JPS6246583A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
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- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
本発明は、作り付け導波路１１造を備えた半導体レーザ
装置の改良に関する。
装置の改良に関する。
近年、ディジタル・オーディオ・ディスク（ＣＡＤ）、
ビデオ・ディスク、ドキュメント・ファイル等の光デイ
スク装置や光通信用の光源として、半導体レーザの需要
が増加している。光デイスク装置に用いる半導体レーザ
の特性としては、基本横モードが安定に得られること、
非点収差が小さいこと、信頼性に優れること等が要求さ
れる。
ビデオ・ディスク、ドキュメント・ファイル等の光デイ
スク装置や光通信用の光源として、半導体レーザの需要
が増加している。光デイスク装置に用いる半導体レーザ
の特性としては、基本横モードが安定に得られること、
非点収差が小さいこと、信頼性に優れること等が要求さ
れる。
このような用途に適した半導体レーザとして、第３図に
示す如き屈折率導波型レーザが提案されている（Ｐｒｏ
ｃ、ｏｒ １６ｔｈ Ｃｏｎ（ｏｎ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ（１９８４） Ｄ１５３ ）。
示す如き屈折率導波型レーザが提案されている（Ｐｒｏ
ｃ、ｏｒ １６ｔｈ Ｃｏｎ（ｏｎ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ（１９８４） Ｄ１５３ ）。
図中３１はＮ−ＧａＡｓ基板、３２（まＮ−ＧａＡｌＡ
ｓクラ・ノド層、３３＆よＧａＡＱＡＳ活性層、３４は
Ｐ−ＧａＡｇＡｓクラット層、３５ ハＮ −Ｇ ａ
Ａ ｓ 電流狭窄層、３６ハＰ −Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ
ｓ ＩＩ導波層３７はＰ−ＧａＡｆｆＡＳ？！！ｉｆ
！！、３８はＰ−ＧａＡｓ：＋ンタクト層、３９．４０
は金属電極層をそれぞれ示している。
ｓクラ・ノド層、３３＆よＧａＡＱＡＳ活性層、３４は
Ｐ−ＧａＡｇＡｓクラット層、３５ ハＮ −Ｇ ａ
Ａ ｓ 電流狭窄層、３６ハＰ −Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ
ｓ ＩＩ導波層３７はＰ−ＧａＡｆｆＡＳ？！！ｉｆ
！！、３８はＰ−ＧａＡｓ：＋ンタクト層、３９．４０
は金属電極層をそれぞれ示している。
なお、上記構造は基板３１から電流狭窄層３５まての第
１回目の結晶成長と、電流狭窄＠３５の一部をストライ
プ状にエツチングしたのちに導波層３６からコンタク１
〜層３８までの第２回目の結晶成長とからなる２段階の
結晶成長プロセスにより作成される。ここで、第２回目
の結晶成長の開始時点における導波層３６の成長は、一
旦表面が空気中に晒されたＧａＡｌＡｓ面上への成長で
ある。
１回目の結晶成長と、電流狭窄＠３５の一部をストライ
プ状にエツチングしたのちに導波層３６からコンタク１
〜層３８までの第２回目の結晶成長とからなる２段階の
結晶成長プロセスにより作成される。ここで、第２回目
の結晶成長の開始時点における導波層３６の成長は、一
旦表面が空気中に晒されたＧａＡｌＡｓ面上への成長で
ある。
このため、従来のＬＰＥ法では成長が難しく、ＧａＡλ
ＡＳ面上への成長が容易なＭ ＯＣＶ Ｄ法によって初
めて制御性良く製作できるようになったものである。
ＡＳ面上への成長が容易なＭ ＯＣＶ Ｄ法によって初
めて制御性良く製作できるようになったものである。
ところで、上記レーザでは、導波層３６がストライプ状
溝部４２において活性層３３に近接して配置されている
ことにより、横モード制御□□が行われている。即ち、
接合面に垂直方向のモードの実効屈折率を考えた場合、
ストライプ状溝部４２ではクラッド層３２．３４．活性
層３３．導波層３６、ｉｌ！ｆｉ層３７のそれぞれの屈
折率及び厚さ等から決まる値ｎｅｆｆをとるが、ストラ
イプ状溝部４２以外の領域では、導波層３６及び被覆胴
３７が活性層３３から十分間れているので、ｎｅｆｆよ
り小さいｎｅｆｆ−となる。このような水平方向の実効
屈折率の分布により、光はストライプ部分に閉込められ
る。
溝部４２において活性層３３に近接して配置されている
ことにより、横モード制御□□が行われている。即ち、
接合面に垂直方向のモードの実効屈折率を考えた場合、
ストライプ状溝部４２ではクラッド層３２．３４．活性
層３３．導波層３６、ｉｌ！ｆｉ層３７のそれぞれの屈
折率及び厚さ等から決まる値ｎｅｆｆをとるが、ストラ
イプ状溝部４２以外の領域では、導波層３６及び被覆胴
３７が活性層３３から十分間れているので、ｎｅｆｆよ
り小さいｎｅｆｆ−となる。このような水平方向の実効
屈折率の分布により、光はストライプ部分に閉込められ
る。
このように第３図に示すレーザは、屈折率導波型である
ため、非点収差は殆どなく、モードも安定である。また
、導波層側へ光が広がって導波されるので、活性層にお
ける光密度を低減でき、高出力動作にも有利である。
ため、非点収差は殆どなく、モードも安定である。また
、導波層側へ光が広がって導波されるので、活性層にお
ける光密度を低減でき、高出力動作にも有利である。
しかしながら、この種の装置にあっては次の■〜■のよ
うな問題があった。
うな問題があった。
■ ス１−ライブ部以外の領域で活性層と電流狭窄層と
を所定の距離以上離さなければならないので、ストライ
プ状溝部形成のためのエツチング量が大きくなり、スト
ライプ状溝部での活性層と導波層との距ａｈ及びストラ
イプ幅Ｗがばらつく。
を所定の距離以上離さなければならないので、ストライ
プ状溝部形成のためのエツチング量が大きくなり、スト
ライプ状溝部での活性層と導波層との距ａｈ及びストラ
イプ幅Ｗがばらつく。
■ 活性層と電流狭窄層との距離が大きいため、ストラ
イプ状溝部の両側への電流リークが大きく、内部吊子効
率が低下する。
イプ状溝部の両側への電流リークが大きく、内部吊子効
率が低下する。
■ 電流狭窄層としてＧａＡｓを用いているため、上下
のＧａＡ、２△５ｌｉｌとの間の格子整合に起因する応
力歪みにより、高出力動作における信頼性確保が」しい
。
のＧａＡ、２△５ｌｉｌとの間の格子整合に起因する応
力歪みにより、高出力動作における信頼性確保が」しい
。
上記問題のうち■は横モードの安定性に影響する。第４
図はストライプ状溝部における活性層と導波層との距ｉ
ｈｃμｍｌ、導波層の厚さｔ［μｍ］に対し、実効屈折
率差ΔｎｅＨ（＝ ｎ ｅｆｆ−ｎ ｅｆｆ ＝ ）及
び活性層への光閉込め係数［の値をプロットしたもので
ある。この例では、クラッド層３２．活性層３３．クラ
ッドＦＦ４３４゜導波層３６．被覆層３７におけるＡｌ
の組成比をそれぞれ０，４．０．０６．０，４．０，２
７．０．４とし、活性層の厚さは０．０６［μＴｒＬ］
として計算した。安定な横モードを得るには、プラズマ
効果等による屈折率減少を補うだけの△ｎｅＨが必要で
、実験的にもΔｎ ｅｆｆが〜１０）付近で安定な基本
横モードが１ｑられることか確められている。また、光
閉込め係数「が小さ過ぎるとしきい値が大きくなってし
まい、逆に「が大き過ぎると高出力動作における劣化に
つながるため、適正な値に設定することが必要である。
図はストライプ状溝部における活性層と導波層との距ｉ
ｈｃμｍｌ、導波層の厚さｔ［μｍ］に対し、実効屈折
率差ΔｎｅＨ（＝ ｎ ｅｆｆ−ｎ ｅｆｆ ＝ ）及
び活性層への光閉込め係数［の値をプロットしたもので
ある。この例では、クラッド層３２．活性層３３．クラ
ッドＦＦ４３４゜導波層３６．被覆層３７におけるＡｌ
の組成比をそれぞれ０，４．０．０６．０，４．０，２
７．０．４とし、活性層の厚さは０．０６［μＴｒＬ］
として計算した。安定な横モードを得るには、プラズマ
効果等による屈折率減少を補うだけの△ｎｅＨが必要で
、実験的にもΔｎ ｅｆｆが〜１０）付近で安定な基本
横モードが１ｑられることか確められている。また、光
閉込め係数「が小さ過ぎるとしきい値が大きくなってし
まい、逆に「が大き過ぎると高出力動作における劣化に
つながるため、適正な値に設定することが必要である。
例えば、△ｎ ｅｆｆの適正範囲を０．８〜１．６Ｘ
１０’ 、ｒ（７）適正１囲を０．０６〜０．１２とす
ると、ｔ、ｈの許容範囲は第４図に斜線で示す領域とな
る。従って、ｔの値は勿論のこと、ｈの値も精度良く設
定しなければならない。しかし第３図の構造では、ｈに
対してストライプ状溝部形成のためのエツチング量が約
１桁大きいため、ｈのバラツキを避（ブることはできず
、量産の場合の歩留りが低い。
１０’ 、ｒ（７）適正１囲を０．０６〜０．１２とす
ると、ｔ、ｈの許容範囲は第４図に斜線で示す領域とな
る。従って、ｔの値は勿論のこと、ｈの値も精度良く設
定しなければならない。しかし第３図の構造では、ｈに
対してストライプ状溝部形成のためのエツチング量が約
１桁大きいため、ｈのバラツキを避（ブることはできず
、量産の場合の歩留りが低い。
また、上記■の問題点に関しては、特に高出力、例えば
５０［ｍＷ］以上の光出力での動作における信頼性に影
響する。
５０［ｍＷ］以上の光出力での動作における信頼性に影
響する。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、発振横モード力く安定で、電流リーク
を少なくすることができ、且つ信頼性に優れた半導体レ
ーザ装置を提供することにある。
とするところは、発振横モード力く安定で、電流リーク
を少なくすることができ、且つ信頼性に優れた半導体レ
ーザ装置を提供することにある。
本発明の骨子は、電流狭窄層として八りを含む化合物半
導体材料を用いることにより、格子整合による応力歪み
を低減し、さらにストライプ状溝部形成のためのエツチ
ング邑の低減を可能としたことにある。
導体材料を用いることにより、格子整合による応力歪み
を低減し、さらにストライプ状溝部形成のためのエツチ
ング邑の低減を可能としたことにある。
即ち本発明は、活性層に対し基板と反対側のクラッド層
上に該クラッド層とは導電型の異なる電流狭窄層をスト
ライプ状部分を除（Ｘで形成し、この上に上記クラッド
層と同じ導電型で該クラッド層よりも屈折率の高い導波
層を形成し、且つこの導波層上に上記クラッド層と同じ
導電型で導波層よりも屈折率の低い導波層を形成して、
電流狭窄効果及び作り付け導波路効果を持たせたヘテロ
接合型半導体レーザ装置において、前記クラッド層。
上に該クラッド層とは導電型の異なる電流狭窄層をスト
ライプ状部分を除（Ｘで形成し、この上に上記クラッド
層と同じ導電型で該クラッド層よりも屈折率の高い導波
層を形成し、且つこの導波層上に上記クラッド層と同じ
導電型で導波層よりも屈折率の低い導波層を形成して、
電流狭窄効果及び作り付け導波路効果を持たせたヘテロ
接合型半導体レーザ装置において、前記クラッド層。
電流狭窄層及び導波層をＡｌを含む化合物半導体材料で
形成し、且つ前記電流狭窄層における八λの組成比を前
記導波層におけるそれよりも大きく設定するようにした
ものである。
形成し、且つ前記電流狭窄層における八λの組成比を前
記導波層におけるそれよりも大きく設定するようにした
ものである。
〔発明の効果）
本発明によれば、電流狭窄層として、クラッド層及び導
波層と同様に、Ａｌを含む化合物半導体材料を用いてい
るので、電流狭窄層の両売面における応力歪みが緩和さ
れることになる。このため、＾出力動作における信頼性
を著しく改善することができる。また、電流狭窄層の屈
折率が小さく且つ光吸収係数が小さくなるので、クラッ
ド層の膜厚を薄く形成することができる。このため、ス
トライプ状溝部以外へのリーク電流を低減することがで
き、且つモード安定性を得るのに必要な寸法再現性を高
めることができる。
波層と同様に、Ａｌを含む化合物半導体材料を用いてい
るので、電流狭窄層の両売面における応力歪みが緩和さ
れることになる。このため、＾出力動作における信頼性
を著しく改善することができる。また、電流狭窄層の屈
折率が小さく且つ光吸収係数が小さくなるので、クラッ
ド層の膜厚を薄く形成することができる。このため、ス
トライプ状溝部以外へのリーク電流を低減することがで
き、且つモード安定性を得るのに必要な寸法再現性を高
めることができる。
（発明の実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図である。図中１１４ｔＮ−ＱａＡＳ基
板、１２はＮ Ｇａｏ、ｎ ＡＱＱ、４ Ａｓク
ラッド層、１３はＧ ａｏ、、、 Ａ Ｑ。、０． Ａ
Ｓ活性層、１４はＰ−Ｇａｎ、ａ Ａｆｉ。、、Ａ
ｓクラッド層、１５はＮ Ｇａｎ、ａｓＡｌｑ、３ｓ
ＡＳ電流狭窄層。
構造を示す断面図である。図中１１４ｔＮ−ＱａＡＳ基
板、１２はＮ Ｇａｏ、ｎ ＡＱＱ、４ Ａｓク
ラッド層、１３はＧ ａｏ、、、 Ａ Ｑ。、０． Ａ
Ｓ活性層、１４はＰ−Ｇａｎ、ａ Ａｆｉ。、、Ａ
ｓクラッド層、１５はＮ Ｇａｎ、ａｓＡｌｑ、３ｓ
ＡＳ電流狭窄層。
１６ ＬＬ Ｐ Ｇ ａ ｏ、７ｓ Ａ Ｑｏ、ｔ７
ＡＳ導波層、１７ＢよＰ Ｇ ａ、−ｎ Ａ Ｑｎ
−４ＡＳ被覆層、１８（まＰ−ＧａＡＳコンタクト層、
１９．２０ｔま金属電園層をそれぞれ示している。
ＡＳ導波層、１７ＢよＰ Ｇ ａ、−ｎ Ａ Ｑｎ
−４ＡＳ被覆層、１８（まＰ−ＧａＡＳコンタクト層、
１９．２０ｔま金属電園層をそれぞれ示している。
上記構造のレーザは、第２図（ａ）〜（Ｃ）に示す工程
によって実現される。まず、第２図（ａ）に示す如く面
方位（１００）のＮ−ＧａＡＳＭ板１１上板厚１上、７
［μｍ］のＮ−ＧａＡｇＡｓクラッド層１２、厚さ０
．０６［μ７７Ｌ］のＧａＡｌＡｓ活性１＊１３、厚さ
０．７ ［μｍ］のＰ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１４、
及び厚さ０．７ ［μｍ］のＮ−ＧａＡｌＡＳ電流狭窄
層１５を順次成長せしめた。この第１回目の結晶成長に
はＭＯＣＶＤ法を用いた。なお、第１回目の結晶成長に
は必ずしもＭ ＯＣＶ Ｄ法を用いる必要はないが、大
面積で均一性の良い結晶成長が可能なＭＯＣＶＤ法を用
いることは、量産化を考えた場合しＰＥ法に′比べて有
利である。
によって実現される。まず、第２図（ａ）に示す如く面
方位（１００）のＮ−ＧａＡＳＭ板１１上板厚１上、７
［μｍ］のＮ−ＧａＡｇＡｓクラッド層１２、厚さ０
．０６［μ７７Ｌ］のＧａＡｌＡｓ活性１＊１３、厚さ
０．７ ［μｍ］のＰ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１４、
及び厚さ０．７ ［μｍ］のＮ−ＧａＡｌＡＳ電流狭窄
層１５を順次成長せしめた。この第１回目の結晶成長に
はＭＯＣＶＤ法を用いた。なお、第１回目の結晶成長に
は必ずしもＭ ＯＣＶ Ｄ法を用いる必要はないが、大
面積で均一性の良い結晶成長が可能なＭＯＣＶＤ法を用
いることは、量産化を考えた場合しＰＥ法に′比べて有
利である。
次いで、第２図（ｂ）に示す如く電流狭窄層１５上にフ
ォトレジスト２１を塗布し、該レジスト２１に幅１．５
［μＴｒＬ１のストライプ状窓を形成し、これをマスク
として電流狭窄層１５を選択エツチングし、ざらにクラ
ッド層１４を途中までエツチングしてストライプ状の溝
部２２を形成した。溝部２２の底面の幅Ｗは１［μｍｌ
、底面から活性層１３までの距離りは０．４［μｍ］に
形成した。ここで、電流狭窄層１５をＧａＡｇＡＳで形
成しているので、クラッド＠１４を従来よりも薄く形成
することができる。そして、ストライプ状溝部４２の深
さは約１［μ７７Ｌ］で、電流狭窄層１５がＧａＡｓの
場合の約半分で済むことになり、寸法再現性が大幅に向
上する。また、電流狭窄層１５におＧブるＡｇの組成比
を更に高くし、例えば０．４とすると、クラッド層１４
と屈折率が同じとなり、クラッド層１４の膜厚をより薄
く形成することが可能である。
ォトレジスト２１を塗布し、該レジスト２１に幅１．５
［μＴｒＬ１のストライプ状窓を形成し、これをマスク
として電流狭窄層１５を選択エツチングし、ざらにクラ
ッド層１４を途中までエツチングしてストライプ状の溝
部２２を形成した。溝部２２の底面の幅Ｗは１［μｍｌ
、底面から活性層１３までの距離りは０．４［μｍ］に
形成した。ここで、電流狭窄層１５をＧａＡｇＡＳで形
成しているので、クラッド＠１４を従来よりも薄く形成
することができる。そして、ストライプ状溝部４２の深
さは約１［μ７７Ｌ］で、電流狭窄層１５がＧａＡｓの
場合の約半分で済むことになり、寸法再現性が大幅に向
上する。また、電流狭窄層１５におＧブるＡｇの組成比
を更に高くし、例えば０．４とすると、クラッド層１４
と屈折率が同じとなり、クラッド層１４の膜厚をより薄
く形成することが可能である。
次いで、レジスト２１を除去し表面洗浄処理を施したの
ち、第２回目の結晶成長をＭＯＣＶＤ法でｊｌつだ。即
ち、第２図（Ｃ）に示す如く全面に厚さ０．２ ［μｍ
］のＰ−ＧａＡｌＡＳ導波層１６、厚さ１．２５ Ｃμ
ｍ］の被覆膚１７及び厚さ５ ［μｍ］のＰ−ＧａＡｓ
：ｒンタク１−Ｆｆａ１８を成長形成した。これ以降は
、通常の電極層は工程によりコンタクト１１１８上にＣ
ｒ−ＡＵＩ極１９を、さらに基板１１の下面にＡｕ−Ｑ
ｅ電極２０を被着して前記第１図に示す如き構造を得た
。
ち、第２回目の結晶成長をＭＯＣＶＤ法でｊｌつだ。即
ち、第２図（Ｃ）に示す如く全面に厚さ０．２ ［μｍ
］のＰ−ＧａＡｌＡＳ導波層１６、厚さ１．２５ Ｃμ
ｍ］の被覆膚１７及び厚さ５ ［μｍ］のＰ−ＧａＡｓ
：ｒンタク１−Ｆｆａ１８を成長形成した。これ以降は
、通常の電極層は工程によりコンタクト１１１８上にＣ
ｒ−ＡＵＩ極１９を、さらに基板１１の下面にＡｕ−Ｑ
ｅ電極２０を被着して前記第１図に示す如き構造を得た
。
かくして得られた試料をへき開により共振器長２５０［
μｍ］のファブリベロー型レーザに切出した素子の特性
は、しきい暗電流３５［ｍＡ］と低く、微分量子効率も
５０［％］と良好であった。
μｍ］のファブリベロー型レーザに切出した素子の特性
は、しきい暗電流３５［ｍＡ］と低く、微分量子効率も
５０［％］と良好であった。
また、出力５０［ｍＷ］以上までキンクのない線形性の
良い電流−光出力特性が得られた。さらに、レーザ端面
より放射されたレーザ光ビームの接合面に水平方向、垂
直方向のビームウェストは端面に一致しており、良好な
屈折率ガイドになっていることが確認できた。
良い電流−光出力特性が得られた。さらに、レーザ端面
より放射されたレーザ光ビームの接合面に水平方向、垂
直方向のビームウェストは端面に一致しており、良好な
屈折率ガイドになっていることが確認できた。
このように本実茄例によれば、電流狭窄層１５・をＧａ
ＡｇＡＳで形成しているので、上下のＧａＡβ△Ｓ層（
１４，１６）との間の格子整合がとれ、電流狭窄層１５
の両界面における応力歪みが緩和されることになる。こ
のため、高出力動作における信頼性を著しく改善するこ
とができる。
ＡｇＡＳで形成しているので、上下のＧａＡβ△Ｓ層（
１４，１６）との間の格子整合がとれ、電流狭窄層１５
の両界面における応力歪みが緩和されることになる。こ
のため、高出力動作における信頼性を著しく改善するこ
とができる。
また、電流狭窄層１５の屈折率が小さく且つ光吸収係数
が小さくなるので、電流狭窄層１５を活性層１３に近付
けることが可能となり、クラッド層１４の膜厚を薄く形
成することができる。このため、ストライプ状溝部４２
以外へのリーク電流を低減することができ、且つモード
安定性を得るのに必要な寸法再現性を高めることができ
る。即ち、発振横モードが安定で電流リークも少なく、
また信頼性に優れた半導体レーザを実現することができ
る。
が小さくなるので、電流狭窄層１５を活性層１３に近付
けることが可能となり、クラッド層１４の膜厚を薄く形
成することができる。このため、ストライプ状溝部４２
以外へのリーク電流を低減することができ、且つモード
安定性を得るのに必要な寸法再現性を高めることができ
る。即ち、発振横モードが安定で電流リークも少なく、
また信頼性に優れた半導体レーザを実現することができ
る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記電流狭窄層におけるＡＱの組成比は、
前記導′ａ層におけるそれよりも大きい範囲でｊΔ官変
更可能である。また、構成材料としてはＧａＡｇＡＳに
限るものではなく、ｌ ｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａ Ｉ
ｎＰ或いはＡｆｆＧａＺｎＰ等の他の化合物半導体材料
を用いることも可能である。さらに、結晶成長法として
は、ＭＯＣＶＤ法の代りに、Ｍ Ｂ Ｅ法を用いること
もできる。また、基板としてＰ型基板を用い、各層の導
電型を逆にすることも可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
い。例えば、前記電流狭窄層におけるＡＱの組成比は、
前記導′ａ層におけるそれよりも大きい範囲でｊΔ官変
更可能である。また、構成材料としてはＧａＡｇＡＳに
限るものではなく、ｌ ｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａ Ｉ
ｎＰ或いはＡｆｆＧａＺｎＰ等の他の化合物半導体材料
を用いることも可能である。さらに、結晶成長法として
は、ＭＯＣＶＤ法の代りに、Ｍ Ｂ Ｅ法を用いること
もできる。また、基板としてＰ型基板を用い、各層の導
電型を逆にすることも可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は１紀レーザ
の製造工程を示す断面図、第３図は従来レーザの概略構
造を示す断面図、第４図は実効屈折率差△ｎｅＨ及び活
性層の光閉込め係数［と寸法との関係を示す特性図であ
る。 １１・・・Ｎ−ＧａＡｓＪｌ板、１２− Ｎ −Ｇ ａ
ｏ−ａ△Ｑｏ−＜Ａｓクラッド層、１３− Ｇ ａａ
−９４Ａ Ｑ、ｎ−ａ６ＡＳ活性層、１４−Ｐ Ｇａ
０−６ ＡＩｔｏ−＜ Ａｓクラッド層、１５・＝
Ｎ−ＧａＯ，ａｓ Ａｌｔｏ−ｓａ Ａｓ零流狭窄層、
１６ ・Ｐ −Ｇ ａｏ、、３Ａ Ｑ。、２７Ａ ｓ導
波層、１７＝・Ｐ−’Ｇａｏ、ａ Ａｌｎ、４ Ａｓ
？！ｆｕｌｌ、１８−・・Ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ コン
タクト層、１９．２０−・・金属電極層、２１・・・レ
ジスト、２２・・・ストライプ状溝部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ’ｃ ［、ｍ］ − ′ｙｙ、ａｆｙ ［ｘ １ｏ−”３−脅（祠 Ｕ
）
構造を示す断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は１紀レーザ
の製造工程を示す断面図、第３図は従来レーザの概略構
造を示す断面図、第４図は実効屈折率差△ｎｅＨ及び活
性層の光閉込め係数［と寸法との関係を示す特性図であ
る。 １１・・・Ｎ−ＧａＡｓＪｌ板、１２− Ｎ −Ｇ ａ
ｏ−ａ△Ｑｏ−＜Ａｓクラッド層、１３− Ｇ ａａ
−９４Ａ Ｑ、ｎ−ａ６ＡＳ活性層、１４−Ｐ Ｇａ
０−６ ＡＩｔｏ−＜ Ａｓクラッド層、１５・＝
Ｎ−ＧａＯ，ａｓ Ａｌｔｏ−ｓａ Ａｓ零流狭窄層、
１６ ・Ｐ −Ｇ ａｏ、、３Ａ Ｑ。、２７Ａ ｓ導
波層、１７＝・Ｐ−’Ｇａｏ、ａ Ａｌｎ、４ Ａｓ
？！ｆｕｌｌ、１８−・・Ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ コン
タクト層、１９．２０−・・金属電極層、２１・・・レ
ジスト、２２・・・ストライプ状溝部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ’ｃ ［、ｍ］ − ′ｙｙ、ａｆｙ ［ｘ １ｏ−”３−脅（祠 Ｕ
）
Claims (3)
- （１）活性層に対し基板と反対側のクラッド層上に該ク
ラッド層とは導電型の異なる電流狭窄層をストライプ状
部分を除いて形成し、この上に上記クラッド層と同じ導
電型で該クラッド層よりも屈折率の高い導波層を形成し
、且つこの導波層上に上記クラッド層と同じ導電型で導
波層よりも屈折率の低い被覆層を形成して、電流狭窄効
果及び作り付け導波路効果を持たせたヘテロ接合型半導
体レーザ装置において、前記クラッド層、電流狭窄層及
び導波層をＡｌを含む化合物半導体材料で形成し、且つ
前記電流狭窄層におけるＡｌの組成比を前記導波層にお
けるそれよりも大きく設定したことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - （２）前記Ａｌを含む化合物半導体材料として、ＧａＡ
ｌＡｓを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体レーザ装置。 - （３）前記電流狭窄層におけるＡｌの組成比を、前記ク
ラッド層におけるそれと略等しく設定したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18553185A JPH0644660B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/898,706 US4799228A (en) | 1985-08-23 | 1986-08-21 | Transverse-mode stabilized semiconductor laser diode with slab-coupled waveguide |
| EP86111632A EP0214534A3 (en) | 1985-08-23 | 1986-08-22 | Transverse-mode stabilized semiconductor laser diode with slab-coupled waveguide |
| KR1019860006998A KR900000075B1 (ko) | 1985-08-23 | 1986-08-23 | 반도체레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18553185A JPH0644660B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246583A true JPS6246583A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0644660B2 JPH0644660B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16172429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18553185A Expired - Fee Related JPH0644660B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644660B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009119565A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Denso Wave Inc | ロボット |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18553185A patent/JPH0644660B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009119565A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Denso Wave Inc | ロボット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644660B2 (ja) | 1994-06-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |