JPH0139114B2

JPH0139114B2 -

Info

Publication number: JPH0139114B2
Application number: JP56037865A
Authority: JP
Inventors: Koichi Saito; Kyoshi Horie; Mitsuhiko Itami; Toshifumi Kimoto
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1981-03-18
Filing date: 1981-03-18
Publication date: 1989-08-18
Also published as: JPS57154252A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は磁気体及び磁気記録法、更に詳しく言
えば、熱パターンを入力信号とし、該パターンを
磁気信号パターンに変換するために好適な磁気記
録体及び磁気記録法に関する。

磁気記録法においては、磁性体に像状の磁化形
態で磁気潜像を形成し、例えば高分子樹脂中に磁
性体微粒子を含有し、磁界によつて力を受ける検
磁性着色粒子である磁性トナーなどによつて現像
し、紙等へ静電的方法或いは磁気的方法で転写
し、熱、圧力等によつて定着して永久的画像とす
る。

磁気潜像担体である磁気記録体は、残留する磁
性トナーが除去されて、そのまま次の現像サイク
ルへ移行するか、あるいは磁気潜像を消磁して次
の新たな磁気潜像を形成させることにより同じプ
ロセスが繰り返される。

このような磁気記録法における磁気潜像形成は
磁気記録体近くに設けられた磁気ヘツドに、画像
信号に応じた記録電流を流し、磁化して行うのが
通常の方法である。

このような磁気ヘツドを用いて、磁気記録体に
画像幅全幅に亘る磁気潜像を形成するには、単数
或いは複数の磁化のための印字部、即ち記録ギヤ
ツプを有する磁気記録トラツクを用意して磁気記
録体の移動方向に従つた記録（主走査）と該方向
に直交する方向へのトラバース走査（副走査）と
の両方を併用して磁気記録を行うのが普通であ
る。

この方法によれば、副走査の間隔を一定に保つ
ための精密な駆動、制御方法を必要としたり、走
査時間を短縮するために磁気記録体を高速で動か
したり、また現像、転写等の像形成のために低速
で動かしたりする等やはり多くの動作モードを含
む精密で高価な駆動、制御方法を必要としてい
る。

このような走査磁気ヘツド記録に対して、画像
幅全幅に亘り磁気記録トラツクが再現画像の必要
解像力を満たすように密に用意されている。いわ
ゆるマルチ磁気ヘツドアレイを用いて磁気記録体
の移動に従つて一画素列ずつ記録する方法も提案
されている。

しかしながら、このマルチ磁気ヘツドアレイで
は、再現画像の解像力を満たすために、100μm程
度以下の細いトラツクを100μm程度の間隔で設け
る事が必要である。

しかも記録電流軽減のために、各トラツクに対
応するコイルは複数巻にする必要がある。このよ
うな微細で複雑な装備を必要とする他、隣接トラ
ツク間の電磁的干渉などの理由でかかるマルチ磁
気ヘツドアレイの実現は困難であるとされてい
る。

本発明は、従来技術の上記欠点を改善するため
になされたものである。

即ち、本発明の目的は従来の磁気ヘツドを用い
る磁気記録法に較べて、簡易で、高速動作の出来
る磁気記録体を提供する事にある。

更に本発明の目的は、該磁気記録体を使用し
た、簡易で高速動作の出来る磁気記録法を提供す
る事にある。

本発明は磁気潜像パターンを形成する際に画像
或いは画像信号に対応する熱パターンを利用する
ものである。

すなわち、本発明は熱磁気記録法を利用するも
のであつて、前述のような磁気ヘツドに於ける問
題を改善すると同時に、従来提案されている熱磁
気記録法を利用した磁気複写装置における磁気潜
像形成法の改良に関するものである。

本発明を詳述するにあたり、まず本発明を構成
する基本的な要素である熱磁気記録法について簡
単に説明する。

熱による磁化パターン形成の原理的技術として
は、たとえばA.M.BERKOWITZ，W.H.
MEIKLEJOHN著による、米国雑誌IEEE
TRANSACTION ON MAGNETICS，MAG
−11巻４号（1975）p996〜p1017に記載されてい
る熱残留磁化現象があげられる。

