JPS649749B2 - - Google Patents
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- JPS649749B2 JPS649749B2 JP3030783A JP3030783A JPS649749B2 JP S649749 B2 JPS649749 B2 JP S649749B2 JP 3030783 A JP3030783 A JP 3030783A JP 3030783 A JP3030783 A JP 3030783A JP S649749 B2 JPS649749 B2 JP S649749B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
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- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ素子に関し、特に埋め込み型
半導体レーザ素子の製造方法に関する。
半導体レーザ素子の製造方法に関する。
幅が数ミクロンのストライプ状の活性層の長手
方向外周（長手軸に沿つた上下面及び両側面）を
禁制帯幅のより広い半導体層で埋め込んだ構造の
半導体レーザ素子は、総称して埋め込み型半導体
レーザ素子と呼ばれ、発振閾値が低く外部微分量
子効率が高いなど素子特性が優れていることが知
られている。ところが、埋め込み型半導体レーザ
素子は、活性層が連続した構造（活性層がストラ
イプ状でなく基板と同じ広さを有する構造）の半
導体レーザ素子に比較して、発光領域の幅が数分
の一と狭いため、同一光出力で動作させた際には
レーザ共振器を構成する一対の反射面における光
出力の密度が必然的に高くなる。この結果、反射
面に起因する劣化が著しくて素子の信頼性が低い
という欠点がある。その一つは、発振光の光励起
によつて促進される反射面の酸化反応の速度が速
いことから、動作中の発振閾値電流値の増加率が
大きく、また外部微分量子効率の低下率も大きい
ことである。もう一点は、発振光の一部分が反射
面領域で吸収されることから、光出力の密度が高
くなると、反射面結晶が損傷を受けて瞬時に劣化
するという現象が一般に発生するが、埋め込み型
半導体レーザ素子では低い光出力で容易にこの光
学損傷劣化が発生し、実用的に充分な光出力が得
られないことである。
方向外周（長手軸に沿つた上下面及び両側面）を
禁制帯幅のより広い半導体層で埋め込んだ構造の
半導体レーザ素子は、総称して埋め込み型半導体
レーザ素子と呼ばれ、発振閾値が低く外部微分量
子効率が高いなど素子特性が優れていることが知
られている。ところが、埋め込み型半導体レーザ
素子は、活性層が連続した構造（活性層がストラ
イプ状でなく基板と同じ広さを有する構造）の半
導体レーザ素子に比較して、発光領域の幅が数分
の一と狭いため、同一光出力で動作させた際には
レーザ共振器を構成する一対の反射面における光
出力の密度が必然的に高くなる。この結果、反射
面に起因する劣化が著しくて素子の信頼性が低い
という欠点がある。その一つは、発振光の光励起
によつて促進される反射面の酸化反応の速度が速
いことから、動作中の発振閾値電流値の増加率が
大きく、また外部微分量子効率の低下率も大きい
ことである。もう一点は、発振光の一部分が反射
面領域で吸収されることから、光出力の密度が高
くなると、反射面結晶が損傷を受けて瞬時に劣化
するという現象が一般に発生するが、埋め込み型
半導体レーザ素子では低い光出力で容易にこの光
学損傷劣化が発生し、実用的に充分な光出力が得
られないことである。
これに対して、ストライプ状の活性層をその共
振器方向でも禁制帯幅のより広い半導体層で埋め
込んだ構造を採用することによつて、上述した信
頼性上の欠点を解決することが従来から提案され
ている。第１図は、そのような活性層端面を埋め
込んだ埋め込み型AlGaAs半導体レーザ素子の斜
視図である。２２，２３は反射面であり、埋め込
み層の劈開面で形成されている。４はGaAs基
板、２０，２１はそれぞれｐ側、ｎ側のオーミツ
クス性電極である。素子構造をより詳しく説明す
るために第１図に一点鎖線Ａ−A′で示した位置
