DE2911992A1 - Magnetooptisches speicherelement - Google Patents

Magnetooptisches speicherelement

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Description

PHILIPS PATENTVERWALTUNG GHBH, Steindamni 94, 2 Hamburg
PHD 79-032 Magnetooptisches Speicherelement
Die Erfindung betrifft ein magnetooptisches Speicherelement, bestehend aus einer amorphen, eine uniaxiale Anisotropie der Magnetisierung aufweisenden Substanz aus Ubergangsmetallen, Seltenen Erden sowie anderen zusätzlichen Stoffkomponenten.
Derartige amorphe Speicherelemente sind bereits aus der DE-AS 23 40 475 bekannt. Sie bestehen aus binären oder ternären Verbindungen, deren Komponenten z.B. zur Gruppe der 3d-, 4f- und 5f-Elemente des Periodischen Systems gehören. So besitzen beispielsweise Verbindungen aus Seltenen Erden und Übergangsmetallen, z.B. aus Gd und Co, gerhge Zusätze magnetischer Atome wie Ni, Cr, Mn oder geringe Zusätze nichtmagnetischer Atome wie Cu, Al, Ag, Pd oder Ga zur Verringerung der Curie-Temperatur, während Verbindungen aus Seltenen Erden und Übergangsmetallen zur Erhöhung der Faraday-Drehung zusätzlich Stoffe wie Tb, Dy oder Ho enthalten.
Ferner ist aus der DE-AS 23 40 475 bekannt,den amorphen VeiüLndungen gelänge Mengen (etwa 2 Atom-%) eines nichtmagnetischen Elementes wie 0, C, P, N zuzugeben, um ihre Herstellung zu erleichtern. Zur Veränderung der Material-
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eigenschaften von zweikomponentigen Verbindungen können diese weiterhin nichtmagnetische Elemente wie z»B. Kupfer in hoher Konzentration (2 bis 50 Atom-c,0 zur Verminderung des magnetischen Momentes der Verbindungen enthalten*
Demgegenüber ist es Aufgabe der Erfindung, für eine Speichervorrichtung ein amorphes, magnetooptisches Speicherelement mit einem gegenüber bekannten Speicherelementen erhöhten Faraday- bzw. Kerr-Effekt zur Verbesserung des Auslesens der im Speicherelement vorhandenen Information zu schaffen.
Ausgehend vom Oberbegriff des Hauptans; ruchs wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Speicherelement als zusätzliche Stoffkomponente einen oder mehrere der Stoffe Bi, Pb, Sn, Sb, Ge, As oder B enthält.
Substanzen aus Seltenen Erden und Ubergangsmetallen, die zusätzlich Stoffe wie Bi, Pb, Sn, Sb, Ge, As oder B enthalten, bilden unter bestimmten Bedingungen amorphe, ternäre Legieitngen, die ferromagnetisch sind und bei schichtförmiger Ausführung eines Speicherelementes eine uniaxiale Anisotropie der Mqneti sie rung besl tzen, die senkrecht zur Schichtoberfläche steht. Alle obengenannten zusätzlichen Stoffe eignen sich zur Herstellung derartiger Legierungen, da die zwischen ihnen und den Elementen der Seltenen Erden jeweils auftretende negative Bildungswärme dem Betrag nach größer als 20 Kilokalorien pro Grammatom ist.
YJird ein schichtförmiges, magnetooptisches Speicherelement lokal auf eine Temperatur erhitzt, die in der Nähe seiner Kompensationstemperatur bzw. seiner Curie-Temperatur liegt, beispielsweise mittels eines fokussierten Laserstrahls, kann durch Anlegen eines äußeren, senkrecht
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zur Schichtoberfläche verlaufenden Magnetfeldes der erwärmte Schichtbereich in einer gewünschten Richtung senkrecht zur Schichtoberfläche magnetisiert v/erden. Ilach Abkühlen des erwärmten Schichtbereichs, muß die Koerzitivfeldstarke ausreichen, um den ummagnetisierteri Schichtbereich (Domäne) zu stabilisieren. Die Größe eines stabilisierten Schichtbereichs kann dabei einige /um im Durchmesser betragen. Einem derartigen Schichtbereich wird, entsprechend der Richtung der Magnetisierung in seinem Innern, ein Informationswert zugeordnet, der einer logischen "1" oder "0" entspricht.