これは強磁性体を、そのキユーリー温度近傍ま
で温度上昇させて、外部磁界印加の下で室温まで
冷却後、外部磁界を消去すると残留磁化が現われ
る現象を利用するものであつて、加熱冷却のサイ
クルを利用せずに磁界だけで磁化する方法に較べ
て、小さな外部磁界で飽和残留磁化に近い残留磁
化が得られる方法である。

この熱残留磁化現像を利用して熱パターンを磁
気潜像パターンに変換し、磁気記録法に利用する
場合、画像情報を含むフラツシユ光やサーマルヘ
ツド、レーザー光などの熱パターン入力法が利用
出来るので磁気ヘツドによる方法に較べて、より
簡単な磁気潜像の形成ができる。

しかしながら、従来の熱残留磁化法では、熱と
同時に磁界を印加しなければならず、装置の複雑
さを招く欠点を有していた。

本発明はかかる欠点を克服したものである。

即ち、本発明によれば見掛け上外部から磁界を
印加する事なく、熱パターンを入力するだけで、
簡易に磁気潜像を形成する方法が提供される。

本発明における磁気記録法は予め全面に亘り一
様な磁化パターンで磁化されている１層又は２層
以上からなる磁化しうる第１の磁性体層と、予め
磁化されていない１層又は２層以上からなる磁化
しうる第２の磁性体層を含む磁気記録体に画像情
報を含む熱パターンを入力し、予め磁化されてい
ない１層又は２層以上からなる第２の磁化しうる
磁性体層において、熱パターンの磁気潜像パター
ンへの変換を行なつた後、検磁性の現像剤などに
より該磁気潜像パターンを顕像化し、続いてこの
顕像を紙などへ転写し、残存する磁気記録体上の
現像剤を除去した後、交流磁界によつて前記の第
２の磁性体層に形成されている磁気潜像パターン
を消去する過程を含んできる事を特徴とする。

以下図面を参照しながら、本発明を詳細に説明
する。

第１図ａ〜ｄは使用する磁気潜像担体の構造を
示すものである。ａでは非磁性の基層１上に、予
め全面に亘り一様な磁化パターンで磁化されてい
る磁性体層２が設けられている。３は非磁性の中
間層であり、その上に予め磁化されていない第２
の磁性体層４が設けられている。ｂは中間層３を
設けない本発明の磁気記録体の別な実施例を示す
ものである。

同様にｃは、第１図ａに対し表面保護層５を設
けた例を示し、ｄはｂに対して表面保護層５を設
けた例を示す。

このような構造を有する磁気記録体を用いる事
によつて、見掛け上外部磁界を印加する事なく、
熱パターンのみによつて磁気潜像パターンが形成
できる事を、第１図ａの構造を有する磁気記録体
を例にとつて、第２図ａ〜ｃで説明する。

第２図ａは熱パターンを入力する以前の磁気記
録体における磁気的状態を例示している。すなわ
ち、第１の磁性体層１には、同図中６で示したよ
うな繰り返えしの磁化パターンが全面に亘つて設
けられている。

この時、第１磁性体層の磁化６から発生する磁
束７が中間層３、第２磁性体層４内に分布してい
ると考えられる。しかしこの磁束による第２磁性
体への作用磁界Ｈは第２磁性体の例えば環境雰囲
気の温度下等の熱パターン非印加時の温度Toに
おける抗磁界Hc（To）よりも小さくなるように
定められる。

従つて、第２図ａの状態では磁気記録体の磁化
状態として何らの画像情報を有さない。

続いて、フラツシユ露光やサーマルヘツドの接
触、レーザー光スポツトの照射等によつて、該磁
気記録体の第２磁性体層に温度パターンを形成す
る。この時、高温状態を仮りに温度T₂、低温状
態を温度T₁であらわす（T₀≦T₁＜T₂）。

