JPH0644660B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPH0644660B2 JPH0644660B2 JP18553185A JP18553185A JPH0644660B2 JP H0644660 B2 JPH0644660 B2 JP H0644660B2 JP 18553185 A JP18553185 A JP 18553185A JP 18553185 A JP18553185 A JP 18553185A JP H0644660 B2 JPH0644660 B2 JP H0644660B2
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、作り付け導波路構造を備えた半導体レーザ装
置の改良に関する。
置の改良に関する。
近年、ディジタル・オーディオ・ディスク（ＤＡＤ），
ビデオ・ディスク，ドキュメント・フィルム等の光ディ
スク装置や光通信用の光源として、半導体レーザの需要
が増加している。光ディスク装置に用いる半導体レーザ
の特性としては、基本横モードが安定に得られること、
非点収差が小さいこと、信頼性に優れること等が要求さ
れる。
ビデオ・ディスク，ドキュメント・フィルム等の光ディ
スク装置や光通信用の光源として、半導体レーザの需要
が増加している。光ディスク装置に用いる半導体レーザ
の特性としては、基本横モードが安定に得られること、
非点収差が小さいこと、信頼性に優れること等が要求さ
れる。
このような用途に適した半導体レーザとして、第３図に
示す如き屈折率導波型レーザが提案されている（Proc.o
f 16th Conf.on Solid State Devices and Materials
(1984)p153）。図中３１はＮ−ＧａＡｓ基板、３２はＮ
−ＧａＡｌＡｓクラッド層、３３はＧａＡｌＡｓ活性
層、３４はＰ−ＧａＡｌＡｓクラッド層、３５はＮ−Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層、３６はＰ−ＧａＡｌＡｓ導波層、３
７はＰ−ＧａＡｌＡｓ被覆層、３８はＰ−ＧａＡｓコン
タクト層、３９，４０は金属電極層をそれぞれ示してい
る。
示す如き屈折率導波型レーザが提案されている（Proc.o
f 16th Conf.on Solid State Devices and Materials
(1984)p153）。図中３１はＮ−ＧａＡｓ基板、３２はＮ
−ＧａＡｌＡｓクラッド層、３３はＧａＡｌＡｓ活性
層、３４はＰ−ＧａＡｌＡｓクラッド層、３５はＮ−Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層、３６はＰ−ＧａＡｌＡｓ導波層、３
７はＰ−ＧａＡｌＡｓ被覆層、３８はＰ−ＧａＡｓコン
タクト層、３９，４０は金属電極層をそれぞれ示してい
る。
なお、上記構造は基板３１から電流狭窄層３５までの第
１回目の結晶成長と、電流狭窄層３５の一部をストライ
プ状にエッチングしたのちに導波層３６からコンタクト
層３８までの第２回目の結晶成長とからなる２段階の結
晶成長プロセスにより作成される。ここで、第２回目の
結晶成長の開始時点における導波層３６の成長は、一旦
表面が空気中に晒されたＧａＡｌＡｓ面上への成長であ
る。このため、従来のＬＰＥ法では成長が難しく、Ｇａ
ＡｌＡｓ面上への成長が容易なＭＯＣＶＤ法によって初
めて制御性良く製作できるようになったものである。
１回目の結晶成長と、電流狭窄層３５の一部をストライ
プ状にエッチングしたのちに導波層３６からコンタクト
層３８までの第２回目の結晶成長とからなる２段階の結
晶成長プロセスにより作成される。ここで、第２回目の
結晶成長の開始時点における導波層３６の成長は、一旦
表面が空気中に晒されたＧａＡｌＡｓ面上への成長であ
る。このため、従来のＬＰＥ法では成長が難しく、Ｇａ
ＡｌＡｓ面上への成長が容易なＭＯＣＶＤ法によって初
めて制御性良く製作できるようになったものである。