Mit Hilfe eines linear polarisierten Lichistrahls wird über den magnetooptischen Faraday- bzw. Kerr-Effekt die Magnetisierungsrichtung des Schichtbereiches bzw. sein Informationsinhalt bestimmt. Durch die erfindungsgemäße Zusammensetzung des magnetooptischen Speicherelementes wird dabei erreicht, daß die Schwingungsebene des linear polarisierten Lichtstrahls um relativ große Winkel gedreht wird. Wird die in dem Speicherelement gespeicherte Information mit Hilfe des Faraday-Effekts ausgeben, so sollte dabei sein Absorptionsvermögen möglichst klein sein, während beim Auslesen der Information mittels des Kerr-Effekts das Speicherelement ein möglichst großes Reflexionsvermögen besitzen sollte.
Nach einer weiteren vor teilhaften Ausbildung der Erfindung wird afe Seltene Erde Gadolinium (Gd), als Übergangsmetall Eisen (Fe) und als zusätzlicher Stoff Wismut (Bi) verwendet, da ein aus solchen Stoffen hergestelltes mag-> netooptisches Speicherelement die Schwingungsebene eines linear polarisierten Lichtstrahls um besonders große Winkel dreht.
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Eriaiidungsgemaß werden die das Speicherelement aufbauenden Stoffe auf ein vorzugsweise transparentes ihrI auf einer Sufcstrathalterung angeordnetes Substrat aufgebracht, v/ob ei die Substrathalterung während des Aufbringens der Stoffe mit konstanter Umdrehungszahl rotiert, rodurcli erreicht wird, daß das Speicherelement eine homogene Zusammensetzung aufweist und infolgedessen hi allen seilen Bereichen gleiche magnetische und magnetoßcbe Eigenschaften besitzt.
Ilach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung i-iiva das Speicherelement auf eine zwischen zwei transparenten, ebenen Elektroden liegende Photolelter-schiclit aufgebracht, wodurch erreicht wird, daß
is das Speichern (Einschreiben) von Information im Speicherelement mittels eines Lichtstrahls geringer Intensität erfolgen kann. Die zusätzlich zur Veränderung des im Speicherelement vorhandenen Magnetisierungszustandes erforderliche Energie wird dabei durch Zuführung Jou3$ scher Wärme, die in dem vom Lichtstrahl beleuchteten Bereich des zwischen Elektroden liegenden Photoleiters erzeugt wird, erhalten.
Anhand der Zeichnungen werden Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematisch dargestellte magnetooptische Speichervorrichtung mit einem magnetooptischen Speicherelement,
Fig. 2 ein magnetooptisches Speicherelement mit einem zwischen zwei Elektroden liegenden Photoleiter, Fig. 3 eine graphische Darstellung der Kompensationstemperatur in Abhängigkeit vom Wismutgehalt des magnetooptischen Speicherelements und
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Fig. 4a, b je eine graphische Darstellung der Temperaturabhängigkeit der Koerzitivfeidstärke an unterschiedlichen Stellen eines bei ruhendem bzv/. rotierendem Substrattellers hergestellten magnetooptischen Speicher
elementes.
In Fig. 1 ist eine magnetooptische Speichervorrichtung schematisch dargestellt. Eine transparente Trägerplatte 1 ist dabei mittels geeigneter Lager in i-Richtung eines Koordinatensystems ijk verschiebbar angeordnet,, Über einen Antrieb, beispielsweise einen Tauchspulenantrieb 2 (Lautsprechersystem), kann die Trägerplatte 1 in i-Richtung positioniert werden. Auf dieser Trägerplatte 1 ist ein schichtförmiges, auf einem Substrat 3 liegendes magnetooptisches Speicherelement 4 fest oder auswechselbar angebracht.