この時、第２磁性体層はその抗磁界Hcが温度
と共に、第３図ａに特徴的に例示されるように変
化する材料で構成する事により高温部T₂のみが
選択的に残留磁化を有するようになる。

第３図ａは熱磁気効果の１つである抗磁界Hc
の温度依存性を例示する図であり、図中Tcは一
般にキユーリー温度と呼ばれる。

本発明における熱残留磁化現象は第３図ｂによ
つてより明解に説明される。すなわち、熱残留磁
化現象とは外部磁界Ｈ〔同図ｂの横軸〕の印加下
で、初期温度T₂まで加熱されてから室温（＝T₀
T₁）まで冷却される時Mr（T₂）の熱残留磁化
を有する現象である。

従つて、第２図ｂからｃへの過程は第３図ｂに
より次のように説明できる。

第２磁性体には第１磁性体から発生する磁界Ｈ
〔第３図ｂ中に例示〕が作用しているが、高温部
T₂のみがT₂或はT′₂，T″₂の高温度からT₀に冷却
されるので熱残留磁化Mr（T₂）又はMr（T′₂）又
はMr（T″₂）の磁化状態となる一方、低温部T₁
は、ほとんど残留磁化を示さない〔Mr（T₁）〕。

上記のような動作によつて、見掛け上外部から
磁界を印加する事なく熱パターンに対応する磁気
潜像が形成できる事がわかる。

本発明における磁気記録体としては第１図に例
示したような構成のものが考えられる。この記録
体の製造例を説明する。

基層上に第１磁性体層を塗布するか又は貼合す
ることにより設け、第１磁性体層を一様に磁化し
ておく。別に第２磁性体層の薄膜を用意するが、
必要に応じこの薄膜には保護層あるいは非磁性中
間層を積層してても良い。この薄膜を第１磁性体
層に貼合せて記録体とする。

次に記録体の各層について更に詳しく説明す
る。

第２の磁性体層としては、すでに述べた熱残留
磁化現象を有する磁性体が使用される。この時、
熱残留磁化が比較的室温に近い高温領域であらわ
れる材料が好ましく、キユーリー温度が約130℃
付近にある分散塗布型CrO₂（二酸化クロム）磁性
体層や、希土類金属ー遷移金属（Tb−Fe，Gd−
Feなど）の非晶質合金薄膜などが特に好ましい。
記録層の厚さは、第１磁性体層に予め形成される
磁化の空間的な大きさや、検磁性である現像剤の
大きさ（粒径）によつても変化するが、本発明者
等の検討によれば、現像剤の平均粒径をｄとする
と、ｄ／100乃至10d好ましくは、ｄ／10〜5dの
厚みである事が好ましい事がわかつた。

ｄ／100以下の厚みの第２磁性体層の場合には
十分な現像が行なえず、一方10d以上の厚みの場
合には磁気潜像の記録磁化レベルが低くかつ画像
濃度が低下する等して十分な現像が行えない。現
像剤の平均粒径は、特に1μm＜ｄ＜100μmの範囲
にあるものがよく、第２磁性体層の厚みは0.1μm
〜100μmが好ましい事がわかつた。

次に第１磁性体層について詳述する。すでに説
明したように第１磁性体層は熱パターンの入力に
対して第２磁性体へ作用する磁界発生源として動
作する。

しかし、従来の熱残留磁化における外部からの
磁界源とは異なり、常に熱磁気記録層である第２
磁性体に近接した所に存在しつづける。しかしな
がら本発明者の検討によると第１磁性体層は熱パ
ターン入力時の外部磁界源としては十分な大きさ
をもつが、第１磁性体パターンが、現像時に検磁
性の現像剤をその全面パターンへ付着せしめるに
は不十分な大きさにすぎない事がわかつた。

