JPS603173A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS603173A JPS603173A JP11016983A JP11016983A JPS603173A JP S603173 A JPS603173 A JP S603173A JP 11016983 A JP11016983 A JP 11016983A JP 11016983 A JP11016983 A JP 11016983A JP S603173 A JPS603173 A JP S603173A
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- semiconductor laser
- projecting section
- optical waveguide
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体レーザ装置の改良に関する。
近年、光通信用光源や光デイスク用光みとして各種の半
導体レーザが広汎に利用されるようにな−ている。特に
光デイスクメモリ装置は、ゲイジタル・オーディオ・デ
ィスク装置１イ、ビデオ・ディスク装置、そして文劉フ
ァイルを：コｊｉ、１などの実用化が急速に進み、それ
に伴って光デイスク用光源に適した半導体レーザの開発
がψ神れている。こうした光デイスク用光源に１吏用さ
れる半２ｉ’ｐ体レーザには、レーザ光を光ディスク而
で１μηｌ程度の微小スポｙ）に収束するため、基不横
モード発振の他に、レーザビームの非点隔差が小さいこ
とが天水される。この様な特性は、活性Ｊｍｊと平行方
向の屈折率を構造的に変化させて横モードを制御し７’
ｉＣ。
導体レーザが広汎に利用されるようにな−ている。特に
光デイスクメモリ装置は、ゲイジタル・オーディオ・デ
ィスク装置１イ、ビデオ・ディスク装置、そして文劉フ
ァイルを：コｊｉ、１などの実用化が急速に進み、それ
に伴って光デイスク用光源に適した半導体レーザの開発
がψ神れている。こうした光デイスク用光源に１吏用さ
れる半２ｉ’ｐ体レーザには、レーザ光を光ディスク而
で１μηｌ程度の微小スポｙ）に収束するため、基不横
モード発振の他に、レーザビームの非点隔差が小さいこ
とが天水される。この様な特性は、活性Ｊｍｊと平行方
向の屈折率を構造的に変化させて横モードを制御し７’
ｉＣ。
いわゆる作り付けの屈折不埒波路１昌造を有する半導体
レーザによって実現することができる。ところが、作り
付けの屈折率ヘシ路イ１４造を有する半導体レーザでは
、横モードがきわめて良く安定化されるため、はとんど
の場合、単−縦モード発振となるが、このことは、上記
構造の半導体レーザを光デイスク用光源として用いる場
合、Ｉ−ｒましい特性ではないことが明らかに々ってき
た。
レーザによって実現することができる。ところが、作り
付けの屈折率ヘシ路イ１４造を有する半導体レーザでは
、横モードがきわめて良く安定化されるため、はとんど
の場合、単−縦モード発振となるが、このことは、上記
構造の半導体レーザを光デイスク用光源として用いる場
合、Ｉ−ｒましい特性ではないことが明らかに々ってき
た。
第１図は、光デイスク装置の光学系を示したものである
。光デイスク面（５）からの反射光の大部分は、ビーム
スプリッタ−（４）によって除かれ、さらにλ／４板（
３）によって偏ブＣ方向を変えられるが、そのまま半導
体レーザに戻るものがごく一部分存在する。そのため、
半？、ｆ７体し−ザ端面の反射面Ｍ１、Ｍ２及び光ディ
スクＴｆｎＭ３によって、いわゆる複合共振器が形成さ
れる。この様な糸に作り付は屈折率導波路構造の半導体