Auf einer zweiten Trägerplatte 5, die senkrecht zur ersten in j-Richtung verschiebbar ist und ebenfalls durch einen Tauchspulenantrieb 6 positioniert werden kann, befinden sich die zum Schreiben (Speichern) bzw. Lesen erforderlichen optischen Komponenten. Eine entsprechende Grundeinheit eines Schreib-/Lesesystems besteht z.B. aus einer Laserdiode 7, deren Strahlung durch eine Abbildungsoptik 8 auf das Speicherelement 4 fokussiert ist, wodurch ein vorgewählter Speicherplatz zum Einschreiben von Information aufgeheizt wird. Durch Anlegen eines äußeren, in k-Richtung bzw. senkrecht zur Schichtoberfläche des Speieherelementes 4 verlaufenden Magnetfeldes mittels einer Magnetspule 9 wird dann die Magnetisierung im vorgewählten Bereich des Speicherelementes 4 in die dem einzuschreibenden Informationswert zugeordnete Magnetisierungsrichtung umgeklappt.
Zum Auslesen wird das Licht vor dem Eintritt in,das Speicher-
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element 4 durch den Polarisator 10 linear polarisiert. Hinter dem zum Polarisator 10 nahezu gekreuzten Polarisator 11 hängt die Lichtintensität von der Drehung der Polarisationsebene (Schv/ingungsebene) des linear polarisierten Lichtes aufgrund der im Speicherelement 4 eingeschriebenen Information ab. Mittels einer Fotodiode 12 wird das Licht zur Erzeugung eines Lesesignals detektiert.
Neben dieser Möglichkeit, die Information im Speicherelement 4 mit Hilfe des Faraday-Effekts auszulesen, kann die gespeicherte Information ferner mittels des Kerr-Effekts ausgelesen werden. Da hierbei die an der Oberfläche des Speicherelementes reflektierte Strahlung gemessen wird, ist ein entsprechender optischer Aufbau erforderlich, der von dem in Fig. 1 dargestellten abweicht.
Durch geeignetes Positionieren der beiden Trägerplatten 1 und 5 zueinander kann die Schreib-/Leseeinheit über jeden Punkt des Speichermaterxals geführt werden und dort Information einschreiben oder auslesen. Neben dem Speicherelement 4 befinden sich auf der Trägerplatte 1 zwei senkrecht zueinander in i- bzw. j-Richtung verlaufende Streifenraster 13» deren Rasterperioden mit dem Abstand der Speicherplätze auf dem Speicherelement übereinstimmen. Dieses Streifenraster 13 wird von Lichtschranken abgetastet. Aus der Zahl der Helligkeitswechsel bei der Relativbewegung zwischen dem Streifenraster 13 und der Lichtschranke, die aus einer weiteren Laserdiode 14, einer weiteren Abbildungsoptik 15 und einer zusätzlichen Fotodiode 16 besteht, wird der zurückgelegte Weg in i- und 3-Richtung und damit die genaue Position ermittelt, an der z.B. eingeschrieben wird. Zum Auslesen bzw. zum Überschrdben der Information an dieser Position wird bei vorgegebener Soll-Position aus der Differenz zwisehen Soll- und Ist-Wert ein Regelsignal gewonnen,das die
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Tauchspulenantriebe 2 und 6 so ansteuert, daß die gewünschte Position wieder erreicht wird.
Fig. 2 zeigt das schichtförmige, magnetooptische Speicherelement 4, welches auf einem schichtförmigen, zwischen zwei transparenten, ebenen Elektroden 17 liegenden Photoleiter 18 legt. Die schichtförmige Struktur aus Elektroden 17 und Photoleiter 18 liegt dabei direkt auf dem Substrat 3, das z.B. aus Glas bestehen kann. Um eine Information in einen Speicherplatz im magnetooptischen Speicherelement 4 einzuschreiben, wird der darunterliegende Photoleiter durch die obere transparente Elektrode 17 von einem Lichtstrahl, z.B. einem parallelen He-Ne-Laserstrahl 19, belichtet. Beim Anlegen eines Spannungspulses U an die transparenten Elektroden 17 fließt dann ein Strom durch die belichtete Zone des Photoleiters 18 uiterhalb der Speicherzelle. Die dabei erzeugte Joule'sehe Wärme wird durch Wärmeleitung auf die darüberliegende Speicherzelle übertragen, so daß ein Umklappen der Magnetisierung M innerhalb der Speicherzelle bei nur geringer Intensität des Lichtstrahls 19 und unter Verwendung eines äußeren Magnetfeldes H möglich ist. Die Speicherzelle ist hier-' bei der vom Lichtstrahl 19 beleuchtete Bereich des magnetooptischen Speichereiementes 4.