で素子の一部を除去した状態の素子の斜視図を第
２図に示す。ストライプのAlxGa1-xAs活性層
１、ｐ−AlyGa1-yAsクラツド層２、ｎ−
AlyGa1-yAsクラツド層３で挾まれ、さらに周囲
を高抵抗AlvGa1-vAs埋め込み層５でとり囲まれ
ている。それぞれの層のAl混晶比はｘ＜ｙ、ｘ
＜ｖの関係にある。第１図及び第２図に示した構
造の端面を埋め込んだ埋め込み型AlGaAs半導体
レーザ素子では、反射面が発振光に対して透明な
半導体材料の劈開面で形成されていることから、
反射面の酸化による素子劣化や反射面の光学損傷
による瞬時劣化が起こらない。
振器方向でも禁制帯幅のより広い半導体層で埋め
込んだ構造を採用することによつて、上述した信
頼性上の欠点を解決することが従来から提案され
ている。第１図は、そのような活性層端面を埋め
込んだ埋め込み型AlGaAs半導体レーザ素子の斜
視図である。２２，２３は反射面であり、埋め込
み層の劈開面で形成されている。４はGaAs基
板、２０，２１はそれぞれｐ側、ｎ側のオーミツ
クス性電極である。素子構造をより詳しく説明す
るために第１図に一点鎖線Ａ−A′で示した位置
で素子の一部を除去した状態の素子の斜視図を第
２図に示す。ストライプのAlxGa1-xAs活性層
１、ｐ−AlyGa1-yAsクラツド層２、ｎ−
AlyGa1-yAsクラツド層３で挾まれ、さらに周囲
を高抵抗AlvGa1-vAs埋め込み層５でとり囲まれ
ている。それぞれの層のAl混晶比はｘ＜ｙ、ｘ
＜ｖの関係にある。第１図及び第２図に示した構
造の端面を埋め込んだ埋め込み型AlGaAs半導体
レーザ素子では、反射面が発振光に対して透明な
半導体材料の劈開面で形成されていることから、
反射面の酸化による素子劣化や反射面の光学損傷
による瞬時劣化が起こらない。
しかし、この従来方法には次の様な欠点があ
る。この構造では発振光が活性層と反射面の間を
往復する間に、その空間分布が著しく広がるた
め、活性層に帰還する光が少なくなり、内部損失
が実効的に大きくなる。この結果、活性層が反射
面に露出している構造の埋め込み型半導体レーザ
素子に比較して、この構造の埋め込み型半導体レ
ーザ素子では、発振閾値電流値が著しく高く、外
部微分量子効率も低くなることは避けられない。
すなわち、従来方法では、低閾値電流値、高外部
微分量子効率という特長を維持しながら、同時に
信頼性上の問題を解決するということが不可能で
あつた。
る。この構造では発振光が活性層と反射面の間を
往復する間に、その空間分布が著しく広がるた
め、活性層に帰還する光が少なくなり、内部損失
が実効的に大きくなる。この結果、活性層が反射
面に露出している構造の埋め込み型半導体レーザ
素子に比較して、この構造の埋め込み型半導体レ
ーザ素子では、発振閾値電流値が著しく高く、外
部微分量子効率も低くなることは避けられない。
すなわち、従来方法では、低閾値電流値、高外部
微分量子効率という特長を維持しながら、同時に
信頼性上の問題を解決するということが不可能で
あつた。
本発明の目的は信頼性と素子特性の両面に優れ
た埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法の提供
にある。
た埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法の提供
にある。
本発明による埋め込み型半導体レーザ素子の製
造方法の構成は、活性層と、この活性層の少なく
とも片側の層平面に接して設けてあり前記活性層
よりも禁制帯幅が広くかつ屈折率が小さい導波層
とを、これらいずれの層よりも禁制帯幅が広くか
つ屈折率が小さいクラツド層で挾んでなる半導体
多層膜を形成する工程と、幅が一定している主部
とこの主部よりも幅が狭い副部とからなるストラ
イプ形状のエツチング用マスクを用いて前記半導
体多層膜に選択的にエツチングを施し、前記主部
で被覆された領域の活性層は一定幅のストライプ
状に残存させ前記副部で被覆された領域の活性層
は除去するとともに、前記導波層は前記マスクの
被覆された全域にわたつてストライプ状に残存さ
せる工程と、前記活性層及び前記導波層のいずれ
の層よりも帯制帯幅が広くかつ屈折率が小さい半
導体層で少なくとも前記活性層及び前記導波層を