このような検磁性現像剤への影響の度合いは磁
気記録体の構成によつて制御しうる事がわかつ
た。即ち、第１図に示すように、第１磁性体層が
第２磁性体層よりも基層側、従つて現像装置から
見てより遠方にあるために、第１磁性体層が発生
する全面的均一磁化パターンによる磁界は検磁性
現像剤をひきつけるには不十分な程度でしかな
い。

しかし、驚くべき事にはそのような現像にとつ
ては不十分な磁界であつても、熱残留磁化のため
の印加磁界としては十分な大きさを有しうるので
ある。

このような特性は、第１の磁性体層から発生す
る磁束が磁性体である第２の磁性体層のなかで閉
ループとなり易い事と、磁界が距離と共に急激に
減少するために第２磁性体層内では外部磁界とし
て有効な大きさであるが、さらに距離をへだてた
現像領域では現像剤を付着しえない程度に減少し
てしまうためと考えられる。

このような選択的な磁界の作用は第２磁性体層
の厚さと全面的均一磁化パターンを適当にえらぶ
ことにより、より好都合なものにする事ができ
る。

第４図ａ，ｂは第１図ａで示した磁気記録体の
第１磁性体層の厚みをl₁、非磁性中間層の厚みを
l₂、第２磁性体層の厚みをl₃とする時〔第４図
ａ〕、第１磁性体層から発生する磁界の絶対値｜
Ｈ｜が第１磁性体層と中間層との界面、中間層を
用いない場合には第１磁性体層と第２磁性体層と
の界面からの距離Ｚと共に減少する様子を模式的
に示したものである〔第４図ｂ〕。

今、熱残留磁化を行なうのに必要な外部磁界を
H_T、現像するのに必要な磁界をH_Dとして、第４
図ｂ中に記すとイのような減衰曲線を有する磁界
の場合にはＺ＝l₂からＺ＝l₂＋l₃の範囲にある第
２磁性体を磁化するには十分な磁界を有するが、
Ｚ＞l₂＋l₃の現像領域において無差別に現像剤を
引きつけるもれ磁界を生じて好ましくない。ハの
ような減衰曲線を有する磁界の場合には、第２磁
性体を磁化するのに十分な磁界を有さない。

従つて、ロのような減衰曲線を示すように、即
ち、Ｚ＝l₂からＺ＝l₂＋l₃の範囲にある第２磁性
体を磁化するに十分な磁界を有し、かつ、Ｚ＞l₂
＋l₃の現像領域において現像するのに必要な磁界
（H_D）よりも少さくなるように、動作条件をえら
ぶ事が必要である。

上記のような動作条件は第１磁性体の厚さ、全
面磁化パターン、中間層厚み、第２磁性体層の厚
みなどによつて相対的に選定する事ができる。

本発明者等の検討によれば、この動作条件の選
択幅はかなり広いものではあるが、特に好ましい
動作条件がある。

まず、第１磁性体層厚と、そこに全面的に形成
する磁化パターンについての条件を述べる。磁化
パターンは第２磁性体へ印加された熱パターン領
域においても、熱の印加された領域のなかの構造
として保存される。すなわち、第２磁性体に形成
された磁気潜像パターンの大きさを、たとえば
100μm×100μmのドツトであるとすれば、このド
ツトのなかには第１磁性体内にある磁化パターン
に対応する磁気的変調が存在する。

この磁気的変調は第１磁性体層面内の少なくと
も一方向に一定の単位で繰返すものであればよ
い。第５図ａ及びｂはその概念図であり、ａは磁
化パターンが一方向にのみ繰返す場合のものであ
り、ｂは二方向に繰返す場合の例を示したもので
ある。

加熱領域内にこのような磁気的変調が存在する
事は現像にとつて好適である。100μm×100μmの
加熱領域全体がある方向を向いた一方向の磁化領
域で占められている場合には、現像は加熱領域の
境界部にのみ選択的に付着してしまい好ましくな
い。