Natürlich kann das magnetooptische Speicherelement 4 auch ohne Phoiiieiter betrieben werden. Die entsprechenden Intensitäten der Lichtstrahlen 19 bzw. die Laserleistungen müßten dann jedoch erhöht werden.
Ein Ausführungsbeispiel magnetooptischer Speicherelemente besteht aus amorphen, ferrimagnetisehen (Gd,, xFex).j__Bi Schichten, die in einer Hochvakuumbedampfungsanlage der
Firma Balzers (BAK 550) bei 6.10~8 bis 1.10~7Torr hergestellt sind. Die Anlage besitzt ein Cryopumpsystem (K20
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Philips), so daß keine Verunreinigung durch Kohlenwasserstoffe auftritt.
Die einzelnen Stoffkomponenten Gd, Pe und Bi (Reinheit: Gd 99,9#; Fe 99,95$i; Bi 99,999%; Firma Materials Res.GmbH) werden aus drei separaten, wassergekühlten. Kupfertiegeln mit Hilfe von Elektronenstrahlen gleichzeitig verdampft. Die Kupfertiegel "befinden sich dabei in den Ecken eines gleichseitigen Dreiecks, während der Abstand zwischen ΐδ den Kupfertiegeln und dem Substrat ca. 56 cm beträgt.
Gd^ ,JFev wird für alle Schichtzusammensetzungen mit einem festen Aufdampfraten-Verhältnis von 0,5 nni/s Gd und 0,6 nm/s Fe aufgedampft, während der Bi-Anteil zur Herstellung unterschiedlicher Speicherelemente 4 von 0,1 nm/s in Schritten von 0,05 nm/s bis 0,4 nm/s erhöht wird. Als Substrate
3 werden Glasobjektträger (Firma Dargatz) verwendet, die selbst nur einen untergeordneten Einfluß auf die magnetischen bzw. magnetooptischen Eigenschaften des Speicherelementes 4 (Speieherschicht) ausüben.
Die unter diesen Bedingungen hergestellten Speicherschichten
4 besitzen folgende Zusammensetzung:
(Gd0,26Fe0,74)1-yBiy
mit y = 0,02; 0,04; 0,06; 0,08; 0,10; 0,11 und 0,13« Dabei stellt y den Wi smut anteil an der gesamten, auf eins bezogenen Stoffzusammensetzung dar. y = 0,02 entspricht dabei einem Anteil von 2,0 Atom-% an der Zusammensetzung. Alle Speicherschichten 4 besitzen eine durchschnittliche Dicke von 100 bis 200 nm. Mit Hilfe von Röntgenbeugungsexperimenten konnte ihre amorphe Struktur nachgewiesen werden.
Gegenüber den bisher bekannten Werten des polarai magneto-
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optischen Kerr-Effekts von amorphen, ferrimagnetisehen Speicherschichten besitzen die obigen Schichten vergrößerte Kerr-Drehungen ( 2 θ max), die zwischen 0,8 und 1,0° liegen. Dabei ist zu berücksichtigen, daß Messungen des Kerr-Effektes durch das transparente Substrat 3 hindurch, also von der Rückseite der Speicherschicht 4 gegenüber Messungen von der Vorderseite höhere Werte ergeben.