ところで、上記レーザでは、導波層３６がストライプ状
溝部４２において活性層３３に近接して配置されている
ことにより、横モード制御が行われている。即ち、接合
面に垂直方向のモードの実効屈折率を考えた場合、スト
ライプ状溝部４２ではクラッド層３２，３４，活性層３
３，導波層３６，被覆層３７のそれぞれの屈折率及び厚
さ等から決まる値neffをとるが、ストライプ状溝部４２
以外の領域では、導波層３６及び被覆層３７が活性層３
３から十分離れているので、neffより小さいneff′とな
る。このような水平方向の実効屈折率の分布により、光
はストライプ部分に閉込められる。
溝部４２において活性層３３に近接して配置されている
ことにより、横モード制御が行われている。即ち、接合
面に垂直方向のモードの実効屈折率を考えた場合、スト
ライプ状溝部４２ではクラッド層３２，３４，活性層３
３，導波層３６，被覆層３７のそれぞれの屈折率及び厚
さ等から決まる値neffをとるが、ストライプ状溝部４２
以外の領域では、導波層３６及び被覆層３７が活性層３
３から十分離れているので、neffより小さいneff′とな
る。このような水平方向の実効屈折率の分布により、光
はストライプ部分に閉込められる。
このように第３図に示すレーザは、屈折率導波型である
ため、非点収差は殆どなく、モードも安定である。ま
た、導波層側へ光が広がって導波されるので、活性層に
おける光密度を低減でき、高出力動作にも有利である。
ため、非点収差は殆どなく、モードも安定である。ま
た、導波層側へ光が広がって導波されるので、活性層に
おける光密度を低減でき、高出力動作にも有利である。
しかしながら、この種の装置にあっては次の〜のよ
うな問題があった。
うな問題があった。
ストライプ部以外の領域で活性層と電流狭窄層とを所
定の距離以上離さなければならないので、ストライプ状
溝部形成のためのエッチング量が大きくなり、ストライ
プ状溝部での活性層と導波層との距離ｈ及びストライプ
幅Ｗがばらつく。
定の距離以上離さなければならないので、ストライプ状
溝部形成のためのエッチング量が大きくなり、ストライ
プ状溝部での活性層と導波層との距離ｈ及びストライプ
幅Ｗがばらつく。
活性層と電流狭窄層との距離が大きいため、ストライ
プ状溝部の両側への電流リークが大きく、内部量子効率
が低下する。
プ状溝部の両側への電流リークが大きく、内部量子効率
が低下する。
電流狭窄層としてＧａＡＡｓを用いているため、上下
のＧａＡｌＡｓ層との間の格子整合に起因する応力歪み
により、高出力動作における信頼性確保が難しい。
のＧａＡｌＡｓ層との間の格子整合に起因する応力歪み
により、高出力動作における信頼性確保が難しい。
上記問題のうちは横モードの安定性に影響する。第４
図はストライプ状溝部における活性層と導波層との距離
ｈ［μｍ］，導波層の厚さ ｔ［μｍ］に対し、実効屈折率差Δneff （ｎ＝neff-neff′）及び活性層への光閉込め係数「の
値をプロットしたものである。この例では、クラッド層
３２，活性層３３，クラッド層３４，導波層３６，被覆
層３７におけるＡｌの組成比をそれぞれ0.4,0.06,0.4,
0.27,0.4とし、活性層の厚さは０．０６［μｍ］として
計算した。安定な横モードを得るには、プラズマ効果等
による屈折率減少を補うだけのΔneffが必要で、実験的
にもΔneffが〜１０−２付近で安定な基本横モードが得
られることが認められている。また、光閉込め係数「が
小さ過ぎるとときい値が大きくなってしまい、逆に「が
大き過ぎると高出力動作における劣化につながるため、
適正な値に設定することが必要である。例えば、Δneff
の適正範囲を０．８〜１．６×１０−２、「の適正範囲
を０．０６〜０．１２とすると、ｔ，ｈの許容範囲は第
４図に斜線で示す領域となる。従って、ｔの値は勿論の
こと、ｈの値も精度良く設定しなければならない。しか
し第３図の構造では、ｈに対してストライプ状溝部形成
のためのエッチング量が約１桁大きいため、ｈのバラツ
キを避けることはできず、量産の場合の歩留りが低い。
