JPS6118107A - 非晶質磁気光学層 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はハードディスク、フロッピーディスク、ドキュ
メントファイル等に使用される光磁気記録媒体の磁気光
学層に関するものであり、特に磁気光学効果に優れた非
晶質磁気光学層に係るものである。

従来技術 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行う光磁気記
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。特に
、高密度記録用として使用されるためには磁気光学層が
その膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有することが必要
とされる。

従来、とｎら光磁気記録媒体に用いう詐る磁気光学層と
してはＧｄ−Ｃｏ、　Ｇｄ−Ｆ・、Ｔｂ−Ｆ・、Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｆ・、　Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆ＠等の非晶質合金を用い
たもの等が知られているが、これら非晶質磁気光学層を
用いた光磁気記録媒体は記録感度が高く半導体レーザー
光によって高速度（周波数、数ＭＨｓにおいて）で記録
できるという利点はあるものの磁気光学効果が十分満足
できるものではない問題点を有するものである。

このような非晶質磁気光学層を用いて光磁気記録媒体を
作るには、一般にガラス板のような基板上に前記光学層
を真空蒸着、スノツタリング等の方法で付着させて形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行われる。すなわち、記録は光学
層のキュリ一温度または補償温度近傍における温度変化
に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して情報信号
で変調されたレーザー光を光学層に照射加熱して光学層
表面の磁化の向きを反転させることにより行われる。ま
た再生はこうして反転記録さｎた光学層のカー回転角を
読出すことにより行われる。このように非晶質合金光学
層のように光が透過しにくい場合の情報信号の記録、再
生はカー効果を利用するものである。カー効果とは光学
層の表面で光が反射する際の偏光面の回転現象であり、
鼻）極（ｐｏｌａｒ　）効果、ｂ）縦（ｌｏｎｇｉｔｕ
ｄｉｎａｌ　）効果、Ｃ）横（ｔｒａｎｇ−ｖ＠ｒ＠＠
　）効果があり、特に非晶質磁気光学層の場合にはａ）
の極効来が用いらｎ、そのカー回転角θｋを利用して再
生が行われる。従って、カー回転角θｋが少しでも大き
くなｎばそれだげ磁気光学効果が増し、再生特性が向上
することになる。

目　　　的 本発明の目的は膜面に喬直な方向に磁化容易軸を有する
非晶質合金光学層におけるカー回転角θｋをより増大せ
しめ、それにより光再生特性を向上させた非晶質磁気光
学層を提供するととにある。

構成 本発明は膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有するＲＥ−
Ｆ＠−Ｍ（ただし、ＭはＣ１１，Ｃｒｅ　８ｎ＊Ｎ１お
よびＢｉのうちから選ばれる少くとも１１１１）からな
る非晶質磁気光学層である。本発明におけるＲ１１ｉ、
すなわち希土類金属としてはＧｄ、Ｄ７ｓＴｂの少くと
も１種が用いられる。

本発明の磁気光学層は垂直磁気異方性を有することが必
要であり、かつ高保磁力を有することが望ましく、この
理由から本発明光学層の組成式を、 （（ＲＩｌｌ−！ＲＫＩ　ｘ）　、”、　−、）１−Ａ
　（Ｍｌ、−、Ｍｌｌ、）Ａと表わした場合、（但しＲ
ＩＢ、　Ｒ］４＝Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙ　：ＭＩ、　Ｍ
ｌ＝　Ｃｕｔ　Ｃｒｗ　Ｎ１．８ｎ、　Ｂｉ　）　、　
　０≦Ｘ＜１゜０．１≦Ｙ≦Ｏ，Ｓ、Ｏ≦Ｚ＜１．０．
００１≦Ａ≦０．１であることが望ましい。

本発明非晶質磁気光学層は適宜の基板上に真空蒸着、ス
パッタリング、イオンシレーティング等の方法で膜厚０
．０１〜１μ風程度に形成する。

スパッタリングにて薄膜形成を行う場合には各光学層成
分を各個にあるいは組合わせてターゲットとし、光学層
組成はターゲット表面の面積比でコントロールするよう
にする。