レーザを使用すると光デイスク向へ・１３の位１１′、
ｉの微小変動に伴って共振器長が変動し、これにに−て
半導体レーザの光出力が変動するという重大な問題の生
ずることが判った。この様な現象は、拙々の単−縦モー
ド発振の７：ｈ］折率導波路型レーザにほとんど共通し
て現われ、上記構造の半尋体ｌ／−ザが、単−縦モード
で発振していることに強く関係していると考えられる。
。光デイスク面（５）からの反射光の大部分は、ビーム
スプリッタ−（４）によって除かれ、さらにλ／４板（
３）によって偏ブＣ方向を変えられるが、そのまま半導
体レーザに戻るものがごく一部分存在する。そのため、
半？、ｆ７体し−ザ端面の反射面Ｍ１、Ｍ２及び光ディ
スクＴｆｎＭ３によって、いわゆる複合共振器が形成さ
れる。この様な糸に作り付は屈折率導波路構造の半導体
レーザを使用すると光デイスク向へ・１３の位１１′、
ｉの微小変動に伴って共振器長が変動し、これにに−て
半導体レーザの光出力が変動するという重大な問題の生
ずることが判った。この様な現象は、拙々の単−縦モー
ド発振の７：ｈ］折率導波路型レーザにほとんど共通し
て現われ、上記構造の半尋体ｌ／−ザが、単−縦モード
で発振していることに強く関係していると考えられる。
実際、縦多モード発振の利得導波路屋半導体レーザを使
用した場合、上記の出力変動（フィードバック・ノイズ
）は？”ｓとんど蝮測されなかった。
用した場合、上記の出力変動（フィードバック・ノイズ
）は？”ｓとんど蝮測されなかった。
桶モードの制御を注入電流分布によって生じた利ｆヒ分
布によって行なう利得導波路型半導体レーザでは、多く
の」易合縦多モード発振がイセられるがレーザビームの
非点隔差が’Ｉ Ｑ ｐ ｍ以−にと大きいため、レー
ザ光を微小スポットに収束するためには板雑な光学系を
必要とする火入５があ−た。作り付は屈折率導波路構造
において、／＋−＋ｔ ４７ｉ′率の炒化分を小さくし
てゆくと、利得４波路構造の性ａが次第に強く現われ、
ついには縦多モード発振が得られるが、同時に非点隔差
も増大するだめ、縦多モード発振と小さな非点隔差とを
同時に突辺１することはきわめて困離であ−た。
布によって行なう利得導波路型半導体レーザでは、多く
の」易合縦多モード発振がイセられるがレーザビームの
非点隔差が’Ｉ Ｑ ｐ ｍ以−にと大きいため、レー
ザ光を微小スポットに収束するためには板雑な光学系を
必要とする火入５があ−た。作り付は屈折率導波路構造
において、／＋−＋ｔ ４７ｉ′率の炒化分を小さくし
てゆくと、利得４波路構造の性ａが次第に強く現われ、
ついには縦多モード発振が得られるが、同時に非点隔差
も増大するだめ、縦多モード発振と小さな非点隔差とを
同時に突辺１することはきわめて困離であ−た。
本発明の目的は、縦多モード発振と小さな非点隔差とを
兼ね備えた半導体レーザを史現し、フィードバック・ノ
イズの小さい光ディスク用元源に好適な半導体レーザ装
置を提イ」Ｌすることでちる。
兼ね備えた半導体レーザを史現し、フィードバック・ノ
イズの小さい光ディスク用元源に好適な半導体レーザ装
置を提イ」Ｌすることでちる。
即ち本発明は、活性層とリプを形成された光導波路層と
を有する作り付は屈折ヰ祷波路格貧を有する半導体レー
ザ装置において、針、流の注入領域をリプの幅よりも狭
くすることにより６、リプ内部に利得分布が生じるｆｉ
ｔ造としたものである。
を有する作り付は屈折ヰ祷波路格貧を有する半導体レー
ザ装置において、針、流の注入領域をリプの幅よりも狭
くすることにより６、リプ内部に利得分布が生じるｆｉ
ｔ造としたものである。
本発明の構成を第２図及び第３図を参照して具体的に説
明する。第２１詞に示すように光導波路層＋１４）上に
設けられたリプの上部に、これよりも狭い幅の電流注入
電極θ０が設けられている（〜Ｖ２＜Ｗｌ）。その結呆
、第３図に示す様に、リプによって生ずるステップ状の
実効屈折率分布内部に、利得分布を生ずる。この様な構
造とすることにより利得４五波路構造の持つ縦多モード
発振と、作υ付は屈折率尋波路４１ｊ造の４Ａつ小さな
非点隔差という２つの特性を同時に渦足する半導体レー
ザを実現することが可能となる。上記の効果は、リプの
幅ｖｖ’ ｉ内部においてＳ！、伯！、 ’ｌ’ｉ＋；
ν〜゛２、クラッドノａｙ’ａｓの厚さＤ及び該クラッ
ドＪ脅の抵抗率ρによって定まる利得分布の形状と、活
性パ・ｊ （１１の厚さｄ１光ガイド層θ４）に設けだ
リプの）Ｈｐ、さｔｌ及びその段差△Ｈ１それに上記各
層の屈折率によって決まる実効屈折率差△ｎの大きさが
ある関係にあるｊ幅合に生ずると考えらノする。本発明
によれば、これらの６ｒ餡、をすべて独立に設定できる
ため、上記効果を生じるＩＮ造を容易に実現できる。４
．ｌ゛に、実効屈折率差△Ｉ】の太きさを、活性層の厚
さｄのみを変えることによって変化させる場合、５００
Ａ以下のきわめて厳しい条件で厚さの制御を行なう必要
があるのに対し、本発明においては、実効屈折率差△ｎ
が、リプの段差△Ｈの変化と共にゆるやかに変化するた
め、後述の実施例に示す様に１０００〜２ｏｏｏ（ｋの
範囲で変化させれば良く、その制御がはるかに容易とな
る利点がある。
明する。第２１詞に示すように光導波路層＋１４）上に
設けられたリプの上部に、これよりも狭い幅の電流注入
電極θ０が設けられている（〜Ｖ２＜Ｗｌ）。その結呆
、第３図に示す様に、リプによって生ずるステップ状の
実効屈折率分布内部に、利得分布を生ずる。この様な構
造とすることにより利得４五波路構造の持つ縦多モード
発振と、作υ付は屈折率尋波路４１ｊ造の４Ａつ小さな
非点隔差という２つの特性を同時に渦足する半導体レー
ザを実現することが可能となる。上記の効果は、リプの
幅ｖｖ’ ｉ内部においてＳ！、伯！、 ’ｌ’ｉ＋；
ν〜゛２、クラッドノａｙ’ａｓの厚さＤ及び該クラッ
ドＪ脅の抵抗率ρによって定まる利得分布の形状と、活
性パ・ｊ （１１の厚さｄ１光ガイド層θ４）に設けだ
リプの）Ｈｐ、さｔｌ及びその段差△Ｈ１それに上記各
層の屈折率によって決まる実効屈折率差△ｎの大きさが
ある関係にあるｊ幅合に生ずると考えらノする。本発明
によれば、これらの６ｒ餡、をすべて独立に設定できる
ため、上記効果を生じるＩＮ造を容易に実現できる。４
．ｌ゛に、実効屈折率差△Ｉ】の太きさを、活性層の厚
さｄのみを変えることによって変化させる場合、５００
Ａ以下のきわめて厳しい条件で厚さの制御を行なう必要
があるのに対し、本発明においては、実効屈折率差△ｎ
が、リプの段差△Ｈの変化と共にゆるやかに変化するた
め、後述の実施例に示す様に１０００〜２ｏｏｏ（ｋの
範囲で変化させれば良く、その制御がはるかに容易とな
る利点がある。
また、本発明の構造は有機金属を用いた気相成長法（Ｍ
ｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅ−ｐｏｓｉｔｉｏｎ法、以下ＭＯＯＶＤ法と略
記〕や、分子線エピタキシー法（以下ＭＢＥ法と略記）
Ｋよって製造可能である。ＭＯＯＶＤ法及びＭ、ＢＥ法
は、大きな面積にわたって均質な薄膜結晶の成長が可能
であるため、量産性に優れた半導体レーザの製造方法で
ちり、これらの方法を用いることにより本発明のレーザ
を低価格に生産できる。さらに、これらの方法は、膜厚
の制御性も優れているため、これによって、本発明の効
果を再現性良く実現することが可能である。
ｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅ−ｐｏｓｉｔｉｏｎ法、以下ＭＯＯＶＤ法と略
記〕や、分子線エピタキシー法（以下ＭＢＥ法と略記）
Ｋよって製造可能である。ＭＯＯＶＤ法及びＭ、ＢＥ法
は、大きな面積にわたって均質な薄膜結晶の成長が可能
であるため、量産性に優れた半導体レーザの製造方法で
ちり、これらの方法を用いることにより本発明のレーザ
を低価格に生産できる。さらに、これらの方法は、膜厚
の制御性も優れているため、これによって、本発明の効
果を再現性良く実現することが可能である。
本発明によれば、光デイスク用光源に好適な縦多モード
発振と、小さな非点隔差とを兼ね備えたフィードバック
・ノイズの小さい半導体レーザを実現することができる
。さらに、本発明の構造は量産性や膜厚の制御性に優れ
たＭＯＯＶＤ法やＭＢＢによ−て製造可能であるため、
上記特性を持つ光デイスク用光源に好適な半導体レーザ
装置を、低価格に、再現性良く生産することが可能であ
る。
発振と、小さな非点隔差とを兼ね備えたフィードバック
・ノイズの小さい半導体レーザを実現することができる
。さらに、本発明の構造は量産性や膜厚の制御性に優れ
たＭＯＯＶＤ法やＭＢＢによ−て製造可能であるため、
上記特性を持つ光デイスク用光源に好適な半導体レーザ
装置を、低価格に、再現性良く生産することが可能であ
る。
以下本発明の一実施例を説明する。尚、構成的には第２
図に示した通シであるため、その製造方法を第４図に基
づいて説明する。
図に示した通シであるため、その製造方法を第４図に基
づいて説明する。
まず、第４図（ａ）に示す様に、ｎ−４］ａＡｓ基板（
１０上に、ｎ−ＡＩｏ、４５Ｇａ□、５５Ａｓ層（第１
クラッド層）、アンドープＡ、 ｌ ｏ、１５０ ａ
□、Ｂ ５Ａｓ層（活性層）０３１及びＩ）−Ａ Ｉ
０，３５ Ｇａ □、６５Ａ ｓ層（光導波路層）０４
）をＭＯＣＶＤ法によって順次成長形成する。
１０上に、ｎ−ＡＩｏ、４５Ｇａ□、５５Ａｓ層（第１
クラッド層）、アンドープＡ、 ｌ ｏ、１５０ ａ
□、Ｂ ５Ａｓ層（活性層）０３１及びＩ）−Ａ Ｉ
０，３５ Ｇａ □、６５Ａ ｓ層（光導波路層）０４
）をＭＯＣＶＤ法によって順次成長形成する。
この結晶成長には、必ずしもＭＯＯＶＤ法を用いる必要
はないが、大面積にわたり厚さの均一性の良い薄膜結晶
が得られるＭＯＯＶＤ法が量産性・特性の再現性の上で
有利である。次いで、フォトレジスト等をマスクとして
用い、吊４図（ｂ）に示す様に光導波路層α乃を選択エ
ツチング［７、該Ｐ４Ｑ４）の表面＜ｏ ｉ １＞方向
にストライプ状の凸部（リプ）を形成する。次に、同じ
＜ＭＯＣＶＤ法によって第４図（Ｃ）に示す様に光導波
路層（１４）上に、Ｐ −Ａ Ｉ Ｏ，４５Ｇａ□、５
５Ａｓ層（第２クラッド層）０ｍ及びＰ −Ｇ ａ Ａ
ｓ層（オーミックコンタクト層） （Ｉｆ９を順次成
長形成する。なお、液相成長法（ＬＰＥ法）では、Ａｌ
Ａｓ混晶比Ｘが０．１以上のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層上
への結晶成長を均一に行なうことはきわめて困難である
が、ＭＯＯＶＤ法を用いた場合には、第４図の）の状態
の試料を十分に脱脂洗浄したのち、希Ｈｃ１等によつて
表面の酸化層を除去し簡ちに反応炉に入れることにより
、均一で良好な結晶成長が行なわれた。
はないが、大面積にわたり厚さの均一性の良い薄膜結晶
が得られるＭＯＯＶＤ法が量産性・特性の再現性の上で
有利である。次いで、フォトレジスト等をマスクとして
用い、吊４図（ｂ）に示す様に光導波路層α乃を選択エ
ツチング［７、該Ｐ４Ｑ４）の表面＜ｏ ｉ １＞方向
にストライプ状の凸部（リプ）を形成する。次に、同じ
＜ＭＯＣＶＤ法によって第４図（Ｃ）に示す様に光導波
路層（１４）上に、Ｐ −Ａ Ｉ Ｏ，４５Ｇａ□、５
５Ａｓ層（第２クラッド層）０ｍ及びＰ −Ｇ ａ Ａ
ｓ層（オーミックコンタクト層） （Ｉｆ９を順次成
長形成する。なお、液相成長法（ＬＰＥ法）では、Ａｌ
Ａｓ混晶比Ｘが０．１以上のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層上
への結晶成長を均一に行なうことはきわめて困難である
が、ＭＯＯＶＤ法を用いた場合には、第４図の）の状態
の試料を十分に脱脂洗浄したのち、希Ｈｃ１等によつて
表面の酸化層を除去し簡ちに反応炉に入れることにより
、均一で良好な結晶成長が行なわれた。
次に、Ｐ−ＧａＡｓ層曽（オーミックコンタクトＭ）（
ｌｅ上にＺｎ拡散層住０を形成した後、第４図（ｄ）に
示す様に、第４図（Ｃ）に示す状態の試料のＰ−ＧａＡ
ｓ層（オーミックコンタクト層） （Ｌ（９をフォトレ
ジスト等をマスクとしてストライプ状にＰ−ＡＩ□、４
５０ ａ ０．５５ Ａ ｓ層（紀２クラッド層）（ｌ
［有］までエツチングする。さらに、全面を陽極１披化
した後、希塩酸等によってＧ ａ Ａ ｓとＡＩｏ、４
５（）ａ□、５５Ａｓの陽極酸化膜のエツチング速度の
差を利用しで、Ｐ−ＧａＡｓ層（オーミックコンタクト
層） （１（ｉ）上の陽極酸化膜のみを選択除去する（
第４図（ｅ））。次に、ｃｒ／Ａ ｕ ｔ［Ｉ （ｋα
■、Ａ ｕ Ｇｅ／ Ａ ｕ ％ ％ａ ｃ／、ｌを形
成すルコとにより、前記第２図に示す（構造の半導体レ
ーザが作製される。
ｌｅ上にＺｎ拡散層住０を形成した後、第４図（ｄ）に
示す様に、第４図（Ｃ）に示す状態の試料のＰ−ＧａＡ
ｓ層（オーミックコンタクト層） （Ｌ（９をフォトレ
ジスト等をマスクとしてストライプ状にＰ−ＡＩ□、４
５０ ａ ０．５５ Ａ ｓ層（紀２クラッド層）（ｌ
［有］までエツチングする。さらに、全面を陽極１披化
した後、希塩酸等によってＧ ａ Ａ ｓとＡＩｏ、４
５（）ａ□、５５Ａｓの陽極酸化膜のエツチング速度の
差を利用しで、Ｐ−ＧａＡｓ層（オーミックコンタクト
層） （１（ｉ）上の陽極酸化膜のみを選択除去する（
第４図（ｅ））。次に、ｃｒ／Ａ ｕ ｔ［Ｉ （ｋα
■、Ａ ｕ Ｇｅ／ Ａ ｕ ％ ％ａ ｃ／、ｌを形
成すルコとにより、前記第２図に示す（構造の半導体レ
ーザが作製される。
なお、各層の厚さＬ及び不純物濃度Ｎは次の様に設定し
た。基板（１υでは、Ｌ＝８０μη＆、ＮＤ＝ＩＸ１０
ｃｍ 、第１クラツド／＠１１２では、Ｌ＝ １ ｐ
ｔｈ 。
た。基板（１υでは、Ｌ＝８０μη＆、ＮＤ＝ＩＸ１０
ｃｍ 、第１クラツド／＠１１２では、Ｌ＝ １ ｐ
ｔｈ 。
Ｎｏ＝３Ｘ１０１７ｍ ” 、活性層Ｈでｉｊ、Ｌ＝０
．１２＃ｍ光嗜波路層α→では、Ｌ ＝ ０．５μ扉、
へ−４＝ ５ Ｘ １ （１１７Ｕ 、第２クラツドＬ
４（Ｊ’３テは、Ｌ＝１ ｐｍ 、 Ｎ １＝５１７
−３ Ｘ １０ ｃｒｎ 、オーミックコンタクト層α６）で
は、１ｉ＝ ｏ、 ｓ ｐ” 、 Ｎ・＝ＩＸ１０“°
−−・とした。また、光導波路層（Ｌ４）のリプの段差
は△Ｈ＝ ０．２μ島、リプの幅はＷ１＝３μｍとした
。このときの実効屈折率差は△ｎ’：２Ｘ１０−３程度
である。
．１２＃ｍ光嗜波路層α→では、Ｌ ＝ ０．５μ扉、
へ−４＝ ５ Ｘ １ （１１７Ｕ 、第２クラツドＬ
４（Ｊ’３テは、Ｌ＝１ ｐｍ 、 Ｎ １＝５１７
−３ Ｘ １０ ｃｒｎ 、オーミックコンタクト層α６）で
は、１ｉ＝ ｏ、 ｓ ｐ” 、 Ｎ・＝ＩＸ１０“°
−−・とした。また、光導波路層（Ｌ４）のリプの段差
は△Ｈ＝ ０．２μ島、リプの幅はＷ１＝３μｍとした
。このときの実効屈折率差は△ｎ’：２Ｘ１０−３程度
である。
この様にして得られた半導体レーザは、光導波路層αａ
に設けたリプにょ９、安′）：二した糸本枦モード発振
を示しだ。さらに、電体ストライブの幅Ｗ２がリプの幅
と等し７い３μｍの場合には、１ｎＬｗ以上の光出力で
単−縦モード発振を示したのに対しＷ２を１．５μＪル
以下とした場合には、３ｎ′Ｌｗまでの光出力では縦多
モード発振を示し、昧子によ−では、５ＦＩＬＷまで縦
多モード発振するものもあ−た。
に設けたリプにょ９、安′）：二した糸本枦モード発振
を示しだ。さらに、電体ストライブの幅Ｗ２がリプの幅
と等し７い３μｍの場合には、１ｎＬｗ以上の光出力で
単−縦モード発振を示したのに対しＷ２を１．５μＪル
以下とした場合には、３ｎ′Ｌｗまでの光出力では縦多
モード発振を示し、昧子によ−では、５ＦＩＬＷまで縦
多モード発振するものもあ−た。
また、これらの素子の非点隔差し］１、いずれも１０μ
風以下と小さく、元ディスク用光源としての仕様を十分
満足し得る値でお−た。さらに、第２図の様な系におけ
るフィードバック・ノイズ特性を調べたところ、Ｗ２＝
＝ ３１ｉ ｍの素イｆｉ、ｉ：３ｍＷ出力時に訃いて
最大２．５係の出力変動を午じたのに対し、Ｗ２＝１．
５μｍとＬ タＺ 子テロ−１，３μｍｗ出力時、０−
３０饅の戻シ光量１・て対して、Ｉｆ−１力変動幅は０
．５ ％以下ときわめて小さか７だ。この様に本発明に
よれば、フィードバック・ノイズが小さく、かつ非点隔
差の小さい、光デイスク用光源に好適な半導体レーザ装
置を実現可能なことが確かめられた。
風以下と小さく、元ディスク用光源としての仕様を十分
満足し得る値でお−た。さらに、第２図の様な系におけ
るフィードバック・ノイズ特性を調べたところ、Ｗ２＝
＝ ３１ｉ ｍの素イｆｉ、ｉ：３ｍＷ出力時に訃いて
最大２．５係の出力変動を午じたのに対し、Ｗ２＝１．
５μｍとＬ タＺ 子テロ−１，３μｍｗ出力時、０−
３０饅の戻シ光量１・て対して、Ｉｆ−１力変動幅は０
．５ ％以下ときわめて小さか７だ。この様に本発明に
よれば、フィードバック・ノイズが小さく、かつ非点隔
差の小さい、光デイスク用光源に好適な半導体レーザ装
置を実現可能なことが確かめられた。
〔他の実施例〕
前記実施例では、ＡｌＧａＡｓ系の材料を用いたが、材
料としては、この他にＩｎＧａＡＳＲ系、或いはＩｎ、
ＡＩＧａＥ系等を用いても良く、拐科は特に限定されな
い。
料としては、この他にＩｎＧａＡＳＲ系、或いはＩｎ、
ＡＩＧａＥ系等を用いても良く、拐科は特に限定されな
い。
第１図は光デイスク装置光学系の模式図、第２図は本発
明を具体的に訝明するだめの構成図、第３図は本発明の
半導体レーザ装置における実効屈折率分布と利得分布の
関係を示す図、第４図は本発明の一実施例の製作工程の
説明図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・１／ンズ、３・・・λ
／４板、４・・・ビームスプリッタ、５・・光デイスク
面、６・・・受光器、１１ ・ ｎ＋−ＧａＡｓ基板、
１２−ｎ−Ａ Ｉ ｏ、４５Ｇａｏ、５５Ａｓ第１クラ
ッド層、１３・・・アンドープＡ、ｌ □、１５Ｇａ□
、Ｂ ５Ａ、ｓ 活性層、１４−Ｐ−ＡＩ Ｑ、３５Ｇ
ａ０．６５ＡＳ ラ１４ガイド層、１５＝−Ｐ−Ａｌ
Ｏ，４５Ｇａ０．５５ＡＳ第２クラ、ド層、１６−、Ｐ
−（）ａＡｓオーミックコンタクト層、１７・・・Ｚ
ｎ拡散層、１８・・・陽極酸化膜、１９− Ｏｒ ／Ａ
ｕ ％極、２０ ＝Ａ ｕ −Ｇ ｅ ／Ａ ｕ電極
。 代理人 弁理士 則 近 愈 佑（ほか１名）第 １
図 第２図 第 ３ 図 距為１ 第４図 第４図 、−３１３−
明を具体的に訝明するだめの構成図、第３図は本発明の
半導体レーザ装置における実効屈折率分布と利得分布の
関係を示す図、第４図は本発明の一実施例の製作工程の
説明図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・１／ンズ、３・・・λ
／４板、４・・・ビームスプリッタ、５・・光デイスク
面、６・・・受光器、１１ ・ ｎ＋−ＧａＡｓ基板、
１２−ｎ−Ａ Ｉ ｏ、４５Ｇａｏ、５５Ａｓ第１クラ
ッド層、１３・・・アンドープＡ、ｌ □、１５Ｇａ□
、Ｂ ５Ａ、ｓ 活性層、１４−Ｐ−ＡＩ Ｑ、３５Ｇ
ａ０．６５ＡＳ ラ１４ガイド層、１５＝−Ｐ−Ａｌ
Ｏ，４５Ｇａ０．５５ＡＳ第２クラ、ド層、１６−、Ｐ
−（）ａＡｓオーミックコンタクト層、１７・・・Ｚ
ｎ拡散層、１８・・・陽極酸化膜、１９− Ｏｒ ／Ａ
ｕ ％極、２０ ＝Ａ ｕ −Ｇ ｅ ／Ａ ｕ電極
。 代理人 弁理士 則 近 愈 佑（ほか１名）第 １
図 第２図 第 ３ 図 距為１ 第４図 第４図 、−３１３−
Claims (1)
- ｍ−ｖ族半導体からグる基板上に、ｉ−ｖ族半導体から
なる第１クラツドｋｊ 、活性層、光導波路層及び第２
クラッド層を順次積層して設け、前記光嗜波路Ｊ（１に
はス）・ライブ状の凸部を形成し、前記第２クラッド層
上には前記凸部に電流を注入するだめのストライプ状の
？ｌｊ；極を形成してなる半導体レーザ装置において、
前記ストライプ状電極の幅を前記凸部の幅よりも小さく
５溝成したことを將徴とする半導体レーザ装置、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11016983A JPS603173A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11016983A JPS603173A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603173A true JPS603173A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14528794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11016983A Pending JPS603173A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603173A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281384A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ素子およびその製造方法 |
| JPH02394A (ja) * | 1987-12-28 | 1990-01-05 | Canon Inc | 半導体レーザー |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11016983A patent/JPS603173A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281384A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ素子およびその製造方法 |
| JPH02394A (ja) * | 1987-12-28 | 1990-01-05 | Canon Inc | 半導体レーザー |
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