図はストライプ状溝部における活性層と導波層との距離
ｈ［μｍ］，導波層の厚さ ｔ［μｍ］に対し、実効屈折率差Δneff （ｎ＝neff-neff′）及び活性層への光閉込め係数「の
値をプロットしたものである。この例では、クラッド層
３２，活性層３３，クラッド層３４，導波層３６，被覆
層３７におけるＡｌの組成比をそれぞれ0.4,0.06,0.4,
0.27,0.4とし、活性層の厚さは０．０６［μｍ］として
計算した。安定な横モードを得るには、プラズマ効果等
による屈折率減少を補うだけのΔneffが必要で、実験的
にもΔneffが〜１０−２付近で安定な基本横モードが得
られることが認められている。また、光閉込め係数「が
小さ過ぎるとときい値が大きくなってしまい、逆に「が
大き過ぎると高出力動作における劣化につながるため、
適正な値に設定することが必要である。例えば、Δneff
の適正範囲を０．８〜１．６×１０−２、「の適正範囲
を０．０６〜０．１２とすると、ｔ，ｈの許容範囲は第
４図に斜線で示す領域となる。従って、ｔの値は勿論の
こと、ｈの値も精度良く設定しなければならない。しか
し第３図の構造では、ｈに対してストライプ状溝部形成
のためのエッチング量が約１桁大きいため、ｈのバラツ
キを避けることはできず、量産の場合の歩留りが低い。
また、上記の問題点に関しては、特に高出力、例えば
５０［ｍＷ］以上の光出力での動作における信頼性に影
響する。
５０［ｍＷ］以上の光出力での動作における信頼性に影
響する。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、発振横モードが安定で、電流リークを
少なくすることができ、且つ信頼性に優れた半導体レー
ザ装置を提供することにある。
とするところは、発振横モードが安定で、電流リークを
少なくすることができ、且つ信頼性に優れた半導体レー
ザ装置を提供することにある。
本発明の骨子は、電流狭窄層としてＡｌを含む化合物半
導体材料を用いることにより、格子整合による応力歪み
を低減し、さらにストライプ状溝部形成のためのエッチ
ング量の低減を可能としたことにある。
導体材料を用いることにより、格子整合による応力歪み
を低減し、さらにストライプ状溝部形成のためのエッチ
ング量の低減を可能としたことにある。
即ち本発明は、活性層に対し基板と反対側のクラッド層
上に該クラッド層とは導電型の異なる電流狭窄層をスト
ライプ状部分を除いて形成し、この上に上記クラッド層
と同じ導電型で該クラッド層よりも屈折率の高い導波層
を形成し、且つこの導波層上に上記クラッド層と同じ導
電型で導波層よりも屈折率の低い導波層を形成して、電
流狭窄効果及び作り付け導波路効果を持たせたヘテロ接
合型半導体レーザ装置において、前記クラッド層，電流
狭窄層及び導波層をＡｌを含む同種の化合物半導体材料
で形成し、且つ前記電流狭窄層におけるＡｌの組成比を
前記導波層におけるそれよりも大きく設定するようにし
たものである。
上に該クラッド層とは導電型の異なる電流狭窄層をスト
ライプ状部分を除いて形成し、この上に上記クラッド層
と同じ導電型で該クラッド層よりも屈折率の高い導波層
を形成し、且つこの導波層上に上記クラッド層と同じ導
電型で導波層よりも屈折率の低い導波層を形成して、電
流狭窄効果及び作り付け導波路効果を持たせたヘテロ接
合型半導体レーザ装置において、前記クラッド層，電流
狭窄層及び導波層をＡｌを含む同種の化合物半導体材料
で形成し、且つ前記電流狭窄層におけるＡｌの組成比を
前記導波層におけるそれよりも大きく設定するようにし
たものである。
本発明によれば、電流狭窄層として、クラッド層及び導
波層と同様に、Ａｌを含む化合物半導体材料を用いてい
るので、電流狭窄層の両界面における応力歪みが緩和さ
れることにある。このため、高出力動作における信頼性
を著しく改善することができる。また、電流狭窄層の屈
折率が小さく且つ光吸収係数が小さくなるので、クラッ
ド層の膜厚を薄く形成することができる。このため、ス