埋め込む工程とを含むことを特徴とする。
造方法の構成は、活性層と、この活性層の少なく
とも片側の層平面に接して設けてあり前記活性層
よりも禁制帯幅が広くかつ屈折率が小さい導波層
とを、これらいずれの層よりも禁制帯幅が広くか
つ屈折率が小さいクラツド層で挾んでなる半導体
多層膜を形成する工程と、幅が一定している主部
とこの主部よりも幅が狭い副部とからなるストラ
イプ形状のエツチング用マスクを用いて前記半導
体多層膜に選択的にエツチングを施し、前記主部
で被覆された領域の活性層は一定幅のストライプ
状に残存させ前記副部で被覆された領域の活性層
は除去するとともに、前記導波層は前記マスクの
被覆された全域にわたつてストライプ状に残存さ
せる工程と、前記活性層及び前記導波層のいずれ
の層よりも帯制帯幅が広くかつ屈折率が小さい半
導体層で少なくとも前記活性層及び前記導波層を
埋め込む工程とを含むことを特徴とする。
本発明の埋め込み型半導体レーザ素子の最も大
きな特徴は、活性層とそれを挾む禁制帯幅のより
広いクラツド層との間の少なくとも一方に、禁制
帯幅の大きさと発振光に対する屈折率の値のそれ
ぞれが活性層とクラツド層の値の間の大きさであ
る導波層を有することである。このレーザ素子の
製造方法についての本発明の最も大きな特徴は、
活性層をストライプ状にエツチングする工程にお
いて、部分的に幅が狭くなつているストライプ状
マスクを用いて、前記マスクの幅の広い部分でお
おわれた領域では活性層がストライプ状に残存さ
せ、前記マスクの幅の狭い部分でおおわれた領域
では領域では活性層をすべてエツチングして途切
れを生じさせ、このとき前記導波層はすべての領
域でエツチング状に残存して途切れがないように
エツチングすることにある。
きな特徴は、活性層とそれを挾む禁制帯幅のより
広いクラツド層との間の少なくとも一方に、禁制
帯幅の大きさと発振光に対する屈折率の値のそれ
ぞれが活性層とクラツド層の値の間の大きさであ
る導波層を有することである。このレーザ素子の
製造方法についての本発明の最も大きな特徴は、
活性層をストライプ状にエツチングする工程にお
いて、部分的に幅が狭くなつているストライプ状
マスクを用いて、前記マスクの幅の広い部分でお
おわれた領域では活性層がストライプ状に残存さ
せ、前記マスクの幅の狭い部分でおおわれた領域
では領域では活性層をすべてエツチングして途切
れを生じさせ、このとき前記導波層はすべての領
域でエツチング状に残存して途切れがないように
エツチングすることにある。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
まず、本発明をAlGaAs埋め込み型半導体レー
ザ素子の製造方法に適用した第１の実施例を第３
図から第６図にかけて示す。
ザ素子の製造方法に適用した第１の実施例を第３
図から第６図にかけて示す。
第３図はエツチング前のウエハーの一部分を模
式的に示した斜視図である。ウエハは、ｎ−
GaAs基板１４の（100）面上に、ｎ−AlyGa1-y
Asクラツド層１３、ｎ−AlzGa1-zAs導波層１
０、アンドープAlxGa1-xAs活性層１１、ｐ−
AlyGa1-yAsクラツド層１２を順次成長して形成
したものである。ここで活性層１１のAl混晶比
ｘはクラツド層１２，１３のAl混晶比ｙよりも
小さい。また、導波層１０のAl混晶比ｚはｘと
ｙの間の値である。ストライプ状SiO2マスク２
５は幅W1の主部と、それよりも狭い幅W2（＜
W1）の副部とを有することを特徴とする。SiO2
マスク２５は、まずウエハ全面にSiO2膜を形成
後、フオトレジスト法によつて選択的にエツチン
グして形成したものである。SiO2マスクの長手
方向はウエハ結晶の＜０11＞方向に一致してい
る。
式的に示した斜視図である。ウエハは、ｎ−
GaAs基板１４の（100）面上に、ｎ−AlyGa1-y
Asクラツド層１３、ｎ−AlzGa1-zAs導波層１
０、アンドープAlxGa1-xAs活性層１１、ｐ−
AlyGa1-yAsクラツド層１２を順次成長して形成
したものである。ここで活性層１１のAl混晶比
ｘはクラツド層１２，１３のAl混晶比ｙよりも
小さい。また、導波層１０のAl混晶比ｚはｘと
ｙの間の値である。ストライプ状SiO2マスク２
５は幅W1の主部と、それよりも狭い幅W2（＜
