JPH0242228B2 - - Google Patents
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- JPH0242228B2 JPH0242228B2 JP14530983A JP14530983A JPH0242228B2 JP H0242228 B2 JPH0242228 B2 JP H0242228B2 JP 14530983 A JP14530983 A JP 14530983A JP 14530983 A JP14530983 A JP 14530983A JP H0242228 B2 JPH0242228 B2 JP H0242228B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁界複写機における磁気潜像形成装
置、更に詳しく言えば磁化し得る磁気記録体に対
して熱と磁界を同時に印加して熱残留磁化現象を
利用して磁気潜像を形成する磁気潜像形成装置に
関する。
置、更に詳しく言えば磁化し得る磁気記録体に対
して熱と磁界を同時に印加して熱残留磁化現象を
利用して磁気潜像を形成する磁気潜像形成装置に
関する。
従来技術
熱残留磁化現象とは、強磁性体を、そのキユー
リ温度近傍まで温度上昇させて、外部磁界印加の
下で室温まで冷却後、外部磁界を消去すると残留
磁化が現われる現象であつて、この現象を利用し
た磁化パターン形成技術の詳細な説明は、たとえ
ばエー・エム ベルコウイツツ ダブルエツチ
メイクルジヨン（A.M.BERKOWITZ，W.H.
MEIKLEJOHN）著による、米国雑誌
IEEEMAG―11巻４号（1975）P996〜P1017に記
載されている。この熱残留磁化現象を利用して磁
気記録体上に磁気潜像を形成する方法は、画像あ
るいは画像信号に対応する熱パターンを磁化パタ
ーンに変換するもので、単に磁界だけで磁気記録
体を磁化する方法に比べて、小さな外部磁界で磁
気記録体の飽和残留磁化に近い残留磁化が得られ
るので好ましい方法といえる。
リ温度近傍まで温度上昇させて、外部磁界印加の
下で室温まで冷却後、外部磁界を消去すると残留
磁化が現われる現象であつて、この現象を利用し
た磁化パターン形成技術の詳細な説明は、たとえ
ばエー・エム ベルコウイツツ ダブルエツチ
メイクルジヨン（A.M.BERKOWITZ，W.H.
MEIKLEJOHN）著による、米国雑誌
IEEEMAG―11巻４号（1975）P996〜P1017に記
載されている。この熱残留磁化現象を利用して磁
気記録体上に磁気潜像を形成する方法は、画像あ
るいは画像信号に対応する熱パターンを磁化パタ
ーンに変換するもので、単に磁界だけで磁気記録
体を磁化する方法に比べて、小さな外部磁界で磁
気記録体の飽和残留磁化に近い残留磁化が得られ
るので好ましい方法といえる。
この熱残留磁化現象を利用した例としては、特
開昭57−32470号公報に記載された磁気潜像形成
方法があげられる。この方法は、熱パターンの熱
印加領域内の磁化パターンに磁気的変調を生ぜし
めることにより良好な再現画像を得ることを特徴
としている。この方法によれば、単に熱印加領域
内に全面的に一方向に磁化した磁化パターンが存
在する場合に比べて、解像力、濃度にすぐれた磁
気潜像を形成することができる。このような熱印
加領域内に磁気的変調を生ぜしめる手段として
は、電磁ヘツドに交流電流を流す方法や、予め全
面に亘り周期的に変化する磁化パターンと磁化可
能な磁気記録体を密着して、加熱部で前記磁化パ
ターンを磁気記録体に熱磁気転写する方法が提案
されている。
開昭57−32470号公報に記載された磁気潜像形成
方法があげられる。この方法は、熱パターンの熱
印加領域内の磁化パターンに磁気的変調を生ぜし
めることにより良好な再現画像を得ることを特徴
としている。この方法によれば、単に熱印加領域
内に全面的に一方向に磁化した磁化パターンが存
在する場合に比べて、解像力、濃度にすぐれた磁
気潜像を形成することができる。このような熱印
加領域内に磁気的変調を生ぜしめる手段として
