダ、７・・・マスター磁性体ｊ＠、
８・・・バイアス＆ｊ昇発生用磁石。 第 １ 図 ９２ 図
・「シの似陥図、第２図Ａは、第１図の個気白督ル成装
置りにふ・いて熱磁化現象により修気配音体に形成さ〕
］た磁気沿佇パターン分表わすグラフ、第２図Ｂは、行
）気市゛僑・形成装部□の磁界発生装置＆でより発生さ
れる磁界全表わすグラフである。 ｌ・・・磁気記録体、２・・・磁性体当、３・・・ペー
ス層、４・・・加熱ヘッド、５・・・磁界発生装置、６
・・・中でとシリンダ、７・・・マスター磁性体ｊ＠、
８・・・バイアス＆ｊ昇発生用磁石。 第 １ 図 ９２ 図
Claims (1)
- 磁化しうる磁気記録体に画像状の熱信号を与えながら、
外部磁界印加手段により外部磁界を印加して熱信号印加
部を熱残留磁化させる磁気複写機の磁気潜像形成装置に
おいて、外部磁界印加手段が、周期的に変化する磁化パ
ターンがその表面に予め形成されているマスター磁性体
層とそのマスター磁性体層の内側にあるバイアス磁界発
生手段とから成り、前記マスター磁性体層が磁気記録体
とほぼ同じ速度で移動することを特徴とする磁気潜像形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14530983A JPS6035770A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気複写機の磁気潜像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14530983A JPS6035770A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気複写機の磁気潜像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035770A true JPS6035770A (ja) | 1985-02-23 |
| JPH0242228B2 JPH0242228B2 (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=15382169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14530983A Granted JPS6035770A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気複写機の磁気潜像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035770A (ja) |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14530983A patent/JPS6035770A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0242228B2 (ja) | 1990-09-21 |
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