Die magnetooptische Kerr-Drehung zeigt eine Temperaturabhängigkeit. Die oben angegebenen Werte von 0,8 und 1,0° Kerr-Drehung beziehen sich auf Messungen bei Zimmertemperatur. Die Kerr-Drehung zeigt aber bei den Schichten mit der oben angegebenen Zusammensetzung die Tendenz, zu niedrigen Temperaturen hin zu- und zu höheren Temperaturen hin abzunehmen. Entsprechend liegen die Verhältnisse beim Faraday-Effekt.
In Fig. 3 sind für die verschiedenen Speicherschichten der oben angegebenen Zusammensetzung die Kompensationstemperaturen T^. in Abhängigkeit des jeweiligen Wismutgehalts y dargestellt. Man erkennt, daß die Lage der Kompensationstemperatur T^, die für den thermomagnetisehen Einschreib-(Speicherungs-)Prozeß eine wesentliche Rolle spielt, durch Veränderung des Wismutgehalts y in weiten Bereichen (z.B. zwischen +500C und -2200C) variiert werden kann. Die Kompensationstemperatur Tk sinkt dabei mit steigendem Wismutgehalt y und konstantem Gd-Fe-Gehalt mit ca. 50-80°C pro 2 Atom-?6 Bi von Zimmertemperatur auf unter -2200C.
Durch die Größe der Kompensationstemperatur T^ werden die Bedingungen für thermomagnetisches Einschreiben (z.B. Laserleistung, externes Magnetfeld) wesentlich bestimmt. Daher wird seitens der Anwender gefordert, daß die Kompensations-
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temperatur T1 auf den jeweiligen Schichtoberflächen, die im angegebenen Ausführungsbeispiel bei 35x25 cm" liegen, nur um wenige Temperaturgrade von Ort zu Ort schwanken dürfen, so daß hohe Anforderungen an die Homogenität der Speieherschicht 4 gestellt sind.
Durch Drehung des Substrattellers während des Aufdampfprozesses wird eine gute Homogenität der Schicht bezüglich ihrer Zusammensetzung und ihrer magnetischen bzw, magnetooptischen Eigenschaften erreicht. Fig. 4a zeigt dazu für eine gegebene Speicherschicht die Abhängigkeit der Koerzitivfeldstärke H_ von der Temperatur. Die entsprechende Schicht besitzt eine Zusammensetzung von (Gd0,26Fe0,74^1-yBiy mit Y = 0»°2 (=2,0 Atom-0/» Bi).
Sie wurde bei ruhendem Substratteller in einer Größe
2
von 35x25 cm hergestellt. Mit einem Kerr-Hysterigraphen wurde an drei verschiedenen Punkten a (Schichtmitte), b, c (Schichtränder) die Kompe nsationstemperatur T, gemessen. Man erkennt, daß die Kompensationstemperaturen Tj5. an den gemessenen Punkten a,b,c sehr weit auseinanderliegen (a:Tka*28°C, b:TkiS-20°C, c:TkÄ90°C), was auf eine stark inhomogene Zusammensetzung der Speieherschicht zurückzuführen ist.
Die Fig. 4b zeigt das Ergebnis einer Schicht, die in Zusammensetzung und Größe der in Fig. 4a dargestellten Schicht gleicht. Sie wurde jedoch bei einer Rotation des Substrattellers von 550 Umdrehungen pro Minute hergestellt. Bei einer solchen Schicht variiert die Kompensationstemperatur Tk in Abhängigkeit vom Ort auf der Schicht nur noch um wenige Grad. Sie liegt für alle Meßpunkte a,b,c bei etwa 220C. Eine solche Schicht ist weitgehend homogen in ihrer Zusammensetzung. Das Ergebnis konnte durch Messungen des Faraday-Effektes bestätigt werden.
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Das thermomagnetische Einschreiben von Information in die im Ausführungsbeispiel angegebenen Speicherschichten kann z.B. mittels eines Lasersmit einer Wellenlänge von^»=5i4 nm und eines von außen an die Speieherschicht 4 angelegten Magnetfeldes H von ca. 40 Oe some mittels Kompensationspunktschalten erfolgen.