は、電磁ヘツドに交流電流を流す方法や、予め全
面に亘り周期的に変化する磁化パターンと磁化可
能な磁気記録体を密着して、加熱部で前記磁化パ
ターンを磁気記録体に熱磁気転写する方法が提案
されている。
しかしながら、電磁ヘツドによる方法では、加
熱手段の加熱位置と電磁ヘツドのギヤツプ部の位
置合わせに精度を要する欠点があり、一方熱磁気
転写の場合には、磁気記録体を熱残留磁化するの
に十分な磁界を得るために磁化パターンと磁気記
録体間の距離を小さくする必要があるので、磁気
記録体のベース厚みを薄くしなければならず、ひ
いては磁気記録体移動が困難になる欠点がある。
熱手段の加熱位置と電磁ヘツドのギヤツプ部の位
置合わせに精度を要する欠点があり、一方熱磁気
転写の場合には、磁気記録体を熱残留磁化するの
に十分な磁界を得るために磁化パターンと磁気記
録体間の距離を小さくする必要があるので、磁気
記録体のベース厚みを薄くしなければならず、ひ
いては磁気記録体移動が困難になる欠点がある。
発明の目的
本発明の目的は、磁気記録体のベース厚を薄く
することなく磁気記録体表面の熱パターンの熱印
加領域内の磁化パターンが空間的に変化している
磁気潜像を作る磁気潜像形成装置を提供すること
である。
することなく磁気記録体表面の熱パターンの熱印
加領域内の磁化パターンが空間的に変化している
磁気潜像を作る磁気潜像形成装置を提供すること
である。
発明の構成
本発明の磁気潜像形成装置は、周期的に変化す
る磁化パターがその表面に予め形成されているマ
スター磁性体層と、そのマスター磁性体層の内側
にあるバイアス磁界発生手段とから成る外部磁界
印加手段を設け、前記マスター磁性体層が磁気記
録体とほぼ同じ速度で移動するようになつたこと
を特徴とするものである。
る磁化パターがその表面に予め形成されているマ
スター磁性体層と、そのマスター磁性体層の内側
にあるバイアス磁界発生手段とから成る外部磁界
印加手段を設け、前記マスター磁性体層が磁気記
録体とほぼ同じ速度で移動するようになつたこと
を特徴とするものである。
実施例
第１図は、本発明による磁気潜像形成装置の実
施例を示す図である。１は磁気記録体であつて、
磁性体層２とベース層３とから成り、矢印の方向
に移動する。４は画像信号に応じて磁気記録体１
を加熱するための加熱ヘツドである。５は磁界発
生装置であつて中空シリンダ６と、その表面に接
着されたマスター磁性体層７と、中空シリンダ６
の内部に設けられたバイアス磁界発生用磁石８と
で構成される。中空シリンダ６は磁気記録体１と
同一方向にほぼ同一の表面速度で回転し、一方バ
イアス磁界発生用磁石８は固定されている。マス
ター磁性体層７には、その幅方向に一様で周方向
に周期的に変化する磁化パターンが形成されてい
る。
施例を示す図である。１は磁気記録体であつて、
磁性体層２とベース層３とから成り、矢印の方向
に移動する。４は画像信号に応じて磁気記録体１
を加熱するための加熱ヘツドである。５は磁界発
生装置であつて中空シリンダ６と、その表面に接
着されたマスター磁性体層７と、中空シリンダ６
の内部に設けられたバイアス磁界発生用磁石８と
で構成される。中空シリンダ６は磁気記録体１と
同一方向にほぼ同一の表面速度で回転し、一方バ
イアス磁界発生用磁石８は固定されている。マス
ター磁性体層７には、その幅方向に一様で周方向
に周期的に変化する磁化パターンが形成されてい
る。
次にこの磁気潜像形成装置による磁気潜像形成
方法について説明する。このマスター磁化パター
ンによつて生ずる磁界の大きさは、ｙ方向に離れ
るに従つて減少するが、マスター磁性体層７の表
面y0における磁界は、マスター磁界パターンの周
期性により第２図のａのように模式的に表わせ
る。図中ｘはマスター磁性体層の回転方向を示
し、ｙはマスター磁性体層の厚み方向を示す。
方法について説明する。このマスター磁化パター
ンによつて生ずる磁界の大きさは、ｙ方向に離れ
るに従つて減少するが、マスター磁性体層７の表
面y0における磁界は、マスター磁界パターンの周
期性により第２図のａのように模式的に表わせ
