JPS6118107A - 非晶質磁気光学層 - Google Patents
非晶質磁気光学層Info
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- JPS6118107A JPS6118107A JP13829684A JP13829684A JPS6118107A JP S6118107 A JPS6118107 A JP S6118107A JP 13829684 A JP13829684 A JP 13829684A JP 13829684 A JP13829684 A JP 13829684A JP S6118107 A JPS6118107 A JP S6118107A
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- JP
- Japan
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- optical layer
- magneto
- optical
- layer
- amorphous
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/133—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals
- H01F10/135—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals
- H01F10/136—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals containing iron
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はハードディスク、フロッピーディスク、ドキュ
メントファイル等に使用される光磁気記録媒体の磁気光
学層に関するものであり、特に磁気光学効果に優れた非
晶質磁気光学層に係るものである。
メントファイル等に使用される光磁気記録媒体の磁気光
学層に関するものであり、特に磁気光学効果に優れた非
晶質磁気光学層に係るものである。
従来技術
近年、半導体レーザー光により磁気記録を行う光磁気記
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。特に
、高密度記録用として使用されるためには磁気光学層が
その膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有することが必要
とされる。
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。特に
、高密度記録用として使用されるためには磁気光学層が
その膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有することが必要
とされる。
従来、とnら光磁気記録媒体に用いう詐る磁気光学層と
してはGd−Co、 Gd−F・、Tb−F・、Gd−
Tb−F・、 Tb−Dy−F@等の非晶質合金を用い
たもの等が知られているが、これら非晶質磁気光学層を
用いた光磁気記録媒体は記録感度が高く半導体レーザー
光によって高速度(周波数、数MHsにおいて)で記録
できるという利点はあるものの磁気光学効果が十分満足
できるものではない問題点を有するものである。
してはGd−Co、 Gd−F・、Tb−F・、Gd−
Tb−F・、 Tb−Dy−F@等の非晶質合金を用い
たもの等が知られているが、これら非晶質磁気光学層を
用いた光磁気記録媒体は記録感度が高く半導体レーザー
光によって高速度(周波数、数MHsにおいて)で記録
できるという利点はあるものの磁気光学効果が十分満足
できるものではない問題点を有するものである。
このような非晶質磁気光学層を用いて光磁気記録媒体を
作るには、一般にガラス板のような基板上に前記光学層
を真空蒸着、スノツタリング等の方法で付着させて形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行われる。すなわち、記録は光学
層のキュリ一温度または補償温度近傍における温度変化
に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して情報信号
で変調されたレーザー光を光学層に照射加熱して光学層
表面の磁化の向きを反転させることにより行われる。ま
た再生はこうして反転記録さnた光学層のカー回転角を
読出すことにより行われる。このように非晶質合金光学
層のように光が透過しにくい場合の情報信号の記録、再
生はカー効果を利用するものである。カー効果とは光学
層の表面で光が反射する際の偏光面の回転現象であり、
鼻)極(polar )効果、b)縦(longitu
dinal )効果、C)横(trang−v@r@@
)効果があり、特に非晶質磁気光学層の場合にはa)
の極効来が用いらn、そのカー回転角θkを利用して再
生が行われる。従って、カー回転角θkが少しでも大き
くなnばそれだげ磁気光学効果が増し、再生特性が向上
することになる。
作るには、一般にガラス板のような基板上に前記光学層
を真空蒸着、スノツタリング等の方法で付着させて形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行われる。すなわち、記録は光学
層のキュリ一温度または補償温度近傍における温度変化
に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して情報信号
で変調されたレーザー光を光学層に照射加熱して光学層
表面の磁化の向きを反転させることにより行われる。ま
た再生はこうして反転記録さnた光学層のカー回転角を
読出すことにより行われる。このように非晶質合金光学
層のように光が透過しにくい場合の情報信号の記録、再
生はカー効果を利用するものである。カー効果とは光学
層の表面で光が反射する際の偏光面の回転現象であり、
鼻)極(polar )効果、b)縦(longitu
dinal )効果、C)横(trang−v@r@@
)効果があり、特に非晶質磁気光学層の場合にはa)
の極効来が用いらn、そのカー回転角θkを利用して再
生が行われる。従って、カー回転角θkが少しでも大き
くなnばそれだげ磁気光学効果が増し、再生特性が向上
することになる。
目 的
本発明の目的は膜面に喬直な方向に磁化容易軸を有する
非晶質合金光学層におけるカー回転角θkをより増大せ
しめ、それにより光再生特性を向上させた非晶質磁気光
学層を提供するととにある。
非晶質合金光学層におけるカー回転角θkをより増大せ
しめ、それにより光再生特性を向上させた非晶質磁気光
学層を提供するととにある。
構成
本発明は膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有するRE−
F@−M(ただし、MはC11,Cre 8n*N1お
よびBiのうちから選ばれる少くとも1111)からな
る非晶質磁気光学層である。本発明におけるR11i、
すなわち希土類金属としてはGd、D7sTbの少くと
も1種が用いられる。
F@−M(ただし、MはC11,Cre 8n*N1お
よびBiのうちから選ばれる少くとも1111)からな
る非晶質磁気光学層である。本発明におけるR11i、
すなわち希土類金属としてはGd、D7sTbの少くと
も1種が用いられる。
本発明の磁気光学層は垂直磁気異方性を有することが必
要であり、かつ高保磁力を有することが望ましく、この
理由から本発明光学層の組成式を、 ((RIll−!RKI x) 、”、 −、)1−A
(Ml、−、Mll、)Aと表わした場合、(但しR
IB、 R]4=Gd、 Tb、 Dy :MI、 M
l= Cut Crw N1.8n、 Bi ) 、
0≦X<1゜0.1≦Y≦O,S、O≦Z<1.0.