Beim Kompensationspunktschalten wird die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivfeldstärke H (Polstelle von H an der materialspezifischen Kompensationstemperatur) ausgenutzt. Diese Polstelle ist die Folge des Verschwindens der Sättigungsmagnetisierung am Kompensationspunkt, was auf die Kompensation der verschiedenen magnetischen Untergitter zurückzuführen ist. Das Material ist bei T. aber durchaus magnetisch geordnet. Dieser Ordnungszustand wird magnetooptisch ausgelesen. Die Speicherschicht wird beim Kompensationspunkts ehalt en in der Nähe der Kompensationstemperaiu r gehalten.Der adressierte Speicherplatz wird erwärmt (Laser), wobei das zum Schalten benötigte Feld H mit etwa (T-T^)"1 abnimmt, so daß nur die Magnetisierung des erwärmten Bereiches durch das äußere Schaltfeld H ausgerichtet wird.
In den amorphen (Gd^xFex)., Bi -Schichten der oben angegebenen Zusammensetzung, deren Kompensationstemperaturen Tk zwischen -220°C bis +500C liegen (Fig. 3), können mit Energien von 0,1 - 0,3 erg, bei äußeren Magnetfeldern von 0-40 Oe, Domänen mit einem Durchmesser von 5 - 10/üm eingeschrieben werden. Das Domänenmuster ist stabil und kann sowohl durch Anlegen eines höheren externen Magnetfeldes (H ^i 40 Oe) entgegen der Feldrichtung beim Einschreiben oder auch durch erneutes Schalten in entgegengesetzter Richtuig gelöscht werden.
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Domänengröße und Schaltzeit sind sowohl vom externen Magnetfeld H als auch von der Laserleistung abhängig. Bei den angegebenen Energien liegen die typischen Schaltzeiten zwischen 0,5 - 2,us.
Prinzipiell kann das thermomagnetisch^ Einschreiben mit Hilfe verschiedener Schaltmechanismen ausgeführt werden. Es wird im wesentlichen zwischen Kompensationspunkt- und Curiepunktschalten sowie zwischen Schwellen- und Anisotropieschalten unterschieden (siehe z.B."IEEE Transactions on magnetics'J Vol.mag. 12, No.4, July 1976, p.311; "Japanese Journal of Appl.Phys.", Vol. 17, No. 11, Nov. 1978, pp.2007-2012; "Japanese Journal of Appl.Phys.», Vol. 17, No. 8, Aug. 1978, pp.1365-1369).
Das Curiepunktschalten erfolgt dabei vorzugsweise bei Curie-Temperaturen Tc im Bereich von 80-1000C.
Werden die Speicherschichten 4 mit einem Photoleiter kombiniert, so kann die Einschreibempfindlicnkeit erheblich gesteigert werden. Bei einer solchen Kombination wird der Photoleiter 18 als "Substrat" benutzt (im Gegensatz zur sonst verwendeten Glas/Schicht-Kombination). Die Rauhigkeit des Photoleiters 18 bzw. die der ELektrodenoberfläche 17 (Rauhigkeit einige /um) führt zu einer stärkeren Haftung der magnetischen Wände und somit, ab-, hängig von der Stärke der Rauhigkeit, zu einer Veränderung der Temperaturabhängigkeit der Koerzitivf eidstärke H_. Diese steigt bei gleicher Temperatir in Abhängigkeit
Ο.ΘΓ
von der Rauhigkeii3|verwendeten Unterlage etwa um den Faktor 2 bis 5 bis zur erwähnten Rauhigkeit von einigen /um an, wobei die Kompensst ionstemperatur T^ unverändert bleibt. Infolgedessen können mit den Energien, die zum Einschreiben von Information in glatte Schichten erforderlich sind, bei gleicher Größe der Kompensations-
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temperatur T. keine Informationen in rauhe Schichten eingeschrieben werden. Mittels einer geeigneten Zusammensetzungsänderung (Änderung des Bi-Anteils) kann die Größe der Kompensationstemperatur T so weit erniedrigt werden (siehe Fig. 3), daß die Temperaturabhängigkeit der Koerzitivfeldstärke H. wieder einen ähnlichen Verlauf zeigt wie beim Aufbringen der Speicherschicht auf eine glatte Oberfäche (Glas).