る。図中ｘはマスター磁性体層の回転方向を示
し、ｙはマスター磁性体層の厚み方向を示す。
磁気記録体は通常比較的低い磁気的キユーリー
温度を有する熱磁気記録材料が選ばれる。最も好
適に使用されるのは二酸化クロム（CrO2）分散
磁性体である。二酸化クロムは約130℃のキユー
リー温度を有するが、130℃から冷却して十分な
熱残留磁化を形成するのに必要な印加磁界は数10
エルステツドである。このような熱残留磁化を形
成するのに必要な磁界をHTとする。第２図ａか
らわかるようにy0においてはマスター磁性体層か
ら発生する磁界のピーク値は上記熱残留磁化に必
要な磁界HTよりも小さいので、このマスター磁
性体層から発生する磁界単独では熱残留すること
ができない。
温度を有する熱磁気記録材料が選ばれる。最も好
適に使用されるのは二酸化クロム（CrO2）分散
磁性体である。二酸化クロムは約130℃のキユー
リー温度を有するが、130℃から冷却して十分な
熱残留磁化を形成するのに必要な印加磁界は数10
エルステツドである。このような熱残留磁化を形
成するのに必要な磁界をHTとする。第２図ａか
らわかるようにy0においてはマスター磁性体層か
ら発生する磁界のピーク値は上記熱残留磁化に必
要な磁界HTよりも小さいので、このマスター磁
性体層から発生する磁界単独では熱残留すること
ができない。
第２図中、破線ｂはバイアス磁界発生磁石８に
よるバイアス磁界であつてその大きさはHbであ
る。このバイアス磁界Hbが上記マスター磁性体
層と合成されてｃのようになる。したがつてこの
合成磁界がHTを越えた領域で熱残留磁化されて、
磁気記録体１の磁性体層２に磁化パターンｄとし
て記録される。
よるバイアス磁界であつてその大きさはHbであ
る。このバイアス磁界Hbが上記マスター磁性体
層と合成されてｃのようになる。したがつてこの
合成磁界がHTを越えた領域で熱残留磁化されて、
磁気記録体１の磁性体層２に磁化パターンｄとし
て記録される。
加熱されない領域では、HTは常温での磁気記
録体の抗磁力Hcにほぼ等しいので、合成磁界ｃ
のピーク磁界がHcを越えぬ限り磁化されない。
加熱された領域では、磁気記録体の抗磁力Hcが
小さくなるため、熱残留磁化現象が生じる。
録体の抗磁力Hcにほぼ等しいので、合成磁界ｃ
のピーク磁界がHcを越えぬ限り磁化されない。
加熱された領域では、磁気記録体の抗磁力Hcが
小さくなるため、熱残留磁化現象が生じる。
またバイアス磁界Hdは、マスター磁性体層の
磁化パターンを磁気的に破壊しないように選択さ
れる。従つてマスター磁性体層の抗磁力をHM cと
すると、バイアス磁界の最大値はHM cを越えない。
バイアス磁界発生用磁石８は、図示する永久磁石
の他に電磁石であつてもよい。バイアス磁界の向
きは、任意の向きをとることができる。ただし、
この磁界の向きは、磁気記録体１の磁性体層２の
磁化容易軸と一致させるのが好ましい。したがつ
て磁性体層２内の磁化容易軸がその表面と平行に
配向されている場合には、バイアス磁界も平行に
配向されている方が好ましい。逆に磁化容易軸が
その表面に垂直に配向されている場合にはバイア
ス磁界も垂直に配向されているのが好ましい。
磁化パターンを磁気的に破壊しないように選択さ
れる。従つてマスター磁性体層の抗磁力をHM cと
すると、バイアス磁界の最大値はHM cを越えない。
バイアス磁界発生用磁石８は、図示する永久磁石
の他に電磁石であつてもよい。バイアス磁界の向
きは、任意の向きをとることができる。ただし、
この磁界の向きは、磁気記録体１の磁性体層２の
磁化容易軸と一致させるのが好ましい。したがつ
て磁性体層２内の磁化容易軸がその表面と平行に
配向されている場合には、バイアス磁界も平行に
配向されている方が好ましい。逆に磁化容易軸が
その表面に垂直に配向されている場合にはバイア
ス磁界も垂直に配向されているのが好ましい。
磁界発生装置５についてさらに詳しく述べる。
磁界発生装置の製造例をあげると、中空シリンダ
６は外径60mm、内径54mmのアルミ管であり、その
表面に厚み２mmのウレタンゴム層が設けられ、さ