001≦A≦0.1であることが望ましい。
要であり、かつ高保磁力を有することが望ましく、この
理由から本発明光学層の組成式を、 ((RIll−!RKI x) 、”、 −、)1−A
(Ml、−、Mll、)Aと表わした場合、(但しR
IB、 R]4=Gd、 Tb、 Dy :MI、 M
l= Cut Crw N1.8n、 Bi ) 、
0≦X<1゜0.1≦Y≦O,S、O≦Z<1.0.
001≦A≦0.1であることが望ましい。
本発明非晶質磁気光学層は適宜の基板上に真空蒸着、ス
パッタリング、イオンシレーティング等の方法で膜厚0
.01〜1μ風程度に形成する。
パッタリング、イオンシレーティング等の方法で膜厚0
.01〜1μ風程度に形成する。
スパッタリングにて薄膜形成を行う場合には各光学層成
分を各個にあるいは組合わせてターゲットとし、光学層
組成はターゲット表面の面積比でコントロールするよう
にする。
分を各個にあるいは組合わせてターゲットとし、光学層
組成はターゲット表面の面積比でコントロールするよう
にする。
基板としてはガラス、プラスチック、七2ξツク等が使
用できる。また本発明非晶質磁気光学層と基板との間、
あるいは上面に保護層、断熱層、反射層等が任意に設け
らnる。
用できる。また本発明非晶質磁気光学層と基板との間、
あるいは上面に保護層、断熱層、反射層等が任意に設け
らnる。
以下に本発明を実施例につき説明する。
実施例1〜4
これら実施例ではREおよびMがともに1種類の例を示
す。
す。
スライドガラス基板上にスパッタリング法によりRE−
F・−Mからなる非晶質磁気光学層を形成した。ターゲ
ットはコンポジット法を用い、F・円板上にBE チ
ップおよびMチップをのせて構成し、組成はターゲット
表面の面積比でコントロールした。
F・−Mからなる非晶質磁気光学層を形成した。ターゲ
ットはコンポジット法を用い、F・円板上にBE チ
ップおよびMチップをのせて構成し、組成はターゲット
表面の面積比でコントロールした。
各実施例ではt(a の大きい補償組成付近のF’e6
1a Rlo、nもしくは”51aa6 RE、to
の組成においてREの一部をMで置換するという形、す
なわちr@6.’rl (REt−x Mx)o、nも
しくはF’eo、u(RE、−x Mx)o、鵞o
として作製した。
1a Rlo、nもしくは”51aa6 RE、to
の組成においてREの一部をMで置換するという形、す
なわちr@6.’rl (REt−x Mx)o、nも
しくはF’eo、u(RE、−x Mx)o、鵞o
として作製した。
各光学層の作製条件を次表に示す。
以下余白
膜の評価は基板側から■・−N・ レーザー(λ= 6
33 nm ) を照射し、カー効果を用いてカー回
転角θにお・よび保磁力H1lを求めた。それらの結果
を第1図〜第4図に示す。これらの図よりX、すなわち
Mの量を増大させることによりEloは小さくなるもの
のθには大きくなることがわかる。各実施例ではD7ま
たはTbをMで置換していったためM量を増すと異方性
に寄与しているD7またはTbが減り、 Haが急激に
小さくなった。そのためMの添加量をそれほど増大でき
なかったが、F・とDyまたはTb の量の比を一定
にしてMを添加するようKすれば■Cの急激な減少はな
(なりMの添加量を増大させることができる。
33 nm ) を照射し、カー効果を用いてカー回
転角θにお・よび保磁力H1lを求めた。それらの結果
を第1図〜第4図に示す。これらの図よりX、すなわち
Mの量を増大させることによりEloは小さくなるもの
のθには大きくなることがわかる。各実施例ではD7ま
たはTbをMで置換していったためM量を増すと異方性
に寄与しているD7またはTbが減り、 Haが急激に
小さくなった。そのためMの添加量をそれほど増大でき
なかったが、F・とDyまたはTb の量の比を一定
にしてMを添加するようKすれば■Cの急激な減少はな
(なりMの添加量を増大させることができる。
ここで各実施例における非晶質磁気光学層において最も
カー回軸角θkが大きくなる場合の光学層組成、カー回
転角θにおよびM無含有の場合に比べてのθk の増加
値を示す。
カー回軸角θkが大きくなる場合の光学層組成、カー回
転角θにおよびM無含有の場合に比べてのθk の増加
値を示す。
実施例5〜15
これら実施例ではREt が2種類でMが1種類の例を
示す。
示す。
スライドガラス基板上にスノ看ツタリング法によりRE
−R)i’−F・−Mからなる非晶質磁気光学層を形成
した。ターゲットはコンポジット法を用い、F・円板上
にRE、R1i’チップおよびMチップをのせて構成し
、組成はターゲット表面の面積比でコン)a−ルした。
−R)i’−F・−Mからなる非晶質磁気光学層を形成
