JPS6033288B2 - 磁気光学メモリ素子、その製造方法及び磁気光学メモリ装置 - Google Patents
磁気光学メモリ素子、その製造方法及び磁気光学メモリ装置Info
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- JPS6033288B2 JPS6033288B2 JP55037347A JP3734780A JPS6033288B2 JP S6033288 B2 JPS6033288 B2 JP S6033288B2 JP 55037347 A JP55037347 A JP 55037347A JP 3734780 A JP3734780 A JP 3734780A JP S6033288 B2 JPS6033288 B2 JP S6033288B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気光学メモリ素子に関するもので、特に希士
類金属−遷移金属の合金の一触磁気異方性を有するアモ
ルファス層を支持する非磁化基板から成る磁気光学メモ
リ素子に関するものである。
類金属−遷移金属の合金の一触磁気異方性を有するアモ
ルファス層を支持する非磁化基板から成る磁気光学メモ
リ素子に関するものである。
この種のアモルファス層を有するメモリ素子は西独公告
特許第２３４０４７５号公報に記載されている。
特許第２３４０４７５号公報に記載されている。
この場合のアモルファス層は二成分または三成分の化合
物から成り、これらの成分は周期表の幻，４ｆおよび５
ｆに属する。一定の条件下で製造する場合に希±類金属
と遷移金属の合金は、アモルファス構造、鉄磁性、およ
び層構成に関しては層表面に垂直な一軸磁気異方性に特
徴がある。
物から成り、これらの成分は周期表の幻，４ｆおよび５
ｆに属する。一定の条件下で製造する場合に希±類金属
と遷移金属の合金は、アモルファス構造、鉄磁性、およ
び層構成に関しては層表面に垂直な一軸磁気異方性に特
徴がある。
このようなアモルファス層を有する磁気光学メモリ素子
を、例えば焦点を合わせたレーザ光線によって、それぞ
れ層物質の補償温度およびキュリー温度付近の温度で局
部的に加熱する。
を、例えば焦点を合わせたレーザ光線によって、それぞ
れ層物質の補償温度およびキュリー温度付近の温度で局
部的に加熱する。
層表面に垂直に延びた外部磁場を与えて、層表面に対し
望ましい垂直方向に層の加熱領域を磁化するこをができ
る。層の加熱領域を冷却後、抗磁力は層の磁気的に変化
する領域（範囲）を安定させるのに十分でなければなら
ない。層の安定領域の大きさを直径数ミクロンにするこ
とができる。論理数「１」または「０」に相当する情報
値を、内部の磁化方向に従ってこのような層領域に割り
当てる。層を加熱する温度によって、補償点に切換える
かキュリー点に切換えるかをそれぞれ指示する。直線偏
光ビームによって、層領域の磁化方向とその情報内容を
磁気光学ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果とカー（Ｋ
ｅｒｒ）効果それぞれによって決定する。
望ましい垂直方向に層の加熱領域を磁化するこをができ
る。層の加熱領域を冷却後、抗磁力は層の磁気的に変化
する領域（範囲）を安定させるのに十分でなければなら
ない。層の安定領域の大きさを直径数ミクロンにするこ
とができる。論理数「１」または「０」に相当する情報
値を、内部の磁化方向に従ってこのような層領域に割り
当てる。層を加熱する温度によって、補償点に切換える
かキュリー点に切換えるかをそれぞれ指示する。直線偏
光ビームによって、層領域の磁化方向とその情報内容を
磁気光学ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果とカー（Ｋ
ｅｒｒ）効果それぞれによって決定する。
しかし、既知層の磁気光学回転（力−回転およびファラ
デー回転）はあまり大きすぎない。
デー回転）はあまり大きすぎない。
例えば、ＧｄＦｅのファラデー回転角は室温にて波長６
３３ｎｍの光線で測定すると１．７×１びｏ ／抑であ
る。本発明の目的は、既知の希士類金属−遷移金属のメ
モリ素子と比較して、冒頭の節に述べたようなファラデ
ー効果とカー効果各々を増加させる種類の磁気光学メモ
リを提供することにあり、この種のメモリ素子に蓄えた
情報の読取りを改良することにある。
３３ｎｍの光線で測定すると１．７×１びｏ ／抑であ
る。本発明の目的は、既知の希士類金属−遷移金属のメ
モリ素子と比較して、冒頭の節に述べたようなファラデ
ー効果とカー効果各々を増加させる種類の磁気光学メモ
リを提供することにあり、この種のメモリ素子に蓄えた
情報の読取りを改良することにある。
本発明によれば、合金が少なくとも１原子％のビスマス
を含むことによりこの目的を達成する。
を含むことによりこの目的を達成する。
希土類金属−遷移金属のアモルファス合金にビスマスを
添加して、カー回転角を４０％およびファラデー回転角
を約６０％増加させ得ることが判った。また、技術的に
有益な効果を生み出すには、磁気光学の回転について少
なくとも１０％の増加がなければならない。本発明の合
金が１原子％のビスマスを含む場合、その磁気光学効果
は約１０％増加する。このビスマス含有量が１原子％よ
りも高くなると磁気光学効果も１０％以上増加する。ビ
スマス含有量を徐々に増加する場合回転は増加し、その
結果ビスマスを２５原子％以上添加する場合回転増加に
も早関係しないか殆んど関係がない。所望の垂直磁気異
方性を有する層を得るのは、この層が一般式（Ｒ，−ｘ
Ｍｘ），−ｙＢｉｙ（式中Ｒは希士類金属群のうち少な