Das Auslesen der Information wird mit polarisiertem Licht, z.B. Laserlicht der Wellenlänge ^= 633 nm, vorgenommen. Der Photoleiter 18 bzw. die Elektroden 17 sind so gewählt, daß sie bei dieser Wellenlänge transparent sind. Der Ausleseprozeß kann dann sowohl in Reflexion erfolgen als auch in Transmission, wenn zusätzlich die magnetooptische Sp ei eher schicht 4 hinreichend dünn ( d jg 60 nm) ist.
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Claims (1)

  1. PHILIPS PATEIiTVER^ALOUNG GI-IBH.- SI eiwamm 94, 2 Hamburg 1
    X^ PHD 79-032
    PATENTANSPRÜCHE: 2911992
    .i Magnetooptisches Speicherelement, beslehend aus einer amorphen, eine uniaxiale Anisotropie der Magnetisierung aufweisenden Substanz aus übergangsnu L- "''· en, Seltenen Erden sowie anderen zusätzlichen Stoffka--,,-r- -ite?jv dadurch gekennzeichnet, daß das Speicherelement (4·; · \h zusätzliche Stoff komponente eine oder mehrere der Sto.· ..''e Bi s Pb5 Sn, Sb, Si, Ge, As oder B enthält.
    2* Magnetooptisches Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es nach der Summenforn>el
    zusammengesetzt ist, wobei R ein Element aus der Gruppe der Seltenen Erden, M ein Element aus der Gruppe der Übergangsmetalle und A eines der Elemente Bi, Pb, Sn, Sb, Si, Ge, As oder B ist, und daß
    0,6^ x*£0,9
    und 0 <iy^0,25 ist.
    3. Magnetooptisches Speicherelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Seltene Erde Gadolinium (R=Gd), das Übergangsmetall Eisen (M=Fe) und die zusätzliche Stoffkomponente A Wismut (A=Bi) ist.
    4 Magnetooptisches Speicherelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß es nach der Summenformel
    (GdO,26FeO,74>1-yB1y
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    BAD ORIGINAL
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    zusammengesetzt ist und daß
    0,01 -β yg0,13 ist.
    5. Verfahren zur Herstellng eines magnetooptischen SpaLcherelementes nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die das Speicherelement (4) aufbauenden Stoffe auf ein vorzugsweise transparentes und auf einer Substrathalterung angeordnetes Substrat aufgebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrathalterung während des Aufbringens der Stoffe mit konstanter Umdrehungszahl pro Zeiteinheit rotiert.
    6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Umdrehungszahl pro Minute zwischen 50 und 1000, vorzugsweise bei 550, liegt.
    7. Verfahren nach Anspruch 3> 4 und 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß durch Elektronenstrahlverdampfung das Gadolinium und das Eisen mit Auf dampf raten zwischen 0,5 und 0,6 nm/s und das Wismut mit Auf dampf raten zwischen 0,1 und 0,4 nm/s auf das Substrat aufgedampft werden.
    8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Speicherelement
    (4) auf eine zwischen zwei transparenten, ebenen Elektroden (17) liegende Photoleiterschicht (18) aufgebracht wird.
    9. Magnetooptische Speichervorrichtung mit einer Speicherplatte und einer optischen Schreib-/Leseeinheit, die eine Strahlenquelle (7) zur Aussendung eines relativ zur Speicherplatte beliebig positionierbaren, linear polarisierbaren Lichtstrahls sowie einen Detektor (12) zur Messung der Drehung der Schwingungsebene des durch die Speicherplatte transmittierten bzw. an der Speicherplatte reflektierten Lichtstrahls besitzt, und mit einer Magnet-
    "30040/0 3 93
    3 PHD 79-032
    spule (9) zur Erzeugung eines senkrecht zur Speicherplatte verlaufenden Magnetfeldes, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherplatte ein Speicherelement (4) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 "bis 8 ist.
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