した。ターゲットはコンポジット法を用い、F・円板上
にRE、R1i’チップおよびMチップをのせて構成し
、組成はターゲット表面の面積比でコン)a−ルした。
各実施例ではtlaの大きい補償組成付近のFso、v
e CR&、s at、、、 )***iもしくはFs
o、wt(R)3e、sR賜、s )eatsの組成に
おいて(Rlo、* are、I )の一部をMで置換
するという形、すなわちF・。、ve f(Rlt:o
、sRぎ◎、1)1−XM宣)・、、1もしくはF@o
、?y ((R胸、、R為、1)1−XMIC)Il、
鵞、として作製した。
e CR&、s at、、、 )***iもしくはFs
o、wt(R)3e、sR賜、s )eatsの組成に
おいて(Rlo、* are、I )の一部をMで置換
するという形、すなわちF・。、ve f(Rlt:o
、sRぎ◎、1)1−XM宣)・、、1もしくはF@o
、?y ((R胸、、R為、1)1−XMIC)Il、
鵞、として作製した。
各光学層の作製条件を次表に示す。
膜の評価は基板側からH・−N6 レーザー(λ=6
33 nm ) を照射し、カー効果を用いてカー回転
角θにおよび保持力Haを求めた。それらの結果を第5
図〜第15図に示す。これらの図よりX、すなわちMの
量を増大させることによりf(cは小さくなるもののθ
には大きくなることがわかる。各実施例では(Gdo、
i Tbo、s )、(Tbo、s DFo、l )も
しくは(Gda、+s Dyo、s )の一部なMで置
換していったためM量を増すと異方性に寄与しているT
bもしくはDyが減り、Heが急激に小さくなった。そ
のためMの添加量をそれほど増大できなかったが、F・
と(Gd−Tb)、(Tb−Dy)、(aa−or)の
量の比を一定にしてMを添加するようにすればFitの
急激な減少はなくなりMの添加量を増大させることがで
きる。
33 nm ) を照射し、カー効果を用いてカー回転
角θにおよび保持力Haを求めた。それらの結果を第5
図〜第15図に示す。これらの図よりX、すなわちMの
量を増大させることによりf(cは小さくなるもののθ
には大きくなることがわかる。各実施例では(Gdo、
i Tbo、s )、(Tbo、s DFo、l )も
しくは(Gda、+s Dyo、s )の一部なMで置
換していったためM量を増すと異方性に寄与しているT
bもしくはDyが減り、Heが急激に小さくなった。そ
のためMの添加量をそれほど増大できなかったが、F・
と(Gd−Tb)、(Tb−Dy)、(aa−or)の
量の比を一定にしてMを添加するようにすればFitの
急激な減少はなくなりMの添加量を増大させることがで
きる。
ここで、各実施例におゆる非晶質磁気光学層において最
もカー回転角θkが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角θにおよびM無含有の場合に比べてのθにの増加
値を示す。
もカー回転角θkが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角θにおよびM無含有の場合に比べてのθにの増加
値を示す。
実施例16〜19
これら実施例ではREが1mでMが2種類の例を示す。
スライドガラス基板上にスノ臂ツタリング法によりRE
−F@−M−Mからなる非晶質磁気光学層を形成した。
−F@−M−Mからなる非晶質磁気光学層を形成した。
ターゲットはコンポジット法を用い、(2台・、os
M、、軸)の合金円板上にBEチップおよびyチップを
のせて構成し、組成はターゲット表面の面積比でコント
a−ルした。
M、、軸)の合金円板上にBEチップおよびyチップを
のせて構成し、組成はターゲット表面の面積比でコント
a−ルした。
各実施例ではH(l の大きい補償組成付近の(F@a
mes NIe、at )a、n (RE)o、tt
もしくは(P*6.@畠Mo、o*)s、s (RE)
11.1の組成忙おいてREの一部なyで置換するとい
う形、すなわち(F・。、。、Mo、。、)。、、。
mes NIe、at )a、n (RE)o、tt
もしくは(P*6.@畠Mo、o*)s、s (RE)
11.1の組成忙おいてREの一部なyで置換するとい
う形、すなわち(F・。、。、Mo、。、)。、、。
(”1−X ’X )。、*@もしくはCF’41o、
as Me、os)o、m。 −(RE、−8M、)
6−として作製した。なお、ここでMはCuまたはOr
が好ましい、 各光学層の作製条件を次表に示す。
as Me、os)o、m。 −(RE、−8M、)
6−として作製した。なお、ここでMはCuまたはOr
が好ましい、 各光学層の作製条件を次表に示す。
膜の評価は基板側から■・−Noレーザー(λ;@ 3
3111m )を照射し、カー効果を用いてカー回転角