基板としてはガラス、プラスチック、七２ξツク等が使
用できる。また本発明非晶質磁気光学層と基板との間、
あるいは上面に保護層、断熱層、反射層等が任意に設け
らｎる。

以下に本発明を実施例につき説明する。

実施例１〜４ これら実施例ではＲＥおよびＭがともに１種類の例を示
す。

スライドガラス基板上にスパッタリング法によりＲＥ−
Ｆ・−Ｍからなる非晶質磁気光学層を形成した。ターゲ
ットはコンポジット法を用い、Ｆ・円板上にＢＥ　　チ
ップおよびＭチップをのせて構成し、組成はターゲット
表面の面積比でコントロールした。

各実施例ではｔ（ａ　の大きい補償組成付近のＦ’ｅ６
１ａ　Ｒｌｏ、ｎもしくは”５１ａａ６　ＲＥ、ｔｏ　
の組成においてＲＥの一部をＭで置換するという形、す
なわちｒ＠６．’ｒｌ　（ＲＥｔ−ｘ　Ｍｘ）ｏ、ｎも
しくはＦ’ｅｏ、ｕ（ＲＥ、−ｘ　Ｍｘ）ｏ、鵞ｏ　　
として作製した。

各光学層の作製条件を次表に示す。

以下余白 膜の評価は基板側から■・−Ｎ・　レーザー（λ＝　６
３３　ｎｍ　）　　を照射し、カー効果を用いてカー回
転角θにお・よび保磁力Ｈ１ｌを求めた。それらの結果
を第１図〜第４図に示す。これらの図よりＸ、すなわち
Ｍの量を増大させることによりＥｌｏは小さくなるもの
のθには大きくなることがわかる。各実施例ではＤ７ま
たはＴｂをＭで置換していったためＭ量を増すと異方性
に寄与しているＤ７またはＴｂが減り、　Ｈａが急激に
小さくなった。そのためＭの添加量をそれほど増大でき
なかったが、Ｆ・とＤｙまたはＴｂ　　の量の比を一定
にしてＭを添加するようＫすれば■Ｃの急激な減少はな
（なりＭの添加量を増大させることができる。

ここで各実施例における非晶質磁気光学層において最も
カー回軸角θｋが大きくなる場合の光学層組成、カー回
転角θにおよびＭ無含有の場合に比べてのθｋ　の増加
値を示す。

実施例５〜１５ これら実施例ではＲＥｔ　が２種類でＭが１種類の例を
示す。

スライドガラス基板上にスノ看ツタリング法によりＲＥ
−Ｒ）ｉ’−Ｆ・−Ｍからなる非晶質磁気光学層を形成
した。ターゲットはコンポジット法を用い、Ｆ・円板上
にＲＥ、Ｒ１ｉ’チップおよびＭチップをのせて構成し
、組成はターゲット表面の面積比でコン）ａ−ルした。

各実施例ではｔｌａの大きい補償組成付近のＦｓｏ、ｖ
ｅ　ＣＲ＆、ｓ　ａｔ、、、　）＊＊＊ｉもしくはＦｓ
ｏ、ｗｔ（Ｒ）３ｅ、ｓＲ賜、ｓ　）ｅａｔｓの組成に
おいて（Ｒｌｏ、＊　ａｒｅ、Ｉ　）の一部をＭで置換
するという形、すなわちＦ・。、ｖｅ　ｆ（Ｒｌｔ：ｏ
、ｓＲぎ◎、１）１−ＸＭ宣）・、、１もしくはＦ＠ｏ
、？ｙ　（（Ｒ胸、、Ｒ為、１）１−ＸＭＩＣ）Ｉｌ、
鵞、として作製した。