くとも１種の元素、Ｍは遷移金属群のうち少なくとも１
種の元素を表し、ｘは０．６三×ミ０．９ ｙは０．０
１ミｙミ０．２５である）で示される組成を有する場合
である。ｘが０．６よりも小さいか、または０．９より
も大きいと磁気光学層が所望の垂直磁気異万性を示さな
い。また、ｙが０．２５より大きくなっても磁気光学回
転は、上述のように、さらに増加することはない。本発
明のさらに有利な実施例によれば、使用する希±類金属
は少なくともガドリニウム（Ｇｄ）で、使用する遷移金
属は鉄（Ｆｅ）であり、磁気光学メモリ素子用の物質か
ら製造したアモルファス層は直線偏光ビームの振動面を
少量のビスマスにより特有の大きい角度で回転させる。
添加して、カー回転角を４０％およびファラデー回転角
を約６０％増加させ得ることが判った。また、技術的に
有益な効果を生み出すには、磁気光学の回転について少
なくとも１０％の増加がなければならない。本発明の合
金が１原子％のビスマスを含む場合、その磁気光学効果
は約１０％増加する。このビスマス含有量が１原子％よ
りも高くなると磁気光学効果も１０％以上増加する。ビ
スマス含有量を徐々に増加する場合回転は増加し、その
結果ビスマスを２５原子％以上添加する場合回転増加に
も早関係しないか殆んど関係がない。所望の垂直磁気異
方性を有する層を得るのは、この層が一般式（Ｒ，−ｘ
Ｍｘ），−ｙＢｉｙ（式中Ｒは希士類金属群のうち少な
くとも１種の元素、Ｍは遷移金属群のうち少なくとも１
種の元素を表し、ｘは０．６三×ミ０．９ ｙは０．０
１ミｙミ０．２５である）で示される組成を有する場合
である。ｘが０．６よりも小さいか、または０．９より
も大きいと磁気光学層が所望の垂直磁気異万性を示さな
い。また、ｙが０．２５より大きくなっても磁気光学回
転は、上述のように、さらに増加することはない。本発
明のさらに有利な実施例によれば、使用する希±類金属
は少なくともガドリニウム（Ｇｄ）で、使用する遷移金
属は鉄（Ｆｅ）であり、磁気光学メモリ素子用の物質か
ら製造したアモルファス層は直線偏光ビームの振動面を
少量のビスマスにより特有の大きい角度で回転させる。
ガドリニウム：鉄の比（原子％）・は特に２６：７４〜
２７：７３の範囲にあり、ビスマス含有量は１〜１３原
子％である。ガドリニウム：鉄の比が前記範囲外にある
場合、熱磁気書込み工程の間に安定な垂直範囲を形成す
ることを保証することができない。また、ビスマス含有
量が１３原子％、すなわちｙの値が０．１３を超える場
合、熱磁気補償点書込みのための材料として用いること
ができない。従ってこの場合、ｙの範囲は０．０１ミｙ
ミ０．１３に制限される。磁気光学回転を増加させる長
所に加えて、またビスマスの添加は短所をもつ。ビスマ
スの含有量はかなり補償温度に影響を及ぼし、また非常
に小さな範囲ではあるがキュリー温度に影響を及ぼす。
これは、非常に均質の層組成を作ることを続けない場合
、補償温度が場所により著しく異なり、その結果層は補
償点切換によって書込情報に対して無用となることを意
味する。不十分な同質層において、例えば補償温度が、
例えば一５０ｏｏ〜十９０００と異なることを証明する
のは可能である。また、本発明は上に述べたようなアモ
ルファス層がきわめて均質な組成を有するメモリ素子の
製造方法に関するものである。この目的のために、本発
明方法はメモリ素子のアモルファス層を製造する物質を
基板支持体上に置いた非磁化基板上に供給し、前記基板
支持体を単位時間当たり一定の速度で回転させることを
特徴とする。この方方法において保証できるのは、メモ
リ素子のアモルファス層が均質の組成をもち、その結果
その全域において同一の磁性および磁気光学性をもち、
特に補償温度に関しては所定の場合で精々５℃変化する
ことが判った。
２７：７３の範囲にあり、ビスマス含有量は１〜１３原
子％である。ガドリニウム：鉄の比が前記範囲外にある
場合、熱磁気書込み工程の間に安定な垂直範囲を形成す
ることを保証することができない。また、ビスマス含有
量が１３原子％、すなわちｙの値が０．１３を超える場
合、熱磁気補償点書込みのための材料として用いること
ができない。従ってこの場合、ｙの範囲は０．０１ミｙ
ミ０．１３に制限される。磁気光学回転を増加させる長
所に加えて、またビスマスの添加は短所をもつ。ビスマ
スの含有量はかなり補償温度に影響を及ぼし、また非常
に小さな範囲ではあるがキュリー温度に影響を及ぼす。
これは、非常に均質の層組成を作ることを続けない場合
、補償温度が場所により著しく異なり、その結果層は補
償点切換によって書込情報に対して無用となることを意
味する。不十分な同質層において、例えば補償温度が、
例えば一５０ｏｏ〜十９０００と異なることを証明する
のは可能である。また、本発明は上に述べたようなアモ
ルファス層がきわめて均質な組成を有するメモリ素子の
製造方法に関するものである。この目的のために、本発
明方法はメモリ素子のアモルファス層を製造する物質を
基板支持体上に置いた非磁化基板上に供給し、前記基板
支持体を単位時間当たり一定の速度で回転させることを
特徴とする。この方方法において保証できるのは、メモ
リ素子のアモルファス層が均質の組成をもち、その結果
その全域において同一の磁性および磁気光学性をもち、
特に補償温度に関しては所定の場合で精々５℃変化する
ことが判った。
さらに本発明はメモリ板と光学記緑読取ユニットを有す
る型の磁気光学メモリ装置に関するものであり、磁化基
板ユニットは前記メモリ板およびこのメモリ板によって
伝送しこのメモリ板に反射する光線振動板の回転を測定
する検出器とを各々相対的な位置に置く直線偏光ビーム
を放射する放射源賄含み、また本発明装置は前記メモリ
板に対し垂直に延びている磁場を発生させる磁気コイル