上記のような磁気的変調の空間周波数は現像に
おける現像濃度に対しても大きな作用を及ぼす事
がわかつた。従つて画像領域の各場所における再
現濃度を一定に保つために第１磁性体層に形成す
る全面磁化パターンの空間周波数は一定に保たれ
るべきである。また、形成すべき磁化パターンの
くり返えしの単位（空間周波数の逆数）として最
適な大きさは、使用される現像剤の平均粒径によ
つて適当にえらばれる他、第４図ｂで示した作用
磁界が距離と共に減衰する率にも影響される事が
わかつた。磁化パターンのくり返し単位が小さく
密な磁化パターンであれば、磁界の距離減衰率が
大きくなる。形成する磁化パターンの磁化の大き
さを一定にえらぶ場合は、第４図ｂで示した曲線
イ，ロ，ハの順にくり返し単位の長さは小さくな
つている。

従つて、第１磁性体層としては、予め形成され
る均一磁化パターンのくり返えし単位を、現像濃
度、磁界の減衰率の２つの性質を満足するように
えらぶ事が必要である。又さらに第１磁性体層厚
によつても磁界の減衰率が変化する。

今、使用される現像剤微粉の平均粒径をｄと
し、第１磁性体層の厚み及びくり返えし単位をそ
れぞれl₁〔μm〕，λ〔μm〕とすると本発明者の検
討によりこれらの値は以下の範囲が好ましいこと
がわかつた。

すなわち、l₁についてはｄ／100（μm）＜l₁＜10d（μm）で、具体的には1μm＜ｄ＜100μmに対し、特に 0.1（μm）＜l₁＜100（μm）であり、λについてはｄ／10（μm）＜λ＜20d（μm）で、具体的には、1μm＜ｄ＜100μmに対し、特に１（μm）＜λ＜200（μm）である。

なお、ここでは第１磁性体層の磁化パターンが
第５図ａの横方向に対応する向きに単位λで繰返
す場合について説明したが、縦方向に繰返す場合
についてもλを着磁の巾とすれば上記の式がその
まま適用できる。

第１磁性体層材料としては、任意の磁化しうる
強磁性材料を使用する事ができる。特に好ましい
ものは熱に対する安定性のよいもので、キユーリ
ー温度が200℃以上のものである。例えば、鉄
（Fe）などの微粒子を高分子樹脂中に分散したい
わゆるメタルテープや、γ−Fe₂O₃粒子が高分子
樹脂中に分散された酸化鉄テープ、メツキなどで
作成されるCo−Ni−Ｐ合金磁性薄膜などがある。

磁気記録体の構成としては以上に説明してきた
ような、第１、第２の磁性体層の他に、第１図で
示した非磁性の中間層や表面の保護層を設ける事
もできる。

非磁性の中間層は、特に該磁気記録体を使用し
た磁気記録装置において、特に消磁動作の際に好
適に機能する事がわかつた。

すなわち、本発明に於ける消磁装置としては、
第２磁性体層の磁化パターンのみを非磁化の状態
に消磁するための交流磁界印加手段が好ましく、
高周波交流を用いるのが良い。

かかる交流消磁は磁気潜像に近接して置かれた
電磁ヘツドに交流電流を流す事で達成される。上
述の電磁ヘツドの一例を第６図に示した。この電
磁ヘツドにおいては高透磁率を有する軟質の磁性
材料でヨーク１３が構成されるが、消磁用のもれ
磁界を発生するギヤツプｇを適当にえらぶ事によ
つて、すでに説明してきた磁気記録体のうちの表
層側、すなわち第２磁性体層のみが選択的に消磁
される。

この選択的動作のために選ばれるギヤツプとし
ては、第２磁性体層の厚さをl₃〔μm〕とするとｇ〔μm〕≦40l₃ 好ましくは0.1μm＜l₃＜100μmに対してｇ〔μm〕≦1000μm となるように選択される。