各光学層の作製条件を次表に示す。

膜の評価は基板側からＨ・−Ｎ６　　レーザー（λ＝６
３３　ｎｍ　）　を照射し、カー効果を用いてカー回転
角θにおよび保持力Ｈａを求めた。それらの結果を第５
図〜第１５図に示す。これらの図よりＸ、すなわちＭの
量を増大させることによりｆ（ｃは小さくなるもののθ
には大きくなることがわかる。各実施例では（Ｇｄｏ、
ｉ　Ｔｂｏ、ｓ　）、（Ｔｂｏ、ｓ　ＤＦｏ、ｌ　）も
しくは（Ｇｄａ、＋ｓ　Ｄｙｏ、ｓ　）の一部なＭで置
換していったためＭ量を増すと異方性に寄与しているＴ
ｂもしくはＤｙが減り、Ｈｅが急激に小さくなった。そ
のためＭの添加量をそれほど増大できなかったが、Ｆ・
と（Ｇｄ−Ｔｂ）、（Ｔｂ−Ｄｙ）、（ａａ−ｏｒ）の
量の比を一定にしてＭを添加するようにすればＦｉｔの
急激な減少はなくなりＭの添加量を増大させることがで
きる。

ここで、各実施例におゆる非晶質磁気光学層において最
もカー回転角θｋが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角θにおよびＭ無含有の場合に比べてのθにの増加
値を示す。

実施例１６〜１９ これら実施例ではＲＥが１ｍでＭが２種類の例を示す。

スライドガラス基板上にスノ臂ツタリング法によりＲＥ
−Ｆ＠−Ｍ−Ｍからなる非晶質磁気光学層を形成した。

ターゲットはコンポジット法を用い、（２台・、ｏｓ　
Ｍ、、軸）の合金円板上にＢＥチップおよびｙチップを
のせて構成し、組成はターゲット表面の面積比でコント
ａ−ルした。

各実施例ではＨ（ｌ　の大きい補償組成付近の（Ｆ＠ａ
ｍｅｓ　ＮＩｅ、ａｔ　）ａ、ｎ　（ＲＥ）ｏ、ｔｔ　
もしくは（Ｐ＊６．＠畠Ｍｏ、ｏ＊）ｓ、ｓ　（ＲＥ）
１１．１の組成忙おいてＲＥの一部なｙで置換するとい
う形、すなわち（Ｆ・。、。、Ｍｏ、。、）。、、。

（”１−Ｘ　’Ｘ　）。、＊＠もしくはＣＦ’４１ｏ、
ａｓ　Ｍｅ、ｏｓ）ｏ、ｍ。　　−（ＲＥ、−８Ｍ、）
６−として作製した。なお、ここでＭはＣｕまたはＯｒ
が好ましい、 各光学層の作製条件を次表に示す。

膜の評価は基板側から■・−Ｎｏレーザー（λ；＠　３
３１１１ｍ　）を照射し、カー効果を用いてカー回転角
θにおよび保持力Ｈａを求めた。それらの結果を第１６
図〜第１９図に示す。これらの図よりＸ、すなわちｙの
量を増大させることくよりＨａは小さくなるもののθに
は大きくなることがわかる。各実施例ではＲＥ（Ｔｂ　
）の一部をＭで置換していったためｙ量を増すと異方性
に寄与しているＴｂが減りＨｅが急激にノ」−さくなっ
た。そのためｙの添加量をそれほど増大できなかったが
（Ｆｅ−Ｍ）とＴｂとの量比な一定にしてｙを添加する
ようにすればＥ・の急激な減少はなくなりｙの添加量を
増大させることができる。

ここで、各実施例における非晶質磁気光学層において最
もカー回転角θｋが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角θにおよびＭ、、ｙｔ無金含有場′合に比べての
θにの増加値を示す。

実施例２０〜３１ ′これら実施例ではＲＥが２種類、Ｍが２種類の例を示
す。

スライドガラス基板上にスノぐツタリング法によりＲＥ
−Ｒｒ−Ｆｅ　−Ｍ　−ｋｌ　　からなる非晶質磁気光
学層を形成した。ターゲットは；ンポジット法を用い（
Ｆ・−Ｍ）合金円板上に（ＲＥ−８１）チップおよびｙ
チップをのせて構成し、組成はターゲット表面の面積比
でコントロールした。

各実施例では（Ｆｅｅ、ｅｓ　Ｍｓ、軸）ｏ、ｔ＊　（
ＲＩｅ、ｓＲ＆、ｓ）＊、ｔｔ會（Ｆｅ＠、１ｇ　Ｍ（
＋、＠１　）ｏａｔｓ　（Ｒ＆、ｓ　Ｒ＆、＊　）ｏ、
＊ｔおよび（Ｆ・ｏ、ｓ。