らにその上に厚さ12.5μmのマイラーをベース層
とする市販のFe―Coメタルテープ（磁性体の厚
み3μm）が接着されている。このメタルテープは
裁断されておらず幅30cmの広幅であり、メタル磁
性層が表面に出ている。
磁界発生装置の製造例をあげると、中空シリンダ
６は外径60mm、内径54mmのアルミ管であり、その
表面に厚み２mmのウレタンゴム層が設けられ、さ
らにその上に厚さ12.5μmのマイラーをベース層
とする市販のFe―Coメタルテープ（磁性体の厚
み3μm）が接着されている。このメタルテープは
裁断されておらず幅30cmの広幅であり、メタル磁
性層が表面に出ている。
このメタル磁性層に磁化パターンを形成するに
は、メタル磁性層をその全幅30cmに亘り一様にな
るように交流磁化する。このとき、周期50μmの
磁化パターンとなるように磁化記録電流及びメタ
ル磁性層の送り速度が調整される。バイアス磁界
発生磁石８としては棒磁石が用いられ、第１図の
配置で設けられた。この棒磁石は、メタル磁性層
表面において50エルステツドの磁界を発生させ
る。
は、メタル磁性層をその全幅30cmに亘り一様にな
るように交流磁化する。このとき、周期50μmの
磁化パターンとなるように磁化記録電流及びメタ
ル磁性層の送り速度が調整される。バイアス磁界
発生磁石８としては棒磁石が用いられ、第１図の
配置で設けられた。この棒磁石は、メタル磁性層
表面において50エルステツドの磁界を発生させ
る。
次に、上述のようなバイアス磁界発生磁石を備
えた磁界発生装置と、バイアス磁界発生磁石を備
えない従来の磁界発生装置との磁気潜像形成能力
を比較する。なお、磁気記録体としては磁性体層
として二酸化クロムテープを使用し、ベース厚み
が7.5μm、15μm、50μm、75μmの４種類のもの
を用いた。まず、バイアス磁界発生磁石を備えな
い従来の磁界発生装置を用いて外部磁界を印加し
ながら、市販の加熱ヘツド装置により熱磁化した
ところ、ベース厚7.5μm、15μmの磁気記録体に
は熱残留磁化現象により十分な磁気潜像が得られ
たが、ベース厚50μm、75μmの磁気記録体に対し
ては磁化できなかつた。
えた磁界発生装置と、バイアス磁界発生磁石を備
えない従来の磁界発生装置との磁気潜像形成能力
を比較する。なお、磁気記録体としては磁性体層
として二酸化クロムテープを使用し、ベース厚み
が7.5μm、15μm、50μm、75μmの４種類のもの
を用いた。まず、バイアス磁界発生磁石を備えな
い従来の磁界発生装置を用いて外部磁界を印加し
ながら、市販の加熱ヘツド装置により熱磁化した
ところ、ベース厚7.5μm、15μmの磁気記録体に
は熱残留磁化現象により十分な磁気潜像が得られ
たが、ベース厚50μm、75μmの磁気記録体に対し
ては磁化できなかつた。
一方バイアス磁界発生磁石を備えた磁界発生装
置の場合には、ベース厚7.5μm、15μmの磁気記
録体のみならずベース厚50μm、75μmの磁気記録
体にも十分な磁気潜像が得られた。
置の場合には、ベース厚7.5μm、15μmの磁気記
録体のみならずベース厚50μm、75μmの磁気記録
体にも十分な磁気潜像が得られた。
発明の効果
本発明の磁気潜像形成装置では、その表面に周
期的に変化する磁化パターンが予め形成されてい
るマスター磁性体層が磁化しうる磁気記録体とほ
ぼ同一の周速で動くので、磁気記録体表面に周期
的に変化する磁化パターンを形成することができ
る。さらにマスター磁性体層の内側にバイアス磁
界発生磁石が配置されているので上記磁化パター
ンの磁化の強さを熱残留磁化を生ずるのに十分な
強さまで上げることができる。さらにこのバイア
ス磁界発生磁石は、マスター磁性体層の磁化パタ
ーンを破壊しない限り適当な大きさの磁界を発生
するように調節できるので、マスター磁性体層及
び磁気記録体との距離を適当に調節できる。した
がつてベース厚の厚い磁気記録体を使用でき、磁
気記録体の機械的強度を向上させるとともに移動
の困難性を排除する。
期的に変化する磁化パターンが予め形成されてい
るマスター磁性体層が磁化しうる磁気記録体とほ