W1）の副部とを有することを特徴とする。SiO2
マスク２５は、まずウエハ全面にSiO2膜を形成
後、フオトレジスト法によつて選択的にエツチン
グして形成したものである。SiO2マスクの長手
方向はウエハ結晶の＜０11＞方向に一致してい
る。
第４図は第３図のウエハを選択エツチングした
後の斜視図である。エツチングは硫酸と過酸化水
素とエチルアルコールの混合液を用いて行なつ
た。SiO2マスク２５で被覆されているため残存
した部分の断面は、結晶の方向性とエツチング液
の特性とにより中央がくびれた台形状になる。エ
ツチング時間はAlGaAs層１０〜１３各層厚から
決定されていて、活性層１１はくびれの位置にく
る。このとき、SiO2マスク５の幅W1とW2とは最
適化されていて、活性層１１はSiO2マスク２５
の幅がW1の領域では幅が約2μｍのストライプ状
に残存し、一方SiO2マスク２５の幅がW2の領域
ではすべてエツチングされて途切れが生じる。こ
れに対して導波層１０はW1，W2の両領域でスト
ライプ状に残存して途切れがない。次の段階で、
SiO2マスク２５を除去後、埋め込み層を成長さ
せる。
後の斜視図である。エツチングは硫酸と過酸化水
素とエチルアルコールの混合液を用いて行なつ
た。SiO2マスク２５で被覆されているため残存
した部分の断面は、結晶の方向性とエツチング液
の特性とにより中央がくびれた台形状になる。エ
ツチング時間はAlGaAs層１０〜１３各層厚から
決定されていて、活性層１１はくびれの位置にく
る。このとき、SiO2マスク５の幅W1とW2とは最
適化されていて、活性層１１はSiO2マスク２５
の幅がW1の領域では幅が約2μｍのストライプ状
に残存し、一方SiO2マスク２５の幅がW2の領域
ではすべてエツチングされて途切れが生じる。こ
れに対して導波層１０はW1，W2の両領域でスト
ライプ状に残存して途切れがない。次の段階で、
SiO2マスク２５を除去後、埋め込み層を成長さ
せる。
このメサ構造には、液相成長が困難なAlGaAs
層の（001）面が露出していないという特徴があ
る。副部のAlGaAs導波層１０においても露出面
は他のメサ部側面と同等の結晶方位を持つ斜面だ
けで構成されている。このため結晶欠陥等の無い
良好な埋め込み成長ができる。
層の（001）面が露出していないという特徴があ
る。副部のAlGaAs導波層１０においても露出面
は他のメサ部側面と同等の結晶方位を持つ斜面だ
けで構成されている。このため結晶欠陥等の無い
良好な埋め込み成長ができる。
第５図は埋め込み成長終了後のウエハの斜視図
である。AlvGa1-vAs埋め込み層１５は活性層１
１が途切れている部分にもまわり込む結果、スト
ライプ状の活性層１１は側面だけでなく長手方向
の端面も埋め込まれる。埋め込み層１５のAl混
晶比ｖは導波層１０のAl混晶比ｚよりも大きい。
また、埋め込み層１５は電気的な高抵抗層であ
る。埋め込み成長終了後、ウエハの上面と下面に
オーミツク性電極を形成してから、同図中Ｂ−
B′の線に沿つた位置で劈開し、さらに同図中Ｃ
−C′の線で示した位置から個々の素子に分離す
る。
である。AlvGa1-vAs埋め込み層１５は活性層１
１が途切れている部分にもまわり込む結果、スト
ライプ状の活性層１１は側面だけでなく長手方向
の端面も埋め込まれる。埋め込み層１５のAl混
晶比ｖは導波層１０のAl混晶比ｚよりも大きい。
また、埋め込み層１５は電気的な高抵抗層であ
る。埋め込み成長終了後、ウエハの上面と下面に
オーミツク性電極を形成してから、同図中Ｂ−
B′の線に沿つた位置で劈開し、さらに同図中Ｃ
−C′の線で示した位置から個々の素子に分離す
る。
第６図はそのようにして作成した埋め込み型
AlGaAs半導体レーザ素子の斜視図である。ただ
し説明のために素子の一部分を除去し内部構造が
露出した状態の図である。また、図中破線で示し
たのは１０〜１３のAlGaAs層と埋め込み層１５
の境界線である。ストライプ状の活性層１１が途
切れた領域を横切るように劈開されているため活
性層１１は反射面に露出しない。従つて反射面が
発振光に対して透明な材料の劈開面で形成されて
いることから反射面の酸化による素子劣化や反射
面の光学損傷による瞬時劣化が発生しない。ま