を有し、この装置は前記メモリ板が上に述べたような希
±頚金属−遷移金属のビスマス含有合金のアモルファス
層を有するメモリ素子であることに特徴がある。
る型の磁気光学メモリ装置に関するものであり、磁化基
板ユニットは前記メモリ板およびこのメモリ板によって
伝送しこのメモリ板に反射する光線振動板の回転を測定
する検出器とを各々相対的な位置に置く直線偏光ビーム
を放射する放射源賄含み、また本発明装置は前記メモリ
板に対し垂直に延びている磁場を発生させる磁気コイル
を有し、この装置は前記メモリ板が上に述べたような希
±頚金属−遷移金属のビスマス含有合金のアモルファス
層を有するメモリ素子であることに特徴がある。
本発明装置の好都合な実施例は、光伝導層が介在する２
個の透明な平面電極の組立を形成する透明な平面電極の
自由側面に、メモＩＪ素子のアモルファス層を備えるこ
とに特徴がある。
個の透明な平面電極の組立を形成する透明な平面電極の
自由側面に、メモＩＪ素子のアモルファス層を備えるこ
とに特徴がある。
これは、メモリ素子内の情報記憶（書込み）が低い強度
の光線によって起り得る点で好都合である。メモリ素子
内にある磁化状態を変えるのに必要な余分のエネルギー
は、電極間に位置する光導体の光線によって照射された
領域に発生する。次に図面につき本発明実施例をさらに
詳細に説明する。
の光線によって起り得る点で好都合である。メモリ素子
内にある磁化状態を変えるのに必要な余分のエネルギー
は、電極間に位置する光導体の光線によって照射された
領域に発生する。次に図面につき本発明実施例をさらに
詳細に説明する。
第１図は磁気光学メモリ装置の概略図である。透明な支
持板１を適当なべアリングによって座標靴系のｉ方向に
動させるように配置する。駆動機構２、例えば拡声器コ
イルを介して、支持板１をｉ方向に位置させることがで
きる。磁気光学メモリ層４を有する基板３を、固定また
は交換できるように前記支持板１に備える。書込み（記
憶）議取り各々に必要な光学成分は第２の支持板５にあ
り、この支持板６を支持板１に対し垂直にｉ方向に動か
すことができ、駆動機構６（例えば拡声器コイル）によ
って位置を定めることができる。
持板１を適当なべアリングによって座標靴系のｉ方向に
動させるように配置する。駆動機構２、例えば拡声器コ
イルを介して、支持板１をｉ方向に位置させることがで
きる。磁気光学メモリ層４を有する基板３を、固定また
は交換できるように前記支持板１に備える。書込み（記
憶）議取り各々に必要な光学成分は第２の支持板５にあ
り、この支持板６を支持板１に対し垂直にｉ方向に動か
すことができ、駆動機構６（例えば拡声器コイル）によ
って位置を定めることができる。
書込み謙取システムの相当する基本ユニットは、例えば
レーザダィオード７を含み、その放射線は光学デスプレ
イ８によって層４に焦点を合わせ、その結果前もって選
択したメモリ位置を書込み情報のために加熱する。磁気
コイル９によってｋ方向および層４の表面に垂直にそれ
ぞれ延びた外磁場を使用して、層４の前もって選択した
領域内の磁化を書き込まれる情報値と関連した磁化方向
に転換する。
レーザダィオード７を含み、その放射線は光学デスプレ
イ８によって層４に焦点を合わせ、その結果前もって選
択したメモリ位置を書込み情報のために加熱する。磁気
コイル９によってｋ方向および層４の表面に垂直にそれ
ぞれ延びた外磁場を使用して、層４の前もって選択した
領域内の磁化を書き込まれる情報値と関連した磁化方向
に転換する。
読取りには、層４に入る前に偏光子１０によって光を直
線に偏光させる。
線に偏光させる。
偏光子１川こ関して殆んど交差した分析器１１の後の光
度は層４に蓄えた情報を基礎として直線偏光ビームの偏
光板（振動板）回転による。読み記号を出す光をホトダ
ィオード１２によって検出する。ファラデー効果による
外に、層４の情報をカー効果によって読取ることもでき
る。
度は層４に蓄えた情報を基礎として直線偏光ビームの偏
光板（振動板）回転による。読み記号を出す光をホトダ
ィオード１２によって検出する。ファラデー効果による
外に、層４の情報をカー効果によって読取ることもでき
る。
メモリ層の表面で反射した放射線をこの場合測定するた
め、第１図に示したものとは異なる光学上の構成が必要
である。相互に関連する２枚の支持板１と５の位置を補
正して、書込み／読取りユニットをメモリ層４の所望の
位置に動かすことができ、そこで情報を書込むか読取る
。
め、第１図に示したものとは異なる光学上の構成が必要
である。相互に関連する２枚の支持板１と５の位置を補
正して、書込み／読取りユニットをメモリ層４の所望の
位置に動かすことができ、そこで情報を書込むか読取る
。
支持板１には層４がある外に、相互に垂直関係になって
ｉ方向とｊ方向各々に延びた２個のスプリットフレーム
１３があり、メモリ距離に相当するフレーム周期はメモ
リ層に位置を占める。これらスプリットフレーム１３を
、光源１４からの光で走査する。例えばレーザタ１１ィ
オードから成り光学表示器１５と補助の光ダイオード１
６と連動する光源４およびスプリットフレーム１３との
間の相対的な動きで明度を変化させ、ｉ方向とｉ方向へ
の距離と正確な位置を測定し、例えばそこに書込む。こ
の位置での情報を読取りまたは書込むために、先に与え
られた調整位置で、制御信号を調整値と実際の値との間
の差から得る。この信号は、所望の位置に再び届くよう
な方法で駆動機構２と６を駆動する。第２図に示す実施
例では、メモリ層４を層形成光導体１８に備え、この光
導体１８自身は２枚の透明な平面電極１７の間にある。
ｉ方向とｊ方向各々に延びた２個のスプリットフレーム
１３があり、メモリ距離に相当するフレーム周期はメモ