ぼ同一の周速で動くので、磁気記録体表面に周期
的に変化する磁化パターンを形成することができ
る。さらにマスター磁性体層の内側にバイアス磁
界発生磁石が配置されているので上記磁化パター
ンの磁化の強さを熱残留磁化を生ずるのに十分な
強さまで上げることができる。さらにこのバイア
ス磁界発生磁石は、マスター磁性体層の磁化パタ
ーンを破壊しない限り適当な大きさの磁界を発生
するように調節できるので、マスター磁性体層及
び磁気記録体との距離を適当に調節できる。した
がつてベース厚の厚い磁気記録体を使用でき、磁
気記録体の機械的強度を向上させるとともに移動
の困難性を排除する。
第１図は、本発明による磁気潜像形成装置の概
略図、第２図Ａは、第１図の磁気潜像形成装置に
おいて熱磁化現象により磁気記録体に形成された
磁気潜像パターンを表わすグラフ、第２図Ｂは、
磁気潜像形成装置の磁界発生装置により発生され
る磁界を表わすグラフである。 １…磁気記録体、２…磁性体層、３…ベース
層、４…加熱ヘツド、５…磁界発生装置、６…中
空シリンダ、７…マスター磁性体層、８…バイア
ス磁界発生用磁石。
略図、第２図Ａは、第１図の磁気潜像形成装置に
おいて熱磁化現象により磁気記録体に形成された
磁気潜像パターンを表わすグラフ、第２図Ｂは、
磁気潜像形成装置の磁界発生装置により発生され
る磁界を表わすグラフである。 １…磁気記録体、２…磁性体層、３…ベース
層、４…加熱ヘツド、５…磁界発生装置、６…中
空シリンダ、７…マスター磁性体層、８…バイア
ス磁界発生用磁石。
Claims (1)
- １ 磁化しうる磁気記録体に画像状の熱信号を与
えながら、外部磁界印加手段により外部磁界を印
加して熱信号印加部を熱残留磁化させる磁気複写
機の磁気潜像形成装置において、外部磁界印加手
段が、周期的に変化する磁化パターンがその表面
に予め形成されているマスター磁性体層とそのマ
スター磁性体層の内側にあるバイアス磁界発生手
段とから成り、前記マスター磁性体層が磁気記録
体とほぼ同じ速度で移動することを特徴とする磁
気潜像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14530983A JPS6035770A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気複写機の磁気潜像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14530983A JPS6035770A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気複写機の磁気潜像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035770A JPS6035770A (ja) | 1985-02-23 |
| JPH0242228B2 true JPH0242228B2 (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=15382169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14530983A Granted JPS6035770A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気複写機の磁気潜像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035770A (ja) |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14530983A patent/JPS6035770A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6035770A (ja) | 1985-02-23 |
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