Ｍｏ、ｅｓ　）ａ、ｙｙ　（ＲＥｅ、ｓＲＩ’ｈｓ　）
ｅ、雪−の組成において、（Ｒ＆−ＲＩＢ、＠）の一部
をＷで置換するという形、すなわち（Ｆｅｏ、参ｓ　Ｍ
Ｏ，ＩＩ！　）ｏ、ｖ＊　（（ＲＢｅ、ｓ　ＲＥ’ｏ、
ｓ　）ｔ−ｘＷ　）ｏａｉｓ（１’ｌＪｔ、＠＠　Ｍｌ
、（１１）ｅ、ｎ　（（ｕｒ４．ａｇ、、　）ｘ−ｚ　
ｍ’、）、、、、もしく　は　（１’＠１１．ＩＩ　Ｍ
、、、１）Ｌｔｖ　　（（ＲＦ４Ｊ　　Ｒ１１ｉ’ｏ、
ｓ　）１−Ｘ　　ａ’ｘ）、、、。

として作製した。なお、ここでＭはＧｏまたはＣｒが好
ましい。

各光学層の作製条件な次表に示す。

膜の評価は基板側からＲ・−Ｎｏレーザー（λミロ３３
ｎｍ）を照射し、カー効果を用いてカー回転角θにおよ
び保磁力ＥＣを求めた。それらの結果を第２０図〜第３
１図に示す。こｔらの図よりＸ、すなわちＭ′の量を増
大させることにより■０は小さくなるもののθには大き
くなることがわかる。各実施例では（ＲＥ−ＲＥ’）の
一部をＭ′で置換していったためＷ量を増すと異方性に
寄与しているＴｂ、　Ｄ７の量が減りＨａが急激に小さ
くなった。そのためｙの添加量をそれほど増大できなか
ったが（Ｆｅ−Ｍ）と（ＲＥ−ＲＥ’）との量比な一定
にしてＭ′を添加するようにすればＥｉｃ　の急激な減
少はなくなり、ｙの添加量を増大させることができる。

ここで、各実施例におゆる非晶質磁気光学層におい【最
もカー回転角θｋが大きくなる場合の光学層組成、カー
回転角０におよびＭ、Ｍ’無金含有場合に比べてθにの
増加値を示す。

効果 上記のような本発明による非晶質磁気光学層て大きくな
り、光再生時の光再生特性が良好となり、８／Ｎ比が向
上するとともに記録ビット数も増大し、高密度記録再生
可能な光磁気記録媒体の非晶質磁気光学層として最適な
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３１図は実施例における各非晶質磁気光学層
中のＭ　（Ｍ’）の量を変えた場合のθにおよびＨ＠の
変化図である。 Ｆｅａ７ｓ（Ｄｙｔ−ｘＣｕ、ｘ）（１２２中のＸＦｅ
ｏ、ａｏ（Ｔｂｔ−ｘＮｉｘ）ｏｚｏ中のＸＦｅｏ７ｑ
　（ＣＧ！ｏｓＴｂｏｓ）１−ｘｃｒｘ）ｏ２１中のＸ
Ｆｅｏ７ｑ　［（Ｔｏｏｓ’Ｄｙａｓ斤ｘｃｕｌＪｏ、
ｚ＋中の×Ｉ：ｅｏ７ｑ（Ｃ丁ｂｏ５らｔｏｓ）　１−
ｘ　ＮＬＸＪ　ｏ２１中１１）ＸＦｅｏｎ（（６ｄｎ５
ρｙｏ５）１−１ＣｒｘＪａｚｓ　中のＸＦｅｏ７７（
（（ｙｔＬｏｓ　Ｄｙｏ５）ｒ−ＸＮｉＸＪ０２３　中
１１＋Ｘ尾１５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類金属
   −鉄系非晶質合金属からなる光学層において、前記合金
   層中にＣｕ、Ｃｒ、Ｓｎ、ＮｉおよびＢｉのうちから選
   ばれる少くとも１種の金属を含有せしめてなる非晶質磁
   気光学層。