リ層に位置を占める。これらスプリットフレーム１３を
、光源１４からの光で走査する。例えばレーザタ１１ィ
オードから成り光学表示器１５と補助の光ダイオード１
６と連動する光源４およびスプリットフレーム１３との
間の相対的な動きで明度を変化させ、ｉ方向とｉ方向へ
の距離と正確な位置を測定し、例えばそこに書込む。こ
の位置での情報を読取りまたは書込むために、先に与え
られた調整位置で、制御信号を調整値と実際の値との間
の差から得る。この信号は、所望の位置に再び届くよう
な方法で駆動機構２と６を駆動する。第２図に示す実施
例では、メモリ層４を層形成光導体１８に備え、この光
導体１８自身は２枚の透明な平面電極１７の間にある。
電極１７と光導体１８の層形成構造は直接、例えばガラ
ス製の基板３上にある。磁気光学メモリ層４のメモリ位
置に情報を書込むため、最上部の透明電極１７、例えば
Ｈｅ−Ｎｅレーザ１９の光線によって光導体１８に露光
する。電圧パルスＵを透明電極１７に加えると、光導体
１８の露光体によって電流が流れる。発生したジュール
熱を熱伝導によりその上にあるメモリセルに伝え、小さ
な強度の光線１９のみで外部磁場日を利用してメモリセ
ル内の磁化Ｍを反転させることができる。このメモリセ
ルは光線１９によって照射された磁気光学メモリ層の領
域にある。磁気光学メモリ層を光導体なしに操作できる
。
ス製の基板３上にある。磁気光学メモリ層４のメモリ位
置に情報を書込むため、最上部の透明電極１７、例えば
Ｈｅ−Ｎｅレーザ１９の光線によって光導体１８に露光
する。電圧パルスＵを透明電極１７に加えると、光導体
１８の露光体によって電流が流れる。発生したジュール
熱を熱伝導によりその上にあるメモリセルに伝え、小さ
な強度の光線１９のみで外部磁場日を利用してメモリセ
ル内の磁化Ｍを反転させることができる。このメモリセ
ルは光線１９によって照射された磁気光学メモリ層の領
域にある。磁気光学メモリ層を光導体なしに操作できる
。
しかし次には、光線１９の所望の強度すなわちレーザ強
度を増加させる必要がある。本発明の磁気光学メモリ素
子用のアモルファス層の例に、６．１０−８〜１．１０
‐７トル（肋Ｈｇ）の圧にて高真空蒸着装層で製造され
るアモルファス鉄磁気層（Ｇｄ，−ｘＦｅｘ），−ｙＢ
ｉｙがある。
度を増加させる必要がある。本発明の磁気光学メモリ素
子用のアモルファス層の例に、６．１０−８〜１．１０
‐７トル（肋Ｈｇ）の圧にて高真空蒸着装層で製造され
るアモルファス鉄磁気層（Ｇｄ，−ｘＦｅｘ），−ｙＢ
ｉｙがある。
個々の成分Ｇｄ，ＦｅおよびＢｉを、３個の別々の水冷
式銅るつぼから電子ビームによって同時に蒸発させた。
銅るつぼを正三角形の角に置き、銅るつぼと基板間の距
離を約５６肌とした。全組成に対してＧｄｏ．５ｎｍ／
ｓとＦｅｏ．６ｎｍ／ｓに固定した蒸着率でＧｄとＦｅ
を析出し、Ｂｉの含有量が異なるＧ肥ｅＢｉ層を製造す
るにはＢｉの蒸着率を０．０５ｎｍ／ｓ〜０．１ｎｍ／
ｓ〜０．４ｎｍ／ｓの段階で増加させる。メモリ層の磁
気および磁気光学の各性質の影響をそれ自身無視しても
よい顕微鏡用スライドガラスを基板３として使用した。
このように製造したメモリ層の組成は次のようであった
：（ＧＬ．２６Ｆｅ。
式銅るつぼから電子ビームによって同時に蒸発させた。
銅るつぼを正三角形の角に置き、銅るつぼと基板間の距
離を約５６肌とした。全組成に対してＧｄｏ．５ｎｍ／
ｓとＦｅｏ．６ｎｍ／ｓに固定した蒸着率でＧｄとＦｅ
を析出し、Ｂｉの含有量が異なるＧ肥ｅＢｉ層を製造す
るにはＢｉの蒸着率を０．０５ｎｍ／ｓ〜０．１ｎｍ／
ｓ〜０．４ｎｍ／ｓの段階で増加させる。メモリ層の磁
気および磁気光学の各性質の影響をそれ自身無視しても
よい顕微鏡用スライドガラスを基板３として使用した。
このように製造したメモリ層の組成は次のようであった
：（ＧＬ．２６Ｆｅ。
．７４），−ｙＢｉｙ（式中ｙは０．０２〜０．１３で
ある）。
ある）。
形成してメモリ層の厚さは平均１００〜２００ｎｍであ
った。Ｘ線偏光実験によってアモルファス構造を証明し
た。ビスマスを含まないアモルファスＧ肥ｅメモリ層の
カー効果とファラデー効果の既知の値と比較して、上に
述べた層は約５０％以上のカー回転角０ｋ（第４ａ図）
およびファラデー回転角８Ｆ（第４ｂ図）をそれぞれ有
する。ビスマス含有量ｙの函数としてキュＩＪ‐温度Ｔ
ｃと補償温度ＴＫを、上に与えた組成をもつ種々のメモ
リ層４について第３図に記録した。
った。Ｘ線偏光実験によってアモルファス構造を証明し
た。ビスマスを含まないアモルファスＧ肥ｅメモリ層の
カー効果とファラデー効果の既知の値と比較して、上に
述べた層は約５０％以上のカー回転角０ｋ（第４ａ図）
およびファラデー回転角８Ｆ（第４ｂ図）をそれぞれ有
する。ビスマス含有量ｙの函数としてキュＩＪ‐温度Ｔ
ｃと補償温度ＴＫを、上に与えた組成をもつ種々のメモ
リ層４について第３図に記録した。
熱磁気書込み（記憶）工程に重要な役割を演ずる補償温
度ＴＫは、ビスマス含有量ｙを変えて大きな範囲（十５
０ｑＣ〜−２２０ｏｏ）で変化させ得る。キュリー温Ｔ
ｃ度の影響はずっと小さい。熱磁気書込みの条件（例え
ば、レーザー力、外部磁場力）を補償温度ＴＫの大きさ
によって決定する。
度ＴＫは、ビスマス含有量ｙを変えて大きな範囲（十５
０ｑＣ〜−２２０ｏｏ）で変化させ得る。キュリー温Ｔ
ｃ度の影響はずっと小さい。熱磁気書込みの条件（例え
ば、レーザー力、外部磁場力）を補償温度ＴＫの大きさ
によって決定する。
従って使用者側から要求されるのは、本実施例で３５×
２５伽の大きさのメモリ層の表面を補償温度Ｔｘが数度
以内で変化することであり、メモリ層４の均質性に高い