θにおよび保持力Haを求めた。それらの結果を第16
図〜第19図に示す。これらの図よりX、すなわちyの
量を増大させることくよりHaは小さくなるもののθに
は大きくなることがわかる。各実施例ではRE(Tb
)の一部をMで置換していったためy量を増すと異方性
に寄与しているTbが減りHeが急激にノ」−さくなっ
た。そのためyの添加量をそれほど増大できなかったが
(Fe−M)とTbとの量比な一定にしてyを添加する
ようにすればE・の急激な減少はなくなりyの添加量を
増大させることができる。
3111m )を照射し、カー効果を用いてカー回転角
θにおよび保持力Haを求めた。それらの結果を第16
図〜第19図に示す。これらの図よりX、すなわちyの
量を増大させることくよりHaは小さくなるもののθに
は大きくなることがわかる。各実施例ではRE(Tb
)の一部をMで置換していったためy量を増すと異方性
に寄与しているTbが減りHeが急激にノ」−さくなっ
た。そのためyの添加量をそれほど増大できなかったが
(Fe−M)とTbとの量比な一定にしてyを添加する
ようにすればE・の急激な減少はなくなりyの添加量を
増大させることができる。
ここで、各実施例における非晶質磁気光学層において最
もカー回転角θkが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角θにおよびM、、yt無金含有場′合に比べての
θにの増加値を示す。
もカー回転角θkが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角θにおよびM、、yt無金含有場′合に比べての
θにの増加値を示す。
実施例20〜31
′これら実施例ではREが2種類、Mが2種類の例を示
す。
す。
スライドガラス基板上にスノぐツタリング法によりRE
−Rr−Fe −M −kl からなる非晶質磁気光
学層を形成した。ターゲットは;ンポジット法を用い(
F・−M)合金円板上に(RE−81)チップおよびy
チップをのせて構成し、組成はターゲット表面の面積比
でコントロールした。
−Rr−Fe −M −kl からなる非晶質磁気光
学層を形成した。ターゲットは;ンポジット法を用い(
F・−M)合金円板上に(RE−81)チップおよびy
チップをのせて構成し、組成はターゲット表面の面積比
でコントロールした。
各実施例では(Fee、es Ms、軸)o、t* (
RIe、sR&、s)*、tt會(Fe@、1g M(
+、@1 )oats (R&、s R&、* )o、
*tおよび(F・o、s。
RIe、sR&、s)*、tt會(Fe@、1g M(
+、@1 )oats (R&、s R&、* )o、
*tおよび(F・o、s。
Mo、es )a、yy (REe、sRI’hs )
e、雪−の組成において、(R&−RIB、@)の一部
をWで置換するという形、すなわち(Feo、参s M
O,II! )o、v* ((RBe、s RE’o、
s )t−xW )oais(1’lJt、@@ Ml
、(11)e、n ((ur4.ag、、 )x−z
m’、)、、、、もしく は (1’@11.II M
、、、1)Ltv ((RF4J R11i’o、
s )1−X a’x)、、、。
e、雪−の組成において、(R&−RIB、@)の一部
をWで置換するという形、すなわち(Feo、参s M
O,II! )o、v* ((RBe、s RE’o、
s )t−xW )oais(1’lJt、@@ Ml
、(11)e、n ((ur4.ag、、 )x−z
m’、)、、、、もしく は (1’@11.II M
、、、1)Ltv ((RF4J R11i’o、
s )1−X a’x)、、、。
として作製した。なお、ここでMはGoまたはCrが好
ましい。
ましい。
各光学層の作製条件な次表に示す。
膜の評価は基板側からR・−Noレーザー(λミロ33
nm)を照射し、カー効果を用いてカー回転角θにおよ
び保磁力ECを求めた。それらの結果を第20図〜第3
1図に示す。こtらの図よりX、すなわちM′の量を増
大させることにより■0は小さくなるもののθには大き
くなることがわかる。各実施例では(RE−RE’)の
一部をM′で置換していったためW量を増すと異方性に
寄与しているTb、 D7の量が減りHaが急激に小さ
くなった。そのためyの添加量をそれほど増大できなか
ったが(Fe−M)と(RE−RE’)との量比な一定
にしてM′を添加するようにすればEic の急激な減
少はなくなり、yの添加量を増大させることができる。
nm)を照射し、カー効果を用いてカー回転角θにおよ
び保磁力ECを求めた。それらの結果を第20図〜第3
1図に示す。こtらの図よりX、すなわちM′の量を増
大させることにより■0は小さくなるもののθには大き
くなることがわかる。各実施例では(RE−RE’)の
一部をM′で置換していったためW量を増すと異方性に
寄与しているTb、 D7の量が減りHaが急激に小さ
くなった。そのためyの添加量をそれほど増大できなか
ったが(Fe−M)と(RE−RE’)との量比な一定
にしてM′を添加するようにすればEic の急激な減
少はなくなり、yの添加量を増大させることができる。
ここで、各実施例におゆる非晶質磁気光学層におい【最
もカー回転角θkが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角0におよびM、M’無金含有場合に比べてθにの
増加値を示す。
もカー回転角θkが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角0におよびM、M’無金含有場合に比べてθにの
増加値を示す。
効果
上記のような本発明による非晶質磁気光学層て大きくな
り、光再生時の光再生特性が良好となり、8/N比が向
上するとともに記録ビット数も増大し、高密度記録再生
可能な光磁気記録媒体の非晶質磁気光学層として最適な
ものである。
り、光再生時の光再生特性が良好となり、8/N比が向
上するとともに記録ビット数も増大し、高密度記録再生
可能な光磁気記録媒体の非晶質磁気光学層として最適な
ものである。
第1図〜第31図は実施例における各非晶質磁気光学層
中のM (M’)の量を変えた場合のθにおよびH@の
変化図である。 Fea7s(Dyt−xCu、x)(122中のXFe
o、ao(Tbt−xNix)ozo中のXFeo7q
(CG!osTbos)1−xcrx)o21中のX
Feo7q [(Toos’Dyas斤xculJo、
z+中の×I:eo7q(C丁bo5らtos) 1−
x NLXJ o21中11)XFeon((6dn5
ρyo5)1−1CrxJazs 中のXFeo77(
((ytLos Dyo5)r−XNiXJ023 中
11+X尾15図
中のM (M’)の量を変えた場合のθにおよびH@の
変化図である。 Fea7s(Dyt−xCu、x)(122中のXFe
o、ao(Tbt−xNix)ozo中のXFeo7q
(CG!osTbos)1−xcrx)o21中のX
Feo7q [(Toos’Dyas斤xculJo、
z+中の×I:eo7q(C丁bo5らtos) 1−
x NLXJ o21中11)XFeon((6dn5
ρyo5)1−1CrxJazs 中のXFeo77(
((ytLos Dyo5)r−XNiXJ023 中
11+X尾15図
Claims (1)
- 1、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類金属
−鉄系非晶質合金属からなる光学層において、前記合金
層中にCu、Cr、Sn、NiおよびBiのうちから選
ばれる少くとも1種の金属を含有せしめてなる非晶質磁
気光学層。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13829684A JPS6118107A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 非晶質磁気光学層 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13829684A JPS6118107A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 非晶質磁気光学層 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6118107A true JPS6118107A (ja) | 1986-01-27 |
Family
ID=15218564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13829684A Pending JPS6118107A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 非晶質磁気光学層 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6118107A (ja) |
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-
1984
- 1984-07-04 JP JP13829684A patent/JPS6118107A/ja active Pending
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