た、従来技術により作製した端面を埋め込み型
AlGaAs半導体レーザ素子と大きく異なる点は活
性層１１が途切れた領域にストライプ状の導波層
１０が存在し、その屈折率がクラツド層１２，１
３や埋め込み層１５の値よりも大きいため、発振
光に対して光導波路として機能することである。
このため活性層端と反射面の間を往復する間にも
発振光の空間分布が広がることがなく、反射面の
大部分が活性層１１に効率よく帰還される。この
結果、本発明の埋め込み型半導体レーザ素子は、
発振閾値が低く、かつ外部微分量子効率が高い。
AlGaAs半導体レーザ素子の斜視図である。ただ
し説明のために素子の一部分を除去し内部構造が
露出した状態の図である。また、図中破線で示し
たのは１０〜１３のAlGaAs層と埋め込み層１５
の境界線である。ストライプ状の活性層１１が途
切れた領域を横切るように劈開されているため活
性層１１は反射面に露出しない。従つて反射面が
発振光に対して透明な材料の劈開面で形成されて
いることから反射面の酸化による素子劣化や反射
面の光学損傷による瞬時劣化が発生しない。ま
た、従来技術により作製した端面を埋め込み型
AlGaAs半導体レーザ素子と大きく異なる点は活
性層１１が途切れた領域にストライプ状の導波層
１０が存在し、その屈折率がクラツド層１２，１
３や埋め込み層１５の値よりも大きいため、発振
光に対して光導波路として機能することである。
このため活性層端と反射面の間を往復する間にも
発振光の空間分布が広がることがなく、反射面の
大部分が活性層１１に効率よく帰還される。この
結果、本発明の埋め込み型半導体レーザ素子は、
発振閾値が低く、かつ外部微分量子効率が高い。
第７は本発明の第２の実施例の斜視図である。
第２の実施例は、エツチング工程終了までを第１
の実施例と同様に第３図から第４図に示した方法
で行なつた後、多層のAlGaAs層で埋め込み層を
形成したものである。第７図は、第２図および第
６図と同様に、説明のために素子の一部を除去し
内部構造を露出させた状態の斜視図である。ｎ−
AlvGa1-vAs電流阻止層１６は上面の境界が少な
くともｎ−AlyGa1-yAs層１３側面に達するまで
形成されている。その上にｐ−AlvGa1-vAs層１
７、ｎ−AlvGa1-vAs電流阻止層１８、ｐ−
AlvGa1-vAs層１９が形成されており、活性層１
１の側面、端面はｐ−AlvGa1-vAs層１７で埋め
込まれている。ｐ側電極２０は素子上面全面に形
成されているが２つの電流阻止層１６，１８の存
在によつて、活性層１１以外の領域には電流は流
れない。
第２の実施例は、エツチング工程終了までを第１
の実施例と同様に第３図から第４図に示した方法
で行なつた後、多層のAlGaAs層で埋め込み層を
形成したものである。第７図は、第２図および第
６図と同様に、説明のために素子の一部を除去し
内部構造を露出させた状態の斜視図である。ｎ−
AlvGa1-vAs電流阻止層１６は上面の境界が少な
くともｎ−AlyGa1-yAs層１３側面に達するまで
形成されている。その上にｐ−AlvGa1-vAs層１
７、ｎ−AlvGa1-vAs電流阻止層１８、ｐ−
AlvGa1-vAs層１９が形成されており、活性層１
１の側面、端面はｐ−AlvGa1-vAs層１７で埋め
込まれている。ｐ側電極２０は素子上面全面に形
成されているが２つの電流阻止層１６，１８の存
在によつて、活性層１１以外の領域には電流は流
れない。
埋め込み層をこのような多層構成にするのは、
電気抵抗が充分高い層を形成できなくて第１の実
施例のような素子構造では埋め込み層を経由して
遺漏電流が流れるような場合に特に効である。埋
め込み層を多層構成にした場合には、電流阻止層
がメサ部側面に接する位置が重要である。従来方
法では特に活性層の途切れた領域で不安定になる
問題があつたが、本発明の製造方法によれば、活
性層が途切れた領域のメサ部側面の形状が活性層
がある領域の形状とほとんど同じで、同質の結晶
面が露出することになるので、全域にわたつて埋
め込み層の成長を制御性よく行なうことができ
る。
電気抵抗が充分高い層を形成できなくて第１の実
施例のような素子構造では埋め込み層を経由して
遺漏電流が流れるような場合に特に効である。埋
め込み層を多層構成にした場合には、電流阻止層
がメサ部側面に接する位置が重要である。従来方
法では特に活性層の途切れた領域で不安定になる
問題があつたが、本発明の製造方法によれば、活
性層が途切れた領域のメサ部側面の形状が活性層
がある領域の形状とほとんど同じで、同質の結晶
面が露出することになるので、全域にわたつて埋
め込み層の成長を制御性よく行なうことができ
る。
以上、本発明をAlGaAs半導体レーザ素子に適
用した２つの実施例について詳細に説明したが、
本発明はAlGaAs半導体レーザ素子に限定されな
いことはもちろんである。Al、Ga、Inなどの
族元素とAs、Ｐ、Sbなどの族元素の組み合わ
せから成る各種の−族化合物半導体よつて構
成される埋め込み型半導体レーザに適用でき、同
様の効果を得ることができるのはもちろんであ
る。特にInGaAsPとInGaPとから構成される半
導体レーザ素子、GaInPとAlInPとから構成され
る半導体レーザ素子、InGaAsPとInPとから構成
される半導体レーザ素子など各種半導体レーザ素
子に適用でき同様の効果を得ることができる。
用した２つの実施例について詳細に説明したが、
本発明はAlGaAs半導体レーザ素子に限定されな
いことはもちろんである。Al、Ga、Inなどの
族元素とAs、Ｐ、Sbなどの族元素の組み合わ
せから成る各種の−族化合物半導体よつて構
成される埋め込み型半導体レーザに適用でき、同
様の効果を得ることができるのはもちろんであ
る。特にInGaAsPとInGaPとから構成される半
導体レーザ素子、GaInPとAlInPとから構成され
る半導体レーザ素子、InGaAsPとInPとから構成
される半導体レーザ素子など各種半導体レーザ素
子に適用でき同様の効果を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、信頼性
と素子特性の両面に優れた埋め込み型半導体レー
ザ素子及びその製造方法が提供できる。
と素子特性の両面に優れた埋め込み型半導体レー
ザ素子及びその製造方法が提供できる。
第１図は従来の埋め込み型AlGaAs半導体レー
ザ素子の斜視図、第２図は第１図の半導体レーザ
素子をＡ−A′線で切断して示した斜視図、第３
図は本発明の製造方法の一実施例の工程における
エツチング前のウエハーの斜視図であり、第４図
はこのエツチング後の第３図ウエハーの斜視図で
あり、第５図は埋め込み層形成後のそのウエハー
の斜視図であり、第６図はこの第１の実施例の方
法により製造した埋め込み型AlGaAs半導体レー
ザ素子の部分破断斜視図であり、第７図は本発明
による製造方法の第２の実施例により製造した埋
め込み型半導体レーザ素子の部分破断斜視図であ
る（ここで、第６図及び第７図は本発明による埋
め込み型半導体レーザ素子の第１及び第２の実施
例をそれぞれ示す斜視図でもある）。 １，１１……AlxGa1-xAs活性層、２，１２…
…ｐ−AlyGa1-yAsクラツド層、３，１３……ｎ
−AlyGa1-yAsクラツド層、４，１４……ｎ−
GaAs基板、１０……AlzGa1-zAs導波層、５，１
５……高抵抗AlvGa1-vAs埋め込み層、１６，１
８……ｎ−AlvGa1-vAs電流阻止層、１７，１９
……ｐ−AlvGa1-vAs埋め込み層、２０……ｐ側
オーミツク性電極、２１……ｎ側オーミツクス性
電極、２２，２３……反射面、２５……エツチン
グ用SiO2マスク。
ザ素子の斜視図、第２図は第１図の半導体レーザ
素子をＡ−A′線で切断して示した斜視図、第３
図は本発明の製造方法の一実施例の工程における
エツチング前のウエハーの斜視図であり、第４図
はこのエツチング後の第３図ウエハーの斜視図で
あり、第５図は埋め込み層形成後のそのウエハー
の斜視図であり、第６図はこの第１の実施例の方
法により製造した埋め込み型AlGaAs半導体レー
ザ素子の部分破断斜視図であり、第７図は本発明
による製造方法の第２の実施例により製造した埋
め込み型半導体レーザ素子の部分破断斜視図であ
る（ここで、第６図及び第７図は本発明による埋
め込み型半導体レーザ素子の第１及び第２の実施
例をそれぞれ示す斜視図でもある）。 １，１１……AlxGa1-xAs活性層、２，１２…
…ｐ−AlyGa1-yAsクラツド層、３，１３……ｎ
−AlyGa1-yAsクラツド層、４，１４……ｎ−
GaAs基板、１０……AlzGa1-zAs導波層、５，１
５……高抵抗AlvGa1-vAs埋め込み層、１６，１
８……ｎ−AlvGa1-vAs電流阻止層、１７，１９
……ｐ−AlvGa1-vAs埋め込み層、２０……ｐ側
オーミツク性電極、２１……ｎ側オーミツクス性
電極、２２，２３……反射面、２５……エツチン
グ用SiO2マスク。
Claims (1)
- １ 活性層と、この活性層の少なくとも片側の層
平面に接して設けてあり前記活性層よりも禁制帯
幅が広くかつ屈折率が小さい導波層とを、これら
いずれの層よりも禁制帯幅が広くかつ屈折率が小
さいクラツド層で挾んでなる半導体多層膜を形成
する工程と、幅が一定している主部とこの主部よ
りも幅が挾い副部とからなるストライプ形状のエ
ツチング用マスクを用いて前記半導体多層膜に選
択的にエツチングを施し、前記主部で被覆された
領域の活性層は一定幅のストライプ状に残存さ
せ、前記副部で被覆された領域の活性層は除去す
るとともに、前記導波層は前記マスクの被覆され
た全域にわたつてストライプ状に残存させる工程
と、前記活性層及び前記導波層のいずれの層より
も帯制帯幅が広くかつ屈折率が小さい半導体層で
少なくとも前記活性層及び前記導波層を埋め込む
工程とを含むことを特徴とする埋め込み型半導体
レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030783A JPS59155981A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030783A JPS59155981A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155981A JPS59155981A (ja) | 1984-09-05 |
| JPS649749B2 true JPS649749B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=12300110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3030783A Granted JPS59155981A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155981A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2222307B (en) * | 1988-07-22 | 1992-04-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser |
| KR940007605B1 (ko) * | 1991-11-07 | 1994-08-20 | 주식회사 금성사 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| US7977132B2 (en) * | 2009-05-06 | 2011-07-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Extension of contact pads to the die edge via electrical isolation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562792A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-12 | Nec Corp | Injection type semiconductor laser element |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP3030783A patent/JPS59155981A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59155981A (ja) | 1984-09-05 |
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