要求が強いられる。蒸着工程の間基板血を回転させて、
その組成とその磁気および磁気光学性について良好な層
均質性を得る。
２５伽の大きさのメモリ層の表面を補償温度Ｔｘが数度
以内で変化することであり、メモリ層４の均質性に高い
要求が強いられる。蒸着工程の間基板血を回転させて、
その組成とその磁気および磁気光学性について良好な層
均質性を得る。
基板皿を速度５５比ｐｍで回転させる間に（Ｇｄ。
．数ＦｅＭ４），‐ｙＢｉｙ（式中ｙ＝０．０２〉の層
を製造した。補償温度は層の中心や端など種々の測定点
で２２℃から極めて小さい差異を示した。
を製造した。補償温度は層の中心や端など種々の測定点
で２２℃から極めて小さい差異を示した。
この結果層の組成は非浄に均質であった。この結果はフ
ァラデー効果の測定で確かめることができた。実施例の
メモリ層において情報の熱磁気書込みは、例えば入＝５
１４ｎｍの波長および約４０ェルステッドの磁場を有す
るレーザーをメモリ層４に外部から与え、補償点を切換
えて行う。
ァラデー効果の測定で確かめることができた。実施例の
メモリ層において情報の熱磁気書込みは、例えば入＝５
１４ｎｍの波長および約４０ェルステッドの磁場を有す
るレーザーをメモリ層４に外部から与え、補償点を切換
えて行う。
補償点切換えにおいて抗磁力Ｈｃの温度依存性を利用す
る。
る。
補償点切換えにおいてメモリ層を補償温度の付近に保つ
。アドレス指定したメモリ位置を加熱（レーザ）すると
、切換えり必要な磁場は約（Ｔ−ＴＫ）‐１に減少し、
加熱範囲の磁化のみを外部切換え磁場日によってまつす
ぐにする。上記組成のアモルファス（Ｍ，−ｘＦｅｘ）
，‐ｙＢｉｙ層において、補償温度ＴＫは−２２０ｑｏ
〜十５０００の範囲にあり（第３図）、５〜１０ミクロ
ンの直径をもつ領域を０．１〜０．＊ｒｇのエネルギー
と０〜４０ェルステッドの外部磁場で書込むことができ
る。書込まれたパターンは安定であるが、書込みの間磁
場方向に対してさらに高い外磁場（ＨＺ４のｅ）を与え
るか、あるいは再度逆方向に切換えるかして消すことが
できる。その領域の大きさと切換時間は外部磁場日とし
ーザ容量の両者に依存する。
。アドレス指定したメモリ位置を加熱（レーザ）すると
、切換えり必要な磁場は約（Ｔ−ＴＫ）‐１に減少し、
加熱範囲の磁化のみを外部切換え磁場日によってまつす
ぐにする。上記組成のアモルファス（Ｍ，−ｘＦｅｘ）
，‐ｙＢｉｙ層において、補償温度ＴＫは−２２０ｑｏ
〜十５０００の範囲にあり（第３図）、５〜１０ミクロ
ンの直径をもつ領域を０．１〜０．＊ｒｇのエネルギー
と０〜４０ェルステッドの外部磁場で書込むことができ
る。書込まれたパターンは安定であるが、書込みの間磁
場方向に対してさらに高い外磁場（ＨＺ４のｅ）を与え
るか、あるいは再度逆方向に切換えるかして消すことが
できる。その領域の大きさと切換時間は外部磁場日とし
ーザ容量の両者に依存する。
付与エネルギーによって特有な切襖時間は０．５〜２マ
イクロ秒である。またキュリ−′点切換えによって熱磁
気書込みを行うことができる。
イクロ秒である。またキュリ−′点切換えによって熱磁
気書込みを行うことができる。
キュリー点切換えは好ましくは、８０〜１００ｑ０の範
囲のキュリー温度Ｔｃで行う。
囲のキュリー温度Ｔｃで行う。
メモリ層４を光導体１８とを連結する場合、記録感度を
かなり増加させることができる。
かなり増加させることができる。
このような連結によって光導体１８をメモリ層に対する
「基板」として使用する（これと対称して他にガラス／
メモリ層連結を使用する）。光導体および電極表面１７
の粗さはそれぞれ（粗さ数〃肌）、メモリ層の磁気壁の
さらに強い粘着力に由来し、これは抗磁力Ｈｃの増加を
意味する。使用した基板の粗さにより、前記磁場力は約
２〜５の率で増加することができ、一方補償温度ＴＫは
変化しないままである。従って、同じ高さの補償温度Ｔ
Ｋで平滑な層に情報を記録するに十分なエネルギーを使
用して粗い層に情報を記録することはできない。正しい
組成に変えて（Ｂｊ分を変えて）、補償温度Ｔｃの高さ
を、抗磁力Ｈｃの温度依存性が再度平滑面（ガラス）の
メモリ層に与えると同様の変化を示すまで、減らすこと
ができる（第３図参照）。偏光、例えば６３机ｍの波長
を有するレーザ光によって情報の読取りを行う。
「基板」として使用する（これと対称して他にガラス／
メモリ層連結を使用する）。光導体および電極表面１７
の粗さはそれぞれ（粗さ数〃肌）、メモリ層の磁気壁の
さらに強い粘着力に由来し、これは抗磁力Ｈｃの増加を
意味する。使用した基板の粗さにより、前記磁場力は約
２〜５の率で増加することができ、一方補償温度ＴＫは
変化しないままである。従って、同じ高さの補償温度Ｔ
Ｋで平滑な層に情報を記録するに十分なエネルギーを使
用して粗い層に情報を記録することはできない。正しい
組成に変えて（Ｂｊ分を変えて）、補償温度Ｔｃの高さ
を、抗磁力Ｈｃの温度依存性が再度平滑面（ガラス）の
メモリ層に与えると同様の変化を示すまで、減らすこと
ができる（第３図参照）。偏光、例えば６３机ｍの波長
を有するレーザ光によって情報の読取りを行う。
光導体１８と電極１７を各々、前記波長を有する光に透
明であるように選択する。反射光における読取りのほか
に、磁気光学メモリ層４が十分に薄い（ｄミ６仇ｍ）場
合に与えられた伝導において読取りを行うことができる
。
明であるように選択する。反射光における読取りのほか
に、磁気光学メモリ層４が十分に薄い（ｄミ６仇ｍ）場
合に与えられた伝導において読取りを行うことができる
。
第１図は磁気光学素子を有する磁気光学メモリ装置の概
略図、第２図は２個の電極が介在する光導体を有する磁
気光学メモリ素子の断面図、第３図は（Ｇｄ，Ｆｅ），