トライプ状溝部以外へのリーク電流を低減することがで
き、且つモード安定性を得るのに必要な寸法再現性を高
めることができる。
波層と同様に、Ａｌを含む化合物半導体材料を用いてい
るので、電流狭窄層の両界面における応力歪みが緩和さ
れることにある。このため、高出力動作における信頼性
を著しく改善することができる。また、電流狭窄層の屈
折率が小さく且つ光吸収係数が小さくなるので、クラッ
ド層の膜厚を薄く形成することができる。このため、ス
トライプ状溝部以外へのリーク電流を低減することがで
き、且つモード安定性を得るのに必要な寸法再現性を高
めることができる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図である。図中１１はＮ−ＧａＡｓ基
板、１２はＮ−Ｇａ０・６Ａｌ０・４Ａｓクラッド層、
１３はＧａ０・９４Ａｌ０・０６Ａｓ活性層、１４はＰ
−Ｇａ０・６Ａｌ０・４Ａｓクラッド層、１５はＮ−Ｇ
ａ０・６５Ａｌ０・３５Ａｓ電流狭窄層、１６はＰ−Ｇ
ａ０・７３Ａｌ０・２７Ａｓ導波層、１７はＰ−Ｇａ
０・６Ａｌ０・４Ａｓ被覆層、１８はＰ−ＧａＡｓコン
タクト層、１９，２０は金属電極層をそれぞれ示してい
る。
構造を示す断面図である。図中１１はＮ−ＧａＡｓ基
板、１２はＮ−Ｇａ０・６Ａｌ０・４Ａｓクラッド層、
１３はＧａ０・９４Ａｌ０・０６Ａｓ活性層、１４はＰ
−Ｇａ０・６Ａｌ０・４Ａｓクラッド層、１５はＮ−Ｇ
ａ０・６５Ａｌ０・３５Ａｓ電流狭窄層、１６はＰ−Ｇ
ａ０・７３Ａｌ０・２７Ａｓ導波層、１７はＰ−Ｇａ
０・６Ａｌ０・４Ａｓ被覆層、１８はＰ−ＧａＡｓコン
タクト層、１９，２０は金属電極層をそれぞれ示してい
る。
上記構造のレーザは、第２図（ａ）〜（ｃ）に示す工程
によって実現される。まず、第２図（ａ）に示す如く面
方位（１００）のＮ−ＧａＡｓ基板、１１上に厚さ０．
７［μｍ］のＮ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１２、厚さ
０．０６［μｍ］のＧａＡｌＡｓ活性層１３、厚さ０．
７［μｍ］のＰ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１４、及び厚
さ０．７［μｍ］のＮ−ＧａＡｌＡｓ電流狭窄層１５を
順次成長せしめた。この第１回目の結晶成長にはＭＯＣ
ＶＤ法を用いた。なお、第１回目の結晶成長には必ずし
もＭＯＣＶＤ法を用いる必要はないが、大面積で均一性
の良い結晶成長が可能なＭＯＣＶＤ法を用いることは、
量産化を考えた場合ＬＰＥ法に比べて有利である。
によって実現される。まず、第２図（ａ）に示す如く面
方位（１００）のＮ−ＧａＡｓ基板、１１上に厚さ０．
７［μｍ］のＮ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１２、厚さ
０．０６［μｍ］のＧａＡｌＡｓ活性層１３、厚さ０．
７［μｍ］のＰ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１４、及び厚
さ０．７［μｍ］のＮ−ＧａＡｌＡｓ電流狭窄層１５を
順次成長せしめた。この第１回目の結晶成長にはＭＯＣ
ＶＤ法を用いた。なお、第１回目の結晶成長には必ずし
もＭＯＣＶＤ法を用いる必要はないが、大面積で均一性
の良い結晶成長が可能なＭＯＣＶＤ法を用いることは、
量産化を考えた場合ＬＰＥ法に比べて有利である。
次いで、第２図（ｂ）に示す如く電流狭窄層１５上にフ
ォトレジスト２１を塗布し、該レジスト２１に幅１．５
［μｍ］のストライプ状窓を形成し、これをマスクとし
て電流狭窄層１５を選択エッチングし、さらにクラッド
層１４を途中までエッチングしてストライプ状の溝部２
２を形成した。溝部２２の底面の幅Ｗは１［μｍ］、底
面から活性層１３までの距離ｈは０．４［μｍ］に形成
した。ここで、電流狭窄層１５をＧａＡｌＡｓで形成し
ているので、クラッド層１４を従来よりも薄く形成する
ことができる。そして、ストライプ状溝部４２の深さは
約１［μｍ］で、電流狭窄層１５がＧａＡｓの場合の約