もし、第２磁性体層の上に非磁性の表面保護層
を設ける場合には、表面保護層の厚みl₄を上式l₃
に加算して式を読みかえればよい。

先述した非磁性の中間層は第１磁性体層と第２
磁性体層とを距離的に遠ざける事によつて前記の
選択的消磁をより確実なものとすることができ
る。

又、この中間層は第２磁性体層側から加えられ
る熱パターンを第１磁性体層、基層へ拡散するの
を防ぐ熱ブロツキング層としても動作する。

なお、第１磁性体層及び第２磁性体層のみを用
い、第１磁性体層から発生する磁界が距離と共に
急激に減衰し、0.1〜100μ厚の第２磁性体層を越
えた地点で生ずるもれ磁界が現像に必要な磁界
（H_D）を越えない様に構成されている場合には、
必ずしもこの中間層を設ける必要がない。

好ましい中間層の厚みは1μm乃至は100μm、特
に好ましくは5μm〜50μmである。

使用する材料としてはポリイミド、ポリアリレ
ートなどの高分子樹脂フイルムの他、マイラーな
ども用いられる。

表面保護層は機械的耐久性、耐熱性に優れた高
分子樹脂材料からなる層が好適であり、ポリイミ
ド、ポリアリレート、ポリエーテルスルホンなど
が特に好ましい。

本発明の記録体では、更に前記の中間層及び保
護層以外の層を設けることもできる。すなわちａ第１磁性体層と第２磁性体層との間に耐熱層
を設けて前記したように熱パターンの拡散を防
止する。

ｂ第１磁性体層と第２磁性体層の間、又は第２
磁性体層の上に弾性層を設けて、加熱ヘツド等
と記録体との接触を一定に保つ。

ｃ第１磁性体層と第２磁性体層の間に非導電性
層（低抵抗層或いは絶縁性層）を設けて、現像
性或いは転写性を改良する。

ｄ接着層を各層の間に設ける。

なお、第１あるいは第２磁性体層はそれぞれ
が必ずしも単一の磁性体層である必要はなく、
複数の層で構成し、第１磁性体層あるいは第２
磁性体層として用いても良い。

以上述べてきた磁気潜像担体並びに消磁方法を
含む磁気記録装置の一例を第７図に示した。

基層（アルミドラム）１、市販の10μm厚のメ
タル磁気テープからなる、磁化パターンとして１
波長が50μの正弦波磁化を飽和に近い状態に予め
一様に全面に施した第１磁性体層２、10μm厚の
ポリイミドからなる非磁性中間層３、予め磁化さ
れていない10μm厚の酸化クロムを樹脂に分散し
たものからなる、第２磁性体層４で構成した回転
する磁気記録体に、サーマルヘツドアレイ１４に
より画像信号に対応する熱パターンが印加され
る。

印加された熱パターンに対応する磁気潜像パタ
ーンが、第２磁性体層４に形成され、磁気記録体
の移動により現像装置１５の動作下におかれる。
現像装置１５は、例えば酸化鉄などの磁性微粒子
を高分子樹脂中に分散した現像剤微粉１６を、磁
気潜像へ向けて供給して付着させるためのもので
あり、第７図では適当な磁極を有する永久磁石１
７を内部に配置させ現像剤を搬送するための外側
円筒１８が矢印１３の方向へ回転している、いわ
ゆる磁気ブラシ現像装置の例が示されている。

顕像化されたパターンは紙などの転写部材１９
に接触され、300Vの静電バイアス２１が印加さ
れた電極ロール２０により静電転写される。

転写されずに残つた現像剤は、例えばブラシロ
ール２２など、適当な情掃部材により清掃された
後、磁気潜像が不要ならば、消磁装置（交流、
100KHz）２３により消磁される。

この磁気記録装置により同一磁気潜像を用い、
5000枚の複写を行なつたところ、複写物は画像部
濃度が1.4であり、背景部でかぶりのない良好な
ものであつた。又この潜像を消去後、新たに別の
画像の潜像を形成し、複写を行なつたが、前の画
像履歴のない高品位の複写物が得られた。この事
は第２磁性体層のみが消磁され、潜像担体の繰返
し使用が可能であることを意味する。

第７図は本発明の磁気記録体を使用する磁気写
真装置の一例を示すものであるが、熱残留磁化現
像を利用する従来の磁気記録装置に較べて熱印加
と同時に外部磁界発生手段を設けなくてもよいた
めに、装置の簡略化の点で特に優れている。又更
に、このような構成においては、交流磁界を印加
するための消磁ヘツドのギヤツプ間隙を適当に選
択することにより、複数層で構成される磁性体層
のうち、熱磁気効果を利用しようとする磁性体層
のみが選択消磁される事も、装置の簡略化に寄与
する。

本発明によれば、第２磁性層上に磁気潜像を形
成するのに第１磁性層の磁化パターンによる磁界
を利用するので、従来の熱残留磁化法のように、
特別な外部的磁界発生手段を必要とせず、磁気潜
像形成の工程ならびに装置の簡略化を達成できる
という顕著な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録体の構成例をあらわ
し、第２図は磁気潜像を形成する場合の原理図で
あり、第３図は本発明で用いる第２磁性体層にお
ける熱磁気効果をあらわす図であり、第４図は磁
界の減衰を示す概念図であり、第５図ａ及びｂは
磁化のパターンの概念図であり、第６図は本発明
で使用する消磁ヘツドの一例を示し、第７図は本
発明の磁気記録法に用いる磁気記録装置の一例の
概念図である。図中符号、１…基層、２…第１磁性体層、３…
中間層、４…第２磁性体層、５…表面保護層、６
…第１磁性体の磁化パターン、７…磁束、８…第
２磁性体の磁化パターン、９…磁化ビツト、１０
…加熱領域、１１…消去ヘツド、１２…コイル、
１３…ヨーク、１４…サーマルヘツドアレイ、１
５…現像装置、１６…現像剤、１７…磁石ロー
ル、１８…現像剤搬送用円筒、１９…転写部材、
２０…転写用電極ロール、２１…転写用バイア
ス、２２…清掃用ブラシロール、２３…消磁装
置、Ａ，Ｂ…回転方向。

Claims

【特許請求の範囲】１基層上に、一様な磁化パターンが形成された
第１磁性体層と、像状に加熱することにより前記
第１磁性体層の磁化パターンから発生する磁界で
磁気潜像が形成される第２磁性体層とを設けてな
ることを特徴とする磁気記録体。２磁化パターンが、周期的磁化パターンである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
磁気記録体。３周期的磁化パターンが、第１磁性体層面内の
少なくとも一方向に1μm乃至200μmの単位（λ）
で繰り返すパターンであることを特徴とする特許
請求の範囲第２項に記載の磁気記録体。４第２磁性体層が、熱磁化可能な層であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気
記録体。５基層上に、一様な磁化パターンが形成された
第１磁性体層と、非磁性中間層と、像状に加熱す
ることにより前記第１磁性体層の磁化パターンか
ら発生する磁界で磁気潜像が形成される第２磁性
体層とを設けてなることを特徴とする磁気記録
体。６磁化パターンが、周期的磁化パターンである
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の
磁気記録体。７周期的磁化パターンが、第１磁性体層面内の
少なくとも一方向に1μm乃至200μmの単位（λ）
で繰り返すパターンであることを特徴とする特許
請求の範囲第６項に記載の磁気記録体。８第２磁性体層が、熱磁化可能な層であること
を特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の磁気
記録体。９基層上に、一様な磁化パターンが形成された
第１磁性体層と、磁化可能な第２磁性体層とを設
けてなる磁気記録体を用い、該第２磁性体層を像
状に加熱して前記第１磁性体層の磁化パターンか
ら発生する磁界で磁気潜像を形成することを特徴
とする磁気記録法。１０基層上に、一様な磁化パターンが形成され
た第１磁性体層と、磁化可能な第２磁性体層とを
設けてなる磁気記録体を用い、該第２磁性体層を
像状に加熱して前記第１磁性体層の磁化パターン
から発生する磁界で磁気潜像を形成し、その後該
磁気潜像を交流磁界下で消磁することを特徴とす
る磁気記録法。