−ｙＢｉｙメモリ層のビスマス含有量ｙの函数としてキ
ュリー温度Ｔｃと補償温度ＴＫの関係を示すグラフ、第
４図ａは（Ｇｄ，Ｆｅ），‐ｙＢｉｙフィルムのビスマ
ス含有量ｙの函数としてカー回転８Ｋ（度）の値を示す
グラフ、第４ｂ図は（Ｇｄ，Ｆｅ），‐ｙＢｉｙフィル
ムのＢｉ含有量ｙの函数としてファラデー回転角８Ｆ（
１ぴ度／弧）の値を示すグラフである。 １・・・・・・支持板、２・・・・・・駆動機構、３・
・・・・・基板、４・・・・・・磁気光学メモリ層、５
・・・・・・支持板、６・・・・・・駆動機構、７・・
・・・・レーザダィオード、８・・・・・・光学デスプ
レィ、９・・…・磁気コイル、１０・・・・・・偏光子
、１１…・・・分析器、１２・・…・ホトダィオード、
１３・・・・・・フレーム、１４・・・・・・光源、１
５・．．・．．光学表示器、１６・・・・・・光ダイオ
ード、１７・・・・・・電極、１８・・・・・・光導体
、１９・・・・・・Ｈｅ−Ｎｅレーザ。 ＦＩＧ．ＩＦＩＧ．２ ＦＩＧ．３ ＦＩＧ．４ａ ＦＩＧ・ムｂ
略図、第２図は２個の電極が介在する光導体を有する磁
気光学メモリ素子の断面図、第３図は（Ｇｄ，Ｆｅ），
−ｙＢｉｙメモリ層のビスマス含有量ｙの函数としてキ
ュリー温度Ｔｃと補償温度ＴＫの関係を示すグラフ、第
４図ａは（Ｇｄ，Ｆｅ），‐ｙＢｉｙフィルムのビスマ
ス含有量ｙの函数としてカー回転８Ｋ（度）の値を示す
グラフ、第４ｂ図は（Ｇｄ，Ｆｅ），‐ｙＢｉｙフィル
ムのＢｉ含有量ｙの函数としてファラデー回転角８Ｆ（
１ぴ度／弧）の値を示すグラフである。 １・・・・・・支持板、２・・・・・・駆動機構、３・
・・・・・基板、４・・・・・・磁気光学メモリ層、５
・・・・・・支持板、６・・・・・・駆動機構、７・・
・・・・レーザダィオード、８・・・・・・光学デスプ
レィ、９・・…・磁気コイル、１０・・・・・・偏光子
、１１…・・・分析器、１２・・…・ホトダィオード、
１３・・・・・・フレーム、１４・・・・・・光源、１
５・．．・．．光学表示器、１６・・・・・・光ダイオ
ード、１７・・・・・・電極、１８・・・・・・光導体
、１９・・・・・・Ｈｅ−Ｎｅレーザ。 ＦＩＧ．ＩＦＩＧ．２ ＦＩＧ．３ ＦＩＧ．４ａ ＦＩＧ・ムｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 希土類金属−遷移金属の合金の一軸磁気異方性を有
するアモルフアス層を支持する非磁化基板から成る磁気
光学メモリ素子において、前記合金が少なくとも１原子
％のビスマスを含むことを特徴とする磁気光学メモリ素
子。 ２ 合金が一般式 （Ｒ＿１＿−＿ｘＭ＿ｘ）＿１＿−＿ｙＢｉ＿ｙ（式中
Ｒは希土類金属群のうち少なくとも１種の元素、Ｍは遷
移金属群のうち少なくとも１種の元素を表わし、ｘは０
．６≦ｘ≦０．９、ｙは０．０１≦ｙ≦０．２５である
）で示される組成を有する特許請求の範囲第１項記載の
磁気光学メモリ素子。 ３ Ｒは少なくともガドリニウムであり、Ｍは鉄である
特許請求の範囲第２項記載の磁気光学メモリ素子。 ４ ガドリニウム：鉄の比（原子％）が２６：７４〜２
７：７３の範囲内にあり、ｙが０．０１≦ｙ≦０．１３
である特許請求の範囲第３項記載の磁気光学メモリ素子
。 ５ 少なくとも１原子％のビスマスを含む希土類金属−
移移金属の合金の一軸磁気異方性を有するアモルフアス
層を支持する非磁化基板から成る磁気光学メモリ素子を
製造するに当り、メモリ素子４のアモルフアス層を構成
する物質を基板支持体上に置いた非磁化基板上に供給し
、前記基板支持体を単位時間当たり一定速度で回転させ
ることを特徴とする磁気光学メモリ素子の製造方法。 ６ １分間当りの回転数が５０〜１００である特許請求
の範囲第５項記載の磁気光学メモリ素子の製造方法。 ７ メモリ板、および直線偏光ビームを放射する放射源
７を含む光学記録読取りユニツトを有し、前記偏光光ビ
ームを、前記磁気板とこのメモリ板によつて伝送反射す
る光線振動板の回転を測定する検出器１１２に対し各々
相対的に位置せしめ、さらに前記メモリ板に対し垂直に
延びた磁場を発生させる磁気コイル９を有する磁気光学
メモリ装置において、前記メモリ板が少なくとも１原子
％のビスマスを含み希土類金属−遷移金属の合金の一軸
磁気異方性をもつアモルフアス層を支持する非磁化基板
から成る磁気光学メモリ素子４であることを特徴とする
磁気光学メモリ装置。 ８ メモリ素子のアモルフアス層を、光伝導層が介在す
る２個の透明な平板電極の組立品を形成する１個の透明
な平面電極の自由側面に備える特許請求の範囲第８項記
載の磁気光学メモリ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2911992A DE2911992C2 (de) | 1979-03-27 | 1979-03-27 | Magnetooptisches Speicherelement, Verfahren zu seiner Herstellung und es verwendende Speichervorrichtung |
| DE2911992.4 | 1979-03-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55130106A JPS55130106A (en) | 1980-10-08 |
| JPS6033288B2 true JPS6033288B2 (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=6066550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55037347A Expired JPS6033288B2 (ja) | 1979-03-27 | 1980-03-24 | 磁気光学メモリ素子、その製造方法及び磁気光学メモリ装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4464437A (ja) |
| JP (1) | JPS6033288B2 (ja) |
| AU (1) | AU536617B2 (ja) |
| CA (1) | CA1154532A (ja) |
| DE (1) | DE2911992C2 (ja) |
| FR (1) | FR2452763A1 (ja) |
| GB (1) | GB2049730B (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883346A (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-19 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| JPS58175809A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| DE3317101A1 (de) * | 1982-05-10 | 1983-11-10 | Canon K.K., Tokyo | Magnetooptischer aufzeichnungstraeger |
| JPS59208706A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | Daido Steel Co Ltd | 熱磁気記録材料 |
| US4684454A (en) * | 1983-05-17 | 1987-08-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering process for making magneto optic alloy |
| US4569881A (en) * | 1983-05-17 | 1986-02-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-layer amorphous magneto optical recording medium |
| US4833043A (en) * | 1983-05-17 | 1989-05-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
| US4721658A (en) * | 1984-04-12 | 1988-01-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
| JPS6079702A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| JPS60128606A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0690813B2 (ja) * | 1984-05-26 | 1994-11-14 | 株式会社リコー | 非晶質磁気光学層 |
| JPS61544A (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-06 | Yoshifumi Sakurai | 垂直磁化膜 |
| JPS6118107A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Ricoh Co Ltd | 非晶質磁気光学層 |
| DE3536210A1 (de) * | 1984-10-11 | 1986-04-17 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches aufzeichnungsmedium |
| US4812637A (en) * | 1986-07-07 | 1989-03-14 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical disc head with high signal-to-noise ratio |
| DE4031772A1 (de) * | 1989-10-09 | 1991-04-18 | Murr Elektronik Gmbh | Kabelklemme |
| US5107460A (en) * | 1990-01-18 | 1992-04-21 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Spatial optical modulator |
| JP2612966B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1997-05-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 無定形ウラニウム合金、それを用いた光磁気記憶媒体および光磁気記憶システム |
| JPH0573990A (ja) * | 1991-03-07 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 光記録方法、光記録再生方法、光記録材料及び光記録装置 |
| US5534360A (en) * | 1991-12-13 | 1996-07-09 | International Business Machines Corporation | Amorphous uranium alloy and use thereof |
| US5845065A (en) * | 1994-11-15 | 1998-12-01 | Wrq, Inc. | Network license compliance apparatus and method |
| US6724674B2 (en) * | 2000-11-08 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Memory storage device with heating element |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3427134A (en) * | 1963-08-01 | 1969-02-11 | Ibm | Ferromagnetic compounds and method of preparation |
| US3342591A (en) * | 1964-08-31 | 1967-09-19 | Ibm | Ferromagnetic compounds and method of preparation |
| BE793138A (fr) * | 1971-12-21 | 1973-04-16 | Siemens Ag | Couche de memoire magneto-optique |
| US3949387A (en) * | 1972-08-29 | 1976-04-06 | International Business Machines Corporation | Beam addressable film using amorphous magnetic material |
| JPS4989897A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-28 | ||
| US4018692A (en) * | 1973-10-04 | 1977-04-19 | Rca Corporation | Composition for making garnet films for improved magnetic bubble devices |
| US4170689A (en) * | 1974-12-25 | 1979-10-09 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Magneto-optic thin film for memory devices |
| US4126494A (en) * | 1975-10-20 | 1978-11-21 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Magnetic transfer record film |
| DE2713190C2 (de) * | 1977-03-25 | 1983-11-24 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Herstellen aufgedampfter, amorpher Gadolinium-Eisen- Schichten |
-
1979
- 1979-03-27 DE DE2911992A patent/DE2911992C2/de not_active Expired
-
1980
- 1980-03-19 CA CA000347979A patent/CA1154532A/en not_active Expired
- 1980-03-21 AU AU56720/80A patent/AU536617B2/en not_active Ceased
- 1980-03-24 US US06/132,747 patent/US4464437A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-03-24 JP JP55037347A patent/JPS6033288B2/ja not_active Expired
- 1980-03-25 GB GB8010026A patent/GB2049730B/en not_active Expired
- 1980-03-26 FR FR8006750A patent/FR2452763A1/fr active Granted
-
1981
- 1981-05-27 US US06/268,027 patent/US4438508A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| AU536617B2 (en) | 1984-05-17 |
| US4464437A (en) | 1984-08-07 |
| DE2911992A1 (de) | 1980-10-02 |
| FR2452763A1 (fr) | 1980-10-24 |
| GB2049730A (en) | 1980-12-31 |
| DE2911992C2 (de) | 1981-12-10 |
| US4438508A (en) | 1984-03-20 |
| AU5672080A (en) | 1980-10-02 |
| FR2452763B1 (ja) | 1983-12-09 |
| JPS55130106A (en) | 1980-10-08 |
| GB2049730B (en) | 1983-08-03 |
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