半分で済むことになり、寸法再現性が大幅に向上する。
また、電流狭窄層１５におけるＡｌの組成比を更に高く
し、例えば０．４とすると、クラッド層１４と屈折率が
同じとなり、クラッド層１４の膜厚をより薄く形成する
ことが可能である。
ォトレジスト２１を塗布し、該レジスト２１に幅１．５
［μｍ］のストライプ状窓を形成し、これをマスクとし
て電流狭窄層１５を選択エッチングし、さらにクラッド
層１４を途中までエッチングしてストライプ状の溝部２
２を形成した。溝部２２の底面の幅Ｗは１［μｍ］、底
面から活性層１３までの距離ｈは０．４［μｍ］に形成
した。ここで、電流狭窄層１５をＧａＡｌＡｓで形成し
ているので、クラッド層１４を従来よりも薄く形成する
ことができる。そして、ストライプ状溝部４２の深さは
約１［μｍ］で、電流狭窄層１５がＧａＡｓの場合の約
半分で済むことになり、寸法再現性が大幅に向上する。
また、電流狭窄層１５におけるＡｌの組成比を更に高く
し、例えば０．４とすると、クラッド層１４と屈折率が
同じとなり、クラッド層１４の膜厚をより薄く形成する
ことが可能である。
次いで、レジスト２１を除去し表面洗浄処理を施したの
ち、第２回目の結晶成長をＭＯＣＶＤ法で行った。即
ち、第２図（ｃ）に示す如く全面に厚さ０．２［μｍ］
のＰ−ＧａＡｌＡｓ導波層１６、厚さ１．２５［μｍ］
の被覆層１７及び厚さ５［μｍ］のＰ−ＧａＡｓコンタ
クト層１８を成長形成した。これ以降は、通常の電極付
け工程によりコンタクト層１８上にＣｒ−Ａｕ電極１９
を、さらに基板１１の下面にＡｕ−Ｇｅ電極２０を被着
して前記第１図に示す如き構造を得た。
ち、第２回目の結晶成長をＭＯＣＶＤ法で行った。即
ち、第２図（ｃ）に示す如く全面に厚さ０．２［μｍ］
のＰ−ＧａＡｌＡｓ導波層１６、厚さ１．２５［μｍ］
の被覆層１７及び厚さ５［μｍ］のＰ−ＧａＡｓコンタ
クト層１８を成長形成した。これ以降は、通常の電極付
け工程によりコンタクト層１８上にＣｒ−Ａｕ電極１９
を、さらに基板１１の下面にＡｕ−Ｇｅ電極２０を被着
して前記第１図に示す如き構造を得た。
かくして得られた試料をへき開により共振器長２５０
［μｍ］のファブリペロー型レーザに切出した素子の特
性は、しきい値電流３５［ｍＡ］と低く、微分量子効率
も５０［％］と良好であった。また、出力５０［ｍＷ］
以上までキンクのない線形性の良い電流−光出力特性が
得られた。さらに、レーザ端面より放射されたレーザ光
ビームの接合面に水平方向、垂直方向のビームウェスト
は端面に一致しており、良好な屈折率ガイドになってい
ることが確認できた。
［μｍ］のファブリペロー型レーザに切出した素子の特
性は、しきい値電流３５［ｍＡ］と低く、微分量子効率
も５０［％］と良好であった。また、出力５０［ｍＷ］
以上までキンクのない線形性の良い電流−光出力特性が
得られた。さらに、レーザ端面より放射されたレーザ光
ビームの接合面に水平方向、垂直方向のビームウェスト
は端面に一致しており、良好な屈折率ガイドになってい
ることが確認できた。
このように本実施例によれば、電流狭窄挿１５をＧａＡ
ｌＡｓで形成しているので、上下のＧａＡｌＡｓ層（１
４，１６）との間の格子整合がとれ、電流狭窄層１５の
両界面における応力歪みが緩和されることになる。この
ため、高出力動作における信頼性を著しく改善すること
ができる。また、電流狭窄層１５の屈折率が小さく且つ
光吸収係数が小さくなるので、電流狭窄層１５を活性層
１３に近付けることが可能となり、クラッド層１４の膜
厚を薄く形成することができる。このため、ストライプ
状溝部４２以外へのリーク電流を低減することができ、
且つモード安定性を得るのに必要な寸法再現性を高める
ことができる。即ち、発振横モードが安定で電流リーク
も少なく、また信頼性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
ｌＡｓで形成しているので、上下のＧａＡｌＡｓ層（１
４，１６）との間の格子整合がとれ、電流狭窄層１５の
両界面における応力歪みが緩和されることになる。この
ため、高出力動作における信頼性を著しく改善すること
ができる。また、電流狭窄層１５の屈折率が小さく且つ
光吸収係数が小さくなるので、電流狭窄層１５を活性層
１３に近付けることが可能となり、クラッド層１４の膜
厚を薄く形成することができる。このため、ストライプ
状溝部４２以外へのリーク電流を低減することができ、
且つモード安定性を得るのに必要な寸法再現性を高める
ことができる。即ち、発振横モードが安定で電流リーク
も少なく、また信頼性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記電流狭窄層におけるＡｌの組成比は、
前記導波層におけるそれよりも大きい範囲で適宜変更可
能である。また、構成材料としてはＧａＡｌＡｓに限る
ものではなく、ＡｌＧａＩｎＰ或いはＡｌＧａＺｎＰ等
の化合物半導体材料を用いることも可能である。さら
に、結晶成長法としては、ＭＯＣＶＤ法の代りに、ＭＢ
Ｅ法を用いることもできる。また、基板としてＰ型基板
を用い、各層の導電型を逆にすることも可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。
い。例えば、前記電流狭窄層におけるＡｌの組成比は、
前記導波層におけるそれよりも大きい範囲で適宜変更可
能である。また、構成材料としてはＧａＡｌＡｓに限る
ものではなく、ＡｌＧａＩｎＰ或いはＡｌＧａＺｎＰ等
の化合物半導体材料を用いることも可能である。さら
に、結晶成長法としては、ＭＯＣＶＤ法の代りに、ＭＢ
Ｅ法を用いることもできる。また、基板としてＰ型基板
を用い、各層の導電型を逆にすることも可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は上記レーザ
の製造工程を示す断面図、第３図は従来レーザの概略構
造を示す断面図、第４図は実効屈折率差Δneff及び活性
層の光閉込め係数「と寸法との関係を示す特性図であ
る。 １１…Ｎ−ＧａＡｓ基板、１２…Ｎ−Ｇａ０・６Ａｌ
０・４Ａｓクラッド層、１３…Ｇａ０・９４Ａｌ
０・０６Ａｓ活性層、１４…Ｐ−Ｇａ０・６Ａｌ０・４
Ａｓクラッド層、１５…Ｎ−Ｇａ０・６５Ａｌ０・３５
Ａｓ電流狭窄層、１６…Ｐ−Ｇａ０・７３Ａｌ０・２７
Ａｓ導波層、１７…Ｐ−Ｇａ０・６Ａｌ０・４Ａｓ被覆
層、１８…Ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、１９，２０…金
属電極層、２１…レジスト、２２…ストライプ状溝部。
構造を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は上記レーザ
の製造工程を示す断面図、第３図は従来レーザの概略構
造を示す断面図、第４図は実効屈折率差Δneff及び活性
層の光閉込め係数「と寸法との関係を示す特性図であ
る。 １１…Ｎ−ＧａＡｓ基板、１２…Ｎ−Ｇａ０・６Ａｌ
０・４Ａｓクラッド層、１３…Ｇａ０・９４Ａｌ
０・０６Ａｓ活性層、１４…Ｐ−Ｇａ０・６Ａｌ０・４
Ａｓクラッド層、１５…Ｎ−Ｇａ０・６５Ａｌ０・３５
Ａｓ電流狭窄層、１６…Ｐ−Ｇａ０・７３Ａｌ０・２７
Ａｓ導波層、１７…Ｐ−Ｇａ０・６Ａｌ０・４Ａｓ被覆
層、１８…Ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、１９，２０…金
属電極層、２１…レジスト、２２…ストライプ状溝部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 基幸 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 岡島 正季 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 木之下 秀明 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 松浦 延行 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内
Claims (3)
- 【請求項１】活性層に対し基板と反対側のクラッド層上
に該クラッド層とは導電型の異なる電流狭窄層をストラ
イプ状部分を除いて形成し、この上に上記クラッド層と
同じ導電型で該クラッド層よりも屈折率の高い導波層を
形成し、且つこの導波層上に上記クラッド層と同じ導電
型で導波層よりも屈折率の低い被覆層を形成して、電流
狭窄効果及び作り付け導波路効果を持たせたヘテロ接合
型半導体レーザ装置において、前記クラッド層，電流狭
窄層及び導波層をＡｌを含む同種の化合物半導体材料で
形成し、且つ前記電流狭窄層におけるＡｌの組成比を前
記導波層におけるそれよりも大きく設定したことを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】前記Ａｌを含む同種の化合物半導体材料と
して、ＧａＡｌＡｓを用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】前記電流狭窄層におけるＡｌの組成比を、
前記クラッド層におけるそれと等しく設定したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18553185A JPH0644660B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/898,706 US4799228A (en) | 1985-08-23 | 1986-08-21 | Transverse-mode stabilized semiconductor laser diode with slab-coupled waveguide |
| EP86111632A EP0214534A3 (en) | 1985-08-23 | 1986-08-22 | Transverse-mode stabilized semiconductor laser diode with slab-coupled waveguide |
| KR1019860006998A KR900000075B1 (ko) | 1985-08-23 | 1986-08-23 | 반도체레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18553185A JPH0644660B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246583A JPS6246583A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0644660B2 true JPH0644660B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16172429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18553185A Expired - Fee Related JPH0644660B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644660B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009119565A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Denso Wave Inc | ロボット |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18553185A patent/JPH0644660B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6246583A (ja) | 1987-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |